中国光伏产业经过15年左右的高速发展,产能规模从2001年的10MW左右发展到今天的70GW,增长了约7000倍。在中国光伏产业发展过程中,产能一直表现出超前的势头,如今已经严重超前。产能超前也极大的刺激了行业的价格竞争,使得光伏产品的成本大幅降低。目前,光伏电站建设中的光伏产品的成本已经降低到15年前的二十分之一左右。
从事太阳能发电工作,我们不可避免要接触到有关电方面的名词、术语,也经常有很多用电方面的困惑。同样的组件,同样的安装方式,是什么因素导致发电量不一样?为什么会发生由用电引发的火灾?晚上并网逆变器不工作,为什么隔离变压器还会消耗电能?很多经常听到的,看似简单,又不容易说清的问题,本文将介绍光伏系统的基础电工知识。
近几年,国内光伏产业蓬勃发展,技术路线的选择对企业发展的重要性不言而喻。在国内光伏晶硅行业发展的耀眼光环下,国内光伏薄膜稍显暗淡。但近日,随着全球第一条大面积发电玻璃生产线在国内的投产,为光伏薄膜领域描绘出浓墨重彩的一笔。
微发光二极管(Micro LED)被喻为是即将颠覆产业的新一代显示器,面对新技术掀起的趋势浪潮,近日,LG Display在接受南方日报记者采访时表示,公司已着手研发Micro LED,该技术将更适用于商业场景。
对于需要从高输入电压转换到极低输出电压的应用,有不同的解决方案。一个有趣的例子是从48 V转换到3.3 V。这样的规格不仅在信息技术市场的服务器应用中很常见,在电信应用中同样常见。
近日,作为电视液晶面板行业后进者,惠科电子(深圳)有限公司连续签署了两份投资协议,一份是郑州第11代液晶面板生产线项目,一份是绵阳第8.6代液晶面板生产线项目,总投资规模达640亿元。如果这两条生产线项目都能顺利实施、投产,将加剧全球电视液晶面板产能过剩的风险。
墨西哥科阿韦拉州(Coahuila)的沙漠安装了230万个太阳能板,远望宛如浩瀚黄沙中出现了一片深蓝色海洋。
近日,雄安新区市民服务中心电动汽车充电站迎来了投入使用后“入驻”的第一批“顾客”——首汽集团20辆共享电动汽车。
DTF(distance tofault),是故障定位的意思,是一种用于天线传输线路服务维护、线路性能验证以及故障分析的工具。DTF中运用了频域反射(FDR)测量技术。FDR是一种传输线路故障隔离方法,可精确识别同轴电缆和波导传输线路的信号路径衰减。能够精确定位故障和系统性能下降,而不仅仅是线路断路或短路的情况。可以迅速识别线路连接不良、电缆损坏或天线故障等造成的影响。
XP Power正式宣布价格优惠的高功率密度DC-DC转换器家族增加新成员,可适合铁路牵引,铁道车辆和其他严苛环境中应用。这些产品提供超宽的50W 至 600W功率范围,其中50W产品的牵引电池电压为24, 36, 48, 72 & 110 VDC,100W产品为110 VDC,300W 和600W产品为72 & 110 VDC。所有模块都采用工业标准的砖块外壳,使低规格系统升级更容易。
开关电源次级线圈上的输出电压Uo是脉冲状态
开关电源是各种电子设备必不可缺的组成部分,其性能优劣直接关系到电子设备的技术指标及能否安全可靠地工作。由于开关电源内部关键元器件工作在高频开关状态,功耗小,转化率高,且体积和重量只有线性电源的20%—30%,故目前它已成为稳压电源的主流产品。电子设备电气故障的检修,本着从易到难的原则,基本上都是先从电源入手,在确定其电源正常后,再进行其他部位的检修,且电源故障占电子设备电气故障的大多数。故了解开头电源基本工作原理,熟悉其维修技巧和常见故障,有利于缩短电子设备故障维修时间,提高个人设备维护技能。
不间断电源(Uninterruptible Power Supply)。其功能为保护贵重的仪器设备,延长紧急安全逃生设备之电力,避免电力中断或电力不稳的现象减短设备的寿命,防止电源的高突波危害与损坏设备等。
是由生产工艺造成的,大功率MOS管漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构,所以没有这个二极管。但D极和衬底之间都存在寄生二极管,如果是单个晶体管,衬底当然接S极,因此自然在DS之间有二极管。如果在IC里面,N—MOS衬底接最低的电压,P—MOS衬底接最高电压,不一定和S极相连,所以DS之间不一定有寄生二极管。
是由生产工艺造成的,大功率MOS管漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构,所以没有这个二极管。但D极和衬底之间都存在寄生二极管,如果是单个晶体管,衬底当然接S极,因此自然在DS之间有二极管。如果在IC里面,N—MOS衬底接最低的电压,P—MOS衬底接最高电压,不一定和S极相连,所以DS之间不一定有寄生二极管。