采用LabVIEW为平台开发多参数病人监护仪自动测试系统 Develop Automatic Test System for Multi-parameter Patient Monitor Based on LabVIEW Platform 作者:陈祥 职务:高级测试开发工程师 公司:飞利浦(中国
0 引言现代便携式数码设备离不开显示器,而作为显示器背光源的白光LED(发光二极管)在很多方面(比如使用寿命,能耗)都有着优于传统CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps,冷阴极荧光灯)数倍甚至数十倍的性能,所以,由
0 引言现代便携式数码设备离不开显示器,而作为显示器背光源的白光LED(发光二极管)在很多方面(比如使用寿命,能耗)都有着优于传统CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamps,冷阴极荧光灯)数倍甚至数十倍的性能,所以,由
本文依据集成电路设计方法学,探讨了一种基于标准Intel 8086 微处理器的单芯片计算机平台的架构。研究了其与SDRAM,8255 并行接口等外围IP 的集成,并在对AMBA协议和8086 CPU分析的基础上,采用遵从AMBA传输协议的系统总线代替传统的8086 CPU三总线结构,搭建了基于8086 IP 软核的单芯片计算机系统,并实现了FPGA 功能演示。
本文基于对称OTA结构,设计了一款用于低噪声恒流电荷泵的误差放大器EA,即在传统的设计基础上引入了动态频率补偿及弥勒补偿。新设计的EA不仅降低了输出波纹及噪声,而且改善了稳定性。从电路分析和仿真结果可以看到在100 Hz~10 MHz频率范围内,其增益高达60 dB,PSRR为65 dB,而CMRR则高达70 dB,系统达到了较高的性能。
本文基于对称OTA结构,设计了一款用于低噪声恒流电荷泵的误差放大器EA,即在传统的设计基础上引入了动态频率补偿及弥勒补偿。新设计的EA不仅降低了输出波纹及噪声,而且改善了稳定性。从电路分析和仿真结果可以看到在100 Hz~10 MHz频率范围内,其增益高达60 dB,PSRR为65 dB,而CMRR则高达70 dB,系统达到了较高的性能。
自适应滤波器的研究是近年来研究的热门方向,在PFGA中实现高速的自适应滤波器的设计更是一个热点,在此采用DSP Builder系统建模的方法,在FPGA中实现了归一化LMS算法,实验结果表明:用DSPBuilder设计的8阶DNLMS算法比用底层的VHDL代码设计效率更高,灵活性更大,速度更快。同样比通用的DSP芯片设计的8阶NLMS滤波器处理速度快了20多倍。如果将8阶NLMS滤波器扩展到512阶或者1 024阶,可以很好地应用于自适应回声消除等很多自适应滤波的领域。
在信号的频率测量中,利用功率谱估计和频率测量相结合的方法,能有效地提高测量精度。同时,借助虚拟仪器良好的人机界面和强大的数据分析处理函数库,结合软件无线电的思想,构建频率测量软件系统,对信号频率测量也具有一定的现实意义和研究价值。
普诚科技最新节能照明芯片方案将于2010年6月9-12日于广州国际照明展中国进出口商品交易琶洲展馆展出。展示产品包括高功率LED驱动芯片—PT69XX系列及650V多功能电子镇流器驱动芯片—PT56XX系列。针对高功率LED驱动芯片
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 今天推出 AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 600V IC,适用于汽车栅极驱动应用,包括直喷装置和无刷直流电机驱动器。AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 高侧驱动器的开关传输时间非
英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间仅为64平方毫米(D2PAK的占板空间为150平方毫米),高度仅为1毫米(D2PAK的高度为4.4毫米)。大幅缩小的封装尺寸结
近年来,我国LED芯片技术快速发展。目前我国蓝宝石衬底白光LED有很大突破,有报道显示,光效已达到90lm/W-100lm/W。同时,具有自主技术产权的硅衬底白光LED也已经达到90lm/W-96lm/W。中国LED芯片业正在加速发展。与此
意法半导体推出一款先进的高性能功率封装,这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh™ V功率MOSFET技术的功率密度。 在一个尺寸仅为8x8mm的无引脚封装外壳内,全新1mm高的贴装封装可容纳工业标准的TO-220大小
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出专用于 DK-LM3S9B96 开发套件的新型 Stellaris FPGA 扩展板,可显着加速开发低成本安全接入控制系统及其它需要高速外部处理单元接口的应用。这款全新电路板使开发人员能够轻松评估 Stel
我国半导体照明产业既面临着重大历史机遇,也面临着严峻挑战:在技术方面,上游外延材料、核心器件已实现了量产,但仍处于中低端水平,核心专利缺乏,研发与产业化能力薄弱;在产业化方面,我国企业规模普遍较小,而