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  • 日本JSR公司开发出的CALGRIP材料用于节能示范住宅

    日本JSR公司宣布，该公司开发的石蜡基潜热蓄热材料“CALGRIP”被|“EnemaneHouse2014”(2014年1月29—31日在东京有明国国际会展中心举行)上展出的节能示范住在采用。在大学代表团体设计的5栋示范住宅中，东京大学和千叶大学咋示范住宅的部分天花板、地板及门窗中使用了CALGRIP。这种材料可在摆脱吸收太阳热、在夜间释放，从而可削减制暖费用。CALGRIP是利用高分子（烯烃类热可塑性弹性体）来固定石蜡的材料，石蜡的质量比为9成。这种材料在低温下呈蜡烛一样的白色不透明色，而在石蜡熔点以上的高温下则变为半透明凝胶状。石蜡本身在高温下容易像蜡烛一样熔化，而CALGRIP中的高分子材料可阻止石蜡流出，因此在高温下会变成凝胶状，而不会熔化。也就是说，可在保持形状的情况下，随着石蜡变成固体或液体的状态变化，实现蓄热或放热。CALGRIP在制造时可在零下20度—100度的范围内调整石蜡的熔点。

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  • 7nm之后 晶体管技术何去何从？

    FinFET晶体管大量的金钱和精力都花在探索FinFET工艺，它会持续多久和为什么要替代他们？在近期内，从先进的芯片工艺路线图中看已经相当清楚。芯片会基于今天的FinFET工艺技术或者另一种FDSOI工艺的平面技术，有望可缩小到10nm节点。但是到7nm及以下时，目前的CMOS工艺路线图已经不十分清晰。半导体业已经探索了一些下一代晶体管技术的候选者。例如在7nm时，采用高迁移率的FinFET，及用III-V族元素作沟道材料来提高电荷的迁移率。然后，到5nm时，可能会有两种技术，其中一种是环栅FET，和另一种是隧道FET（TFET），它们在比较中有微弱的优势。原因都是因为最终CMOS器件的静电问题，一种是在沟道的四周围绕着栅极的结构。相比之下，TFETs是依赖陡峭的亚阈值斜率晶体管来降低功耗。这场竞赛还远未结束。显然在芯片制造商之间可能已经达成以下共识：下一代器件的结构选择，包括III-V族的FinFET；环栅的FinFET；量子阱；硅纳米线；SOIFinFET和TFET等。未来仍有很长的路要走。除此之外，还有另一条路可能采用一种垂直的芯片架构，如2.5D/3D堆叠芯片以及单片3DIC。总之，英特尔，台积电和一些其他公司，它们均认为环栅技术可能会略占上风。Intel的Mayberry说，英特尔也正在研究它，这可能是能被每个人都能接受的工艺路线图。芯片制造商可能需要开发一种以上的架构类型，因为没有一种单一的技术可为未来的应用是个理想的选择。Intel公司副总裁，元件技术和制造部主任MichaelMayberry说。这不可能是一个单一的答案，有许多不同的答案，将针对不同的细分市场。”英特尔同样也对TFET技术表示出浓厚的兴趣，尽管其他人有不同的意见。最终的赢家和输家将取决于成本，可制造性和功能性。Mayberry说，例如，最为看好的是晶体管的栅极四周被碳纳米线包围起来，但是我们不知道怎样去实现它。所以这可能不是一个最佳的选择方案，它必须要能进行量产。另一个问题是产业能否保持仍是每两年的工艺技术节点的节奏。随着越来越多的经济因素开始发挥作用，相信未来半导体业移动到下一代工艺节点的时间会减缓，甚至可能会不按70%的比例缩小，而延伸下一代的工艺节点。延伸FinFET工艺在2014年英特尔预计将推出基于14nm工艺的第二代FinFET技术。同样在今年，格罗方德，台积电和三星也分别有计划推出他们的14nm级的第一代FinFET技术。intel公司也正分别开发10nm的FinFET技术，然而现在的问题是产业如何延伸FinFET工艺？对于FinFET技术，IMEC的工艺技术高级副总裁，AnSteegen说，在10nm到7nm节点时栅极已经丧失沟道的控制能力。Steegen说，理想的方案是我们可以把一个单一的FinFET最大限度地降到宽度为5nm和栅极长度为10nm。所以到7nm时，业界必须考虑一种新的技术选择。根据不同产品的路线图及行业高管的见解，主要方法是采用高迁移率或者III-V族的FinFET结构。应用材料公司蚀刻技术部的副总裁BradleyHoward说，从目前的态势，在7nm节点时III-V族沟道材料可能会插入。在今天的硅基的FinFET结构中在7nm时电子迁移率会退化。由于锗（Ge）和III-V元素材料具有较高的电子传输能力，允许更快的开关速度。据专家说，第一个III-V族的FinFET结构可能由在pFET中的Ge组成。然后，下一代的III-V族的FinFET可能由锗构成pFET或者铟镓砷化物（InGaAs）组成NFET。高迁移率的FinFET也面临一些挑战，包括需要具有集成不同的材料和结构的能力。为了帮助解决部分问题，行业正在开发一种硅鳍的替换工艺。这取决于你的目标，但是III-V族的FinFET将最有可能用来替代鳍的技术，Howard说。基本上，你做的是替代鳍。你要把硅鳍的周围用氧化物包围起来。这样基本上是把硅空出来用III-V族元素来替代。什么是环栅结构在7nm以下，FinFET的结构变得有点冒险Howard说。未来有潜力的器件中会采用环栅结构，使我们有可能在7nm以下节点时再延伸几代。然后，到5nm时，产业可能延伸采用高迁移率的FinFET。另一种选择是建立一个量子阱的FinFET器件。但是在许多场合可能是下一代的III-V族的FinFET。Howard说在量子阱的FinFET中，组成器件的一个阱把载流子限制在内。从学术的角度来看量子阱是十分有趣的。根据IBM的说法，由于在FinFET中鳍的宽度才5nm，沟道宽度的变化可能会导致不良的VT的变化和迁移率损失。一个有前途的选择，采用环栅的FET可以规避此问题。环栅FET是一种多栅的结构，其中栅极是放置在一个沟道的四周。基本上是一个硅纳米线被栅极包围。这就是你的晶体管，它看起来不同，但实际上仍是有一个源，一个漏和一个栅极。格罗方德的高级技术会员AnChen说采用环栅结构有一些优点和缺点，但是我认为很有前途。虽然栅极的四周有更好的静电场，但是也有一些制造工艺的问题。环栅FET工艺制造困难，以及昂贵。它的复杂性有一例，IBM最近描述了一个用硅纳米线环栅的MOSFET，它实现了约30nm的纳米线间距和缩小的栅极间距为60nm。这个器件有一个有效的12.8nm纳米线。在IBM的环栅极制造工艺中，两个landingpads（着陆垫）形成于基板。纳米线的形成和水平方向悬浮在着陆垫上。然后，图案化的垂直栅极在悬浮的纳米线上。这样的工艺使多个栅极构成在共同的悬浮区上。根据IBM说，形成间隔后，然后在栅极的以外区域切断硅纳米线，再在间隔的边缘在原位进行掺杂的硅外延生长，在间隔边缘的硅纳米线其横截面就显出来。最后用传统的自对准镍基硅化物作接触和铜互连完成器件的制作。环栅结构也有其他的作法。例如，新加坡国立大学，Soitec和法国LETI最近描述一个Ge的环栅纳米线pFET。宽度为3.5nm纳米线，该器件还与相变材料Ge2Sb2Te5（GST）集成一体，作为一个线性的stressor，从而提高它的迁移率。与此同时，英特尔正在作不同的环栅结构。Intel的Mayberry说，直径约6nm，我们可以做得更小些。它是由许多不同的材料作成，采用原子层精密生长在一个3D空间中。所以相当困难进行量产。这是一个尚未解决的问题，我们正在研究。其它的选择环栅结构不是唯一的选择。我们的工作还表明，量子阱的FinFET也有相当的静电的优势。IMEC的逻辑程序经理AaronThean说。实际上，量子阱是一种绝缘的概念，量子阱可被用来防止泄漏。最近，IMEC，格罗方德和三星演示了一种量子阱的FinFET。它们采用鳍的替换工艺，引变材料Ge基沟道PFET。你可以作一个量子阱器件用III-V族，也可以不用锗，甚至不用硅及硅锗。量子阱器件的另一种形式是采用FDSOI工艺，其中硅作为一个阱及氧化物作为阻挡层。IBM的顾问AliKhakifirooz说，我的观点是在7nm时仍然可在SOI上用内置形变方式形成一个Si和SiGeFinFET。IBM也正在进行的另一种技术，称为“积极缩小的应变硅直接在绝缘体上（SSDOI）的FinFET。在这项技术中，硅片有一个键合氧化物的应变硅层。FDSOI技术据猜测可能比体硅更容易加工制造，但是衬底是更昂贵和基础设施条件还不够成熟。事实上，每一种下一代晶体管的候选者都需有不同的平衡，作出选择是困难与复杂的。IBM的AliKhakifirooz认为我个人对III-V族作为MOSFET沟道中硅的替代材料表示极大关注。相比FinFET环栅的四周有更好的静电场。环栅极可以扩展到更短的LG沟道长度，但也有一些挑战。例如，如果环栅极是用本体硅衬底，它需要一些技巧用来隔离栅与基板，而没有电容的惩罚。还有其他的，也许更重要的，但是要仔细权衡。事实上，许多人都在作环栅工艺。无论我们看到它在7nm或5nm生产是另外的事。你或许需要，或需并不要环栅极。我们需要对于这个问题的回答首先来自电路设计人员，然后才是技术专家。

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  • 美国兰卡斯特市大力发展太阳能产业

    当接到美国加州兰卡斯特市市长雷克斯·帕里斯用手机打来的电话时，记者发现，这位美国市长竟然是一位微信用户。“噢，那是在中国的时候，一位朋友给我安装的，”帕里斯市长说。他使用微信大约有1年时间，主要用它联系一些与中国有关的人。从2008年至今，帕里斯已经去过中国5次，每次去都感受到中国日新月异的变化，特别是高铁等基础设施方面的变化，给他留下深刻印象。兰卡斯特市位于加州洛杉矶县的北部，处在高沙漠地区，日照充足，一年最多有325个艳阳天。利用得天独厚的日照条件，帕里斯市长大力推动太阳能产业，计划使该市太阳能发电量超过全市用电量，成为耗电的“净零”城市。在兰卡斯特市，不仅一些建筑的屋顶已安装了太阳能板，体育馆等公用设施的停车位上方也以太阳能板为“顶”。除此之外，还有最大面积达16英亩（约合6.5万平方米）、安装1.4万块太阳能板的太阳能“田”——这里的气候不一定适合种庄稼，但是可以“种”太阳能板，收获太阳能。在帕里斯的积极推动下，兰卡斯特市一方面大力发展太阳能使用设施，另一方面不断扩大与太阳能有关的产业界的合作。该市要求所有新建房屋必须装有太阳能设施或具备安装条件。任何家庭申请安装太阳能设施，只要约15分钟就能获得批准，相当于“立等可取”。该市不仅与建筑开发商合作开发了太阳能住宅，而且还开发出同时使用太阳能和循环水的电耗、水耗“双零”住宅。2012年，该市凭借被称作“未来之家”的太阳能住宅项目，代表美国获得世界环保领域最高奖项“全球能源奖”。在兰卡斯特市，有一条街名为“比亚迪大道”，这是以中国公司比亚迪命名的街道。帕里斯市长曾在一次接受采访时笑着对记者说：“从这当中，你就能看出我对中国公司的态度了。”他说，中国公司让人感到亲切，很好沟通。兰卡斯特市一直努力打造“企业投资友好城市”的形象，与比亚迪的合作也比较成功。比亚迪在该市设厂生产电动大巴和电池等。在“未来之家”这个获全球大奖的项目中，比亚迪提供了从屋顶的太阳能板到屋内的储能电池、LED灯和汽车充电桩等一系列设施。“应对气候变化是一项紧迫任务，我们别无选择。我们必须摆脱对石化能源的依赖，”帕里斯说，“中国和美国这方面应该进一步加强合作，共同应对人类面临的挑战，拯救地球。”

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  • Mouser宣布推出全新开源硬件技术子网站

    【导读】贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布推出全新开源硬件 (OSHW) 技术子网站。 贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布推出全新开源硬件 (OSHW) 技术子网站。此全新的子网站提供了包括 BeagleBone、Arduino、Netduino、STMicroelectronics Nucleo、Texas Instruments LaunchPad 以及 Intel Galileo等多款最新开源硬件电路板及配件的大量信息。开发人员可访问此全新Mouser子网站，快速找到所需的开源产品，以支持所需的项目技术特性。 Mouser.cn 现推出的此全新开源硬件技术子网站包括常用 OSHW 板的原理图、技术详细信息以及兼容扩展板。此新网站面向项目，允许开发人员轻松分类和选择满足特定项目的目标板需求的参数数据，包括处理器类型和速度、模拟与数字输入数、WiFi 、蓝牙 等无线选项、主机、客户端和/或 OTG 等 USB 端口以及视频连接等。还提供了支持每个电路板软件的详细文档及链接，可快速、直接下载。对于指定项目，可针对每个电路板对比并选择 BeagleBone Capes、Arduino Shields 等配件及其他兼容的附加硬件。 同时还提供了大量的技术资源，在项目定义与开发阶段为开发人员提供帮助。视频有助于新手开始使用 OSHW 板，预计将会发布更多新视频。为每个电路板都提供了应用笔记、PCB 文件、白皮书、教程及技术文章支持，旨在通过让开发人员了解完成项目所需了解的信息，从而缩短学习曲线。技术资源包括完整的系统示例直至组件级详细信息。该子网站提供了所有项目物料，因此只需在 Mouser.cn 上单击几次即可快速轻松的完成购买。 作为开源硬件的领先供应商，Mouser的开源硬件技术子网站将会不断更新，以包括这一不断发展领域内的最新产品。随着新 OSHW 生态系统的引入及现有系统的不断发展，Mouser将持续支持这类开发技术，同时保持在 OSHW 社区中处于领先地位。 本文由收集整理

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  • 半导体研发花钱排行榜：Intel无出其右

    一家技术公司要想长盛不衰，足够的研发支出是十分必要的，巨头们每年花在这方面的钞票也经常都是几十亿美元之巨，那么在当今的半导体行业中，谁最舍得在研发上花钱呢？答案并不意外：多年稳居全球第一的半导体巨头——Intel。2013年，Intel总收入483.21亿美元，为研发花去了106.11亿美元，比此前的2012年增长了5％，同时占到总收入的22％。事实上，Intel也是惟一一家年研发支出过百亿美元的企业，这是其产品、技术立于行业领导地位的根本保障。移动领域内风头正劲的高通杀到了第二位，年研发支出从26.55亿美元大幅增至33.95亿美元，和收入增幅完全同步，两年都是总收入的20％，并达到了Intel的五分之一。原本仅次于Intel的三星被挤到了第三名，27.65亿美元到28.20亿美元只增长了区区2％，在收入中的比例也从9％下降到了8％。事实上，三星的研发支出自2011年起就即办呢停滞不前了——难怪有人喷韩国巨头把更多精力花在了营销而不是产品和技术上，GalaxyS5的失望更是加深了这一点。但需要特别强调的一点是，三星是通用平台联盟的一员，IBM、GlobalFoundries等其他成员的成果都可以为其所用，自然有利于节省自己单打独头的研发开支。之后排入前十名的分别是：博通、意法半导体、台积电、东芝、德州仪器、美光、瑞萨。五个来自美国，两个是日本的，台湾、韩国、欧洲各一个。美光是进步最明显的，2013年研发支出猛增了64％而达到了14.87亿美元，从第13名窜升至第9。随着无工厂模式的盛行，台积电作为纯代工厂在2010年第一次杀入前十，当年研发支出猛增44％，从第18名直升到第10名，之后不断烧钱，去年又升到了第7名，不过在收入中的占比还是比较低，只是和三星一样的8％。博通则是最大方的，2006年来研发支出每年都保持12％的增长率，如今已经占到了总收入的超过30％，无出其右者。 Intel、高通、三星都是研发费用的大户前十名累积年研发支出286.63亿美元，占总收入的15.8％，比前一年少了几乎一个百分点，同时这超越了其他所有半导体企业的总和260亿美元，2005年以来就一直如此。顺便计算一下可知，Intel的研发支出占前十名总量的37.0％，占整个行业的19.4％！换言之，半导体行业研发每花5美元，就有1美元来自Intel。

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  • 2013年荷兰已达665兆瓦累计光伏产能

    荷兰基础设施和环境部公布的最新数据显示，2013年底该国太阳能光伏发电装机容量为665.47兆瓦，而阿姆斯特丹占领先地位，超过16兆瓦。阿姆斯特丹以16.1兆瓦的太阳能装机容量排在第一。第二位是哈勒默梅尔市，这个坐落在阿姆斯特丹附近的围海低田城市，有总计8.5兆瓦的光伏装机容量。在它们之下，荷兰的太阳能产能分布相当均匀，如Utrecht(5.9兆瓦),Tilburg(5.7兆瓦),Eindhoven(4.4兆瓦)和TheHague(4.3兆瓦)。荷兰太阳能行业在过去几年中的增长不大但稳健。荷兰中央统计局（CBS）的数据显示，2012年底全国各地的累计装机容量为334兆瓦，主要集中在自用性小型屋顶阵列。但由于国家净计量方案没有官方数据，光伏在荷兰全面增长的更具体数据非常匮乏。

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  • RFMD以16亿美元收购TriQuint

    RFMicroDevices(RFMD)与TriQuintSemiconductor日前宣布将以16亿美元的全股票交易方式合并。合并后的新公司将着重于行动、基础设备与国防三大领域，预计将成为一家可因应简化手机与设备设计需求提供各种关键性RF建构模组的无线元件巨擘。TriQuint公司的产品组合包括开关和放大器产品，以及适用于各种无线与网路基础设备应用的射频滤波器，如表面声波(SAW)、温度补偿表面声波(TC-SAW)和体声波(BAW)滤波器。而RFMD则针对行动装置提供功率放大器、前端模组以及其他关键元件。「我们认为TriQuint的产品和终端市场与RFMD的行动通讯业务正好相辅相成，」根据JPMorgan掌握的一份投资人资料显示，RFMD的行动通讯业务在2013年第4季约2.885亿美元的销售额中占到了83%。然而，除了行动业务以外，合并后的新公司还将专注于基础设备与国防领域共三大业务目标。RFMD执行长RobertBruggeworth表示：「透过提供一个端到端的RF解决方案，我们将使手机设计更简单、更紧密整合，也更具备高性能。我们还将实现从高速4GLTE网路到光学互连的下一代通讯基础设备。最后，此次双方的平等合并行动将有助于使我们的服务扩展到国防产业领域。」Bruggeworth将继续担任新公司的执行长。业界分析师普遍看好RFMD与TriQuint公司的合并，他们认为这项合并行动将提升双方的规模与经营模式，并建立一个更强大的射频晶片产品线。在行动领域，合并后的新公司可「善加利用其主导地位以及与苹果、三星与中国智慧型手机OEM市场等三大重要元素共同建构的智慧型手机生态，」根据市研究公司CanaccordGenuity表示。此外，经由其先进的氮化镓(GaN)与光学产品组合，也将有利于利润较高的国防与航空以及网路基础设备业务的长期成长，「在非行动业务方面──即基础设备与国防业务，我们看到了双方合并后的优势，而且还为我们带来一个5亿美元的基础设备业务，这是我们的产品组合中非常具有吸引力的一部份，」TriQuint公司执行长RalphQuinsey表示。RalphQuinsey将在新公司的董事会担任非执行主席。除了市场合并综效以外，合并后的新公司还将共同承担现有的制造优势、调整公司规模与人员配置，以及减少重覆的公司支出，从而受益于规模优势与营运成本效益。Quinsey指出，在该合并交易完成后的第一年，预计将可省下7,500万美元的年度成本，第二年同样可削减7,500万美元支出，使合并后两年内总共可节省达1.5亿美元的开销。这项合并交易预计将在2014年下半年完成。

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  • LED户外照明市场逐渐成熟 世界各国商机蓬勃

    全球市场研究机构TrendForce旗下绿能事业处LEDinside的最新报告指出，LED户外照明已经进入成熟市场，全球市场LED户外照明出货量和市场规模都会快速成长。LEDinside分析师王婷表示：「LED路灯解决方案经过多年来不断革新与改进日渐成熟，全球多个城市经过早期的试点安装后充分验证LED照明灯具的节能环保，使用寿命长的优点，LED路灯价格也下降到与传统灯具更为接近的水准，预计2014~2017年，LED户外照明不仅出货量同比快速增长，市场规模也将保持20%以上复合成长率。」以北美市场来看，截止2013年底，美国共有超过600个城市已经或者正在计划安装LED路灯，例如洛杉矶安装14.2万盏、西雅图市安装4.1万盏、拉斯维加斯市安装4万盏、波士顿市安装3.2万盏。纽约市已经计划在2017年更换全市25万盏路灯，之后还会将城市商业区的装饰照明灯具更换为LED灯具，这将是北美规模最大的LED路灯换装计划。此外，加拿大的多数省市也在积极进行LED路灯换装计划或开展换装激励计划。北美室外照明市场随着厂商的加入逐渐成熟，厂商的竞争策略主要体现在提供高性价比产品、更加重视环境因素、以及满足高端专业需求。例如Cree推出可以替代100W高压钠灯的售价99美元的LED路灯，满足预算并不充裕的市政当局换装需求。此外，由于消费者需求从卤素灯和白炽灯向更节能和更长寿的LED产品转变，一线厂商如欧司朗及GE等纷纷精简传统照明业务，将产品重点聚焦在LED产品和解决方案上。欧洲照明市场也不遑多让。欧洲路灯市场一直是个B2G的寡占市场，产品样式少而且供应链也已经相当稳固了，通常是欧洲当地的品牌厂或是当地生产厂商为主，而这些厂商都拥有相当好的政商关系及经济规模。欧洲LED路灯对于价格的敏感度相对其他区域来的低，但是对于品质的要求相当严苛。LED路灯安装项目在欧洲各区域也正在普及，其中英国进程迅速。伦敦近日启动其迄今为止最大的一项街道照明现代化改造工程，计划到2016年将其全城街道照明所用的52,000盏灯中的约35,000盏均替换为LED灯。此外，英国其他区域在2013年也纷纷开启换装计划，大规模安装LED路灯。日本政府于2013年12月22日公布2014年政府年度预算案，95.88兆日圆的金额创下历史新纪录。2014年日本政府的预算案，主要增加支出在社福、国防和公共建筑，其中编列40亿日圆于BEMS、LED照明实证、实验与国际标准制定。日本政府将以增加税源的手段、减少公债的发行，以达到缩减财政赤字的目标，将目前约50兆日元的财政赤字减少一半。更长远目标则是2020奥林匹克赛的相关照明工程与基础建设，目前已可见到相关建筑行业已经正式动工，计划导入LED照明与OLED照明于此项目吸引国际目光。此外，《国际汞公约》的签署也将带来LED照明的新商机。中国路灯新增量与政府财政扩张周期具有较高的一致性。2009年中国政府提出4万亿元(人民币)经济刺激计划，该年新装路灯数量达到184万台(年成长率12.17%)。而2012年以来中国财政进入紧缩周期，对公共支出的预算实行严格管理，预测中国城市路灯的新增数量将会进入下滑的区间。而未来成长动能将主要来自于改装成LED路灯的需求,特别是透过EMC模式支援下的户外照明节能改造工程带来的换装需求。LEDinside统计发现，2013年广东省大量标案仍集中在经济发达，财政实力相对雄厚的珠三角城市群的六大中心城市。而数量较12年也有大幅度提升，在户外公共照明领域，LED照明已经进入了收获期，换装完成之后，沿海城市的新增需求将会放缓。广东2013年LED路灯装机量至少达到30万台，而1H14将进入路灯的密集装机期。至于各新兴市场如印度、俄罗斯、东南亚(越南、印尼、马来西亚、泰国)、拉丁美洲(巴西、墨西哥、阿根廷、哥伦比亚)及澳洲等，LED户外照明相关政策及换装项目日渐受到重视。俄罗斯2014年开始禁售25W以上的白炽灯，马来西亚也将从2014年起在建筑物及房地产项目中禁止或逐步淘汰所有的白炽灯及传统照明手段。而预计泰国和印度到2015年LED照明渗透率都将有大幅提升。此外，澳洲、阿根廷、哥伦比亚及印度的主要城市纷纷开启LED路灯安装项目。整体看来，LEDinside表示北美、中国、欧洲仍是户外照明主要需求区域，但是受预算削减及渗透率推高的影响，增速减缓趋势已现。而拉美市场开发较晚，在巴西迎来世界杯足球赛与奥运等两大赛事推动下，户外照明市场将迎来快速拉升期。

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  • 日本推动LED应用过程中遇到的问题

    在日本，相关政府部门以及每个协会组织都在讨论LED的标准化相关问题。日本有两大LED组织，一是日本LED协会(JLEDS)，由松下电工有限公司和东芝照明及LED科技股份有限公司于2005年初发起成立，拥有145家LED相关厂商的会员。使用LED光源被认为是防止全球变暖的重要举措，因此，白炽灯禁售的活动正在全球加速推广。韩国在国家政策方面，可以说处于较为领先地位，美国和欧洲紧随其后。日本政府要求到2012年，在其国内停止白炽灯泡的生产和销售，2010年3月,东芝公司停止了白炽灯的生产。在大地震后，日本在室内照明中用LED替换其它光源的速度非常快，目前政府以及自治团体也在推广道路、隧道、桥梁、停车场、地铁等户外公共领域的LED照明。由于LED照明产品的基本特征和技术不同于现有的照明产品，现有的普通照明产品安全标准对LED照明产品并不适用，全球LED照明安全标准/标准化工作已经开展。美国LED行业标准化的活动，包括发布LED照明产品安全标准(UL标准)。按照UL标准对LED产品分类，包括：LED照明产品、LED灯、LED驱动。中国大陆与台湾也正在建立标准化体系。日本，作为一个LED行业中处于领先水平的国家，已经开始为LED行业标准化付出积极努力。应该说，日本为亚洲地区LED照明推行成果最为显著的国家，但日本在推动LED应用的过程中，也遇到了许多问题，这些问题也为其他国家提供了一定的参考经验。一、标准制定中的问题在日本，相关政府部门以及每个协会组织都在讨论LED的标准化相关问题。日本有两大LED组织，一是日本LED协会(JLEDS)，由松下电工有限公司和东芝照明及LED科技股份有限公司于2005年初发起成立，拥有145家LED相关厂商的会员。日本电球工业会(JapanElectricLampManufacturesAssociation)、日本灯具协会(JapanLuminariesAssociation)、日本照明工程学会(TheIlluminatingEngineeringInstituteofJapan)、日本照明委员会(JapaneseNationalCommitteeofCIE)共同领导该协会的工作，并在光源和产品规格的标准化领域展开合作。协会致力于传播和促进LED照明标准，推动LED照明硬件交易，同时出版了《LED传播策略/LED照明》和《LED照明可靠性手册》，并在2010年建立了LED照明标准化委员会。另一个是日本LED光源普及开发协会(DLEDA)，成立于2005年，现有1000家会员。其业务包括促进产业结构转型，向中小企业提供资金，促进照明环境的改造，搭建LED光源生产者和消费者之间沟通的平台;支持LED光源企业的产品开发，以及支持建立LED背光标志标准(东亚指南);制定LED背光/标志生产及施工准则;为现有光源废料，建立回收系统;为LED初学者及专业人士提供人力资源教育等。以前日本的法律只写明了3种光源：白炽灯、荧光灯和其他放电灯。终于在2010年SpringLightFixture上出现了一个新的名词，JIS修正案提到的:如LED的电光源。日本现行的LED照明相关标准，主要有JIS日本工业标准及JEL日本电球工业会标准两大类。尽管如此，目前仍有大量的各种各样的问题悬而未决。如电气设备和材料安全法律解释还不明确，使LED光源还存在灰色区域，比如LED灯具的电气供应材料在PSE认证中并不存在;光源类型中也没有引入LED光源。此外，在灯具的外形和应用的分类中仅有6种类别，而LED不在这6种类别之中，无法符合电气设备和材料安全法律。此外，大企业为了垄断市场制定了一些甚至与IEC体系都无法相容的标准，如带L型灯头的直管型LED灯系统(普通照明用)(JEL801:2010)标准，并没有得到其他同业者们的认同，采用程度并不高。

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  • IR在新加坡开设先进超薄晶圆加工厂

    IR宣布其位于新加坡的全新先进超薄晶圆加工厂(IRSG)已投入初始生产。新厂占地60,000平方英尺，为IR旗下晶圆厂和晶圆代工合作伙伴的晶圆进行加工，加工项目包括晶圆减薄、金属化、测试和额外的专利晶圆级加工等。加工厂初期将聘用约135名员工，并将生产IR新一代功率MOSFET和IGBT等多种产品。IR总裁兼首席执行官OlegKhaykin表示：“IRSG将以先进工艺为IR及其晶圆代工合作伙伴生产的晶圆进行加工，从而使IR的生产安排更具灵活性并改善其生产周期。此外，IR将通过IRSG，为旗下邻近的主要组装基地完成晶圆加工的最后工序。”新加坡经济发展局电子产业总监TerenceGan指出：“我们非常高兴位列全球先进功率管理技术厂商五强的IR选址新加坡，开设最新的晶圆加工厂。IRSG的设立为新加坡持续增长的电力电子产业锦上添花。IRSG不仅是亚洲值得信赖的生产基地，还可充分利用新加坡的顶尖人才资源和声誉卓著的研究机构，抓紧研发合作的机遇。”

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  • 德国光伏制造商成立联合公司与印度签署5兆瓦光伏项目

    2月6日，德国光伏制造商SoleaAG与PinpointVentures联合宣布，已与印度班加罗尔电力供应公司（BESCOM）就一个5兆瓦光伏项目签署购电协议。BESCOM位于印度卡纳塔克邦（Karnataka）首府班加罗尔，为该市2000万市民供应电力。2013年8月，卡纳塔克邦可再生能源部启动130兆瓦光伏项目招标。SoleaAG与PinpointVentures印度子公司HeidelbergSolarPvt.Ltd.（HSPL）形成财团公司赢得5兆瓦项目招标，财团公司PinpointEnergyK1PrivateLtd.与BESCOM签署购电协议。2013年4月，总部位于巴伐利亚州的太阳能设计、采购和施工（EPC）公司Solea与总部驻海德堡市Poinpoint公司联合成立财团公司HSPL，旨在进军印度市场。Solea通过HSPL向印度市场提供EPC服务，开发重心集中在印度南部各邦，项目规模介于1-50兆瓦。两个企业表示，HSPL是首个开发该邦电网规模公共事业级项目的德国企业，并计划在卡纳塔克邦开发更多的项目，目前与BESCOM签署合约的有效期为25年，这是德印在可再生能源领域合作的绝佳范例，计划未来三年在印度开发总规模高达200兆瓦的太阳能项目。

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  • 瑞萨设立二子公司　将师法高通调整布局

    日本经济新闻报导，瑞萨电子(Renesas)于日前发布整顿日本国内工厂的消息，将各座工厂的雇用体制统一，借此减少人事支出，以及缩编人力；瑞萨除了整顿工厂，同时也将经营资源集中于车用电子零件和产业设备用电子零件上，意图东山再起。瑞萨原本是由日立(Hitachi)、三菱电机(MitsubishiElectric)、NEC三家公司的半导体部门组合而成，在日本拥有14座工厂。瑞萨干部表示，未来国内工厂将主要着手于试产品和少量生产，大规模量产则采取委外方式，让整体经营体制更灵活。除了总公司外，也有子公司营运的工厂，采用租赁模式。目前瑞萨积极推动改革，预定2014年4月1日设立负责半导体前期制程和后期制程的二家子公司，负责经营工厂。前期制程企业将设立于茨城县，企业名称是瑞萨SemiconductorManufacturing；后期制程企业将设立在群马县，企业名称是瑞萨SemiconductorPackages&TestSolutions。除了将出售给Sony的山形县鹤冈工厂外，二家子公司将负责经营其余13座工厂，以及半数员工约1万人。瑞萨预估2013会计年度将以净损收场，连续9年发生亏损。为了东山再起，瑞萨关闭日本5座工厂，并大规模施行裁员。此外，瑞萨也重新思量产品品项。瑞萨干部指出，未来将减少制造泛用家电产品的电子元件，改为制造收益稳定的产业设备用组件，且不再生产液晶用电子组件。另一方面，将积极研发车用微处理器，以及产业设备用微处理器，进一步巩固全球市占率。以往的瑞萨坚持自家研发、制造、贩售，导致人事费用居高不下。但高通(Qualcomm)在全球半导体市场获得亮眼收益，成功理由之一就在于并未独自经营工厂。瑞萨如今采取类似布局，未来是否能与其竞争，改善收益，值得继续追踪。

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  • 美媒：雾霾围城 中国清洁能源声望过分夸大

    尽管北京被浓汤般的浓雾包围，中国仍享有“致力于领导全球走向清洁能源未来”的声誉。 2010年，《媒体》专栏作家托马斯˙弗里德曼宣称：“当历史学家回望21世纪的头十年时，他们将会说，最重大的事情不是‘大萧条’，而是中国的‘绿色大跃进’。”他写道，当美国人一心拯救阿富汗时，中国却致力于更清洁、本土制造的能源。读到这些话，人们很自然地认为，中国在可替代能源领域必将彻底击败美国。 然而，现实并非如此。美国能源信息署最近发布的报告显示，中国2011年能源总消耗中，煤炭占69%、水力发电占6%、核能占1%，其他形式的可替代能源占1%。中国真正的能源供给中，绝大部分并非来自清洁能源。而美国同期的能源消耗构成是：石化产品占36%、煤炭占20%、可替代能源占9%、核能占8%。 这种认知差距缘于什么？一方面，中国的确向太阳能、风能和水力发电产业投入巨额资金，2012年，中国超过美国成为最大的绿色能源投资国。但另一方面，中国煤炭发电以更大规模扩展。有数据称，2013年，中国每增加10亿瓦特太阳能发电，就会新增270亿瓦特的煤炭发电。 中国对于煤炭发电的依赖还将持续。2010年至2015年，北京计划增加8.6亿吨煤炭产量，几乎相当于印度全年煤炭产量的1.5倍。当中国在清洁能源领域取得令人称道的进展时，它在煤炭发电方面增速更快。  

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  • 日本LED照明市场2015年将达顶峰

    “估计日本LED照明市场到2015年将达到顶峰”，日本爱丽思欧雅玛公司执行董事兼LED业务本部长石田敬预测道。笔者对此很吃惊，原因是，这意味着一直作为增长领域备受期待的LED照明市场最快到明年就要开始缩小了。虽然这是率先导入LED照明的日本特殊情况，但日本好像一直在以超乎想像的速度导入LED照明。预测是在2014年1月30日爱丽思欧雅玛与飞利浦电子日本公司联合召开的新闻发布会上发布的。两家公司在此次发布会上宣布，双方已签署了协议，将在室外照明和工业照明领域的销售方面开展合作。关于此次合作，飞利浦照明业务部门负责新兴市场国家业务的ChristophSchell（飞利浦电子新加坡公司照明发展市场总裁）强调：“对于日本市场即将开始缩小的情况，我们有危机感。不过，我们将通过提供照明的价值来谋求增长，而不仅仅是供应LED器件和灯泡。”“价值”一词勾起了笔者2年前的记忆。当时，笔者在德国法兰克福听到了这样一句话：“光拥有让人动起来的力量”。这句话出自飞利浦照明公司负责商用照明业务的MarcdeJong（当时担任飞利浦照明执行副总裁兼专业照明解决方案业务集团CEO）之口，是在全球最大规模的照明与建筑技术展“Light+Building2012”（德国法兰克福，2012年4月15～20日）上接受笔者采访时说的。Jong特别强调，通过改变照明的亮度和颜色，可以改变人的心情和行为。以提供“价值”为主轴的飞利浦2013年的照明业务销售额为84亿欧元。该公司拥有约4.6万名员工，每年都会把销售额的5％投入到研发上。Schell强调：“今后照明将加快由模拟向数字过渡。我们将进行各种研发，推进照明的数字革命。”他还表示，与爱丽思欧雅玛的合作业务“不仅局限于LED，如果有必要，还将导入有机EL照明”。日本的照明市场将在全球率先发生变化。销售额超过84亿欧元的照明龙头企业的挑战将成为预测照明市场未来动向的试金石。

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  • 中国TD芯片走出国门指日可待

    【导读】15年的发展，不仅是市场数据的巨大变化，更为关键的是，国内企业积累了相关的技术、人才和经验，正如展讯通信有限公司副总裁康一在“我国移动通信创新链产业链发展研讨会暨TD产业技术协同创新经验交流会”上所说的，“这是一个了不起的进步，可以说TD-SCDMA开启了我国通信半导体产业的发展之路。” 4G牌照的发放，引发了产业链各方的关注和热情，其中，作为手机的核心部件——芯片产业的发展更引人关注。日前，展讯表示，TD-SCDMA年出货量到2013年已超过1.4亿，成为全球最大的3G制式的单一国家市场，在推动产业创新方面走出了一条路。这是否意味着中国芯的翻身战已渐行渐近? 15年的发展，不仅是市场数据的巨大变化，更为关键的是，国内企业积累了相关的技术、人才和经验，正如展讯通信有限公司副总裁康一在“我国移动通信创新链产业链发展研讨会暨TD产业技术协同创新经验交流会”上所说的，“这是一个了不起的进步，可以说TD-SCDMA开启了我国通信半导体产业的发展之路。”伴随着中国通信产业的发展，中国从2G时代迈入3G时代，再进入4G时代，中国TD芯片产业、自主技术标准TD也在前进道路的曲折中不断发展、壮大。 当前，中国已进入4G时代，三大运营商在积极建设4G网络的同时，向众多厂商提出终端计划，必然拉动对芯片的巨大需求，国内芯片厂商有望借此良机实现“弯道超车”。 站在国家层面的角度，芯片产业关乎国家信息安全，2000年6月，国务院颁布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》;十八届三中全会已经确定将出台政策扶持集成电路芯片行业;工信部也表示将加大对TD-LTE多模芯片等制约产业发展瓶颈环节的研发支持力度，提升国产芯片的市场竞争力。可以预见，在未来国家必然出台进一步的政策、举措，为国产芯片产业发展营造良好的环境。 从企业层面来看，过去受制于人的教训依然历历在目，也促使众多国内厂商加大了研发、创新力度，布局芯片产业，并取得了令人瞩目的成绩。 中兴通讯(行情，问诊)执行副总裁、手机业务“掌门人”何士友透露，中兴计划2014年初推出自主4G终端芯片。据悉，中兴首款4G终端芯片WiseFone 7510，将是首个国内厂家推出的28nm工艺的LTE多模商业芯片产品。华为也在4G手机D2使用华为海思四核芯片，华为将在第一季度推出首款支持LTE CAT-6网络的海思处理器，其最高下载速率可达300Mbps。此外，展讯、联芯科技等厂商也加大了4G芯片的研发力度。 值得关注的是，LTE在全球已呈现出快速发展的态势，数据显示，2012年，全球LTE用户数为0.7亿，相对2011年增长323%，不断激增的用户数意味着这一市场惊人的增长潜力。而随着国产芯片技术的不断完善，以及产能的不断提高，国产芯片走出国门，走向全球指日可待。 本文由收集整理

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