• 松下公司宣布退出IT设备集成电路板市场

    据日本共同社11月29日报道,松下公司28日宣布,将退出用于智能手机等IT设备的集成电路板市场。日群马县大泉町、三重县松阪市、越南以及台湾工厂将在2014年度内停止生产此类产品。今后,松下将集中发展具有潜力的面向汽车及机床的产品,生产则以山梨县南阿尔卑斯市的基地为主。据报道,大泉町等4处工厂同时还在生产其他产品,因此将不会关闭。大泉町约60名员工及松阪市约500名员工原则上将转至集团内其他岗位。台湾厂商等的兴起使得松下在信息设备集成电路板方面竞争力弱化程度大于预期,因此决定比原计划进一步缩小生产规模,尽快扭亏为盈。越南和台湾工厂的非正式员工将不会延长雇用合同。

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  • 芯片行业扭亏为盈 内存销售如火如荼

    全球半导体行业营收总额去年下降2.5%,但IHS公司预计今年营收总额将上涨4.9%、达到3179亿美元——这要归功于内存芯片如火如荼的销售状况。值得一提的是,IHS的半导体价值链服务作出预测称,动态随机访问内存(简称DRAM)与NAND闪存存储市场在2013年将分别迎来35%与27.7%的显著增长。作为芯片类存储产品的消费大户,智能手机与平板设备的热销带动了存储芯片的营收增长。根据推测,笔记本平台对SSD(即固态硬盘)产品的青睐也为积极的市场走势作出一定贡献。美国镁光科技公司就是其中一位受益者。IHS估计该公司的销售总额将上涨109.2%、达到142亿美元,一举将其半导体市场排名由原先的第十位推进至第四位。镁光公司在芯片市场中的占有率也迎来倍增,达到4.5%。目前镁光面对的主要竞争对手是两家韩国企业——三星与SK海力士。尽管后者位于中国无锡的制造工厂发生火灾,但其销售收入仍然增长了48.7%。IHS公司的DaleFord在一份声明中表示:“内存芯片正逐渐成为半导体企业在2013年起死回生的救星。在智能手机与平板设备的双重推动下,DRAM与NAND的价格非常稳定、市场需求也持续走高,可以说移动发展造就了芯片行业的营收回暖。如果抛开这两大表现抢眼的细分产品市场不谈,那么今年整个半导体产业几乎没有实现任何增长。”英特尔继续以一贯的出色表现扮演顶级芯片供应商角色,领先于三星公司——详见下表。不过IHS预计英特尔的半导体业务营收将由“2012年15.7%的市场份额历史高点下降到2013年的14.8%。”由于在智能手机领域的巨大成功,位列第三位的高通公司继续小幅拉近与前两位的差距。今年该公司的芯片销售额增长了31.6%,IHS预计其最终将分得全球半导体市场上5.5%的总营收。索尼(降低28.1%)与AMD(降低4.2%)则未能借这股东风有所斩获。尽管仍然占据榜单的第十二位,但AMD似乎很快就会被增长迅猛的联发科(上涨32.1%)所超越。不过芯片的销售情况也不尽相同,其中一部分上涨迅猛、另一部分则有所下滑。IHS发现市场增长主要集中在LED(上涨9.5%)、CMOS图像传感器(上涨5.7%)以及传感器与执行器(上涨3.6%)等方面。出现下滑的市场则包括CCD图像传感器(下降40.6%)、专业内存(下降19.6%)、数字信号处理器(下降16.5%)、SRAM(下降15.9%)以及NOR闪存(下降14.8%)。

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  • 两LED国际巨头高层相继“换血”

    据悉,12月2日,Cree公司宣布任命NorbertHiller为照明执行副总裁,即日生效。Hiller拥有二十余年的LED照明管理经验。自2011年10月起,Hiller一直担任Cree公司执行副总裁。同时,DaveEmerson将被任命为封装副总裁兼总经理。此外,原照明执行副总裁TyMitchell将担任照明业务副总裁。欧司朗于12月3日宣布,TerryO'Neal被任命为欧司朗解决方案业务部门及Traxon技术公司行政总裁,他接棒已于11月30日离开公司的MikeMastroyiannis,“Terry是领导欧司朗解决方案业务的不二人选,”欧司朗首席技术官兼负责该公司的普通照明业务的执行董事会成员PeterLaier表示。“他拥有运营电气行业全球业务的工作背景,以及丰富的能源效率和电能质量产品经验,这让他成为能胜任这个重要的位置的唯一人选。”

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  • 欧美淘汰白炽灯 明年LED照明业或迎新商机

    LED产业在背光应用增长空间相当有限,甚至产值将进入衰退期之际,所幸有LED照明新应用崛起,随着LED照明渗透率的提升,预期全球LED照明市场规模将再进入一波高度增长循环,但此一革命性产业也正迈入高度竞争的杀戮战场。除了制造成本的优势外,法人认为,品牌、通路才是LED照明市场真正竞争优势来源,这将使得2014年台湾LED业者恐有加速被来自中国大陆业者取代的危机。光电科技工业协进会看准2014年起,欧美国家汰换至民生用量最大宗40瓦至60瓦白炽灯的商机,一些从传统照明转换为LED照明脚步稍慢的GeneralElectric等美国公司,以及全球灯具生产重镇的中国大陆境内区域品牌、代工厂商,纷纷推升全球LED照明产品渗透率。台湾厂商不论是以自有品牌或代工的方式,都应加紧布局,抓住这波商机。根据研调机构LEDinside报告预估明(2014)年LED照明产值将达178亿美元,整体LED照明产品出货数量达13.2亿个,较今(2013)年增长68%。若以地区而论,中国大陆明年LED照明产品用量增长率更达到86%。其中以替代型光源产品最为明显,球泡灯和灯管是最受到市场欢迎的替换光源类型,分别占2013年LED照明产品的38%和25%。一体式的LED照明产品类型未来需求将逐渐崛起,特别是结合智能照明应用的产品。光电协进会指出,2012年全球LED照明产值达115亿美元,在照明市场的渗透率约11%,前十大LED照明厂商依序为Philips、OSRAM、Panasonic、Toshiba、Cree、ENDO、Zumtobel、Koizumi、IrisOhyama、Sharp等,台湾厂商仍有待提升市占率。

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  • TrendForce:良率问题导致供货不顺,11月下旬DRAM合约价逆势开红盘

    【导读】根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示,原先预估下半年价格将受到SK海力士产出逐渐恢复以及市场需求不振影响逐步走弱,然而,受到某一线大厂在PC DRAM出货不顺影响下,转向其他DRAM厂追加订单,使得11月下旬合约价格逆势走扬,4GB主流模组最高来到35美元,均价为33美元。 根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示,原先预估下半年价格将受到SK海力士产出逐渐恢复以及市场需求不振影响逐步走弱,然而,受到某一线大厂在PC DRAM出货不顺影响下,转向其他DRAM厂追加订单,使得11月下旬合约价格逆势走扬,4GB主流模组最高来到35美元,均价为33美元,升幅大约各有3%;2GB模组也因为产出大幅减少价格呈现上涨趋势,最高来到18.5美元,市场甚至传出已有小量成交超过20美元水位。 以合约价格做推算,4Gb颗粒最高来到4.06美元,与现货价格(11/28收盘价)4.25美元逐渐逼近。展望12月,在受到良率不佳导致交货不顺影响,不排除合约价格维持在平盘或小幅上扬的可能性。 TrendForce观察各主流PC OEM库存水位,受到先前无锡火灾影响,导致原先偏高的DRAM库存逐步下降,截至目前为止各家大约仅有3~4周水位,而出货量较大的PC-OEM厂甚至已低于三周,为该次合约价格上扬主因。SK海力士无锡厂逐步复工前提下,明年首季度将会是DRAM价格的修正期,预计合约价将逐步回到火灾前的价格区间。而三大DRAM厂因逐步转进25奈米,成本结构逐步改善,仍可持盈保泰,维持稳定获利能力。 本文由收集整理

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  • DLT控制介面崛起 LED调光加速迈向数位化

    新一代DLT(DigitalLoadSideTransmission)数位调光技术正快步崛起。智慧照明发展益发蓬勃,激励各种新兴数位调光技术争相出头;其中,照明大厂欧司朗(OSRAM)力拱的DLT方案,因可跳脱传统TRIAC调光须采用相切(Phase-cut)技术的束缚,实现更便利且低成本的数位控制方案,已备受市场瞩目。戴乐格半导体固态照明产品行销总监HubieNotohamiprodjo提到,LED数位调光技术可望全面取代传统Phase-cut调光方案。戴乐格半导体(DialogSemiconductor)固态照明(SSL)产品行销总监HubieNotohamiprodjo表示,在照明供应商全速推动具通讯、自动控制功能的智慧照明应用之际,传统TRIAC调光方案将逐渐式微,并将由脉冲宽度调变(PWM),以及无线区域网路(Wi-Fi)、ZigBee、6LoWPAN无线调光,以及LEDOTRONDLT等新一代数位调光技术接替其地位。Notohamiprodjo特别强调,近期DLT更迅速成为产业界的镁光灯焦点,该方案基于国际电工委员会(IEC)62756的开放性标准,支援数位可定址多通道通讯协定,可延展既有采用Phase-cut技术的LED系统调光精准度及电源效率,同时解决各种调光技术挑战,将成为下世代商用建筑、家庭智慧照明自动化的重要推手。据悉,目前欧司朗为DLT技术的主要支持者,近期已宣布旗下LED照明产品未来将全面导入DLT方案,以增添智慧照明系统利用价值。Notohamiprodjo认为,未来1~2年将是LED照明迈向数位调光的关键期,相关晶片及系统解决方案将大量出炉,成为供应链业者新的技术战场。看好DLT未来发展,包括戴乐格、MaximIntegrated等LED驱动器晶片商亦相继启动DLT设计案,并计划于2014~2015年导入量产。其中,戴乐格将抢先于2013年第四季发布DLT产品,协助LED模组及灯具系统业者达成更高效率、更低成本的智慧照明控制方案。

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  • 明年光伏硅片生产成本或再降

    光伏市场研究机构NPDSolarbuzz近日发布研究报告称,一线垂直一体化太阳能光伏硅片厂商可能在2014年将硅片平均生产成本再降6%,达到创纪录的0.2美元/瓦,而自2008年以来,太阳能光伏硅片的生产成本(含硅料及硅片)每年下降16%以上。NPDSolarbuzz副总裁CharlesAnnis表示:“目前硅片成本只有五年前的三分之一,虽然成本下降的速度已经放缓,供应过剩及过低的售价迫使硅料和硅片厂商继续寻找降低成本的方法,从而达到以前被认为不可能的水平。”多晶硅厂商降低成本的方法包括将产能向低电价地区转移,新建流化床反应器(FBR)工厂或将西门子法产能改为FBR,降低电耗,增加产量,甚至建立自备电厂。最近,多个领先的多晶硅厂商表示,可在近期内将西门子法的成本降至14美元/公斤以下,未来几年内将FBR成本降至10美元/公斤以下。CharlesAnnis称:“硅片厂商同时也在寻找降本方法,比如将多晶硅锭尺寸从Gen4/5增加到Gen6/7,减少砂浆耗量及提高回收率,采用金刚线切割,通过提高结晶质量提升转换效率等。”随着NPDSolarbuzz近期将其2014年光伏行业终端市场需求预测调整至45GW到50GW,成本的降低将有助于领先的硅料及硅片厂商提高盈利能力。这个水平的需求量将使NPDSolarbuzz定义的七家一线硅料厂商(保利协鑫、Hemlock、OCI、RECSilicon、SunEdison?Tokuyama和Wacker)的产能利用率保持高位,这将有助于提高出货量及分摊固定成本。研究报告称,强劲的终端市场需求将使一些硅片厂商之前购买的甚至从未使用过的设备得到充分利用。一些厂商已经开始收购之前封存的生产线或竞争对手的产能。更大的硅锭尺寸和更高的硅片生产效率也有助于满足增长的需求。少数硅片厂商计划建造新的工厂以满足特别的市场需求。需求增加将有助于提高硅料和硅片的价格。部分产品例如高效硅片的供应紧张,也可能促使价格上涨。但是NPDSolarbuzz仍然预计激烈的竞争和大量的生产将限制硅料和硅片的价格涨幅。研究报告称,与形势严峻的前几年相比,生产效率的提高使硅片生产成本可以低至0.2美元/瓦,同时随着平均售价的坚挺和出货量的快速增长,2014年为最优秀的硅料和硅片供应商提供了相当乐观的机遇。

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  • 3D芯片封测准备就绪但成本需降低

    来自全球11个国家、超过200位的半导体封装技术专家,近日齐聚一堂探讨能有助于维持半导体技术创新步伐的中介层(interposer)与IC封装技术;专家们的结论是,3D晶片堆叠技术已经准备就绪,但有需要再进一步降低成本。由美国乔治亚理工大学(GeorgiaTech)封装研究中心(PackagingResearchCenter,PRC)所主办的第三届年度中介层技术研讨会上,来自Amkor、日月光(ASE)等半导体封装大厂的专家明确指出,他们已经准备好为以中介层基础的设计进行封装与测试;此外晶圆代工业者Globalfoundries也分享了与这些封测代工(OSAT)夥伴的相关合作策略细节。在其中一场由Qualcomm的3D晶片堆叠技术专家MattNowak主持的大型座谈中,有十几位与会专家讨论到与中介层相关的几个技术问题,以及许多业务方面的挑战,他们的结论是相关技术已经准备就绪,但需要降低成本。市场研究机构YoleDevelopment分析师PhilGarrou也同意以上看法;一位Altera代表以及材料供应商们则表示,焊垫(pad)与线间距需要进一步的改善,以实现更高的频宽支援未来的视讯应用。此外会中也讨论到RF、MEMS、感测器、被动元件与摄影机等应用的封装技术,还有来自学术机构的研发成果分享。许多大型半导体、设备与材料供应商代表都出席了这场会议,笔者是在2011年首次参加这个研讨会,对这段短短时间内产业界的技术进展印象深刻;不过可惜的是,在某一场主题的议程中,主持人问台下有多少听众来自IC设计公司,发现竟然只有一个。这个现象以及研讨会上一些类似的资讯证实了我的担心──在很多公司,管理阶层以及系统或IC设计工程师,仍认为中介层技术是属于封装领域才需要关心的主题,对他们的工作或是公司的未来没有影响或是影响有限。但我相信,高层主管们很快就会需要像是3D晶片堆叠这类新技术的风险评估报告,因为它们对业务带来的优势越来越广泛。

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  • SIA: 同比下滑8.8%,1月全球半导体销售额跌至231亿美元

    美国半导体产业协会(SIA)根据世界半导体贸易组织(WSTS)数据所公布的最新统计数据显示,2012年1月全球半导体销售额三个月平均值为231亿美元,较上一个月的238亿美元减少2.7%,相比去年同期则减少了8.8%。这是自英特尔(Intel)与AMD两家芯片大厂宣布不再提供数据给WSTS之后,首度公布的全球芯片销售额统计月报。“由于淡季效应,1月全球半导体销售数字呈现月衰退;”SIA主席BrianToohey表示,“全球经济景气因民众对于通货膨胀、欧债等因素的忧虑而呈现衰弱,也对今年初的市场买气产生影响,但仍有一些迹象显示2012年可望走向复苏与成长。”SIA表示,半导体销售表现预期将因为一些乐观因素而有所改善,包括美国经济前景看好以及泰国洪灾平息等。SIA也表示,该机构将继续按照以往的时间表,根据WSTS数据提供每月的全球半导体销售资料。而英特尔与AMD两家公司则已经决定退出WSTS计划,表示他们认为参与该计划不再具有任何意义。分析师猜测,AMD与英特尔可能认为,因WSTS报告有微处理器这个产品分类,而他们是仅有的两家大型供货商,继续提供数据会曝露太多公司内部消息。一位SIA的发言人则表示,WSTS是以与其它不主动提供数据的公司相同的方式,对英特尔与AMD的1月销售额进行评估。

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  • 阿尔及利亚能矿部长称将建20座光伏电站

    阿尔及利亚能矿部长尤瑟夫?尤素菲宣布,2014年夏季前将完成建造20座光伏电站以便缓解用电高峰时期的电力供应压力。目前该项目正在设备采购阶段,但未透露电站具体发电能力。电站组装工作将由阿国家天然气电力公司及设备供应商负责完成。尤素菲称,目前阿电站建造多依靠外国公司,今后将逐步依靠本国新投入运营的Rouiba光伏电池板厂。他多次表示,阿随时准备参与可再生电力出口项目,但这取决于项目融资状况、欧洲市场对阿更大的开放程度及先进技术转让情况。预计到2030年,阿将建造60座电站(含燃气、光伏、风力)。目前阿德拉尔省已有一座发电能力10兆瓦的风力发电站在建,该电站将于2013年底完工。根据阿能源发展规划,预计2030年前达到22000兆瓦发电能力,其中10000兆瓦待条件成熟时将用于出口。

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  • 视频监控高清成像芯片发展现状及前景

    目前数码技术、半导体制造技术以及网络的高速发展,数码产品的市场以惊人的速度在增长,组成视讯、影音产品的关键零部件——图像传感器(Sensor)就成为当前以及未来业界重点关注的对象。图像传感器主要有CCD和CMOS两种芯片,而在我们目前的高清安防视频监控领域,CMOS芯片产品已经被大量应用至各式各样的产品。图像传感器的发展及应用眼睛是人的视觉图像来源,而图像传感器就是视频采集设备的图像接受装置。图像传感器按形态分类一般有两类:线型图像传感器、面型图像传感器。线型图像传感器多用在扫描仪、复印机、传真机等设备中。而面型图像传感器则广泛的应用在我们熟知的安防监控摄像机、手机摄像头、汽车倒车影像摄像机、平板电脑等产品中。刚刚我们说到,图像传感器有CCD与CMOS芯片两种。早期,我们通常认为图像画质优秀的设备都采用CCD传感器,而低成本产品则使用CMOS传感器。但是新的CMOS芯片技术已经克服了早期CMOS传感器的技术弱点,传感器的设计上相比老产品提升了低照性能、曝光模式等。拿目前流行的背照式CMOS传感器来说,在传统的CMOS图像传感器中,感光二极管位于电路晶体管后方,光线会通过微透镜和光电二极管之间的电路和晶体管,那么进光量就会因遮挡而受到影响。背照式CMOS传感器在图像传感器原件内部的结构上做了优化,它将感光层的原件调转方向,让光线从图像传感器比传统CMOS传感器在感光灵敏度上有质的飞跃,在低照度环境下,采用背照式CMOS传感器的高清摄像机在聚焦能力、图像画质表现、图像噪点控制等方面有了极大的性能提升。背照式CMOS图像传感器除了优秀的低照等性能外,还具有更好的高感光控噪性能。也就是说在ISO提高之后,再配合现金的3DDNR技术,噪点会比CCD少得多。这在低照环境下的图像采集有很大优势,高帧率性能更好。背照式CMOS传感器往往都是高速芯片,众多芯片均支持全高清画质每秒60帧或更高帧率的图像输出,而在这方面CCD传感器比较吃力。现在主流的采用背照式CMOS传感器的高清摄像机大多支持1080P@30fps全高清视频或720P@60fps。而我们常见的CCD传感器摄像机只能够720p@25fps,支持1080P格式的CCD传感器造价高昂。背照式CMOS传感器像素可以再高些。虽说无论是背照CMOS或是CCD,都可以提高有效像素。但是背照式CMOS的构造决定了传感器面积不变的情况下,可以将有效像素进一步提高,画质也能够保持得比较好。相比之下CCD盲目提高像素的话,画质就会很差,而且随着像素提高,芯片尺寸也在变大造成成本几何倍数上升。CCD传感器制造工艺较复杂,采用CCD传感器的摄像机价格都会相对比较高。事实上经过技术改造,目前CCD和CMOS的实际效果的差距已经减小了不少。而且CMOS芯片的制造成本和功耗都要远低于CCD,所以很多高清摄像机厂家采用CMOS图像传感器。成像方面:在相同像素下CCD的成像通透性、明锐度都很好,色彩还原、曝光可以保证基本准确。而CMOS的产品目前画面通透性一般,对实物的色彩还原能力偏弱,曝光模式由于大多使用RollingShutter模式造成高速运动物体传感器在捕捉时存在畸变的问题,CMOS的成像质量和CCD传感器在画质要求较为严格的场景中还是有一定距离的。但由于低廉的价格以及高度的整合性,因此在日益迅速发展的高清摄像机市场中还是得到了广泛的应用。图像传感器的最新研发成果2012年CMOS图像传感器受到市场青睐重要原因在于过去大大低于CCD的灵敏度问题由于使用了新的传感器技术,如背照式CMOS,逐步得到解决。和CCD传感器相比,CMOS传感器具有更好的量产性,而且容易实现包含其他逻辑电路在内的SoC(SystemonChip)产品,而这在CCD芯片中却很难实现。尤其是CMOS传感器不像CCD芯片那样需要特殊的制造工艺,因此可直接使用面向DRAM等大批量产品的生产设备。这样一来,CMOS图像传感器就有可能形成完全不同于CCD图像传感器的成本结构,同时也为CMOS传感器高度集成化开辟了新的发展方向。早期市场上就曾经推出过CMOS传感器自带ISP处理器,内含2A(AE、AWB)控制算法。而发展至今,这样的产品极受市场的欢迎和青睐。众多不具备ISP图像处理器/ISP算法研发能力的小企业可以使用自带2A处理的CMOS传感器来制造高清摄像机。传统的高清摄像机架构中,从前端到后端一般分为几个组成部分:图像传感器SENSOR、ISP图像传感器,压缩/信号转换处理;而如果使用集成ISP的CMOS传感器,中间部分使用FPGA芯片实现的ISP单元就可以省去,这样既有效的降低设备整体BOM成本,又绕过了ISP算法的研发门槛。目前市场上价格较为低廉的720P高清网络摄像机大多都使用此类方案。集成Real帧级宽动态的超宽动态高清背照式CMOS传感器,与之前的集成2A功能的CMOSSENSOR不同,这款产品使用了传感器厂家拿手的帧级宽动态技术。我们知道,对于高清摄像机的图像处理,尤其是ISP部分依靠的不仅仅是研发实力,也依靠对于图像处理调试的丰富经验积累。那么一款自带帧级宽动态功能的背照式CMOS传感器产品,不仅将传感器的动态范围提升至120dB以上,也为摄像机生产厂家节省了研发投入。除了上述这种集成ISP图像处理的图像传感器,未来市场推出集成压缩处理的图像传感器也是方向之一。将摄像机的核心部件高度集成化是未来的发展趋势,这些都得益于CMOS传感器具有更好的量产性,而且容易实现包含其他逻辑电路的架构特性。

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  • TrendForce: 2014年太阳能关注高效电池片、储能商品、整并三大趋势

    【导读】2014年中、日、美市场需求约占全球50%的市场份额,但随着欧洲市场复苏以及新兴国家兴起,全球太阳能的供需状况将愈趋平衡。全球市场研究机构TrendForce旗下绿能事业处EnergyTrend研究经理黄公晖提出2014年值得关注的三大太阳能产业趋势,包括高效产品、储能成套商品,以及整并带来的板块重组。 2014年中、日、美市场需求约占全球50%的市场份额,但随着欧洲市场复苏以及新兴国家兴起,全球太阳能的供需状况将愈趋平衡。全球市场研究机构TrendForce旗下绿能事业处EnergyTrend研究经理黄公晖提出2014年值得关注的三大太阳能产业趋势,包括高效产品、储能成套商品,以及整并带来的板块重组。 高效产品成市场主流,2014年底多晶硅电池片效率目标达18% 市场上虽仍有不少厂商积极开发各种太阳能技术,但综观市场最主流的需求仍是结晶硅的产品,其中多晶硅产品由于价廉物美,加上其规格对于电厂设计以及逆变器配套最简易,因此最受到市场欢迎。 2013年起,组件的需求瓦数从240瓦一路升上到250瓦,最常采用的电池片效率就是17.2~17.6%的多晶硅电池片。而随着硅芯片的高效产品持续提升,下游厂商也希望可以获得更高瓦数的组件,预期2014年上半年产品需求会提升到17.6~17.8%,60片模块相当于250/255瓦,72片组件则为300/305瓦,而到2014年底,主流产品将以17.8~18%为主提供255瓦以及305瓦以上的产品。 储能产品的需求越强 成套商品是下个市场发展关键 随着各国度电补贴下降甚至取消,多数国家现在发展太阳能的步调调整为鼓励自发自用或是调节尖峰用电等用途。同时,随着成熟国家大型电站的发展趋缓,小瓦数的住宅用系统兴起,储能成了太阳能应用下一个不可或缺的趋势。除了太阳能发电成本降低之外,德国、日本的储能补助政策也带给市场新的目标。 EnergyTrend认为储能系统独自销售的可能性较低,由目前现有的太阳能厂商组成整套系统给用户是较可能的形式,同时以出口最多组件的中国厂商而言,受到欧洲的定价定量限制,未来在欧洲以整套的系统做销售也会是较佳的商业模式。目前小型家用太阳能系统配上的储能多在3~7kWh,原本加上储能系统会增加一倍的成本,但若配合补助以及未来储能电池持续降价,包含储能的太阳能系统在2014年只需原本太阳能系统的1.3~1.7倍左右。随着市场扩大以及电价持续高涨,储能在2014将更进一步发展。 整合与并购,新进者会从哪里出现 整并换手是2013年的重头戏之一,不仅在中国有通威接手合肥赛维、顺风进入尚德重组的戏码外,海外Solarworld也并购了Bosch Solar,同时正泰太阳能也启动了收购Conergy组件厂的计划。不过这波被收购的企业除都是早已露出衰态外,并没有看见高市占率的企业强强连手在进行。而随着市场逐渐回温,各公司也订下明年的销售目标,加上观察下游的发展态势,可以发现2014年市占越发集中在一线厂商手中。 黄公晖表示,2014年可观察有哪些公司在尚未呈现完全衰败前,就提前透过交易从市场退出,这样的影响才会对市场占有率有较大幅度的改变。随着太阳能发电成本持续下降,可发现渐多大型石油、电网公司又开始对太阳能投注关爱的眼神, 2014年会发现更多能源公司将太阳能重新划入能源发展的路线图中,太阳能公司需要厘清的是未来的发电市场中谁会是最有实力的玩家。 本文由收集整理

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  • 3D芯片时代将至,光学检测设备应用空间扩大

    美商陆得斯科技(RudolphTechnologies,Inc.)指出,到了3D晶片时代,矽钻孔(TSV)、微凸块(microbumping)等半导体制程技术越趋复杂,每一道程式的精密控制均开出新的检测需求,预料光学检测设备扮演角色依旧吃重,甚至将自表面量测等现行主流用途,开展出更大应用空间。光学检测作为制程式控制制(processcontrol)的重要环节,无论是在半导体前段抑或后段制程,都扮演着决定成品可靠度的重要关键。随着3D晶片时代箭在弦上,不仅晶片尺寸缩微,制程也更加精密,自动光学检测(AOI)设备在半导体前、后段制程扮演的角色亦再获讨论。在半导体后段的先进封装领域,包括锡球凸块、铜柱凸块的高度不断缩减,光学检测设备精密度亦需与时俱进;随着先进制程与封装技术的快速演进,半导体2.5D与3D晶片的技术蓝图越来越清晰,更为光学检测设备的应用创造出更多的可能。美商陆得斯科技指出,扇出型晶圆级封装(Fan-outWaferLevelPackaging)同时解决晶片制造成本与封装体积的问题,已逐渐成为缩减晶片封装体尺寸的显学;而采用面板尺寸(panelsize)的扇出型晶圆级封装(Fan-outWLP)技术持续演进,更衍生出晶片精准对位的需求,至此,光学检测已经不再只是单纯的缺陷检出工具。而随着TSV(矽钻孔)技术渐趋成熟,陆得斯科技也看好,包括钻孔、微凸块、边缘削减(edgetrimming)、背磨(backgrinding)等加工程式,由于牵系着晶片可靠度的成败,精密量测将带动新的光学检测需求,3D晶片发展趋势不仅不会造成光学检测无能为力的状况,反而将成就光学检测从现行的表面量测等现行主流用途,开展出更大应用空间。另一厢,日系设备商东丽工程(TorayEngineering)亦指出,为了因应晶片接脚数提升、凸块体积势将缩小,晶片衔接点往微凸块(microbump)技术演进的趋势正在飞快加速,要确保晶片运作无碍,在制程式控制制流程中的光学检测仪器将更加不可或缺,也为检测设备商带来新的商机。

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  • 美国邦纳发布全新重载型工业LED照明灯

    近日,来自美国的传感,检测,自动化技术专家——邦纳发布了全新WLC60和WLC90系列重载型工业LED照明灯,新型重载照明灯具备耐高压水冲,耐油污和冷却液的特性,是各种恶劣工业环境下的理想照明选择,例如:食品饮料行业,机加工中心,以及其它工业自动化行业。WLC60工业照明灯的特点:亮度高,配有高级防闪镜片。两种长度:340mm长度,1300流明;640mm长度,2600流明。抗振动和冲击能力强,具有四档亮度调节(通过接线调节亮度)。WLC90工业照明灯700流明;三种透镜可供选择:±8°,±15°,±30°;具有三档亮度调节(通过接线调节亮度)。

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  • 集邦:2014年半导体产业并无太大变化

    在2013年即将迈入尾声后,放眼2014年的半导体产业会有什么变化,相信是产业界相当关心的事。而就目前半导体市场成长的驱动力来源,还是以智慧型手机为主。集邦科技记忆体储存事业处分析师缪君鼎表示,以电源管理晶片发展的态势来看,目前能够再精进的程度已经相对有限,理由在于系统各类元件的驱动电压的降幅相当有限,要压低到1V以下,在制程上有不小的难度的存在,所以也会连带影响到电源晶片的发展也会相对迟缓。另一方面,虽然电源管理在近年来兴起了一股「数位化」的风潮,但不可否认的是,既有的类比设计仍然有一定的重要性,所以「类比」与「数位」各有优劣的情况下,应该会以互补的方式存在于市场中,来满足系统设计需求。至于应用处理器的制程发展状况,缪君鼎分析,观察28奈米的发展状况,从去年到现在为止,大略上已经进入成熟期的阶段,因此明年应用处理器的主流制程仍然还是28奈米为主,所有的晶圆代工业者还是可以从此一制程中取得相当的获利。不过,像是20或是22奈米制程也会有所进展,毕竟28奈米制程已经开始步入技术成熟期,因此更为先进的制程必须接手,以进一步有效拉开与竞争对手的差距。缪君鼎预期,约莫在2014年第三季,20或是22奈米制程就会进入小量量产的阶段,并聚焦在小量应用,像是FPGA大厂Xilinx的产品即属于这类的范畴。在3DIC方面,缪君鼎则是认为,虽然在同质晶片(如记忆体领域)的堆叠较容易实现3DIC技术,但目前产业界所面临的问题在于,封装的成本过高,对于记忆体大厂来说,在追求获利的前提下,不太可能轻易动用3DIC来进行记忆体的堆叠。以台面上的记忆体大厂的动作来看,目前还是倾向在品质、制程与单位容量的精进来作为市场竞争的主要策略。换言之,短期内要看到3DIC出现在市场上恐怕不太容易,进一步的说,既然同质堆叠的3DIC无法实现,那么异质堆叠的3DIC在未来几年的时间内更不容易达成。因此综观来看,2014年的半导体产业在技术发展上,恐怕并不会有相当明显的进展。

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