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  • 用“互联网+”修炼中国半导体市场

    随着中国IC市场需求的飞速增长，以及所具备的高度开放的国际化特征，中国迅速成为了全球各大半导体公司最重要的业务收入来源地。分析全球前20大半导体公司2014年年报可以发现，这20家企业中国市场销售额在其全球总销售额的比重，平均值已达47.8%。其中占比较高者，如MTK在中国大陆的销售额占全球比重已超80%;占比较低者，如Sony在华芯片销售额的全球占比也超过20%。 可以说，全球半导体企业均成为中国IC市场快速发展的重要受益者。这也诠释了为何国际半导体业界乃至有关国家政府对中国扶持本国IC产业举措显示出的巨大关切——一切皆出于巨大的商业利益。 在2016年慕尼黑上海电子展(electronica China)上，以下领先功率半导体企业集体亮相，展示了最新技术和解决方案，助力半导体行业迎来长线拐点。 首先，以中国为核心的亚太地区在全球半导体市场中所占比重快速提升。 2000年至2014年，全球半导体市场规模由2043.94亿美元增长至3331.51亿美元。年均增速仅为3.6%。而与此同时，亚太地区(不含日本)半导体市场的年均增速则达到10%，规模从2000年的512.65亿美元快速扩大至2014年的1942.26亿美元。相应的，亚太地区在全球半导体市场中所占份额也由2000年时的25.1%大幅提升到2014年时的58.3%。 亚太市场的快速增长绝大程度上得益于中国IC市场的发展。2000年中国IC市场规模为945亿元人民币(合113.86亿美元)，到2014年已增至10393.1亿元人民币(合1690.4亿美元)，年均增速高达21.4%。随着国内集成电路市场的飞速增长，其全球地位也在快速提升。 2014年国内IC市场规模在亚太半导体市场所占比重已经达到87%，在全球半导体市场中所占比重也达到50.7%。中国已当之无愧成为全球半导体的“核心”市场。 其次，中国集成电路市场具有高度国际化的特征。 纵观中国IC市场的发展，其国际化特征十分显著。一方面，其庞大需求主要依靠进口解决。中国大陆IC进口额由2000年时的133亿美元，迅速增加至2014年的2176.16亿美元，进口规模在14年间增加了16倍。集成电路在中国全部进口货物中所占价值比重也由2000年的5.9%增加至2014年的11.1%，这使得集成电路已连续数年超过原油成为中国最大宗的进口商品。 另一方面，全球主要半导体企业为更好占领中国市场，纷纷加大对中国半导体领域的投资。全球前20大半导体厂商中，包括Intel、三星半导体、海力士、美光、TI等在内绝大部分企业都已在中国投下大笔资金建设了生产基地及研发中心。可以说，快速增长且高度开放使得中国市场成为带动全球半导体产业发展引擎。 第三，中国已成为全球各大半导体公司主要业务收入来源。 随着中国IC市场需求的飞速增长，以及所具备的高度开放的国际化特征，中国迅速成为了全球各大半导体公司最重要的业务收入来源地。分析全球前20大半导体公司2014年年报可以发现，这20家企业中国市场销售额在其全球总销售额的比重，平均值已达47.8%。其中占比较高者，如MTK在中国大陆的销售额占全球比重已超80%;占比较低者，如Sony在华芯片销售额的全球占比也超过20%。 可以说，全球半导体企业均成为中国IC市场快速发展的重要受益者。这也诠释了为何国际半导体业界乃至有关国家政府对中国扶持本国IC产业举措显示出的巨大关切——一切皆出于巨大的商业利益。 2016慕尼黑上海电子展将吸引国内外1200余家厂商参加，除了直观的展示产品与技术外，同期举行的创新论坛也是展会的亮点之一。来自于高校、企业的教授、专家们齐聚一堂，共同探讨产业的现状与发展趋势，其中嵌入式、汽车电子等主题的创新论坛现场人气颇旺。在"国际嵌入式系统创新论坛”上，将主要探讨物联网开发技术和创新应用等热门话题。 展望未来国内集成电路市场发展，在两化融合持续深入、信息消费不断升温、智慧城市建设加速等多方利好因素的共同带动下，预计未来3年，国内集成电路市场仍将保持8%左右的年均增速。到2017年，国内IC市场规模预计将突破1.3万亿元大关。届时中国IC市场将凭借超过2000亿美元的庞大规模，进一步巩固其在全球市场的核心地位。 在整体规模持续扩大的同时，包括智能电网、智能交通、卫星导航、工业控制、金融电子、汽车电子、医疗电子等行业电子应用将加速发展，并直接带动处理器、控制器、传感器及各类专用电路需求的快速增长。行业应用需求无疑将成为驱动中国IC市场继续快速发展的新动力。

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  • Vishay发布2016年“Super 12”明星精选产品

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)公布了2016年的“Super 12”特色产品。每年，Vishay都会挑出12款半导体器件和无源元件，这些器件采用新的和改进后的技术，能够显著提高终端产品和系统性能。Vishay的Super 12明星精选产品代表了公司在半导体和无源器件领域的领先水平，让人能够从中管窥Vishay宽泛的产品组合。 2016年的Super 12明星精选产品如下： Vishay T58系列vPolyTan™固钽表面贴装片式电容器—T58系列采用聚合物钽技术和Vishay的高效MicroTan®封装，实现了业内最好的容量-电压等级，有6个模塑外形—包括小尺寸M0(1608-10)外形的47μF-6.3V产品，BB(3528-20)尺寸的220μF-10V和330μF-6.3V产品—具有更高的容积效率，可用于手持式消费电子产品。 Vishay Semiconductors VEML6075 UVA和UVB光传感器—VEML6075采用小尺寸2.0mm x 1.25mm x 1.0mm封装，在可穿戴设备、智能手机和粒子探测器中能节省空间，是业内首颗带独立通道输出，可测量真实UV指数的UVA和UVB光传感器。 Vishay BCcomponents 220 ELDC ENYCAP™系列双层储能电容器—220 ELDC ENYCAP系列器件可用于能量采集、备用电源和UPS电源应用，功率密度高达0.041Wh，在2.7V下的电容值从15F到40F，使用小型16mm x 20mm 至18mm x 31mm封装。 Vishay General Semiconductor TPC11CA～TPC36CA表面贴装PAR®瞬态电压抑制器(TVS)—这些器件通过AEC-Q101认证，是业内首批峰值功率耗散达到1500W的双向TVS，使用高度1.1mm的小尺寸SMPC(TO-277A)封装。器件的工作结温达到+175℃，满足汽车、工业和通信应用对高可靠性的要求。 Vishay Dale Thin Film PCAN系列高功率薄膜片式电阻—PCAN电阻是在氮化铝衬底上制造的，额定功率达到6W，阻值从2Ω到30kΩ，外形尺寸为1206和2512。电阻适合用在工业、国防和医疗应用中的缓冲电路和载荷、栅极负载和放大器端接电阻。 Vishay Siliconix SUM70040E/SUP70040E 100V N沟道MOSFET—ThunderFET®功率MOSFET的最大导通电阻为4mΩ，比前一代器件的每平方毫米的导通电阻低60%，在从太阳能微逆变器到电动汽车充电站的各种应用中能大大降低功率损耗，提高效率。 Vishay Sfernice PLA51中功率平面变压器—PLA51平面变压器的功率从1kW到3kW，尺寸为70mm x 53mm x 22mm，提供超过99%的高效率，典型应用为DC/DC功率转换器、电动汽车的车载充电器、电源控制冷却单元和太阳能逆变器。 Vishay Siliconix SiC530 VRPower®集成式DrMOS功率级—SiC530将驱动、高边及低边MOSFET组合在3.5mm x 4.5mm的PowerPAK®封装里，占位面积比分立式方案小45%，但却具有连续电流达30A，峰值电流40A的高功率密度。 Vishay Draloric TNPV系列高压薄膜片式电阻—TNPV薄膜片式电阻是业内首个工作电压达到1000V的此类器件，能替代更大的电阻和近似外形尺寸的多颗器件，来节省电路板空间，降低成本。这些电阻具有低电压系数、严格的公差和低温度系数，可用于精确电压测量。 Vishay Siliconix SiHH26N60E/600V E系列功率MOSFET—600V MOSFET采用小尺寸PowerPAK 8 x 8封装，比TO-263(D2PAK)封装的器件小57%，高度只有其1/5。另外，MOSFET的Kelvin源连接通过减少栅极接地回路，提高了性能。 Vishay Dale IHLD系列超薄、大电流双片电感器—IHLD系列器件在汽车和商用D类放大器中能节省空间，两个IHLP®型电感器垂直地放在3232或4032封装内。器件具有软饱和特性，两个相邻电感器之间实现低耦合，失真少，可输出高质量的音频。 Vishay General Semiconductor V35PWxxx/V40PWxxx TMBS®整流器—整流器的电流密度达到40A，采用高度1.3mm的表面贴装SlimDPAK封装。V35PWxxx / V40PWxxx比DPAK封装薄57%，散热面积多14%，热性能更好。

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  • 台积电或独拿A10订单，为iPhone 7蓄势

     虽然距离iPhone 7正式发布还有半年多的时间，但根据台湾的经济日报的报道来看，台积电公司已经正式开始小规模试产苹果iPhone 7将搭载的A10处理器，本月底的时候将会大规模进行量产。 据了解，苹果A10处理器是基于台积电的16nm FinFET(FF )工艺打造的，据台湾经济日报称，苹果目前还没有最终决定A10处理器的代工订单分配，但有业内人士分析，台积电几乎独拿A10处理器的所有订单。 值得一提的是，台积电公司的16FF 本月产能，将由2月的4万片倍增到8万片，并且月底还将会开启大量的生产，之后还会有更密集的产品产出。据悉将集中在Q2和Q3季度，这也不难看出符合iPhone 7手机产品Q3季度亮相的时间，在Q4季度奖全球铺货。 如果台积电独占A10处理器代工订单，从根本上避免类似“A9芯片门”的事件发生。

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  • 台积电壕掷8180万，扩大16nm A10产能

     有消息称，台积电已经开始小范围试产A10处理器，其基于自家的16nm FinFET(FF+)工艺，本月底将大规模量产。现在，台湾供应链给出了更详细的说法，消息显示，台积电正计划扩大A10芯片的产能，将16nm 300mm晶圆从2月份的4万块增加到3月份的8万块，这意味着A10依然采用16nm工艺制造。 此外，据说台积电最近为芯片生产车间投资了8180万美元，主要为了添置生产设备。按照此前的说法，台积电已经拿到了全部A10处理器的订单，在iPhone 7上大家就不用纠结处理器的版本了。  

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  • 台积电16纳米制程产能 苹果及联发科、海思等全包

    2016年除了苹果(Apple)是台积电16纳米制程最重要客户外，包括联发科、海思及展讯均 积极在台积电导入16纳米制程量产，大幅拉抬两岸IC设计业者在台积电先进制程投片比重，2016年台积电16纳米制程产能除了供应苹果产品需求，其他产能几乎已被两岸IC设计业者全包。 近期联发科、海思及展讯不断加码在台积电投片量产，面对国际移动设备芯片大厂陆续传出转单消息，加上全球PC芯片供应商投片力道持续转弱，两岸IC设计业者不仅在台积电先进制程订单比重增加，未来台积电客户比重亦将大洗牌，改由两岸IC设计业者扮演要角。 2015 年联发科、海思及展讯在全球IC设计公司排名分居第三、七及九名，且市占率呈现持续增长态势，龙头芯片厂高通(Qualcomm)转向三星电子 (Samsung Electronics)14纳米制程投单，博通(Broadcom)加计Avago营收居第二大，第四、五名的辉达(NVIDIA)、超微(AMD)仍 以全球PC相关芯片为主，在台积电先进制程投单均难见起色。 至于联发科、海思及展讯仍持续扩大全球手机芯片市占率，拥有继续投入台积电先进制程技术的本钱，且投片量一路攀升，在此消彼长的过程中，2016年台积电16纳米先进制程产能除了供应苹果外，其他几乎已被两岸IC设计业者包下。 目前包括联发科新款P20、海思Kirin 950及展讯SC9860等新一代手机芯片，均采用台积电16纳米制程量产，可说是台积电首次由两岸IC设计公司担任先进制程主要客户的重任，而不再是由其他国际芯片厂扮演要角。 台积电过去几乎绝大多数客户是国外芯片供应商，台系IC设计公司很难被看上眼，然随着两岸IC设计产业势力在各个芯片市场崛起，加上全球移动设备市场渐趋成熟，芯片杀价战火趋烈，让不少国际芯片供应商开始淡出市场，更助涨两岸IC设计公司的成长空间。 台积电前两个世代先进制程产能总是被国际芯片大厂包下的情景，几乎已走入历史，台积电先进制程客户结构转变，不仅凸显两岸IC设计公司在全球芯片产业势力持续崛起，亦显示台积电加快脚步在大陆南京兴建12吋晶圆厂的原因。

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  • 世强签约全球化电子集团TT Electronics

    全球先进元件分销商世强(Sekorm)日前宣布签下全球化电子集团TT Electronics，负责TT Electronics旗下BI technologies和OPTEK两大品牌传感器和工业控制等产品在中国区的分销业务。 世强代理的TT产品主要包括光电开关、微调和精密电位计、位置传感器、刻度式可变电阻器，编码器以及多种传感器。兼具高品质、高可靠性，高稳定，尤其适合工业自动化，医疗，新能源，汽车电子等领域的应用。 另外，绝大部分TT产品可“量身”定制，满足攻城狮们在设计上的独特要求，提供更多元的产品选择。 全球电子集团TT Electronics专注于向工业控制、医疗、汽车、能源市场的领先制造商提供具有竞争力的产品和服务，它的技术产品组合是业内最全面的技术产品组合之一。 而本土最优秀的电子元件分销商世强，已为工业、汽车市场中超过13000家优质客户提供了优质服务，有着业内领先的市场开拓、技术支持 TT Electronics与世强有着共同的目标市场，在未来将为广大攻城狮们提供最优质的产品与最专业的服务，满足攻城狮们多元化的需求!

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  • 氮化镓功率技术大热，Transphorm创新HEMT结构“剑走偏锋”高压器件

     氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力，近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上，这个主题受到国内媒体的集体“围观”。富士通电子元器件高级市场经理蔡振宇(Eric)的“氮化镓产品主要的应用场景和未来的趋势”主题分享，将富士通电子旗下代理产品线Transphorm公司独特GaN技术和产品方案第一次带到中国媒体面前，采用创新的Cascode结构的HEMT高压产品让Transphorm在氮化镓功率表技术领域剑走偏锋，成为该阵营的领头羊。   富士通电子元器件高级市场经理蔡振宇(Eric)主题演讲中 高压GaN技术的领头羊是如何炼成的? 最近一年多以来，一个中国工程师和媒体社群极少听到的品牌——美国Transphorm公司——以一种“稳秘模式”异军突起，已成为电子能源转换行业开发与供应GaN解决方案业务的国际公认领导厂商。据Eric介绍，基于知名投资公司的资金支持(其中包括富士通、谷歌风投、索罗斯基金管理公司以及量子战略合作伙伴资助等)，Transphorm成为了一家快速成长的公司，尤其是在高压GaN解决方案方面是国际公认的领导者，Transphorm致力实现高效且紧凑的电源转换。 “事实上，Transphorm已经是GaN技术的行业‘老兵’。”Eric指出，“Transphorm创始人与核心工程团队在电源和GaN半导体方面，有超过20年的直接经验和领先地位。”据悉，自1994年以来，Transphorm的团队已经率先推出了最早的GaN晶体管的开发，几经合并后的团队带来了卓越的垂直整合经验，其中包括GaN材料和器件、制造与测试、可靠性和应用工程，以及制造和电力行业知识。“这种垂直专业技术保证了能够以最快的速度响应客户的需求，并且确保了重要的知识产权地位，同时还提供符合客户的要求专用电源解决方案。”Eric表示。 Transphorm公司的GaN专业知识和垂直整合使其能够快速开发出高性能、可靠并且强劲的产品。Transphorm是重要战略性知识产权的初创者，拥有超过400项国际专利，包括收购富士通的功率GaN设计、开发和知识产权资产。Transphorm的专利实现了成功将GaN商业化的方方面面，包括材料生长、器件结构、器件制造方法、电路的应用、架构和封装等。 结构创新，HEMT改善的不仅仅是效率 据Eric介绍，Transphorm HEMT 氮化镓产品的独特性源于其独特的产品内部结构。从半导体的结构来看，HEMT 氮化镓产品跟普通MOSFET不一样，电流是横向流，它是在硅的衬底上面长出氮化镓，它是S极垂直往上的，上面是S极流到D极，与传统的MOS管流动不一样。 HEMT器件独特的Cascode结构剖析 目前所有的产品在技术和研发上有两个方向，一个是上电的管子是关着的，还有一种是上电以后管子是打开的。基本上前面的产品是没有办法用的，因为一上电管子就关了。“有友商在第一个管子上面人为地做成Normally off(常关)。但随着时间的推移，原来5伏可以打开，慢慢时间久了可能6伏才能打开。”Eric指出，“对这个问题，Transphorm给出了解决办法——通过增加一个低压MOS管，这个结构就是前面提到的Cascode结构，用常开的产品实现常闭产品一样的性能。” 据Eric解释，此结构的优点首先是它的阈值非常稳定地设定在2V，即给5伏就可以完全打开，一旦到0V会完全关闭。而且这个结构还带来另一个优势：氮化镓的驱动和现在的硅基是兼容的，可以无缝地连接到氮化镓的功率器件上，没有必要改成新的结构。这为工程师设计会带来一些便利，GaN横向结构没有寄生二极管更小的反向恢复损耗和器件高可靠性， GaN是常开器件Vgs为负压时关断，实际上Transphorm在GaN上串联一个30V的Si MOS解决0V关断5V导通的问题。 HEMT结构的氮化镓产品确实有很多独特的优势，但到底好到什么程度呢?能不能对其与主要的竞争产品进行特性对比?Eric给出了一组数据——Transphorm找了一个市场上比较流行的某友商的产品进行了关键参数对比：该厂商的正向导通所需的栅极电荷是44，而Transphorm是6.2，约七分之一;友商产品的QRR一般是5300，Transphorm是54，只约为其1%。 几个关键数据的对比，HEMT GaN技术特性优势明显 创新的结构设计让HEMT GaN功率器件可以在极高的dv / dt(>100 V / NS)条件下进行开关，同时具有低振铃和小反向恢复。清洁和快速过渡大大降低开关损耗，从而提高了高频应用中的效率，通过使用较小的磁性元件，可实现更高的功率密度。尤其是Transphorm公司600V的GaN功率晶体管的推出，使得之前不切实际的非常规电路能够得以实现。此外，来自这些高性能GaN-on-Si HEMT的同步低导通电阻和低反向恢复电荷，具有低共模EMI的出色特性，这种基于GaN的PFC具有最小数字的快速功率器件，并且为主电流提供最小阻抗的路径，可以实现从230Vac到400Vdc电源变换达到99%的效率。 现场展示的基于HEMT器件的电源模块方案与业界竞争解决方案的对比 在演讲现场，富士通电子展示了两款基于HEMT器件的电源模块方案。“我们的PFC+LLC电源与类似的竞争方案相比，电路板尺寸可以缩减45%，在满载和10%的负载下，我们可以分别提高1.7%和3%的效率。对于很多效率要求苛刻的应用来说，这是一个非常大的提升。”Eric指出。 严格的JEDEC认证保证创新结构安全性 “尽管性能参数很不错，但作为系统的‘心脏’，电源模块的设计工程师通常还是很谨慎的，到底怎么保证你这个结构的产品可靠性呢?”在听完Eric的介绍后，现场与会工程师对HEMT氮化镓产品的性能产生了极高的关注，但也有部分人提出类似的顾虑。“这确实是个很重要的问题，但工程师可以非常放心选择HEMT功率解决方案，我们600V的氮化镓产品是第一个也是目前唯一一个通过JEDEC业界认证的氮化镓产品。”Eric介绍道。 独特的性能优势、更小的电路板尺寸受到与会者的关注 据Eric介绍，要通过这个认证，需要通过一系列的严格测试，比如高、低温测试、高湿测试。每个测试项要经过77个产品的检测，放在三个不同的地方做这些不同的测试，而且必须是全部231颗芯片完全没有问题才能通过该认证。“可靠性是电源工程师非常重要的指标。我们做了那么多实验都完全没有问题，所以我们产品的可靠性也获得了全球客户的信赖。”Eric对现场工程师和媒体表示。 事实上，Transphorm已经实施了美国最先进的质量管理体系，并通过了ISO 9001：2008认证，所有产品均符合JEDEC标准 JESD47。作为唯一一家通过JEDEC认证的氮化镓产品，Transphorm展示了高电压GaN功率器件固有的生命周期性能，电场和温度加速测试已经证明了在600V(HVOS测试超过1,000伏，150°C)条件下超过1,000万个小时的续航时间，以及在200°C的结温条件下，超过1,000万小时的寿命。 兼顾高压与低压，技术创新进行时 Transphorm依据基本发展路线图进行开发，首先是合格的600 V器件和1000V器件。Transphorm的研究和开发还在继续，现在推出了600V的扩展系列，采用更低的R(ON)设备和高功率封装(含模块)，然后是继150V器件之后的1200 V器件。据Eric透露，今年会推出900V和1200V的产品，低压方面会提供150V的产品。据悉，未来Transphorm还将推出代替Cascode的E-Mode创新结构技术，将会把当前结构中存在的不利因素解决掉，实现更卓越的功率器件性能。将提供更大功率的产品，从2014年推出第一颗TO240，电流从30、40，逐步往60、70、80的方向发展。

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  • Lauterbach TRACE32工具的新增支持功能可简化MIPS和ARM CPU结合设计的调试工作

    Imagination Technologies和领先的微处理器开发工具供应商Lauterbach宣布，两家公司已开始合作使Lauterbach广受欢迎的TRACE32工具能够更轻松地为MIPS异构CPU系统或结合MIPS CPU与ARM CPU的系统进行调试。Lauterbach将在即将举行的全球嵌入式大会(Embedded World Conference and Exhibition)上展示这套解决方案。 Lauterbach的TRACE32是一套模块化微处理器开发工具，可为嵌入式设计提供整合调试环境。TRACE32现可支持多款MIPS Release 6 CPU，其中包括新的M 级 M6250，这是首款采用灵活的片上CPU调试架构 ─ MIPS On-Chip Instrumentation (MIPS OCI) ─ 开发的嵌入式MIPS CPU。厂商可利用MIPS OCI来确保在高度集成的异构SoC调试过程中，将可能的风险与冲击降至最低。 Lauterbach全球营销经理Norbert Weiss表示：“许多年来，Lauterbach一直支持广受欢迎的MIPS架构与内核。通过TRACE32®，采用MIPS内核设计产品的开发人员能够获得从辅助程序码(bootstrap code)到中断程序(interrupt routine)与驱动器(driver)的完整调试功能。现在，开发人员甚至能利用TRACE32®来为结合了MIPS与ARM架构的设计进行调试。” Imagination公司MIPS业务运营副总裁Jim Nicholas表示：“鉴于我们的许多客户都采用Lauterbach工具，因此TRACE32能与MIPS OCI合作是非常重要的。这一新进展持续扩展了MIPS的生态系统，能为设计人员提供更丰富的领先开发工具选择。我们对于持续推动MIPS的发展蓝图与生态系统投入了大量的精力，这将能使潜在客户考虑在其系统中选用MIPS CPU，以作为支持性的控制器或是取代其SoC中的ARM或其他CPU。目前已有多家客户要求使用这套多重架构调试的解决方案。” 具备交叉触发功能的整合即时追踪串流 TRACE32能通过“混合模式”追踪串流(trace stream)功能实现设计中多颗CPU的即时调试作业。使用者能在单一的追踪视窗中检查交叉存取的结果，并有系统级的时间标记可用来校准这些串流。延伸的触发器逻辑可实现CPU追踪逻辑间的交叉触发(cross-triggering)，让处理器相关性的调试作业更为容易。 通过TRACE32调试器产品，Lauterbach可为多款MIPS处理器提供开发工具支持。 在 Embedded World 的展示 在2016年2月23-25日于德国纽伦堡举行的全球嵌入式大会(Embedded World Conference and Exhibition)上，与会者将能看到TRACE32对“混合模式”设计进行调试的现场展示。Lauterbach的展位号为#4-210。 关于TRACE32工具 TRACE32调试工具可通过标准的JTAG界面为整个调试过程提供快速、有效的处理器调试，包括运行控制、作业系统支持、多核调试以及片上追踪。这些工具能通过USB 3.0或快速乙太网端口与主机连接。内置的TRACE32 PowerView软件可为C和C++语言提供高效、友好的高级语言(HLL)调试。 TRACE32的追踪工具可与目标内核上的整合式追踪端口相连，并即时地从内核记录编程流程信息。这些记录可为开发人员提供快速且逻辑性的疑难排除能力，以检测只会在运行时间(run-time)情况下发生的复杂错误。此外，时间标记编程流程也可用于分析，来提供系统性能以及代码覆盖和缓存分析等保证品质特性的整体检视。 关于MIPS CPU MIPS CPU 是包含低功耗、高性能微处理器 IP 内核与架构的完整组合，适用于开发从高级应用处理器到极精巧的嵌入式微控制器等各种解决方案，并已内置于全球数十亿台的产品中。64 位MIPS 架构已广泛布署于多项产品中，20 多年来一直拥有活跃且持续成长的生态系统支持。

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  • ARM放豪言：移动设备图形运算性能2017年超PS4/XB1

     英国芯片架构设计公司 ARM 日前表示，到 2017 年底 ARM 芯片的图形运算性能将比肩 PlayStation 4 和 Xbox One。也就是说，只需要再过一年多时间，智能手机和平板电脑的图形性能将足以支持原本智能在主机上运行的游戏。 ARM 生态系统总监尼扎·罗姆丹(Nizar Romdan)本周在阿姆斯特丹的 Casual Connect 大会上表示，该公司将与英伟达、三星、德州仪器等公司合作生产这种新型芯片。“移动硬件已经很强大，”罗姆丹说，“如果你考虑当今的高端智能手机平板电脑，目前的性能已经超过了Xbox 360 和 PlayStation 3，很快还将追赶 Xbox One 和 PlayStation 4。” 罗姆丹指出，虚拟现实可以消除这种外形差异，佩戴一个眼罩后，无论使用 PC 还是智能手机，效果都完全一样。“我们认为，移动虚拟现实可以释放出移动硬核玩家的潜力。”当然，这并不等于未来我们可以像在主机上玩《古墓丽影：崛起》那样玩手机大作，毕竟手机和家用游戏机在操作方式和视角上有着巨大的差别。     ARM的豪言壮语主要是着眼于未来移动 VR 领域——移动设备在性能上的跃升不但会为游戏市场吸引更多的玩家，还会加速移动 VR 软件的发展，专家表示到 2020 年移动 VR 游戏市场将创造 150 亿美元的产值。“移动 VR 会从根本上释放手游用户的潜力，借助该技术未来移动设备能获得与 PC 和家用机相同的游戏体验。虽然续航时间等问题依然是移动设备的硬伤，但此类设备在性能上的发展足以改变整个游戏产业。”

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  • e络盟针对安全应用推出恩智浦Freedom K82F开发板

    e络盟日前宣布推出新型恩智浦FRDM-K82F开发板，进一步丰富其面向基于ARM Cortex-M4内核的Kinetis K82、K81及K80 MCU系列高性能、低功耗及安全微控制器的Freedom开发板库存。 K8x系列开发板集成了Kinetis系列微控制器，专为安全应用的开发而设计，具备多种先进的安全特性，包括使用引导ROM进行加密固件升级、外部串行NOR闪存自动解密、拥有边带攻击防护功能的AES硬件加密引擎及公钥加密硬件支持。只要与前代Kinetis MCU保持高度兼容，这些先进特性均可实现。 通过新增FRDM-K82F开发板，e络盟进一步丰富了其嵌入式解决方案产品库存，适用于需要可扩展性能及高级安全性的应用领域，如销售终端及物联网设备。此外，恩智浦为FRDM-K82F开发板配置了丰富的扩展方案，包括兼容Arduino R3的引脚布局、FlexIO头、大量可接入蓝牙和无线电扩展模块的接头，以及各种其他扩展板方案，因而可以提供更大的灵活性。 其他特性包括： 最高运行频率达150 MHz、256 KB闪存、256 KB RAM 带无晶体运行的全速USB控制器 板载六轴数字加速传感器和磁力计 三色LED OpenSDAv2.1，兼容飞思卡尔mbed™ HDK的开源硬件嵌入式串行和调试适配器 可用于评估K80、K81及 K82 Kinetis K 系列设备 e络盟汇集了种类丰富的科技产品，并通过e络盟设计中心单个资源平台为全球用户提供大量开发套件。这个全新资源中心可为工程师提供业内最全面的开发工具信息及产品数据资料。 亚太区用户现可通过e络盟购买恩智浦FRDM-K82F开发板，售价约为人民币342元。敬请于3月15-17日莅临上海慕尼黑电子展e络盟展台(E2馆2246号展位)。届时，您可亲自体验来自e络盟及其主要供应商伙伴的大量最新产品技术和解决方案，其中包括开发板、半导体、连接器、无源元件、机电产品、测试与测量工具等，从而助力从研发到生产制造阶段的整个设计流程。

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  • 外资“盯上”中国西部 三星微软已开始布局

    继2015年我国实际使用外资金额同比增长6.4%并创下新高之后，这种强劲的增长势头在今年1月份得到延续，其中西部地区吸引外资的表现尤为抢眼，1月份同比增长16.9%。专家指出，我国吸收外资的持续稳定增长再一次有力地回击了外界唱衰中国经济的看法，外资对于中国经济的信心依然有增无减，同时在投资领域开始走向“高端”，开始不断加强对于西部地区的投资。而这也将会成为一个大的趋势。 数据驳斥“跑路潮” 近来，国际上出现了不少质疑中国经济的声音，一些外媒声称中国吸引外资的能力正不断下降、出现了外企“跑路潮”的现象。然而，这些说法在客观数据面前却显得十分无力。商务部15日公布的数据显示，今年1月我国实际使用外资882.5亿元人民币，同比增长3.2%。其中，美国、欧盟、日本对华投资增幅较大，分别为463.6%、30.9%和22.8%。 国家发改委对外经济研究所国际合作室主任张建平指出，虽然现在很多外媒在唱衰中国经济，但是外资实际上却加紧了在中国的投资布局。应该说，外资现在总体上对中国的投资环境是认可的，仍然看好中国经济。 “在吸引外资方面，中国有突出的比较优势，中国仍是重要的投资聚集地。一方面，在全球范围内，中国的经济增速仍名列前茅，而美、欧、日的经济形势并不好，许多其他新兴经济体表现也不佳;另一方面，就宏观经济环境而言，中国的营商环境、基础设施建设以及市场发展空间等方面优势明显。”国家发改委对外经济研究所副研究员李大伟在接受本报记者采访时说。 投资日趋“高端化” 我国吸引外资正走向“量质齐升”。商务部外资司负责人指出，1月份，我国服务业实际使用外资596亿元人民币，同比增长5.7%，在全国总量中的比重为67.6%;其中高技术服务业实际使用外资72亿元人民币，同比增长123.4%。 李大伟表示，去年以来，外商投资结构的改善已逐渐成为一个不争的事实。具体而言，生物医药、智能装备等高端制造业正在成为外资“新宠”，而服务业中，研发、计算机软件技术以及高端物流等领域也在加强吸引外资。这些高端领域的合作，将会成为我国使用外资方向的一个大趋势。 在产业结构不断优化的同时，外商投资的方式也在悄然转变。数据显示，2015年，并购在实际使用外资中所占比重由2014年6.3%上升到2015年的14.1%;今年1月，该比重由上年同期的34.7%上升到39%。 专家指出，中国过去更多的是采用绿地投资，绿地投资就是很多地方愿意拿出土地来让外资开发利用。但这种模式受限于土地资源的有限性，是不可持续的;而并购则不会受此约束。目前，外资正不断朝着并购的方向发展。而随着越来越多的外资企业对中国国企改革产生兴趣，并以并购的方式加入其中，未来并购会逐渐成为一种主流的方式。 西部潜力“抢眼球” 在吸引外资“全面开花”的过程中，西部对于外资的利用尤为抢眼。商务部数据显示，西部地区引资明显增长，1月份，西部地区实际使用外资58.7亿元人民币，同比增长16.9%。 近几年，多个重磅级、平台级的外资项目在西部落地。在西安，总投资达75亿美元的三星高端闪存芯片项目投产运营;在重庆，微软公司与当地签署合作协议，共建微软重庆互联网研发产业基地;在新疆，德国巴斯夫公司启动了总面积达1700亩的可生物降解农用地膜试验项目;在成都，世界最大独立医疗器械企业美敦力已选择其作为一项新技术的全球首个生产基地。 为什么外资如此青睐西部?李大伟表示，西部在吸引外资方面具有多方面优势：首先，在传统领域，西部地区的劳动力、土地成本方面的优势十分明显;其次，西部在承接现代服务业方面也有优势，像成都、重庆等西部城市的城镇化发展、消费需求升级等方面的巨大投资空间正不断吸引着外资;再者，国家政策为西部引资创造了一定的空间，“一带一路”等经济战略以及众多国家级新区的成立都为外商投资西部地区提供了良好基础。 “西部地区在吸引外资方面有很大的潜力，发展空间也很大。总体而言，西部吸引外资的持续增长将是大势所趋，而且大有作为。这对于我国经济发展以及外商都是有好处的。”李大伟说。

    半导体 投资 科技 中国西部

  • 美国否决中资收购飞利浦照明资产

     今年1月中旬，苦等近一年的中国买家，被美国否决了其收购荷兰飞利浦旗下Lumileds公司80.1%的股份的交易，而否决原因始终不为外界所知。 近日，《参考消息》援引外媒消息称，一名专家和另一名参与了交易讨论的人士透露，对中国在芯片领域的野心存在担忧是美国官员拒绝批准这一并购交易的主要原因。 不过，业内人士对《每日经济新闻》记者表示，美国方面否决该交易，并非因为其担忧单纯的LED芯片技术领域，而是因为LED芯片属于半导体专业技术领域，若该芯片技术用于各种精密电子设备以及军工领域，则不利于其优势产业的保护。 否决原因被揭秘 1月22日，飞利浦宣布，由于美国监管部门的反对，停止向中国投资者出售其照明组件和汽车照明业务。飞利浦称，虽然公司通过做大量的工作试图消除相关监管部门的顾虑，但仍未获批准飞利浦出售Lumileds公司80%股份的计划。 资料显示，飞利浦旗下Lumileds公司是全球领先的照明设备制造商，产品包括照明组件、通用照明、汽车照明和移动电子设备照明，公司业务覆盖全球30多个国家。 美国监管部门否决飞利浦旗下从事民用照明行业的Lumileds公司股权交易，令业内大感意外，且执行否决该交易的美国外国投资委员会并未透露原因。 2月14日，《参考消息》援引美国《纽约时报》消息称，一名专家和另一名参与了交易讨论的人士透露，对中国在芯片领域的野心存在担忧，尤其是一种叫氮化镓的半导体材料，这是美国官员拒绝批准一宗并购交易的主要原因。目前为止，这是最早揭秘该交易被否决原因的消息。 “拿氮化镓做基底，再做外延做LED产品，目前只知道美国科锐(Cree)公司在这样做，商业化也比较成功，飞利浦旗下的Lumileds公司是否掌握这块技术，还不确定。”LEDinside中国区首席分析师王飞对《每日经济新闻》记者表示。 王飞介绍，目前市场上最常用的LED芯片衬底材料，主要是蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底三种。其中，前两种由日本、美国发起掌握，而中国的晶能光电和南昌大学研发的硅衬底LED芯片技术也获得国家技术发明一等奖，打破了国外垄断大功率LED技术封锁，但掌握氮化镓做衬底材料LED芯片技术的公司较少。 “氮化镓材料技术如果仅用于LED芯片技术这块，是不值得被美国否决中国买家的。”王飞认为，氮化镓属于第三代半导体，由于氮化镓材料在半导体技术中能够比其他材料承受高温高压，工艺密度更高，广泛用于电动车、通讯领域甚至军工领域，对方比较敏感可能因此否决，但不确定Lumileds公司是否已掌握这一技术。 不仅是LED芯片技术 此外，广东凯西欧照明有限公司总经理吴育林对《每日经济新闻》记者表示，若仅是LED芯片技术不至于被否决，收购飞利浦子旗下Lumileds公司所延伸的隐形附加成果，才可能是交易被否决的原因。 “国内的LED芯片技术实际上并不比国外差多少，飞利浦管理层也是意识到这块已经没有很大优势了，才会希望把这块资产卖掉，因此很难说我国LED芯片技术有太大差距。”高工LED董事长张小飞告诉记者，国内南昌大学江风益教授和晶能光电研制的硅衬底LED芯片技术也积累的了大量专利优势，在行业内另辟蹊径。 “收购一家公司，除技术外，更重要的是技术档案。”吴育林表示，飞利浦作为一家百年公司，掌握世界上最先进照明技术，甚至和美国军工企业都有配套照明技术服务，若把飞利浦子公司收购了，前期飞利浦子公司给客户如飞机、卫星导航等做的灯光系统，相关原始配套设计图纸和流程都将被买家得到，这是对方比较忌惮的。 吴育林还称，和中国相比，美国的优势产业所剩不多，下游的制造业中国都赶上来了，只是在半导体产业和IT产业等领域还有不少差距，中国想买走这么大的企业，若是涉及到两国半导体材料技术，美国可能会卡得比较严格。

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  • 仙童半导体拒绝华润等收购 担忧难获监管批准

    北京时间2月18日消息，美国仙童半导体公司本周四拒绝了中国国有企业26亿美元的收购要约，因为它担心交易会被美国监管机构阻挠。最终仙童选择了美国竞争对手安森美半导体(ON Semiconductor)，它的出价比中国企业低。向仙童发起收购的中国企业是华润(China Resources)和清芯华创(HuaCapital)，交易的失败说明中国企业想收购美国安全资产仍然面临很大的困难。 安森美半导体将以每股20美元的价格收购仙童，中国财团出价为21.70美元，交易都以现金支付。由此计算，安森美的出价为24亿美元，而中国企业出价为26亿美元。仙童在公告中表示，中国企业的报价虽然高一些，但是仍然无法补偿美国海外投资委员会(Committee on Foreign Investment)带来的风险。如果交易失败，中国财团需要支付1.08亿美元的分手费，仙童认为相比风险而言费用仍然太低。 消息人士透露说，仙童董事会对中国企业再次报价保持开放态度。 仙童的决定可能会打击中国化工集团，它已经同意以440亿美元收购瑞士农业综合企业Syngenta，这将是中国企业史上最大的海外并购交易。为了保证交易的顺利进行，中国化工集团向华盛顿作出保证，收购不会对美国的国家安全构成危险。Syngenta在美国拥有业务。 上个月，中国财团准备31亿美元收购飞利浦照明业务，美国海外投资委员会以安全为由阻止交易。去年，清华紫光集团曾计划230亿美元收购芯片制造商美光，最后交易流产，清华紫光没有信心达成交易是原因之一。 纽约资深银行家表示：“中国企业渴望在海外购买资产，但是它们深知要让交易在美国获得批准是相当不容易的事。”一位和中国买家合作的顾问说：“中国企业会继续尝试……他们有购买海外资产的任务，他们会继续寻找办法。”

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  • 中国超六成半导体上市公司业绩预增

     2014年的高歌猛进过后，半导体产业在2015年开始出现下滑。据美国半导体产业协会统计显示，去年全球半导体产业销售额同比下滑0.2%，不过，中国区仍然保持销售增长。据证券时报·莲花财经记者统计，目前A股市场六成以上半导体上市公司预计2015年利润增长或扭亏，但产业链各环节表现成色不一。 全球半导体销售下滑,中国区独增7.7% 从美国半导体协会2月公布的数据来看，由于稀缺内存芯片价格上涨，全球半导体销售额创下2014年史上最高纪录，但是2015年发生逆转，半导体产业销售额为3352亿美元。SIA首席执行官约翰·诺弗尔表示，需求疲软、美元走强以及市场趋势和周期性因素，限制了2015年增长。但即便如此，约翰·诺弗尔预计2016年半导体产业也会保持温和增长。 从区域划分来看，作为全球最大的半导体市场，中国区是唯一保持增长的地区，2015年销售额同比增长7.7%。其他地区中，美洲地区销售额下降0.8%，欧洲下降8.5%，日本下降11%。具体销售情况来看，逻辑芯片在半导体市场所占份额最大，去年销售额达908亿美元，占市场总额的27%，储存类芯片位居前三。 象征半导体行业景气程度的北美半导体设备BB值显示，指数自11月份低点到12月已经有所回升。 东兴证券 分析师张济在研报中指出，这象征半导体行业景气度已经开始好转，目前行业估值已经达到历史高位水平，未来提升空间有限，所以2016年行业的投资机会主要来自能带来实际业绩贡献预期的价值板块。 2015年全球半导体行业收并购活跃程度也是达到历史峰值。成本上升背景下，巨头也开始抱团取暖。据美国调查公司Dealogic统计，2015年全球半导体行业并购交易总规模达到1200亿美元以上，创下历史最高纪录，全球半导体行业的平均交易规模也达到去年同期水平三倍以上。在中国国内，去年11月 同方国芯 推出800亿元定增，用于投资存储芯片工厂、收购台湾力成25%股权以及收购芯片产业链上下游公司，如果实施成功，将成为A股最大的定增方案，目前入股台湾力成已经获标的公司股东大会通过。 超六成A股半导体公司,2015年业绩预增 半导体上市公司2015年年报多集中在今年3、4月份披露，从目前业绩预告情况来看，超过六成上市公司业绩预增或者有望扭亏。除了依靠主营业务，投资和汇兑损益以及收购标的并表，成为影响业绩变动的主要因素。 从各行业划分来看，集成电路设计类上市公司业绩增长多归因于主营业务发展，业务结构调整、市场开拓成为重要推手。 全志科技 业绩预告显示，2015年公司持续加大产品开拓力度，调整产品结构，预计2015年净利润达到约1.16亿元至1.32亿元，增长5%～20%。1月，公司推出定增方案，拟募资11.6亿元投资虚拟现实显示处理器芯片、消费级智能识别、车联网智能终端产品应用等项目。 在2015年三季报中，同方国芯预计传统业务保持稳定增长，新产品进入市场开始贡献利润，2015年公司净利润有望达到3.35亿元至4.11亿元，同比增长10%至35%。 中颖电子 受益于节能应用相关产品销售额增长，预计归属上市公司净利润同比增长最高有望达到70%。 业绩增幅最大的是 国民技术 ，2015年净利润预计增长超7倍，最高有望实现8700万元。对此，公司归因于经营强化，费用同比下降以及投资收益同比增加。其中，报告期内非经常性损益预计达到4059.31万元。 相比较而言，集成电路分立器件、材料、封装测试类上市公司业绩分化比较明显。 以封装行业为例， 华天科技 表示，集成电路市场发展平稳，预计2015年利润变动在2.98亿元至3.88亿元之间，净利润预增最高30.00%。 而同行业的 晶方科技 2015年净利润预降约40%-45%，公司表示，由于全球PC、智能手机等市场增速放缓，行业整体需求疲软，去库存压力较大，行业竞争日趋激烈，导致利润规模随之下降，加上折旧等运营费用增加、并购协同效应待显现等，导致业绩下滑。 长电科技 则明确表示，并购标的业绩拉低公司业绩。去年公司完成收购新加坡星科金朋，长电科技表示，标的公司近两年尚处于亏损状态，合并报表后对公司业绩有一定影响，另外，收购事项导致标的公司控股股东变更，触发了存量债务需提前赎回的条款，标的公司必须债务重组，从而增加了一次性费用。长电科技表示，公司将制定并采取了一系列整合措施，但整合的协同效应需要时间。目前，公司因筹划重大资产重组尚在停牌。

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  • Intel处理器性重效能轻性能，摩尔定律说，怪我咯？

     虽然Tick-Tock升级周期变长了，但Intel大体上还是保持了每年推出新一代处理器的节奏，但在频繁更换LGA接口及架构之外，大家对Intel处理器每次乏善可陈的性能提升都没什么兴奋了，哪怕是四五年前的SNB处理器现在都可以再战三年。为什么出现这个问题?之前大家调侃说这是因为AMD不给力，Intel没动力升级，但Intel心里其实也有苦说不出，这几年处理器发展明显是重效能超过了重性能，背后则是摩尔定律逐渐失效，不太可能每次都大幅提升性能了。     Intel公司是摩尔定律的提出者，也是摩尔定律50年来最坚定的捍卫者，但这只是Intel不能服输的表象。半导体工艺经过这么多年的高速发展，已经无法再保持每2年晶体管规模翻倍、性能翻倍之类的逆天增长了，Intel作为半导体技术领头羊，内部对这一点是心知肚明的，只是不能公开承认摩尔定律失效罢了。 在今年初的ISSCC会议上，Intel执行副总、技术及制造部门主管William Holt也谈到了半导体技术瓶颈的问题，表示Intel很快就会转向全新的制造技术，只不过现在还不确定最终会选择哪种技术。 他提到了两种新的技术选择，包括量子隧道晶体管(quantum tunneling transistor)及自旋电子(spintronic)，之前我们介绍Intel在半导体领域中的黑科技时也提到了这些技术，此外还有铟镓砷及应变锗新型半导体材料等等，这都是业界正在考虑的新一代半导体技术及材料。 Holt表示很快就能看到重大变化，新的技术将是完全不同的。不过现有的硅基半导体还会持续两代，大约4到5年左右时间，届时硅基半导体的尺寸会小到7nm左右。(这也意味着7nm之后的半导体会启用全新的技术?) 但是，全新的技术也有自己的问题，Holt表示这些技术会帮助改善晶体管能耗，但会降低速度。说白了就是未来的新半导体技术会大幅改善芯片的效率，但性能方面很难再提升了。 虽然上述内容只是技术人员的交流探讨，但回顾这几年的处理器发展，它确实跟William Holt的表态相符，Intel这几代的工艺进步带来的明显变化是处理器功耗降低，但性能方面也真的没多少改变，IPC同频性能更难说有质变，因此很难让发烧友提起兴趣来。 功耗降低其实也符合目前的趋势，比如IoT物联网领域，这些设备对功耗的要求远高于对性能的要求，续航时间才是王道。

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