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  • iPUBLISH新产品选择赛普拉斯触摸屏解决方案

    赛普拉斯半导体公司（Cypress）日前宣布，iPUBLISH GmbH将在新款MERIAN scout NAVIGATOR个人旅行助手产品中采用赛普拉斯的PSoC® CapSense™触摸屏控制方案。这款新产品将GPS装置的导航功能与多媒体旅行向导功能结合到了一台使用方便的手持设备中。用户只需触摸其3.7英寸VGA分辨率触摸屏就可获取地图和信息，其中包括35个小时的音频导游和照片，可涵盖30000多个地点，如博物馆、餐馆、旅馆和其它感兴趣的地方。 CapSense触摸屏解决方案提供了高度精确的触摸操作性能，十分适用于小屏幕便携设备，例如MERIAN scout NAVIGATOR。该方案还让设计者可以采用单一器件来替代多个机械式按钮和滑条，并能够实现接近感应功能。工程师还可以利用PSoC的灵活性来实现超出CapSense本身以外的功能，也就是一种称为CapSensePLUS的能力。这些功能包括，驱动LED、背光控制、马达控制、电源管理、I/O扩展、控制加速度计和环境照明传感器。这些功能与灵活的通信能力（I2C和SPI）相结合，还能够达到前所未有的系统集成度。 iPUBLISH GmbH执行董事Carsten Leininger指出：“这款MERIAN scout NAVIGATOR最具吸引力的特色就是触摸屏技术，这项技术让所有客户的操作变得非常简便。赛普拉斯基于CapSense的触摸屏解决方案十分灵活，提供了优异的功能，而其可编程性也缩短了我们的设计时间。” 赛普拉斯公司CapSense部门主管Carl Brasek指出：“这款MERIAN scout NAVIGATOR是展示CapSense触摸屏技术应用效果的一个出色实例。它凸显了我们的触摸屏解决方案在优异的精确度、响应时间和低功耗方面的卓尔不凡。” 

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  • 科学家研制出单分子宽度有机电路，有望大幅缩小电子器件的尺寸

    美国匹兹堡大学的研究人员研究出了迄今为止最好的一种方法，它可以组建只有一个分子宽度的线状结构。这种技术可以让我们把电子器件的电路尺寸缩小到分子级，以便制造出更小、更快和更节能的电子产品。该成功发表在9月26日的美国化学学会学报的网站上。 研究人员展示了一个组建分子的模板，线宽只有单个铜原子大小，但可延伸的无缺陷长度可达几百个铜原子。这个超细的线是一维的，这样它就可以以最低的能耗传导电流，因此提升电子设备的性能，项目领导人、匹兹堡大学文理学院物理和化学教授及匹兹堡皮特森纳米科学和工程学院主任Hrvoje Petek如是说。 发表的文章中使用有机的（或以炭原子为基础的）、橄榄球形状的称作fullerenes的分子，但该方法也可以推广到其他的一系列有机分子。这种线状结构的优点只有通过有机分子实现。目前电子行业普遍采用的无机硅材料尚无法做到一维尺寸。

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  • IR授权英飞凌科技使用DirectFET封装技术

    国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 与英飞凌科技股份有限公司 (Infineon Technologies) 共同宣布，后者将获授权使用IR的DirectFET先进功率管理封装专利技术。 DirectFET 功率封装是业界首个在SO-8或更小占位面积，提供高效上部散热的表面贴装功率MOSFET封装技术，适用于计算机、笔记本电脑、电信和消费电子设备的AC-DC及DC-DC功率转换应用。与标准塑料分立封装相比，DirectFET的金属罐构造具有双面散热功能，因而可有效将高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力增加一倍。 英飞凌将把DirectFET功率封装技术应用于旗下的OptiMOS 2和OptiMOS 3芯片技术，预计在2008年初开始提供DirectFET封装的OptiMOS 2样品。 IR企业功率业务部副总裁Tim Phillips表示：“由于采用了独特的双面散热设计，IR的DirectFET封装技术可以降低能量损耗，减小设计占位面积，是先进计算、消费及通信应用首选的解决方案。” 他还表示：“我们不断为节省能源开发尖端技术，并通过授权协议扩大 DirectFET这类创新技术在节能方面的影响力，进一步扩展我们在功率管理市场最主要领域的业务。” 英飞凌科技功率管理及驱动器业务部高级副总裁兼总经理Arunjai Mittal表示：“根据这项协议，英飞凌将继续扩充旗下的功率半导体产品系列。把我们成功的OptiMOS芯片技术与不同封装规格相结合，以适应广泛的应用，使电源设计师可以为特定应用采用节能的、有成本效益的解决方案。OptiMOS 2和OptiMOS 3器件本身具有卓越的特性，现在加上具有双面散热能力的封装，将进一步巩固英飞凌在功率转换市场的地位。”

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  • Synopsys经硅验证的IP可用于0.13微米工艺

    Synopsys公司宣布基于中芯国际130纳米G工艺的DesignWare®  USB 2.0 nanoPHY IP已获USB标志认证，PCI Express (PCIe) PHY IP已通过一致性测试。 DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP针对高容量和功耗要求高的应用进行了优化，可同时实现小尺寸和低功耗。该PHY独特的可调性使设计者能够根据工艺变化和系统寄生效应做出快速调整，从而实现高良率和强大的互操作性。DesignWare USB 2.0 nanoPHY是整套USB协议实施解决方案的一部分，整套方案还包括OTG数字控制器、主控制器和验证IP。经过硅验证的DesignWare USB OTG解决方案已在领先的消费、计算和无线产品实现量产。 用于PCI Express的 DesignWare PHY IP与PCI Express 1.1兼容，可提供最低功耗，相当于竞争产品的一半，并可保证接收器和小尺寸芯片的出色容限性能。该IP高级的内置诊断引擎和ATE测试向量能够对PHY进行快速生产测试。此外，用于PCI Express的 DesignWare PHY IP还可提供x1 到 x8局域网仿真配置，支持打线封装和倒装芯片封装。用于PCI Express的 DesignWare PHY IP是经过硅验证的完整PCIe解决方案的一部分，该解决方案还包括终端、双重模式、根联合体、交换IP和验证IP。   中芯国际市场及销售部门副总裁欧阳雄表示：“Synopsys为我们的客户提供了业内领先的USB和PCIe IP，这些产品具有卓越丰富的性能和出色的技术支持。将Synopsys公司经过硅验证的IP与我们的制造工艺技术结合，设计者能够实现快速上市的目标，同时这也是低风险快速实现量产的最佳途径。” Synopsys IP及服务业务高级市场总监John Koeter表示：“与中芯国际合作，将我们的PCIe 和 USB IP用于中芯国际的0.13微米工艺，对其进行硅验证和认证，表明我们不断为客户提供业内领先的标准连接IP。我们将为设计者提供经过认证的高质量IP解决方案，并将随着先进工艺技术的发展而不断完善，以满足客户的严格要求。” 基于中芯国际0.13微米工艺的DesignWare USB 2.0 PHY IP、USB 2.0 nanoPHY IP和PCI Express PHY IP 现已供货。

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  • iSuppli调低2007年全球半导体收入预期

        周三市场调查公司iSuppli调低2007年全球半导体收入预期，从6月预期的增长6%下调为增长3.5%。并表示后半年半导体的收入增长不能够弥补前半年的销售疲软。  　　iSuppli称，目前预期全球半导体的收入将从2006年的2606亿美元增长为2699亿美元。今年前半年全球半导体的收入比2006年后半年下降了6%，其主要原因是储存芯片制造商盲目扩展产能，今年前半年储存芯片发货量增长了94%，而整个半导体行业的发货量平均增长了55%至60%。  　　部分市场产品充斥造成平均销售价格下降，储存芯片行业的收入下降了13%，前半年的市场环境潜在的限制了半导体收入的增长。但调查公司表示，后半年全球半导体市场的环境发生了转变，不仅表现在年终的购物季节，储存芯片的价格和收入都出现强劲反弹。  　　iSuppli预期后半年全球半导体的收入比前半年将增长10%，其中三季度的收入比二季度增长8.8%，四季度将增长4%。这一增长趋势将延续到2008年，预期2008年全球半导体的收入将增长9.3%。  　　iSuppli预期后半年NAND闪存芯片的价格在经过前半年每MB下降40%后将开始回升，假日季节的来临和计算机销售强劲，后半年储存芯片的收入比前半年将增长15%，2007年储存芯片的收入预期将占半导体行业收入总数的23%。

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  • 台积电被判窃取美公司商业机密 赔三千万美元

        9月26日下午消息，台积电今天宣布，针对UniRAM科技公司指控其不当使用商业机密的诉讼，美国旧金山联邦地方法院判决台积电支付3050万美元赔偿金。台积电认为陪审团的裁决不正确，将采取一切行动保护自身权益。 　　台积电在新闻稿中称，旧金山联邦地方法院判决其支付给UniRAM 3050万美元的赔偿金，并可继续上诉。台积电法务长杜东佑称：“我们认为陪审团对此案的裁决并不正确，台积公司将会采取一切行动来保护自己的权益。” 　　代表UniRAM的律师事务所发表声明称，涉案商业秘密涉及嵌入式DRAM的设计技术。 　　UniRAM于1998年创立于美国加州，是一家专业从事高性能内存解决方案设计、开发及授权的公司。

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  • 中芯国际兴建武汉晶圆厂进度受阻

         据一名外国分析师透露，中国晶圆代工厂中芯国际集成电路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.，以下简称中芯国际)放缓了他们在武汉的300毫米晶圆厂的施工进度。 　　“我们听说这座新武汉晶圆厂的建设由于与尔必达的定价谈判未最终达成而不得不推迟，”汇丰银行一名分析师Steven Pelayo说。“这将影响他们的短期管理费用和明年的潜在利润。此外，它还将影响那些寄望这批07年第三季订单的半导体设备厂商。” 　　Steven Pelayo所提及的这家日本内存芯片(DRAM)厂商尔必达与中芯国际签订了一份代工合作协议。最近，尔必达出售了部分200毫米晶圆厂设备予中芯国际负责运营的一家实体企业——总部在成都的中国成都成芯半导体制造有限公司(Cension Semiconductor Manufacturing Corp.)。 　　与此同时，有报道称中芯国际已经于去年开始在湖北省武汉东湖新技术开发区兴建一座300毫米晶圆厂。但这座工厂并非中芯国际自己的，而是由当地政府出资并要求中芯国际负责管理的。新芯积体电路制造有限公司(Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing)将拥有这座晶圆厂，并且他们已经委托中芯国际负责未来的运营，预期这座工厂将于2007年底竣工，而投入商业量产定于2008年的第一季度。预计这座晶圆制造厂初始阶段的晶圆月产量在12500片左右，未来有能力将月产量提升至20000甚至25000片的水平。 　　事实上，最近一段时间以来，中芯国际的情况有点起伏不定。这家公司自成立以来始终没有试过大幅盈利。 　　Steven Pelayo表示，“中芯国际继续提升其300毫米内存晶圆的产量，不过，随着内存芯片(DRAM)的价格不断冲击新低并且短期内没有回升的迹象，所以他们基本上只是在原地踏步。”据他透露，内存芯片仍然占该公司收入的大约30%。 　　中芯国际的逻辑芯片业务也是喜忧参半。他们的300毫米逻辑芯片业务在最大的客户德州仪器近期削减晶圆订单后显得有点疲弱，“而好消息是我们又听说上海的200毫米晶圆厂在争取到新的大客户高通(Qualcomm)后正高速运作，”Steven Pelayo说。“现在这座工厂的产量大约是产能的一半，但收入却减少了，而且这是一座相对落后的工厂，只能生产最小130纳米级别产品。”

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  • 天宏计划总投资37亿元 多晶硅项目咸阳开建

        9月23日10时，陕西天宏硅材料有限责任公司多晶硅项目在咸阳市渭城区正阳镇正式奠基开工，并举行了隆重的开工典礼。该项目建成投产后，将填补我国微电子级多晶硅材料规模化生产的空白。     多晶硅是制造集成电路和太阳能电池的基础材料，是发展信息产业和光伏新能源产业的重要基石。目前，我国多晶硅使用量已占到全球总量的10%以上，但产量却不到全球总产量的1%。为摆脱多晶硅依赖进口的局面，在省政府的支持下，多晶硅项目由陕西有色金属控股集团有限责任公司控股，并与陕西延长石油（集团）有限责任公司、西安绿晶科技有限责任公司、陕西省投资集团（有限）公司共同投资建设。      该项目计划总投资37亿元人民币，年产多晶硅3750吨，厂区面积33万平方米，首期建成年产微电子级多晶硅1250吨生产线，建设期为24个月。项目技术含量高，产品档次高，技术和产品质量居于国际先进水平。该项目成功投产后将全面满足8英寸以上晶圆片生产的需要，对我国电子材料产业的发展具有划时代意义。 

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  • 赛普拉斯发运第2.5亿片PSoC系列产品

    赛普拉斯半导体公司近日宣布其PSoC®混合信号阵列产品出货量已超过2.5亿片。目前，赛普拉斯在全球各个应用领域的PSoC客户已超过5000家，这些客户广泛分布在消费电子产品、手机、计算和网络设备、工业系统以及汽车系统等领域。其中著名的PSoC客户包括惠普、思科系统公司、LG电子、海尔、联想、任天堂和宾得公司。赛普拉斯曾在2006年6月宣布其销量突破了1亿片大关。 2007年第2季度，赛普拉斯PSoC系列产品的业务收入创造了历史新高，而且业务收入有望继续增长。新PSoC设计中标的增长速度也创造了新高，高出2006年40%。传统上，设计中标是确保后期增长的指标之一。 PSoC混合信号阵列将1个8位微控制器与可编程模拟模块和数字模拟集成在一起，这种独特的组合方式在各种应用领域内为设计者提供了无与伦比的灵活性。这种灵活性为其众多细分市场的客户提供了卓越的价值。 市场研究企业Databeans（总部位于内华达州里诺市）的研究部门主管Susie Inouye指出：“PSoC系列产品的增长率给人们留下了极为深刻的印象，把曾在微控制器和混合信号市场出现过的增长率远远甩在了后面。这种结构能够应用于众多不同的应用领域，并根据在具体系统中的使用方式而提供不同的优势。” 赛普拉斯负责市场营销和应用的高级副总裁Babak Hedayati指出：“除了赢得了大客户的大批量产品设计以外，我们还赢得了众多不同应用领域的许许多多中小型公司，因为PSoC所具有的灵活性缩短了产品上市周期、减少了元器件数量并节约了板卡空间。客户数量的迅速扩大证明了我们独有的混合信号可编程产品和解决方案为客户带来的巨大价值。”

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  • 吉时利和CNSI共推纳米系统研发的快速商用化

    吉时利仪器公司日前宣布结盟位于加州大学洛杉矶分校（UCLA）的加州纳米系统研究院（CNSI）并展开合作。CNSI将在半导体行业下一代仪器和测量所需的纳米技术和纳米科学领域提供研究合作，吉时利和CNSI将分享在纳米技术和纳米电子技术领域的研究成果。 吉时利将加入CNSI合作者计划。该计划旨在尽CNSI学院的努力，促进与愿意支持纳米系统研发成果快速商用化的公司展开合作。吉时利将与CNSI研究人员密切合作，促进该研究计划早日启动。吉时利将在协作研究中提供专业仪器技术支持和专家，以及提供各种测试仪器，例如在纳米研究领域广泛使用的4200-SCS型半导体特征分析系统，应用到CNSI的WIN/FENA实验室的合作研究中。 UCLA工程与应用科学亨利塞缪尔学院电气工程教授、WIN和FENA研究中心主任Kang Wang表示，“吉时利提供具有高级测量功能的工具，将帮助UCLA进一步推进研究工作，吉时利仪器的灵敏测试技术非常适合应用于碳纳米管电子学的电流电压特征分析、分子电子学、纳米级场效应器件和材料研究等领域。” 纳米工程功能材料研究中心（FENA）,属于纳米电子研究创新联盟（NRI）核心机构的西部纳米电子研究所（WIN），以及半导体研发中心计划（FCRP）（NRI和FCRP都是半导体产业基金的核心机构）, 专门致力于构造和研究新型纳米工程功能材料与器件，以及构建新型信息处理系统所需的、超越传统CMOS技术限制的新结构和计算架构。 吉时利副总裁、商业主管Mark Hoersten表示，“吉时利之所以选择与CNSI和WIN/FENA组织合作，是因为其在材料科学、物理学、生物学、化学和半导体领域拥有世界顶尖的科研团队，双方技术合作产生的研究成果，将会应用于今后为纳米科学与半导体行业不断提供的测试产品之中。同时，吉时利的设备将会帮助WIN/FENA的研究人员更好开展研究工作。本项合作将为吉时利开发新一代测量技术提供宝贵机遇，从而推动纳米技术早日走出实验室，投入全面生产与应用。”

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  • TI出资1500万美元资助大学医疗技术研究

    日前，德州仪器 (TI) 宣布将出资1,500 万美元资助其全球选定大学的医疗技术研究。该项资金将用于支持未来几年内关键新兴医疗技术在多个领域中的研发工作，如个人医疗设备、可移植设备、医学成像、无线医疗监护系统以及生物传感器技术等。 TI 医疗业务部副总裁 Kent Novak 表示：“TI 始终处于技术研究的前沿，与全球大学的合作将有助于我们开发出新一代医疗电子产品，使客户享受到更高质量的医疗保健服务。” 多项最新医疗成就中都有 TI 技术的身影，其中包括便携式影像、用于病人监护的无线通信、视网膜修复技术，以及旨在提高截肢病人生活质量的基于 DSP 的机器人技术。 Novak 还谈到：“上个世纪 90 年代，电子行业的研发重点与市场主要推动力是无线通信系统、手机以及个人数字助理 (PDA)。上述发展的成果实现了更高的系统集成度与更低功耗要求。许多最新医疗系统都采用这些成熟技术，以提高医院对病人的监护水平，如功能增强型个人护理设备。鉴于许多发展中国家实际上并不具备标准化的医疗系统，这些技术还有助于加速医疗系统的现代化进程。”

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  • 我国无源电子元件研究发展及若干战略思考

    无源电子元件是一大类重要的电子信息产品。无源元件与有源器件（集成电路等半导体产品）共同构成电路的核心部分，是各类电子信息产品的基础。在新型电子产品中，集成电路和无源元件占全部电子元器件及零部件的生产总成本的46.1%和9.1%，而在总安装成本中却分别占12.7%和55.1%，甚至某些片式元件的管理和安装成本已经超过其价格。不难看出，无源电子元件已经成为制约整机进一步向小型化、集成化发展的瓶颈。  1、无源电子元件在我国经济社会发展中的地位  根据信息产业部的统计资料，我国的电子信息产业规模已经成为国民经济第一大产业。信息业产业的发展已成为决定我国的国民经济、社会发展、人民生活、国家安全水平的主要因素。  电子元件及其组件制造业是电子元器件行业的主要组成部分，也是电子信息产业的支撑产业。电子设备一般都是由基本的电子元件构成的，从日常生活中的电脑、电视、PDA、手机、DVD等电子产品到载人航天、先进武器的尖端技术，电子元件无处不在。电容器、电阻器、电感器、变压器、滤波器、天线等无源元件都是电子产品中必不可少的基础元器件，在日常生活和国家战略中均发挥着重要的作用。电子元件及其组件属于电子信息产业的中间产品，介于电子整机行业和原材料行业之间，其发展的快慢、所达到的技术水平和生产规模，不仅直接影响着整个电子信息产业的发展，而且对发展信息技术，改造传统产业，提高现代化装备水平，促进科技进步都具有重要意义。  随着电子信息整机产品制造的规模化，其对上游产品的配套能力要求日益强烈，电子元器件制造业作为基础产品的重要地位日益明显。目前，我国电子信息产业处于高速增长时期，一方面，新一代电子整机产品市场规模迅速扩张，急需各种电子元器件产品，尤其是新型电子元器件为之配套；另一方面，随着电子整机产品向数字化、信息化方向发展，电子元器件在电子整机产品中所占的比重日益增加，电子整机产品对电子元器件的依存度也越来越大。  2、高端电子元件及其关键材料和技术研发的战略意义  从产量上看，我国的多种无源元件产品，如电容器、电阻器、磁性元件等在世界上均名列前茅。但从销售额来看，这些产品都不占世界首位，这说明高档产品还有一定差距。如何将我国从电子元件大国变为电子元件强国，一直是我国政府、产业界和科技工作者长期探索、努力解决的一个问题。   目前我国电子元器件市场的供需矛盾仍然比较明显，突出表现为产品供给与整机需求之间的脱节。一方面，我国很多领域的电子元器件产品产量位居世界前列，并大量出口；而另一方面，我国也是全球最主要的电子元器件产品进口国之一。形成这种局面的原因主要在于，国产电子元器件产品主要集中在技术含量较小的中低端领域，因此大量新型电子元器件依靠进口，同时，价格、渠道、服务因素也在很大程度上影响了我国电子元器件产品稳定进入整机配套体系。以用量最大的一类电子元件――多层陶瓷电容器（MLCC）为例，如表1所示，从2000到2004年间，尽管我国的元件产量从960亿只增加到1550亿只，但进出口贸易逆差却从440亿只增加到880亿只。  从电感类产品得情况看，目前我国的片式电感生产总和只占全球的不足5%，与我国每年占全球约30％左右的片式电感用量严重不成比例，且主要应用于一些中低档次的电子产品中，几乎所有的领先性电子产品（如移动通信）中所采用的这类基础元件基本上完全被日本、韩国和台湾的企业所垄断。  （三）无源元件发展的历史机遇  近年来电子元件产品进入了一个迅速升级换代的时期。其突出表现是插装向表面组装、模拟化向数字化、固定式向移动式、分离式向集成化转变。从技术上看，无源电子元件的多层化、多层元件片式化、片式元件集成化和多功能化成为发展的主要方向。基于多层陶瓷技术（MLC）和低温共烧陶瓷技术（LTCC）的新一代电子元件已成为电子元件的主流，而集成化则是电子元件的主要发展方向。新一代电子元件与无源技术的发展正在成为高技术发展的制高点和产业生长点。  此外，在国际化的趋势下，国际电子制造产业中心向中国转移，将对中国的电子元件产业产生了巨大的拉动。电子元件采购的本土化将成为大势所趋。未来5－10年，我国的电子元件市场将出现高速增长。   电子元件产业的主要利润点在于新一代高端产品。片式电子元件的全面升级换代，无源集成技术的迅速崛起，为我国有关企业提供了一系列实现跨越式发展的技术切入点。通过国家大项目的牵引，组织产学研联合的研发队伍，从材料、制程和设计方面全方位的研究开发，将有望使我国电子元件产业站在高的起点上参与国际竞争。  在电子元件升级换代速度加快、无源集成产业刚刚兴起、以及国际性的产业转移之时，抓住机遇，投入力量，研究开发开发具有自主知识产权的新一代电子元件及无源集成材料系统、模块设计、及制程工艺，对我国信息技术的长期发展将是十分必要的。   （四）世界各国无源元件研发情况  近年来，随着电子信息产品升级换代速度的加快，电子元件的进一步升级换代和集成化的问题日益为世界各国政府、产业界和学术界所关注。特别是由于低温共烧陶瓷（LTCC）等技术的突破使无源集成技术进入了实用化和产业化阶段，新一代无源元件和相关的集成技术成为倍受关注的技术制高点。早在上世纪90年代中期，美国政府就曾拨款7000万美元，实施了一个旨在研究发展无源集成和多芯片组装的三年计划。2000年，美国商务部、国家标准与计划研究院和一些大型企业联合发起了一个规模更大的“先进嵌入式无源元件联合研究计划”，这一为期四年的计划是通过建立一个国家制造科学中心，推动新一代集成化无源元件的研究开发，其研究内容涉及发展新材料、新制程、以及新的设计工具（软件），据称目前已取得重要成果。美国军方也相当重视电子元件和无源集成技术的研究发展，美国国防部2004财政年度的计划中，“先进元件开发与样品”作为列为7个重大计划之一，预算经费将高达132亿美元，其中一部分被用于新一代无源元件及其集成技术方面。欧盟通过其Brite-Euram框架，支持了“微波与电力模块的快速制造”研究计划（简称RAMP计划）。日本政府将无源集成技术列入到了政府优先支持的“关键技术中心计划”；德国政府启动了旨在推进用于卫星通信用集成模块的KERAMIS项目、旨在研究多功能无源集成模块的4M项目等。  一些大型高技术企业，如美国杜邦公司、IBM公司、摩托罗拉公司,日本TDK公司、NEC公司、村田公司、3M公司、富士通公司，荷兰菲利普公司等均投入巨资参与新一代无源电子元件及其集成技术的角逐。2001年，台湾工业巨头台塑集团以LTCC模块作为切入点，启动了“科技台塑”计划，他们通过购买美国高科技企业的技术，开发蓝牙模块和移动通信产品，进入了电子信息领域。由国际电子与封装协会（IEAPS）发起的旨在推动世界范围内无源集成技术发展的名为Ceramic Interconnect Initiative的计划（简称CII）得到了世界各国很多研究结构和企业的积极响应。   （五）研究发展的思路与政策建议  总体思路：以发展新型高端元件为牵引，以关键材料为突破口，以提升生产工艺技术为着眼点，将“材料研究－工艺开发－元件生产”相结合。在 “十五”有关项目的研究基础上，进一步组织力量，通过产学研相结合，发展新型材料，突破关键技术，形成自主知识产权，全面提升我国电子元件产业的产品结构和技术水平。  重点发展方向：针对无源电子元件高端产品和无源集成的关键技术问题，重点研究开发以下内容：（1）能促进量大面广的无源元件产品升级换代的核心材料；（2）具有共性的关键元件工艺技术；（3）高附加值的高端集成模块产品。  总体目标：形成我国在无源元件高端产品和无源集成技术方面的自主知识产权；发展出一系列技术指标居国际先进水平新型材料、元件和模块，及其制程工艺；研制并生产出集成度20以上的无源集成模块；形成5－10个具有国际先进水平的片式电子元件成果转化基地及产业链，其总生产规模达到年产数百亿只无源元件；建立的无源集成标准体系和测试平台。争取在“十一五”末，使我国在若干种新一代电子元件产业规模及水平居世界前列，推动我国从电子元件大国走向电子元件强国。为我国3G移动通信、数字电视、载人航天工程等重大计划的实施提供元件基础。  研究内容包括：   （1）若干重要电子元件的关键材料与相关元件研究：以推动重要元件产品的升级换代和发展新型高端元件产品为目标，探索具有高性能的电子陶瓷和相关材料，为全面实现我国基础电子元件的升级换代提供材料基础。包括：高性能介电陶瓷材料及相关元件、高性能软磁铁氧体材料及相关元件、高性能微波陶瓷介质材料、高性能压电陶瓷材料、高性能敏感陶瓷材料。  （2）无源元件工艺中的共性技术研究：面向无源元件的小型化工艺的要求，开展对MLC技术的关键工艺环节研究和开发，研究内容包括陶瓷前驱体粉料的超细加工制备工艺（粉体粒度 

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  • 我国电子元器件领域 “十一五”发展重点

    我国电子信息产业由电子信息产品制造业和软件业构成，电子信息产品制造业是最具活力的科技创新领域之一，其规模占整个电子信息产业的90%左右，是我国信息化建设的关键支撑，是推动经济增长的重要引擎。而电子元器件制造业在整个电子信息产品制造业中也占据着重要位置。   “十一五”时期，是我国信息产业实现强国战略的重要起步期。电子信息产业主要是围绕从规模速度型向创新效益型转变的发展思路，加强自主创新，提升产业技术水平；优化产业发展环境，加快产业结构调整；壮大核心基础产业，延伸完善产业链；培育一批骨干企业和知名品牌，提高产业竞争能力。主要任务是大力发展核心基础产业，重点培育新的产业群，积极推进产业集聚式发展。  在电子元器件方面，力争使集成电路、新型元器件等核心产业的规模翻两番，产业链进一步向上游延伸，元器件、材料、专用设备国内配套能力得到显著增强，集聚优势资源，形成一批在全球具有特色和影响力的产业基地和产业园，以及一批效益突出、国际竞争力较强的优势企业。   集成电路   在集成电路领域，我国对外依存度一直很高，CPU、DSP、存储器、手机基带芯片等计算机、移动通信、音视频等主流整机产品所需的高端芯片主要依赖进口，贸易逆差持续扩大。2005年我国集成电路的贸易逆差高达672.7亿美元，同比增长50%，集成电路关键装备基本依赖国外。因此，“十一五”期间，我国集成电路领域的发展重点是完善集成电路产业链，通过设计、芯片制造、封装检测、关键装备和基础材料各环节的协调发展，建立起植根于国内、具有核心竞争力的产业体系。   要优先发展集成电路设计业，重点发展通用的、新结构的CPU、DSP、数/模、模/数转换器、存储器、可编程器件等核心关键芯片。在SOC核心芯片设计、SOC设计方法和设计自动化等领域集中部署一批对SOC发展起支撑作用的原创研究和关键技术研究，积极研发下一代集成电路设计工具，开发一批关键可复用IP核产品，产生一批集成电路设计领域的专利、标准和专有技术，提升我国集成电路设计业的自主创新能力。   积极发展集成器件制造(IDM)模式，鼓励新一代芯片生产线建设，推动现有生产线的技术升级。在集成电路制造工艺方面，要重点发展面向8～12英寸圆片的90纳米、65纳米、45纳米大生产工艺技术、特种工艺技术，形成工艺自主开发能力，开发新型集成电路封装技术及产品，积极采用新型封装测试技术，重点发展球栅阵列（BGA）、针栅阵列（PGA）、芯片级封装（CSP）、多芯片组件（MCM）、系统级封装（SIP）等高密度封装技术。在半导体集成电路制造装备方面，着力在关键核心设备上集中投入，形成突破，赢得装备发展的主动权。   预计到2010年，我国集成电路制造业大生产技术将达到12英寸、90～65纳米；封装测试业进入国际主流领域，实现BGA、SIP、CSP、MCM等新型封装形式的规模生产能力，部分关键技术装备、材料将取得突破。集成电路设计业具备采用届时国际最先进大生产工艺进行产品设计，支撑网络通信、信息安全和数字家电等关键电子信息产品自主发展的能力，在设计方法学和设计工具的部分领域取得突破性进展。   元器件   随着全球信息技术从模拟向数字转变，电子元器件正面临着升级换代，新型平板显示器件正在逐步替代CRT，微型化、高性能等片式元器件正逐步替代传统器件。  然而，我国国内整机产品所需的新型元器件还大量依赖进口，贸易逆差在逐步加大。因此，“十一五”期间，要继续巩固我国在传统元器件领域的优势，坚持跟踪与突破相结合、引进与创新相结合，加快新型元器件的研发和产业化。重点发展平板显示器件及其他片式化、微型化、集成化、高性能、绿色环保的新型元器件。   在平板显示器件方面，要优先发展TFT-LCD和PDP，促进研发和产业化的结合，提高自主创新能力。支持建设第六代以上TFT-LCD面板生产线，加快国内关键配套件的开发与产业化进程，力争在TFT-LCD用彩色滤光片、基板玻璃、偏光片、新型背光源、部分生产设备以及材料上取得突破；重点发展42英寸以上PDP显示屏、驱动电路及模块，掌握规模量产技术，建设PDP显示屏及模块生产线，鼓励引导设备和专用材料的开发和国产化。   积极组织OLED/PLED、SED器件和模块的基础技术研发，掌握部分关键技术，为产业化奠定基础；积极发展小尺寸手机主/副屏、PDA和MP3所用OLED显示屏，力争满足国内市场需求。加快传统彩管产业战略转移，积极发展高清晰度、短管颈等高端彩管产品。   在元器件产业方面，要以片式化、微型化、集成化、高性能化、无害化为目标，突破关键技术，调整产品结构，促进产业链上下游互动发展，着力培育优势骨干企业，推动产业结构升级。重点围绕计算机、网络通信、数字化家电产品、汽车电子、环保节能产品以及改造传统产业的需求，发展相关的片式电子元器件、印制电路板、敏感元件和传感器、混合集成电路、新型机电组件、绿色电池、新型电力电子器件、光通信器件、高亮度发光二极管。   预计到2010年，我国电子元器件总产量将达到3万亿只，销售收入达到2.6万亿元，阻容感片式化率达到90%。电子元器件国际市场占有率达到30%，国内市场占有率达到50%。新型显示器件产业具有较强的国际竞争力，建立起以企业为主体，产学研相结合的创新体系，形成可持续发展能力。逐步提高国产化水平，实现中、高档产品满足国内市场需求的50%以上，中、低档产品基本满足国内市场的需求。   电子材料和专用设备仪器   电子材料和电子专用设备仪器是我国电子信息制造业的核心基础产业的重要组成部分，位于整个产业链的前端。然而，我国电子材料的基础薄弱，缺乏骨干企业，研发能力不强，国内急需的电子材料基本被国外企业控制，电子专用设备仪器的总体水平距离世界先进水平有很大距离，集成电路关键设备基本依赖进口。这些都成为制约我国电子产品制造业由大到强的瓶颈。因此，从国家的中长期科技发展规划和信息产业“十一五”规划中，都强调电子专用设备仪器材料等基础产业的重要地位，强调要加强产业链的延伸和完善。   在电子材料领域，“十一五”重点要提高电子专用材料配套能力，重点加大基础技术研究和产品工艺技术的开发，提高电子材料的本地化水平；重   点发展半导体关键材料；提高平板显示器件重要材料的国产化配套能力；鼓励量大面广的电子材料的升级换代，发展环保型电子材料。   在电子专用设备仪器方面，加大国际合作，加强共性基础技术研究，突破部分关键技术，缩小电子专用设备和仪器、工模具与国外先进水平的差距。  以数字电视和新一代移动通信等产业发展为契机，推动产品工艺与设备仪器开发相结合，促进产用结合。加强政策引导，加大政府投入，大力发展集成电路、平板显示器件等重大技术装备，鼓励开发量大面广的新型元器件生产设备、表面贴装和支持无铅工艺的整机装联设备，加大高性能测试仪器的研发力度。   经过“十一五”的发展，到2010年，使我国电子材料产业国内平均自我配套能力达到30%以上，培育若干名牌产品和重点企业，主要电子信息材料的技术水平和产品性能与当时的国际水平相当，并形成相应的产业规模。部分电子专用设备产品技术水平接近国际先进水平。电子测量仪器产业基本实现以正向设计为主的开发模式，初步掌握核心技术并部分拥有自主知识产权。 

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  • 盘点上半年台湾地区IC产业 设计表现最佳

    工研院IEK日前针对2007上半年(07H1)台湾IC产业发展情况发表最新调查报告指出，该产业总体产值(含设计、制造、封装、测试)为6,813亿新台币，较06H2衰退9.1%，较06H1增长5.8%。 以产业类别来看，其中设计业产值为1,815亿新台币，较06H2增长4.9%，较06H1增长20.8%；制造业为3,503亿新台币，较06H2衰退16.5%，较06H1增长0.8%；封装业为1,020亿新台币，较06H2衰退6.8%，较06H1增长0.7%；测试业为475亿新台币，较06H2增长0.4%，较06H1增长5.3%。 在IC设计业的部分，根据IEK的观察，2007上半年虽然为计算机产业及消费电子产品的传统淡季，但淡季不淡，各产品线营收仍比前季有增长表现。其中，受惠于全球新兴市场对多媒体功能手机的强劲需求，手机芯片营收表现比去年同期倍增；高分辨率电视芯片则因对国际一线大厂客户出货续增、全球需求骤增，营收为去年同期三倍。 在消费类芯片方面，台湾消费类芯片业者营收在无杀手级新产品出现的情况下陷入低迷。至于内存设计业者在光驱、显卡内存等利基型内存价格持稳，以及手持装置用(如手机、PDA)所需的内存出货增加下，厂商营运表现尚可。通信与模拟芯片则是2007Q2表现最抢眼的二个类别，由于新产品持续推出与量产，使得通信与模拟芯片设计公司业绩比去年同期增加三四成。 在晶圆代工方面，2007年第一季表现不佳，但2007年第二季显现提前复苏的迹象，比第一季增长13.2%，产值达到1,035亿新台币。展望第三季，IEK认为随着晶圆代工客户库存消化顺利，订单将呈现逐季扩增的情形。 IEK表示，尤其在PC及手机相关芯片需求增长以及IDM大厂持续在12寸晶圆厂90及65纳米制程订单扩大外包的情况下，再搭配成熟制程市场方面来自于DTV、Display Drivers等消费性电子步入第三季出货旺季，与2008年北京奥运所带动的商机推动下，台湾晶圆代工产业第三季将延续第二季触底反弹后的态势持续增长。 就DRAM而言，2007上半年受到PC产业传统淡季的影响，加上DRAM产能供过于求，致使DRAM产品的ASP大幅下降。使得台湾IC制造业自有产品(主要为DRAM)产值比上季(2007年第一季)下滑29.4%，但比去年同期(2006年第二季)则下滑11.4%。 IEK指出，台湾DRAM业者在12寸厂产能及良率不断提升，以及制程技术进一步微缩的推进之下，DRAM产出颗粒持续增加；展望第三季，由于国际的内存大厂如韩国的Samsung及Hynix因应NAND Flash市场的需求回温，以及较好的ASP，已将上半年投入DRAM生产的产能重新回拨，以增加NAND Flash的产能。 此一趋势这使得DRAM产能的供需回到较好的状况，配合下半年PC出货的传统旺季、新版微软操作系统Vista的降价，以及企业用户采用的比例增加等有利因素，将使台湾DRAM产业的增长性比上半年来得好。 在IC封装业的部分，2007年第一季产值虽然呈现衰退6.5%，但2007年第二季整体营收比上季呈现微幅增长的态势。展望下半年新客户及订单量增加的趋势，配合封装厂商的产能利用率及平均接单价格(ASP)都呈现趋稳的态势，供需情势稳定，产能及营收将可呈现逐季扩增的情况。总计2007年第二季台湾封装产值为520亿新台币，较2007年第一季增长4.0%。 在IC测试业的部分，2007年第一季产值虽然小幅衰退2.1%，但2007年第二季的季增长率为6.5%。展望下半年，除DRAM测试产能之外，NAND Flash的需求也受惠于国际大厂的持续释单而增加，带动NAND Flash的测试需求及整体测试市场。而国际整合组件制造厂外包代工的比重也持续增加。 展望07Q3台湾整体IC产业产值可达3,960亿新台币，较07Q2增长15.9%。其中设计业产值为1,010亿新台币，较07Q2增长3.6%；制造业为2,060亿新台币，较07Q2增长22.8%；封装业为620亿新台币，较07Q2增长19.2%；测试业为270亿新台币，较07Q2增长10.2%。整体而言，预估2007年台湾整体IC产业产值可达1兆5,291亿新台币。

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  • 飞兆诉讼官司受挫 被判侵犯PI四项专利

    飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)日前表示，在官司中遭到挫折。美国特拉华州联邦地方法院的一个陪审团裁定，一起诉讼中涉及的四项Power Integrations Inc.(PI)专利有效。 去年末，陪审团裁定飞兆半导体蓄意侵犯了Power Integrations公司的四项专利，并要求向后者赔偿约3,400万美元的损失。 飞兆半导体表示该裁决不当而且令人失望，并表示计划质疑该裁决以及诉讼过程中的其它问题。飞兆半导体表示，将很快启动这一程序，将在未来几天和几周提出一系列动议，必要的话将提起上诉。 飞兆半导体已经推出了新一代先进脉宽调制(PWM)控制器，以及代替涉案产品的相关产品。飞兆半导体也在另一起诉讼中控告Power Integrations侵犯其专利。

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