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  • 台美日DRAM厂连手 抗韩策略发酵

    【导读】两大韩系内存厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)纷传出将大幅调高2010年资本支出，继三星预计投入30亿美元扩产及制程微缩后，海力士2010年资本支出亦将倍增至20亿美元，使得尔必达(Elpida)和美光(Micron)加紧脚步与台系DRAM厂合作 两大韩系内存厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)纷传出将大幅调高2010年资本支出，继三星预计投入30亿美元扩产及制程微缩后，海力士2010年资本支出亦将倍增至20亿美元，使得尔必达(Elpida)和美光(Micron)加紧脚步与台系DRAM厂合作，尽管过去喊出的台美日厂连手抗韩策略，在DRAM整合戏码停摆后没再被提起，但DRAM厂指出，实际上全球4大DRAM阵营板块运动，仍按照台美日厂连手抗韩局势发展。 随着三星和海力士都扩增2010年资本支出，隐约释出对2010年DRAM和NAND Flash产业乐观看法，以2010年三星30亿美元资本支出为例，虽然还未回到2007、2008年逾40亿美元资本支出水平，但已较2009年大幅成长；目前三星单月12吋晶圆DRAM芯片产出超过30万片。 海力士2010年资本支出约20亿美元，与2009年相比成长超过1倍，其中，13亿美元花在DRAM芯片，7亿美元花在NAND Flash芯片。海力士2009年与台厂茂德缘分告终，但并未影响DRAM扩产进度，目前海力士单月12吋晶圆DRAM芯片产出超过20万片，2010年将致力往40纳米制程发展。 2008年底DRAM产业整合定调为台美日厂联盟，连手对抗韩厂，在这样氛围下使得海力士退出台DRAM产业，茂德转向与日系阵营合作，台DRAM产业整合虽破局，但台美、台日阵营联盟抗韩效应，却仍发酵中。 内存业者认为，面对韩系大军调高资本支出，尔必达2009年资本支出为5亿美元，2010年暂订6亿美元，表面上增加支出金额相当小，但实际上大部分支出都转嫁至台厂，包括力晶、瑞晶、茂德、华邦电等，尤其是子公司瑞晶2010年资本支出高达4亿美元，会是台日联盟主要基地。 在台美阵营方面，美光虽然没有获得台湾当局金援，但自身募资成功，加上合作伙伴南亚科和子公司华亚科2009年连番募资成功，2010年大量转进50奈米制程，亦将成功稳固台美阵营实力。 整体来看，原本全球DRAM产业有5大阵营，2009年奇梦达(Qimonda)遭洗牌出局后，海力士亦被洗出台湾市场，未来全球4大阵营也1分为2，由台美日厂对抗韩厂，其中，日厂尔必达和美系美光在全球DRAM产业三哥宝座竞争激烈，台厂产能将牵动未来全球DRAM市占版图。

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  • 宁波比亚迪半导体亏损调查

    【导读】这是一个结果尚不明朗的赌注，巴菲特和王传福 站在一边，巴菲特已经赌赢了，但是王传福 暂时还没有。 　　21世纪经济报道 这是一个结果尚不明朗的赌注，巴菲特和王传福 站在一边，巴菲特已经赌赢了，但是王传福 暂时还没有。 　　初冬的傍晚天黑得早，宁波北仑港保税港区的比亚迪宁波半导体公司（原宁波中纬）依旧冒着腾腾的热气，公司墙上贴满了新员工的名字，由于人数众多，许多人还来不及办理入厂证件。大批身穿比亚迪厂服的员工走出工厂大门，投入茫茫夜色，这里有许多来自深圳的年轻工程师，他们正试图适应在宁波度过的第一个寒冷冬天。 　　这些员工身上，承载着王传福的野心和梦想。“王总（王传福）今年已经来看过好几回了，看得出他对我们这里的期望很高。”宁波比亚迪一位员工告诉记者。 　　原来宁波中纬留下的近10名台湾高管仍然管理着这个工厂的生产，而在厂房边一大片未开发的土地上，已经悄然搭起了建筑设备——这里很可能成为比亚迪电动车驱动设备的新生产线。 　　然而就是这家被王传福甚至巴菲特寄予厚望的工厂，近来引起了业界颇多猜测。 　　11月16日，有媒体报道比亚迪宁波工厂发生巨亏，随即比亚迪股份的股价一路大跌，由最高时的88元港币一路下探到64元港币。11月19日，比亚迪股份（1211.HK）发布澄清公告称，比亚迪宁波半导体有限公司（原宁波中纬积体电路）的实际亏损数额远低于有媒体报道的每月5000万的数额。截止到12月1日收盘，比亚股份大涨近10%，报收71.8港元。 　　资本市场似乎接受了比亚迪的解释，然而围绕其电动车战略，直到今天，这家工厂的真实状况，仍然像一个谜。 　　1.71亿的合算买卖？ 　　在比亚迪并购该工厂前，宁波中纬可谓命运坎坷。 　　2002年，台湾留美博士冯明宪与蔡南雄两人来到宁波，鼓吹他们的市场理论：国家不应一味支持高档项目，忽视成熟且经济效益更好的低端市场。他们认为，当时已经略显过时的6英寸生产线虽然低端，但基础市场大，效益应该不错。 　　2002年初，注册于开曼群岛的中纬积体电路有限公司在宁波保税区开设了宁波中纬电路工厂，分次投资2.49亿美元，引进台积电1980年代的6寸半导体生产线，成为宁波市第一家半导体生产企业。 　　记者在原宁波中纬的工商资料中看到一份当年的项目可行性报告，在报告中提到的，该工厂预计年产6英寸芯片24万片，实现产值8400万美元，其中50%用于出口。 　　然而事与愿违，一直到宁波中纬破产，其效益最好时的月产量也仅为一万多片。 　　宁波保税区在一份内部分析报中指出，中纬等公司出资结构先天不足，资金链紧张，原因是注册时多以进口设备充资，货币出资很少，虽合法律规定，但造成出资结构先天缺陷，导致流动资金不足，加上其他风险，企业多资不抵债。 　　由于资金不足、生产线老化等原因，宁波中纬的产能一直无法有效扩大。在此期间，又发生了部分台湾高管套取公司资产的事件，进一步加剧了公司的困境。 　　2008年下半年，宁波中纬终于资不抵债，宣布破产。2008年9月，宁波中纬正式将相关资产包括工业房地产及电子设备、机器设备、运输设备和专有技术项目转让等打包拍卖。 　　然而包括方正微电子、上海贝岭微电子等国内多家IT厂商在考察宁波中纬的情况后，鉴于其生产设备严重老化，均对此兴趣寥寥，其第一次拍卖以流标的尴尬局面收场。 　　一个月后的第二次拍卖中，比亚迪股份以1.71亿人民币的价格拍得宁波中纬厂房、设备等资产。此时，距离巴菲特旗下的中美能源入股比亚迪股份仅有不到一个月的时间。 　　工商资料显示，2008年10月23日，比亚迪以货币出资，在宁波保税区注册了“宁波比亚迪半导体有限公司”，注册资本为2亿元人民币，其中比亚迪股份（1211.HK）出资1.8亿，占股90%，深圳比亚迪锂电池有限公司出资2000万，占股10%。 　　自此，宁波比亚迪半导体开始全面接手原宁波中纬的业务。但质疑声很快接踵而至。 　　“老古董”被垂直整合？ 　　有分析认为，比亚迪所购的生产线源自台积电1980年代的二手产品，距今已有20多年历史，在国内半导体制造业可称作是“老古董”，在国内竞争力低下。 　　“据我所知，比亚迪在收购宁波中纬之后，劝退了许多原来的代工客户，不再以晶圆片代工为主要业务，而是正在融入到整个比亚迪的产业链当中。”半导体产业调研机构iSuppli中国分析师顾文军告诉记者，这符合比亚迪一向的“垂直整合”战略。 　　在此之前，王传福一向对高科技生产线嗤之以鼻。在比亚迪的IT业务中，其生产线上的设备60%都由自己开发，模式是将每一道工序分解成若干个工位，并用大量人工代替机械化生产，借此降低生产成本。在汽车生产上，比亚迪也使用了同样的方式。 　　比亚迪是否能用自己的方式对这条落后的生产线进行有效的改造，尚不得而知。 　　记者在宁波比亚迪半导体工厂了解到，目前该工厂的半导体产量已经达到每月7000片——原宁波中纬的最高月产量约为1万片。不过，这一产量相对于其它半导体厂商来说，仍然太小了。比亚迪集团内部的订单尚不足以支撑整个宁波中纬的生产线，因此目前该工厂仍然从事部分对外代工业务。 　　11月19日，比亚迪股份公告称，由于宁波工厂刚刚处于事业起步阶段，所以仍处于亏损状态。而关于具体亏损的数额究竟是多少，一直是外界争论的焦点，比亚迪声称，其实际亏损数额远远低于此前有报道提到的每月5000万元。 　　宁波比亚迪一位财务负责人告诉记者，该工厂的实际亏损额远远小于外界报道的那样，该工厂目前运转一切良好，各项财务指标健康，许多原宁波中纬的老员工都选择了留下来。 　　顾文军分析道，由于宁波工厂已经开始整合进整个比亚迪的产业链，因此其亏损额度可以控制在一定范围之内，不可能像外界传言的那么大。此外，由于宁波工厂收购成本很低，因此在财务上可以省掉一大笔折旧费用。 　　本报查阅的工商资料显示，自2002年起到2006年底，注册在开曼群岛的中纬积体电路有限公司共分7次向宁波中纬投资2.49亿美元（包含部分设备及专利出资），而比亚迪收购该工厂时，仅花费1.71亿人民币。[!--empirenews.page--] 　　由于比亚迪所购得设备已有20多年的历史，因此在财务中设备折旧的平摊费用这块，几乎可以忽略不计。此外，比亚迪还获得了包括34315.72平方米的房产，以及位于宁波保税区的131054平方米的土地。 　　“宁波比亚迪工厂只是一个小的6寸工厂，有订单就生产，没有的话就停产，不可能产生如此巨额的亏损。”顾文军分析道，目前宁波比亚迪的成本仅为设备维护、人员费用、购买原材料的费用，可能还有一部分研发费用。 　　顾文军表示，如果比亚迪不把宁波生产线改造成代工业务用途，而只是用该生产线生产比亚迪集团内部需要的低端IC元器件，其生产线的改造费用就会大大降低。 　　王传福一厢情愿？ 　　对于比亚迪的宁波工厂来说，另一个不确定因素在于，这条陈旧的生产线是否有能力生产出技术含量极高的电动车驱动模块，并形成稳定的产量，以降低成本。 　　王传福此前曾表示，宁波比亚迪半导体将来最核心的产品将是IGBT（绝缘栅双极晶体管）——这被认为是电动车的核心技术之一。在电动车上，IGBT的作用是交流电和直流电的转换，同时还承担电压的高低转换功能。 　　目前国内尚无厂家可以生产和封装这种尖端的IT组件，全部依赖进口，而电动车上使用的大尺寸IGBT目前的进口费用高达每套1万多元，这极大地阻碍了王传福降低电动车的成本。王传福曾声称，比亚迪宁波工厂生产的IGBT成本将仅为1000元人民币左右，但业内人士指出，这很可能只是他的一厢情愿。 　　“我们知道比亚迪收购宁波中纬后，一直希望在IGBT的研发和生产上取得突破，但这一过程，并不容易。”南京银茂微电子一位高管告诉记者——该公司由美国麻省理工的海归博士团队创办，被认为是国内研发IGBT技术水平最高的企业之一。 　　据他介绍，目前国内在IGBT这块的技术瓶颈主要为IGBT芯片的制造和封装工艺——尤其是在芯片制造这一环节，国内还没有任何一家企业具备这方面的实力。 　　那么，目前比亚迪在这块的技术积累到底达到什么程度了呢？ 　　上述南京银茂微电子高管指出，从技术上来说，比亚迪购买的生产线已相当陈旧，这意味着工程设计人员要根据现有的老设备进行很好的匹配，要花更多的精力去调试并选择合适的参数——这进一步加大了比亚迪研发和生产的难度。 　　如果比亚迪选择更新生产线，则意味着巨大的额外开支。从以往国内芯片工厂的建设造价来看，动辄花费上十亿元的成本。 　　“比亚迪的宁波工厂当下还只能生产一些简单的IC产品，我估计要做出符合电动车使用规范要求的IGBT模块至少要两年时间。”比亚迪微电子一位经销商告诉记者。 　　目前市场上销售的比亚迪IGBT产品都来自于ABB等外国公司进口的芯片，在比亚迪微电子的深圳工厂完成封装。比亚迪IGBT产品尺寸较小，且稳定性和国外产品相比仍有一定的差距，主要用于电焊、变频器、工业控制等领域。 　　而电动车领域需要的IGBT产品，则完全是另外一个概念。 　　电动车使用的IGBT寿命要求是普通工业用IGBT产品的10倍以上。这项技术对于全世界的厂商来说，都是一个很大的挑战，目前只有德国英飞凌等少数国外厂商掌握这种技术。 　　上述比亚迪电子的经销商表示，正在销售的比亚迪低端IGBT产品在市场上的反响也十分一般，这说明至少到目前为止，比亚迪在IGBT的生产工艺上还没有达到很好的状态。 　　对于比亚迪和王传福来说，宁波项目更像是一个筹码很大的赌注，一旦其核心技术获得重大突破，将大大增强其在电动车领域的竞争力，甚至可以凭借其在IGBT方面的优势，辐射其它行业。 　　10月16日，国际知名投行巴克莱以近10倍于巴菲特认购价的78.145港元，增持3232.75万股比亚迪股份。资本市场的追捧，使得比亚迪可以获得更多的研发投入。 　　不过，这一行业的特殊性在于，单纯的资金投入并不一定能够立马带来产出。 　　在此前，国家很早就启动了在IGBT方面的研发，中央立项并拨付的经费也已经一拨又一拨了，然而目前，国内厂商在IGBT方面的技术水平和市场占有率和国外还有很大的差距。 　　“要解决IGBT的研发和生产工艺不仅仅是砸钱就能解决的，需要时间和经验积累。”南京银茂微电子的这位高管表示，国外对中国在这一块的技术封锁十分严格，国内的研发和制造人才也很紧缺，就连设备进口也受到层层限制，这些都可能影响比亚迪的研发进度。

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  • 欧司朗第二家LED芯片工厂在马来西亚投产

    【导读】在马来西亚槟城的芯片制造工厂，让欧司朗这家德国公司一举成为第一家在欧亚地区拥有高产量芯片生产设施的LED制造商。     继2007年7月举行破土动工仪式两年后，世界上最先进的LED芯片工厂现已完成最后的安装工作，测试阶段也已圆满结束，从现在开始，即全速投入LED芯片的日常生产。在马来西亚槟城的芯片制造工厂，让欧司朗这家德国公司一举成为第一家在欧亚地区拥有高产量芯片生产设施的LED制造商。欧司朗位于德国雷根斯堡的主要工厂于 2008 年完成扩建，而这槟城新工厂是对它的有力补充。针对目前 LED市场对优质LED的需求再度急速增长，此举将使欧司朗能够以极具竞争力的价格灵活应对。     LED芯片已蓄势待发，必将成为未来照明系统的核心产品。而这座新落成的尖端LED芯片制造工厂的关键指标包括：数千万欧元的投资、35，000 m2 的工厂面积以及超过220个全新就业机会。随着建设阶段已经完成，基于4 英寸圆片的氮化铟镓(InGaN) 半导体芯片也已经确立了制造工艺流程，新工厂目前正在投入日常生产。这些芯片构成蓝色、绿色和白色LED的基础，主要用于建筑和普通照明、显示器背光照明和移动终端设备。这间LED芯片工厂至今已为槟城创造了大约220个新就业机会。欧司朗光电半导体全球共有4，400员工，其中约2，600人在马来西亚工厂。而槟城这新芯片工厂的开幕典礼会在明年春季。 欧司朗在马来西亚槟城LED芯片工厂     欧司朗光电半导体德国总部首席执行官Rüdiger Müller博士指出：“虽然现在才刚刚起步，但未来几年内LED市场将大幅增长，这是毋庸置疑的。因此，即使在经济如此不景气的环境下，我们仍坚定不移地持续实施我们的投资和拓展计划。凭借德国和马来西亚的两间制造工厂，我们在数量和质量方面均站在理想的起跑点上。雷根斯堡、现在再加上槟城，已经成为全球最重要的LED技术中心。” 欧司朗新工厂囊括众多尖端技术

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  • 半导体行业失宠 风险投资额连续三年下降

    【导读】风险投资的冬天发生在2008年的下半年，随后整个行业遭受了一场劫难。芯片厂商赛灵思CEOMosheGavrielov随后很快发出警告称，半导体创业企业风险投资不会再回来了。 风险投资的冬天发生在2008年的下半年，随后整个行业遭受了一场劫难。芯片厂商赛灵思CEOMosheGavrielov随后很快发出警告称，半导体创业企业风险投资不会再回来了。就算在经济危机过去之后，也很难再回到半导体行业中来。 对半导体行业的投资往往投入巨大，回报低。与此同时，新出现的绿色科技部门，为VC提供了一个更好的成本-收益平衡的机会。 Moshe在参加SemicoSummit年会时表示，VC对半导体公司的投资还将急剧下降，因为无法满足他们的投资要求，他们有其它更好的花钱地方。 Moshe援引全球半导体协会（GSA）的数据解释说，对无晶圆厂半导体(FablessSemiconductor)的投资已经出现连续三年的下降，2006年达到了顶峰，为20亿美元。 GSA主席JodiShelton对该数据有不同的解读，她认为，VC投资的钱没有动，并不是仅仅针对半导体创业企业，而是所有的创业企业。JodiShelton在今年4月份表示，VC可能会关注其它行业，但并不意味着远离了半导体行业。

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  • 富士通英国员工将举行多次罢工抗议裁员

    【导读】12月15日消息，据国外媒体报道，英国最大的工会宣布了英国富士通服务公司员工的罢工日期。这是英国IT公司迄今为止进行的第一次全国性的罢工。 12月15日消息，据国外媒体报道，英国最大的工会宣布了英国富士通服务公司员工的罢工日期。这是英国IT公司迄今为止进行的第一次全国性的罢工。 Unite工会在上周五发表的声明中称，该工会在富士通服务公司的1500名成员将在12月18日举行一天的罢工。这个工会将在1月7日至8日举行2天的罢工，在1月14日至15日再举行2天的罢工，在1月11日举行1天的罢工。 这次罢工行动是由于富士通服务公司计划停止向最终薪金养老金计划提供资金引起的。Unite工会成员这次罢工还是反对冻结工资和1200多名富士通服务公司员工因为人员过剩而被解雇。这个工会还计划在1月18日在富士通在伦敦的总部外面举行抗议活动。 Unite工会原来呼吁在11月份举行罢工活动。但是，由于富士通同意谈破和放宽了裁员和养老金的最后期限，Unite工会取消了罢工。然而，这个谈判的结果没有使这个工会中83%的富士通公司员工满意。 目前还不清楚这个工会的成员有多少人将参加这个罢工活动，因为不需要向单个的工会成员发出罢工的通知。富士通英国公司有1.15万员工，其中有1500人是Unite工会的成员。 富士通发言人星期一称，该公司预计它的服务不会发生任何重大的中断。我们将保证员工从事具体的业务活动并且重新组织工作量以保证服务不受到影响。

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  • 全球首款 3G OPhone 手机联想 O1 采用展讯 TD-SCDMA 芯片

    【导读】联想移动通信科技有限公司（以下简称：联想移动）推出的全球首款基于 TD-SCDMA 标准的 OPhone 智能手机联想 O1，从即日起正式上市并在中国大陆地区销售。 北京2009年12月15日电 /美通社亚洲/ -- 联想移动通信科技有限公司（以下简称：联想移动）推出的全球首款基于 TD-SCDMA 标准的 OPhone 智能手机联想 O1，从即日起正式上市并在中国大陆地区销售。该款手机基于展讯通信有限公司 （Spreadtrum Communications， Inc.，以下简称“展讯”，纳斯达克证券交易所代码：SPRD）的 TD-SCDMA 解决方案，并支持中国移动的 OPhone OS 智能手机操作系统。 联想 O1 是联想移动与展讯通信深度技术合作的产品，其采用了由中国移动主导研发的智能终端软件平台 -- OPhone 平台。该手机采用了展讯 TD-SCDMA/HSDPA/ GSM/GPRS/EDGE 基带芯片 SC8800S 及射频芯片 QS3200，是目前全球首款支持 TD-SCDMA 的 3G OPhone 智能手机，集成了移动互联网应用、开放性、全面娱乐和商务应用等主要功能，因此联想 O1 可谓是中国 TD-SCDMA 产业链各环节领军企业合作的典范。 作为全球首款 TD-SCDMA OPhone 智能手机，联想 O1 所采用的展讯 TD-SCDMA 芯片技术，支持 GSM/GPRS/EDGE/HSDPA；其完全满足视频、收发邮件、办公和上网冲浪等多业务并发需求，因此以 O1 为代表的 TD-SCDMA OPhone 智能手机的出现将极大的推动中国 TD-SCDMA 终端发展的进程。 对于联想 O1 手机，展讯通信有限公司总裁兼 CEO 李力游博士表示：“此次上市的联想 O1 手机是一款集成诸多业内先进成果的旗舰 TD-SCDMA 智能手机产品，它是联想移动与中国移动深度合作的优秀成果。展讯提供的高集成度 TD-SCDMA/HSDPA/GSM/GPRS/EDGE 基带芯片 SC8800S 及射频芯片 QS3200，在充分满足运营商的功能和业务需求的同时，能够有效降低产品的开发成本和制造成本。而 O1 产品出众的工业设计，流畅的手机外观，以及远低于当前其他智能终端产品的轻薄厚度，均得益于联想的优秀技术。我们相信联想 O1 无疑为中国 3G 市场打开了一个充满潜力的发展空间，OPhone 手机带来的个性化与开放性将成为未来手机的主流。” 联想移动总裁兼 CEO 吕岩表示：“我们非常高兴能够与展讯通信一起合作，联想 O1 手机是完全中国企业自主研发的结晶。展讯为联想 O1 提供了极具竞争力的从基带到射频的 TD-SCDMA 解决方案，其具备了集成度高、成本结构优等特点。同时展讯技术团队良好的本地化服务，也大大缩短了 O1 进入市场的时间。秉承联想开创的产品设计思路，O1 融合了 PC 与手机等产品功能，它的推出势必推动中国通信产业迈进全新的 3G 时代和移动互联时代。我们也相信凭借无线互联的 3G 网络，联想 O1 在正式上市销售后，会带给广大消费者精彩纷呈的移动互联生活。”

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  • 收购磐大 Intersil十亿美元俱乐部雄心已现

    【导读】2007年才加入Intersil的CEODaveBell是一位颇具改革性与创新性的领导者，刚一上任就进行了全方位的创新，将公司原有的五条产品线划分为模拟与混合信号两个部门。为此，在Dave的领导下，Intersil展开了一系列收购行动，截止2009年11月，已先后收购了4家美国公司。 2007年才加入Intersil的CEODaveBell是一位颇具改革性与创新性的领导者，刚一上任就进行了全方位的创新，将公司原有的五条产品线划分为模拟与混合信号两个部门。在2009年2月12日年度分析日上，公司又制订了2011年的目标：即在保证现有毛利率的情况下，将公司产值扩大至10亿规模，从而跻身10亿美元俱乐部。为此，在Dave的领导下，Intersil展开了一系列收购行动，截止2009年11月，已先后收购了4家美国公司。 而在2009年12月15日，公司又宣布，签署了收购磐大微电子的最终协议。磐大微电子是一家私营无晶圆半导体公司，在高集成度电源管理IC技术上处于领先地位，而磐大微电子也成为Intersil海外并购的第一家企业。 磐大微电子为无线、音频、视频和数据通信解决方案提供高性能模拟和混合信号集成电路，其产品主要用于消费类终端市场，如手机、个人导航设备、便携式多媒体播放机和其他流行的消费电子产品等应用。 DaveBell认为：“磐大微电子的产品与Intersil迅速扩大的电源管理、音频和通信IC构成了完美组合。与此同时，对磐大的收购也使Intersil在新兴的中国本土市场迅速实现了快速扩张。” 磐大微电子的总经理宋烨表示：“我们非常高兴能加入Intersil的团队。与Intersil的全球设计、制造和营销资源对接，将加速我们新产品的上市时间，并使其更快地渗透到新兴市场。” 磐大微电子在武汉和上海设有设计中心。DaveBell说：“Intersil致力于通过稳健增长和战略收购来扩大自身的业务。磐大微电子的设计工程师团队在模拟和混合信号设计上拥有非常丰富的经验，这不仅能够提升我们的设计能力，而且还让Intersil可以更好的服务于中国和全球的成百上千家客户。” 不过，模拟公司的并购相比较数字产业来说，困难很多，一方面是对于毛利率的需求，另外对于市场的不确定性或者团队及产品的融合方面，相比较数字产品来说困难很多，毕竟不是简单的产业规模叠加即可。而市场对于此次收购也持谨慎态度，12月15日，Intersil开盘价为14.01美元，距14日收盘价微跌9美分。

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  • 传东芝投资22亿美元扩大NAND闪存产能

    【导读】据国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元（约合22亿美元）扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。 据国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元（约合22亿美元）扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。 报道称，东芝当前还计划在2012年3月之前，为半导体产业投资总计5000亿日元。市场调研公司iSuppli上周发布研究数据显示，今年第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。 iSuppli的报告称，全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。东芝第三季度表现强于市场，其NAND闪存营收较第二季度的9.24亿美元增长了47.5%，达14亿美元。东芝在全球NAND闪存市场上位居第二，仅次于三星电子。凭借第三季度的营收增长，东芝在全球NAND闪存营收中所占的份额从第二季度的29.4%，增加到34.6%，从而巩固了其在该市场上第二的位置。 今年以来，NAND闪存的平均销售价格一路上涨，原因是NAND闪存供应商削减产能，应对去年第四季度和今年第一季度市场供大于求的局面。今年第二季度，NAND闪存平均销售价格上涨了18.5%，第三季度上涨了40%。 与半导体产业低迷的状况形成鲜明对比，iSuppli预计今年全球NAND闪存市场营收将增长16.4%，而全球半导体市场营收将下降12.4%。

    半导体 东芝 闪存芯片 芯片生产 NAND闪存

  • ANADIGICS授予同欣电子年度供应商奖

    【导读】ANADIGICS， Inc.（纳斯达克股票代码：ANAD）今日宣布，公司将年度供应商奖授予同欣电子工业股份有限公司（Tong Hsing Electronic Industries Limited） 。 全球领先的微电子封装技术代工服务商获颁卓越运营大奖 Marketwire 2009年12月14日新泽西州沃伦消息――ANADIGICS， Inc.（纳斯达克股票代码：ANAD）今日宣布，公司将年度供应商奖授予同欣电子工业股份有限公司（Tong Hsing Electronic Industries Limited） 。年度供应商奖计划于2009年启动，旨在表彰为ANADIGICS提供卓越产品并助ANADIGICS获得成功的供应商。ANADIGICS是在同欣电子驻菲律宾新厂房的落成典礼上宣布这一获奖消息的。2009年度奖是ANADIGICS重要奖项的首次颁发。 同欣电子以技术、品质、响应性、供货和总成本管理等多个关键领域的卓越性能获得了年度供应商奖。该奖项也是对两大公司之间坚强的战略合作关系的认可。 同欣电子工业股份有限公司首席执行官Jay Yang先生表示：“这是ANADIGICS授予同欣电子的无尚荣誉。我很荣幸代表作出贡献的整个团队领取这一奖项。过去十几年间，同欣电子和ANADIGICS的团队紧密合作，造就了两大公司今日的辉煌。我们期待该合作关系在未来继续得以发展。” ANADIGICS运营副总裁Russ Wagner表示：“我们很高兴能有此机会，表彰同欣电子在2009年获得的卓越业绩以及对品质和成功的执著追求。整个制造价值链中卓越的品质和运营性能对于我们公司的成功至关重要。作为我们的供应商，同欣电子了解我们的策略和业务需求，并定期稳定持续地为我们提供产品和服务。”

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  • 首届科锐（Cree）杯中国大学生LED照明设计创意大赛初赛告捷

    【导读】由中国照明电器协会和科锐（Cree）公司共同举办的首届“科锐杯----中国大学生LED照明设计创意大赛”（以下简称大赛）初赛告捷。经过评审专家初审，宣布50件作品成功入围，进入决赛！ 北京，2009年12月15日 – 由中国照明电器协会和科锐（Cree）公司共同举办的首届“科锐杯----中国大学生LED照明设计创意大赛”（以下简称大赛）初赛告捷。经过评审专家初审，宣布50件作品成功入围，进入决赛！ 大赛第一阶段历时3个月，共有来自祖国各地（包括台湾地区）百所院校近千名在校大学生积极报名参赛，并在首轮比赛中征集到个人及团队作品百余件。近日，由LED业内专家、学者及工业设计/灯具应用专家组成的专业评审团，经过紧张而又激烈的评审工作，对所有参赛作品进行了多方位考核，包括作品的创意性、合理性/可操作性，和市场前景等方面，最终决出50件入围作品，进入实物制作阶段，继续角逐！ 建筑照明界泰斗、清华大学建筑学院教授、博士生导师詹庆旋教授，特聘为此次大赛的评审主任，他代表评审团发表这样的感慨：“从此次大赛报名情况来看，我们的大学生积极性很高，在短短不到三个月的时间，组委会收到了百余件作品，足见同学们对LED照明的热情。我们很欣慰看到这其中不乏有创意性与实用性兼顾的优秀作品。” 在整个评审过程中，专家们对学生们的创作表示了肯定，一致感受到生活中的点滴激发了学生们的创意灵感，很多想法和创意都很有新意并不乏功能性与实用性。但同时，专家们也一致认为，由于目前大学LED照明课程尚未普及，同学们对LED照明的理解有一定的差距，这也造成了部分作品设计虽然很有新意，但是不具合理性，相关LED照明的特性与知识还待进一步加强。对此，詹教授如此补充说明道：“在政府节能环保的号召下，我们相信LED照明将更加广泛普及。广大高校学生有机会参加如此高规格的大赛，将进一步促进LED照明知识的普及，培养新一代的创新型人才！” 发展21世纪LED新光源，发现培养具有高度创新能力的高素质LED设计人才，进而促进中国LED产业从制造走向创造，是此次大赛发起的主旨。大赛组委会秘书长、科锐公司中国区总经理唐国庆先生也表示：“到目前为止，大赛进行的非常顺利，我们非常欣慰的看到广大学生对LED照明产业的热情。我们期待决赛阶段见证更完美的实物作品，同时欢迎广大学生加入到LED照明这一朝阳产业中！”

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  • Intersil千万美金砸中国 设计版图强势扩张

    【导读】在以南欧新古典主义风格著称的北京励骏大酒店，DaveBell宣布，Intersil收购了一家位于中国的模拟芯片设计公司——磐大微电子，而这是Intersil公司6个季度以来的第五次收购，也是Intersil首次在美国本土之外实施收购。 “你们好!”这是IntersilCEODaveBell会说的唯一一句中文，不过他这次为中国带来的，并不仅仅是这句问候，也不仅仅是对中国的口头上的进一步支持。 2009年12月15日，在以南欧新古典主义风格著称的北京励骏大酒店，DaveBell宣布，Intersil收购了一家位于中国的模拟芯片设计公司——磐大微电子，而这是Intersil公司6个季度以来的第五次收购，也是Intersil首次在美国本土之外实施收购。   IntersilCEODaveBell 即便在中国，磐大也不为人所熟知，而这家公司30名员工中的绝大多数则深居在武汉，如何会投入Intersil的怀抱？“达声蔚”是一个稍嫌拗口的名字，这位清华博士曾在ADI任职，在那里达声蔚认识了一个美国人PeterOaklander。而这位ADI当初的亚太区董事总经理如今则是Intersil现任电源管理产品部高级副总裁。2009年4月，PeterOaklander飞到武汉造访达声蔚3年年创立的磐大微电子。 如果说仅凭私交就可以让Intersil牵手磐大显然是不可能的，而磐大触动的是Intersil的中国IC设计之梦。当磐大正式并入Intersil后，在Intersil全球IC级设计中心的版图之上，除了美国本土、英国和印度之外，又增加了中国这块战略要地，而Intersil此前承诺要在中国投资1千万美元来打造设计中心的战略清晰了起来。 模拟的革命 “模拟产业在过去二十年发生了很大变化，但我们最大的竞争对手并没有多大变化，多年来还一直用相同方式做自己的业务，虽然整个市场和产品已经发生了很大变化。”Bell这位当年MIT电子工程系的高材生已是一个优雅的职业经理人，“而我们公司则要与时俱进，用新的方式来适应这种变化。我们和客户打交道的方式要变，这就是为什么我们要来到中国，对于一家美国公司来说，就是一个逐渐演进的过程。我们要顺时而动，而不是像我们的竞争对手那样一成不变地来开展模拟业务。”我们一方面客户在变化，越来越多的亚洲伙伴需要我们支持。另外竞争对手也在发生变化，不断地有新的竞争对手他们来自于亚洲。因此用新的方式来生产和销售模拟产品。 Intersil在模拟业界确实正掀起着一阵波澜，毕竟此前，还没有一家模拟公司进行过如此高频率的并购活动，而Intersil的口号也变成了“theevolutionofanalog(模拟的革命)”。 2008年Intersil的营业额是7.7亿美元，而在2009年年初的分析日上，Bell大胆地提出：Intersil要在2011年跨入“10亿美元俱乐部”。事实上，在2008年初上任后，Bell在公司内部推进了一系列变革措施：整合了公司内部的产品线，将原有的五大部门整合为两个：电源管理及模拟/混合信号产品两个部门。目前Intersil拥有超过50条独立的产品线，因此整合十分必要。众所周知，模拟IC的范围非常广泛，而Intersil在25年内通过自身的研发建立了宽广产品线，而另外一家与Intersil有嫡系关系的Maxim，也是通过30年时间才建立如此宽广的产品线。 在2011年营业额达到10亿美元意味着每年需增长20%，这的确是个挑战。在自身的有机增长之外，并购则是另一种重要方式，Intersil也是目前唯一一家一直在进行大规模并购的模拟公司。自从Dave加入Intersil，两年来公司进行了5项收购行动，一改其在Linear公司时稳健的作风。D2Audio、Kenet、ZilkerLabs、Quellan先后被收入囊中，如今又来到了中国。 3.3亿美元现金流则是这一系列并购活动的重要保障，使得即使在金融危机之时，Intersil也可以从容不迫地按照既定的战略进行，而且此时的收购更加经济。当然这种扩张也是有选择的，Intersil所看好或并购的均为fabless公司，而公司整体也是朝向轻资产路线前进，毕竟在2011年目标中，还有一项重要指标即毛利率不低于58%，比现在提高一个百分点。在营收扩大之时，还要保证这样高的毛利率，则必须要采取轻资产路线。为此，Intersil将前道晶圆的代工比率由64%扩大至75%，后道封测代工比率则高达99%。 可以想像，在Bell心中，那10亿美元中，将有相当一部分来自遥远的东方——中国。 DesigninChina？ 其实对于中国的工程师来说，DaveBell并不陌生。2008年春Dave甫上任两周之际，他即来到中国，发表了题为《中国是创新设计的动力源》的演说。当时的他指出：虽然中国不断在产品制造的速度、价格、质量等方面实现着创新，但这些制造的产品很多还是在中国以外设计的，因此他希望中国能成为创新的先行者，不仅仅是制造方面的，更是设计创新方面的。 一年半之后，再次回到中国，Dave以收购磐大这样的方式部分竞现自己当初的承诺，而不是像很多跨国公司的CEO那样给中国画出一张美丽的大饼。当然今天的这一步将会给Intersil带来丰厚的回报。 截至2009年第三季度，各应用领域在Intersil业务中的比重是：计算34%、消费28%、通信19%、工业19%，目标则是在2011年底达成：计算25%、消费26%、通信25%、工业24%。如果以金额的的话更直观些，即是2009年：计算2.62亿美元、消费2.16亿美元、通信1.46亿美元、工业1.46亿美元，2011年底是：计算2.5亿美元、消费2.6亿美元、通信2.5亿美元、工业2.4亿美元。也就是说，除了计算会略有下降之外，消费、通信和工业其他3个领域均需要大幅提高，而中国在这3个领域的潜能不言而喻。 在中国这片土地上，每年使用了全球一半以上的集成电路，而本土设计的芯片尚不足10%，这种巨大的反差当然会硅谷巨头们垂涎的。随着电子信息产业的升级，快速化响应的要求会越来越高，当然这不仅仅体现在销售及支持上的升级，中国公司早已不满足于“给我什么”，而是“我要什么”，因此建立中国的设计中心的呼声也越来越强烈。这其实就是Bell所说的做生意的方式在发生改变。实际上，包括TI、ADI、Freescale等一批企业，早已将设计团队在中国布局，可以方便及时地推出适合于中国的产品。 磐大的魅力即在于此。在收购磐大之前，Intersil在中国只有应用中心及销售网络，本次收购可使Intersil可以一举建立上海及武汉两个IC设计中心，而Intersil目前在全球也只有四个国家拥有设计中心。 [!--empirenews.page--]根据磐大官方网站的介绍，该公司是国内首家实现高保真音频解码器、D类音频功放和电源功率管理功能集成系统芯片供应商，目前这种PMIC技术在国际上也不多见。因此，磐大带给Intersil的则是创新的产品设计以及针对中国消费电子市场开发的产品。 “Exciting!”当EEWOLRD问及Intersil公司中国/香港总经理陈宇对收购磐大一事的感受时，他脱口而出，并用中文补充说“如虎添翼”。显然，对于他而言，并不仅仅是有了更多可以销售的产品，设计中心的存在可以使其更迅速、更针对性地应对客户的需要，而且可以使客户对Intersil在中国更有信心。 事实上，收购磐大只是Intersil千万美元建中国IC设计中心的第一步，同进也是非常重要的一步。而设计中心的产品也将不仅仅只局限于消费领域，局限于中国。就像Bell本人所说的，“我本人确实认为中国今后应该成为世界级产品的设计中心所在，不仅是面向中国消费者，更要面向世界消费者。”  附：磐大微电子档案 相信很多人还不了解磐大微电子，根据其官方网站的介绍，公司的产品包括PMIC，主要应用于手机、个人导航设备、移动电视及MP4等多媒体消费类电子应用方案上。 公司成立于2005年，并在深圳及上海设有办事处，但在公司网站上并没有详细的联系方式及公司地点。在武汉市工商行政管理局网站上，记者查到武汉磐大微电子有限公司注册于2006年10月11日，住所为东湖开发区关东科技工业园华光大道18号8层，注册资本为500万，实收资本300万人民币，法人代表为宋烨。 公司总经理宋烨，此前在武汉国家银行工作，其丈夫达声蔚曾在Maxim及ADI工作，目前担任公司的CTO一职。磐大共有30名技术员工，其中22人位于武汉，8人位于上海。

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  • IGBT核心技术及人才缺失 工艺技术缺乏

    【导读】新型电力半导体器件的代表，IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才，我国都处于全方位的落后状态。 新型电力半导体器件的代表，IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才，我国都处于全方位的落后状态。应当认识到，电力半导体器件和集成电路在国民经济发展中地位同样重要，因此，政府应该对IGBT产业予以大力扶持。 众所周知，电力电子技术可以提高用电效率，改善用电质量，是节省能源的王牌技术。当今以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的新型电力半导体器件是高频电力电子线路和控制系统的核心开关元器件，它的性能参数将直接决定着电力电子系统的效率和可靠性。IGBT已成为新型电力半导体器件的代表性器件，对大功率高频电力电子装置和系统的技术发展起着十分重要的推动作用。 认识不足导致IGBT受冷落 IGBT的产业化在我国还属空白。虽然国家在“八五”和“九五”期间分别立项支持了IGBT的研发和产业化，但是由于各种客观原因，这些攻关的成果只是做出了技术样品，而没能把技术样品变为工程产品并且实现产业化生产。 很长时间以来，在半导体行业中有相当一部分人认为我们国家已掌握了0.15微米、8英寸的集成电路技术，IGBT的0.5微米、6英寸的技术应没有太大难度。事实上它们的差别在于：集成电路的技术难点在于拓扑结构及版图设计，其生产工艺较为规范化和标准化，只要版图设计好了，在一条常规的线宽合适的IC流水线上流片应不会有太大的问题;而IGBT正好相反，其设计技术相对而言不太复杂，但由于其大电流、高电压、高频和高可靠的要求，加工工艺十分特殊和复杂。目前，全国还没有一条较完备的IC工艺线可以从头到尾完成IGBT的生产。另外，对于不同电压等级和频率范围的IGBT，其主要工艺也有较大差异，从而增加了IGBT生产的特殊性和复杂性。 我国的IGBT器件之所以没能最终实现产业化还有一个重要原因是缺少产业化的技术经验和人才。随着近几年来海归派回国创业，这一状况在某种程度上得到了改善。此外，国内高校和研究机构的兴趣大多转移到SiC和GaN宽禁带半导体器件及电源管理芯片方向，目前国内只有两三家高校及院所还在进行与IGBT器件相关的研发，并且主要限于计算机仿真研究。这就导致了我国在IGBT设计和研发方面的人才奇缺。 缺少核心产业化技术 IC的电热学特点是电流小、电压低、对散热没有太高要求，因此，IC的工艺特点是浅结、薄膜和片厚。而IGBT正好相反，其特点是电流大、电压高和频率高，因此对散热的要求非常高，这样，就必然导致IGBT的工艺特点是结深、膜厚和片薄。另外，应用系统对IGBT器件的可靠性要求也很高。 为了实现大电流，IGBT采用了多原胞并联技术，每个原胞的开通和关断性能要求高度一致，因此，要求IGBT的工艺一致性也很高。而且，为了尽量减少IGBT的并联个数，希望IGBT在有源区面积一定的情况下其电流容量越大越好，即器件的电流密度越高越好。 为了实现高电压，在IGBT芯片上采用了高压终端技术及钝化技术。终端的面积约占IGBT芯片总面积的20%。另外，有些应用场合还需将几个IGBT进行串联以满足耐压要求，IGBT的串联技术必须考虑动态均压问题，从而对IGBT的工艺和参数控制的一致性要求也较高。为了提高器件的工作频率，需要对IGBT漂移区厚度、结构、少子寿命及集电极发射效率进行精确的控制。为了提高散热效率，除了尽可能地降低器件的通态和开关损耗之外，还需要对IGBT芯片进行减薄。另外，IGBT的封装材料和工艺对其散热效率的影响也很明显。 针对上述IGBT器件的特点，国内缺少此类器件的产业化设计、生产、封装、测试和可靠性试验等一套完整的技术。即使有些部门掌握了部分技术，但也不系统、不完整。而国外公司在IGBT的产业化技术方面对我国还是实行严密的封锁政策。这就严重制约了IGBT器件在我国的产业化发展。国内目前的半导体生产线绝大多数是IC产品生产线，少数分立器件的生产线也主要生产常规三极管和肖特基二极管，缺少IGBT所需要的栅极形成、隔离、背面减薄和注入工艺等技术。 政策应加大扶持力度 微电子技术是对信号的处理和转换，可以提高人们的工作效率和生活质量;而电力电子是对电能的控制和变换，可以提高用电效率和改善用电质量，也是工业化和信息化融合的关键技术。集成电路和电力半导体器件在国民经济发展中地位同样重要，两者相辅相成。然而，同样重要的技术并没有得到同样的重视，国家在2000年出台了18号文件，重点支持集成电路和软件技术的发展，没有将新型电力半导体器件列入其中。国家十一五重大专项中，新型电力半导体器件又未能进入支持目录。 针对IGBT产业，必须运用系统工程打造产业化体系。在设计领域，应重点利用海归技术人员所掌握的国际先进技术和国内部分高校和研究所的前期经验;在芯片制造领域，应充分利用国内已有的IC和分立器件生产线，补充必要的生产设备;在封装领域，应重点发展单管大尺寸封装(TO-220以上)、标准功率模块、智能化功率模块和用户定制功率模块;在测试领域，应发展新型器件的动静态特性测试、可靠性试验及失效分析手段;在原材料领域，应重点发展高阻外延单晶、区熔单晶和磁场直拉单晶;在设备领域，应重点发展大面积减薄、微细刻蚀、大束流离子注入等设备;针对应用特性，应重点研究器件和电路接口方面的技术问题，如驱动和保护电路的设计等;针对人才培养，短期可以从国外引进一批有着丰富实践经验的高层次技术人才，长期则需要在国内高校培养新型电力半导体器件的设计和制造人才。 根据我国IGBT产业化的特点和需要，在产业化的进程中要给予相关政策支持，如政府采购、财政补贴、税收优惠、关税保护、国产化率考核、国产装备的风险补偿、大型节能减排项目示范工程等。不仅要对器件的研发给予重点支持，而且应在系统应用的源头利用政策的杠杆来辅助，才会使国内的器件制造从弱势成长为强势。 此外，我们还应制定IGBT产业化各环节和全程目标，设置和控制关键点，建立对产业化全程的反馈和优化控制流程。要把我国IGBT产业化与节能减排规划、新能源发展规划、装备制造、电子信息及其他产业调整振兴规划衔接，加强IGBT产业化的配套设施建设。(本文作者赵善麒为江苏宏微科技有限公司总经理，陆剑秋为中国电器工业协会电力电子分会理事长，毕克允为中国半导体行业协会特聘副理事长、中国电子节能技术协会副理事长。) [!--empirenews.page--]相关链接 IGBT技术及应用 IGBT是在MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)和双极晶体管基础上发展起来的一种新型复合功率器件，主要用于通信、工业、医疗、家电、照明、交通、新能源、半导体生产设备、航空、航天及国防等诸多领域。IGBT既具有MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点，又具有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。自问世以来，IGBT以其优越的动静态性能，在6500V以下的中大功率高频领域逐渐取代了晶闸管和功率MOSFET器件。目前，尚无任何其他器件可以在短期内代替IGBT器件。

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  • LG、三星、索尼和Valens半导体组建联盟 半导体国际

    【导读】LG电子株式会社、三星电子株式会社、索尼影视娱乐公司（SonyPicturesEntertainment）、Valens半导体公司（ValensSemiconductor）今天宣布，准备组建一个跨行业联盟，以开展HDBaseT技术的推广和标准化，将该技术用于无压缩高清多媒体内容在全家范围内的传播。 LG电子株式会社、三星电子株式会社、索尼影视娱乐公司（SonyPicturesEntertainment）、Valens半导体公司（ValensSemiconductor）今天宣布，准备组建一个跨行业联盟，以开展HDBaseT技术的推广和标准化，将该技术用于无压缩高清多媒体内容在全家范围内的传播。 HDBaseT联盟（HDBaseTAlliance）将邀请消费电子和内容行业的核心企业参与。他们将共同制订一份关于高级数字媒体传播的全球标准。该联盟的标准化活动将覆盖数字媒体产业生态体系的整个价值链以及各种不同的细分市场：电视机、投影仪、专业影音设备、家庭影院、内容提供商、IT公司等。 随着优质高清内容的消费量和需求不断增长，终端用户也更有兴趣把娱乐体验扩大到全家各个角落。消费者想找到一种方式，将电视以及其他显示设备与蓝光DVD播放器等娱乐设备连接起来，以实现家庭内高清多媒体内容的融合式传播。现有的一些技术在带宽方面存在限制，无法支持没有压缩的视频。高清多媒体内容在家庭内融合式传播的市场需求和现有技术的不足之处促使行业制订HDBaseT这样的高清数字连接标准，这类标准能够延长未压缩高清多媒体内容传输的距离，扩大传播范围，简化安装，降低系统总成本。 LG电子研究员ByungJinKim说，“优质高清内容在全家范围传播的需求已然十分庞大，我们希望HDBaseT能够触动市场的发展，因为HDBaseT可支持未压缩的高清多媒体以及数据、控制信息和电力通过一根CAT5e电缆在多个房间同时传输。” 索尼影视娱乐公司首席技术官MitchSinger说，“HDBaseT是一套先进的解决方案，能够安全地在家庭网络内传输高清视频内容。” Valens半导体公司首席执行官DrorJerushalmi说，“我们坚持认为，在如今的行业里，一份标准必须得到这个行业内主要企业的广泛认同和支持。为此，我们积极与整个价值链上的这类领先公司合作，以确保新组建的HDBaseT联盟得到广泛的支持和积极的参与。” 消费电子行业的核心企业已经了解了HDBaseT技术，预计其他一些全球市场领先企业也将加入HDBaseT联盟，共同完成这份标准的制订。 联盟的四家创始企业表示，该联盟预计将在今后几周发布有关更多全球领先企业加入联盟的新的详细消息。HDBaseT联盟准备参加明年1月7日-10日在内华达州拉斯维加斯举行的2010年国际消费电子展。

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  • 地标芯片国产化推动高清产业发展

    【导读】虽然我国已经基本实现数字电视主要芯片的国产化，但我们依然感到任重道远。若要真正在产业大规模启动的过程中发挥更大作用，仍然需要进行有效的资源整合。 虽然我国已经基本实现数字电视主要芯片的国产化，但我们依然感到任重道远。若要真正在产业大规模启动的过程中发挥更大作用，仍然需要进行有效的资源整合。 2009年是不平凡的一年，共和国迎来60周年华诞，国庆阅兵在展示国家辉煌成就的同时，也为我国数字电视发展树立起了又一块里程碑———在1999年国庆50周年的试验播出后，今年的60年大庆实现了真正意义上的“高清阅兵”。 核心器件国产化水平提升 10年前，上海交通大学副校长、上海高清董事长张文军教授以国家HDTV(高清电视)总体组组长的身份牵头完成了首套高清样机系统的开发，1999年10月1日，总体组利用我国自主研发的高清数字电视系统成功实现了国庆50周年“大阅兵”的高清数字电视实况转播。高清转播标志着中国的数字电视已经可以和领先国家赛跑，然而当时真正能收看到“高清阅兵”的观众寥寥无几，我国数字电视虽然在基础研发的道路取得了硕果，但距离产业化的目标还存在距离。10年之后，国庆60周年前夕，上海高清的团队赶赴北京，配合国家广电总局的专家在中央电视塔和广电大楼上组建了国标单频网。同时，为了保证国庆期间中央领导人及国庆庆典工作人员在紧张工作的时候，能够与全国人民一样收看到中央电视台的高清电视直播信号，20台52英寸的高清晰度平板电视机被安装在了天安门城楼上，这批新型平板电视机内置的国标芯片和关键器件解调模块均由上海高清设计。 10年间，中国地面数字电视传输标准GB20600-2006在美国、欧洲、日本三大标准的夹击下横空出世并强制实施;中央电视台高清综合频道开播;北京、上海、青岛等8个奥运城市开播地面高清信号;中央电视台第一套节目和北京卫视、上海东方卫视、江苏卫视、湖南卫视、黑龙江卫视、深圳卫视等8个卫视高清频道正式开播;至2009年底，全国直辖市、省会城市、计划单列市及部分地级市共100个城市将新开通地面数字电视;明年上半年，全国所有地市以上城市将开通地面数字电视，播出包括央视高清节目在内的多套标清和高清节目。伴随着高清晰度电视及地面数字电视信号的逐渐开播，国内外众多知名终端企业，如海信、长虹、康佳、创维、TCL、东芝、LG、三星等纷纷推出国标地面数字电视一体机和国标高清、标清机顶盒。 值得欣喜的是，我国已经掌握了从信号覆盖到画面接收的核心技术的自主知识产权。今年“高清阅兵”采用的一整套技术，全都打上了鲜明的“中国标签”——— 包括中国自主制定的地面数字电视国家标准、中国自己设计并建设的地面数字电视覆盖网、中国企业自主设计生产的核心电视芯片、中国工程师设计的数字电视一体机传输模块方案。 作为一家本土芯片设计企业，我们正是与中国数字电视事业共同成长起来的。从基础研发阶段的投入到参与地面数字电视国家标准的起草，从第一枚国标地面解调芯片的研制成功并实现量产到将采用中国标准、内置中国芯片的新型电视机送上天安门城楼，应该说，我国地面数字电视发展的核心器件已经做好了产业化准备工作。接下来我国应集聚多方资源，形成集群性的地面数字电视核心及关键技术的产业开发。 地标标配加速芯片产业化应用 地面数字电视市场即将全面启动，按照国家广电总局规划的2015年停播模拟信号，可以大致估算出我国数字电视产业所蕴藏的商机。目前我国的电视机社会拥有量为5.12亿台，约有3.78亿户电视家庭。从2009年至2015年，全部更换成数字电视机或配备数字机顶盒，市场规模极大。如果考虑到现代家庭居住面积日益宽敞、数字电视设备更新换代、新媒体业务启动等因素，预计未来10年数字电视的用户终端设备需求将是现有模拟电视的2倍。此外，全国数百家电视台的制作和广播设备也将要进行大规模的更新换代，整个传统的电视广播供应链将被打破，数字电视供应链和产业链将逐步形成。以此推算，产业前景诱人，市场机会巨大。 为了迎接数字电视市场化高潮的到来，需要强有力的产业支撑。令人高兴的是，有关部委将在近期内三箭齐发，吹响地面数字电视市场启动的号角。首先，信号覆盖是地面数字电视推广的关键。政府已经对地面数字电视的覆盖进行了整体规划，但是目前地面数字电视的推广还集中在主要城市。国家广电总局已规划在3-5年时间内完成全国地面数字电视的信号覆盖，启动地面数字电视覆盖网的优化工作，逐步完成全国城乡地面数字电视的覆盖任务。其次，工业和信息化部等部委将很快出台地面数字电视接收机标配政策。一体机标配政策是企业启动地面数字电视接收机规模化生产销售的技术依据，这一政策的出台将大大带动我国核心器件的产业化进程。第三，期盼已久的数字电视国家工程中心即将成立，并将公布我国的国标知识产权授权策略。这将进一步调动企业的积极性，加速推进科技成果向现实生产力的转化，加速推动国家地面数字电视标准的产业化应用。 同时，虽然我国已经基本实现数字电视主要芯片的国产化，但我们依然感到任重道远。我国自主的芯片设计企业普遍存在规模小、资金实力弱、IP(知识产权)分散的问题，因此，若要真正在产业大规模启动的过程中发挥更大作用，仍然需要进行有效的资源整合。

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  • 赛普拉斯推出PSoC 3精确模拟电压计

    【导读】赛普拉斯半导体公司日前推出一款演示工具，充分展示了其新型PSoC® 3架构所具有的众多精确模拟功能。     赛普拉斯半导体公司日前推出一款演示工具，充分展示了其新型PSoC® 3架构所具有的众多精确模拟功能。新型CY8CKIT-007 PSoC 3精确模拟电压计演示工具包展示了PSoC 3器件，作为一个单芯片电压计，如何采用一个片上20-bit Delta Sigma模数转换器(ADC)，在驱动LCD的同时，测量其内含的试铅和板上热偶的电压。有了该工具，设计者可以使用PSoC Creator™集成开发环境(IDE)中预先配置好的运放、ADC和模拟复用元件快速简便地设计工业传感器、消费类传感器、葡萄糖计以及其他模拟应用。     灵活的PSoC 3架构在一片芯片上囊括了高集成度、可编程模拟和数字外设功能、存储器和一个微控制器。工具包可以使用的精确模拟资源包括四个数模转换器(DAC)、四个比较器、四个放大器和四个PGA、TIA或混合器。工具包内的电压计可以测量-30V 到 30V直流信号，并且包含了一个板上热偶，作为低噪声电压输入。     PSoC 3 和 PSoC 5器件大大拓展了全球独一无二的可编程模拟和数字嵌入式设计平台，实现横跨8-， 16-， 和 32-bit应用的、无与伦比的快速上市时间、集成度和灵活性。该平台由革命性的PSoC Creator IDE提供支持，它引入了一个独特的基于电路图的设计方法，以及完全测试过的、预先打包好的、很容易通过用户直观的向导和API进行客户化的模拟和数字外设，以便满足特殊设计要求。     赛普拉斯PSoC产品营销总监Matt Branda说：“新型电压计演示工具提供了一个PSoC 3架构所具有的强大的精确模拟能力的实际应用例子。有了这个工具包，设计者就可以感受到PSoC 3模拟集成的高水准，以及通过我们的PSoC Creator IDE进行模拟设计的简便性。”     PSoC 3精确模拟电压计演示工具包包含： 基于PSoC 3的电压计 试铅 含有两节AA电池的USB电池盒 快速入门手册 包含PSoC Creator， PSoC Programmer、项目样例和文件的 CD

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