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  • “高带宽+联网”性能成核心竞争力

    【导读】在PLD应用领域，真正值得称道的FPGA后起之秀并不多，但作为FPGA新秀的Achronix公司近期以凌厉的市场攻势，吸引了众多科技专业媒体的关注。可以说，FPGA市场又加入了一员具备竞争力的悍将。在2013年2月21日的新品发布暨媒体见面会上，Achronix率先发布具有里程碑意义的Speedster22i HD1000 FPGA芯片。 摘要：  在PLD应用领域，真正值得称道的FPGA后起之秀并不多，但作为FPGA新秀的Achronix公司近期以凌厉的市场攻势，吸引了众多科技专业媒体的关注。可以说，FPGA市场又加入了一员具备竞争力的悍将。在2013年2月21日的新品发布暨媒体见面会上，Achronix率先发布具有里程碑意义的Speedster22i HD1000 FPGA芯片。 关键字：  FPGA，  Xilinx，  嵌入式系统，   在PLD应用领域，真正值得称道的FPGA后起之秀并不多，但作为FPGA新秀的Achronix公司近期以凌厉的市场攻势，吸引了众多科技专业媒体的关注。可以说，FPGA市场又加入了一员具备竞争力的悍将。在2013年2月21日的新品发布暨媒体见面会上，Achronix率先发布具有里程碑意义的Speedster22i HD1000 FPGA芯片，凭借其强大的高带宽+联网性能，将大幅增强在有线通信、测试与测量和高性能计算领域的存在及其竞争力，强力威胁着FPGA双雄--Xilinx和Altera在该领域的龙头地位。 Achronix公司总裁兼首席执行官Robert Blake 未来的嵌入式系统将需要数以百计的Gops实时计算和Gbps通信带宽，以满足多通道有线/无线射频、数据中心安全设备、嵌入式视觉、Nx100Gbps网络等众多不同产业应用需求。与此同时，这些组件也必须满足严格的功耗要求，并尽可能降低成本。物联网将进一步增加共享、处理和存储的“大数据”的绝对数量。显然，Achronix关注到了“高带宽+联网”在未来产品战略的重要性，并制定相当明智的决策，以应对全球及中国的巨大市场需求，勇于挑战在该方面强力存在的Xilinx和Altera两大FPGA实力派竞争对手。于是，Speedster 22i HD1000 FPGA芯片便在此大背景下应运而生。 “高带宽+联网”性能成核心竞争力 事实上，Xilinx、Altera及Achronix一向将“高带宽+联网”性能的整合设计视为核心竞争力，其中尤以Achronix布局最为快速。Achronix的高端FPGA将被用于构建高带宽数据传输的基础设施设备。这些应用都需要40G和100G以太网连接以及其它高带宽互联功能。HD 1000专为这些类型的设计而优化，带有了用于10/40/100G以太网、100G Interlaken、PCI Express Gen3x8和2.133 Gbps DDR3的硬核IP。Achronix公司总裁兼首席执行官Robert Blake强调，当前Achronix产品并不适用于终端应用。 为防堵Xilinx和Altera在该领域市占的不断坐大，Achronix在Speedster 22i 系列FPGA产品除了充分采用Intel先进的22nm工艺，还加上内嵌的嵌入式硬核IP，实现了功耗与成本减半，冲击FPGA双雄在该应用市场的地位。 Achronix在其FPGA中集成了高带宽和连接通信技术硬核IP。使用硬核IP的客户将可以节省一部分FPGA资源，否则该部分资源必须用来实现通信协议功能。这意味着在用以实现这些高带宽功能的Speedster22i器件中，其片芯面积要大大小于一片可完成相同功能的等量Altera或Xilinx器件。因此，Speedster22i器件相比于Altera和Xilinx的FPGA，可以实现功率和成本均减半。此外，Speedster22i器件中的硬核IP消除了这些高带宽功能的设计周期挑战，这也意味着整体的设计时间是在Altera或Xinlinx FPGA中构建同样功能的一半。 Speedster22i缺席工业市场应用 目前，Achronix主要面向有线通信、测试与测量和高性能计算领域中的高带宽应用。绝大多数工业应用并不需要高带宽功能，所以Speedster22i并不太适用。Speedster22i只适用于需要高带宽功能的少数工业应用。然而，随着带来新增量的新兴市场容量趋于暂时性饱和及工业市场增长稳步回升，未来工业市场仍是利润与业绩来源不容小觑的一道亮丽的风景线。未来，Achronix在工业市场战略决策会如何变动?这也是我们关注的另外一个点。

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  • 高通聘请劳里·约勒为业务发展高级副总裁

    【导读】北京时间3月6日晚间消息，高通已聘请硅谷知名投资人劳里·约勒(Laurie Yoler)为业务发展高级副总裁。 摘要：  北京时间3月6日晚间消息，高通已聘请硅谷知名投资人劳里·约勒(Laurie Yoler)为业务发展高级副总裁。关键字：  高通，约勒 北京时间3月6日晚间消息，高通已聘请硅谷知名投资人劳里·约勒(Laurie Yoler)为业务发展高级副总裁。 高通表示，约勒将“负责加强高通目前在硅谷的业务关系，并在这一地区开发新的战略业务机会”，并将向高通执行副总裁佩吉·约翰逊(Peggy Johnson)报告工作。 约勒此前是硅谷投行GrowthPoint Technology Partners长期的合伙人及董事总经理，曾与多家大公司和创业公司合作。

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  • 飞兆半导体整合MCU与AMC 缩短产品设计时程

    【导读】无刷直流(BLDC)马达研发设计时间将大幅缩短。无刷直流马达或永磁同步马达(PMSM)取代传统通用型马达或交流马达已是大势所趋;因应此一发展，飞兆半导体推出叁相混合式类比与数位马达控制器，并首度整合微控制器(MCU)与进阶马达控制器(AMC)，协助制造商缩短产品设计时程。 摘要：  无刷直流(BLDC)马达研发设计时间将大幅缩短。无刷直流马达或永磁同步马达(PMSM)取代传统通用型马达或交流马达已是大势所趋;因应此一发展，飞兆半导体推出叁相混合式类比与数位马达控制器，并首度整合微控制器(MCU)与进阶马达控制器(AMC)，协助制造商缩短产品设计时程。关键字：  BLDC，MCU，飞兆半导体 无刷直流(BLDC)马达研发设计时间将大幅缩短。无刷直流马达或永磁同步马达(PMSM)取代传统通用型马达或交流马达已是大势所趋;因应此一发展，飞兆半导体推出叁相混合式类比与数位马达控制器，并首度整合微控制器(MCU)与进阶马达控制器(AMC)，协助制造商缩短产品设计时程。 飞兆半导体功率转换、工业和汽车事业部无刷直流马达产品线行销经理简文烯表示，整合MCU与AMC的马达控制方案，可减轻客户软件负担，并提供弹性化的设计。 飞兆半导体功率转换、工业和汽车(PCIA)事业部无刷直流马达产品线行销经理简文烯表示，在无刷直流马达产品线逐渐取代传统交流马达之际，仅具机械专业背景的马达设计工程师往往遭遇无法解决如数位讯号处理器(DSP)等电子控制元件的电子电路设计演算法、软件编码等窘境，而导致产品上市时程延宕。 有鉴于此，飞兆半导体针对无刷直流马达推出模组化、进阶马达控制函式库，不仅能缩短软件设计时间，还可保留可编程系统控制及沟通介面空间，供设计人员依照产品需求增添特色功能。 此外，飞兆半导体更进一步革新马达控制器架构，利用AMC搭配MCU，以达到双核心平行处理运算效果，此举可避免系统突然当机、提高马达可靠度。 简文烯指出，这是飞兆半导体首次将微控制器嵌入于马达控制器当中，该颗嵌入式微控制器将传递马达控制指令予进阶马达控制器，并管理外部沟通介面及马达功能;进阶马达控制器则是基于硬件的马达控制器，内嵌处理核心、角度预测器(Angle Predictor)及脉冲宽度调变引擎(PWM Engine)，可针对各式马达设计调整，执行正弦波(Sinusoidal Wave)控制、磁场导向控制(FOC)及直接正交(DQ)控制等演算法，并使用函式库进行设定与储存。 值得注意的是，相较于传统交流马达运转效率仅35%，无刷直流马达具90%运作效率的节能优势，因此近年来环保意识高涨的欧盟及美国纷纷推出强制汰换传统交流马达为无刷直流马达的政策。 简文烯引用IMS Research统计数据指出，在全球节能意识逐渐抬头的情况下，2010～2015年主要家电(洗衣机、冰箱、冷气)改采无刷直流马达/永磁同步马达的比例将由17.8%倍增至35.6%。

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  • ST向美国证券交易委员会提交Form20-F年报

    【导读】意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)宣布该公司已于2013年3月4日向美国证券交易委员会提交了截至2012年12月31日的公司年度Form20-F年报。 摘要：  意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)宣布该公司已于2013年3月4日向美国证券交易委员会提交了截至2012年12月31日的公司年度Form20-F年报。关键字：  意法半导体，半导体解决方案 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)宣布该公司已于2013年3月4日向美国证券交易委员会提交了截至2012年12月31日的公司年度Form 20-F年报，在公司网站www.st.com上可以查看Form 20-F报告和审计后的完整财务报表。 关于意法半导体 意法半导体(STMicroelectronics;ST)是全球领先的半导体解决方案供应商，为客户提供传感器、功率器件、汽车产品和嵌入式处理器解决方案。从能源管理和节能技术，到数字信任和数据安全，从医疗健身设备，到智能消费电子，从家电、汽车，到办公设备，从工作到娱乐，意法半导体的微电子器件无所不在，在丰富人们的生活方面发挥着积极、创新的作用。意法半导体代表着科技引领智能生活(life.augmented)的理念。 意法半导体2012年净收入84.9 亿美元。

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  • LED彩屏芯片价格锐降 士兰明芯2012净亏损超2000万

    【导读】导致士兰明芯净利润减少的主要原因是：受LED行业竞争加剧的影响，2012年士兰明芯LED彩屏芯片的价格有较大幅度的下降，大幅挤压了产品的利润空间。 摘要：  导致士兰明芯净利润减少的主要原因是：受LED行业竞争加剧的影响，2012年士兰明芯LED彩屏芯片的价格有较大幅度的下降，大幅挤压了产品的利润空间。关键字：  士兰微，  LED彩屏芯片，  士兰明芯 士兰微发布2012年年报，公司2012年营业总收入为13.5亿元，较2011年下降12.74%;公司营业利润为-5，922万元，比2011年减少142.72%;公司利润总额为1，454万元，比2011年减少91.33%;公司归属于母公司股东的净利润为1，827万元，比2011年减少88.07%。 其中士兰明芯2012年实现营业收入1.55亿元，比2011年减少54.69%，实现净利润-2，913万元，比2011年减少152.93%。 士兰微称，导致士兰明芯净利润减少的主要原因是：受LED行业竞争加剧的影响，2012年士兰明芯LED彩屏芯片的价格有较大幅度的下降，大幅挤压了产品的利润空间。尽管遇到较大的经营压力，但士兰明芯通过持续的投入，在外延产能的建设、PSS衬底的工艺完善、芯片质量的改善提升等方面取得了较大的进步。 年报指出，2012年12月，士兰明芯的LED外延片产能已经提升至6万片/月，LED管芯的生产能力已提升至14亿颗/月。随着产能的扩大，以及外延片和PSS衬底实现完全自给，士兰明芯的生产成本已得到较大幅度的降低。2012年，士兰明芯已开发出照明用LED芯片，并实现批量销售。2012年，士兰明芯子公司——杭州美卡乐光电有限公司的销售业绩未能取得增长，但美卡乐产品质量保持稳定，产品性能得到持续提升(已达到国际大厂的水平)，美卡乐品牌已逐步被国内外许多品牌客户所认可，未来订单上升可预期。 展望2013年，士兰微产品线规划基本没有改变，将按六个方面进行规划、管理和运行：电源和功率驱动产品线、数字音视频产品线、MCU产品线、混合信号与射频产品线、分立器件产品线、LED器件产品线等。

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  • 纳瑞科技成果融入所有IC设计制造公司产品

    【导读】目前国内很多知名IC设计制造公司都是纳瑞的客户，包括珠海矩力、BYD半导体、华为海思、华大科技、大唐、中芯微、硅谷数模、ADI、意法半导体等。 摘要：  目前国内很多知名IC设计制造公司都是纳瑞的客户，包括珠海矩力、BYD半导体、华为海思、华大科技、大唐、中芯微、硅谷数模、ADI、意法半导体等。关键字：  纳瑞科技，IC，集成电路 一种产业的兴起，必定会带动起周边的一系列产业。当前中国共有大大小小400多家IC设计公司，这就带动了IC设计失效分析这样一个行业。纳瑞科技 (Ion Beam)成立于2006年，是一家专业的由在聚焦离子束(扫描离子显微镜)应用技术领域有多年经验的技术骨干创立而成。 目前国内很多知名IC设计制造公司都是纳瑞的客户，包括珠海矩力、BYD半导体、华为海思、华大科技、大唐、中芯微、硅谷数模、ADI、意法半导体等。2012年半导体业大环境不好，但并没有对纳瑞造成影响，对此纳瑞科技(北京)有限公司销售部经理孟建磊女士表示，因为在IC设计整个环节中，失效分析和可靠性测试必不可少，只要设计公司不削减研发经费，第三方实验室都是可以接到大量实验需求的。对于2013年的前景，纳瑞仍然十分看好。 纳瑞科技在本次IIC China上着重展示了他们最新的利用FIB技术进行的失效分析，包括FIB透射电镜样品制备和FIB电路修改。FIB透射电镜样品制备的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒，对于纤维状试样，既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。对含有界面的试样或纳米多层膜，该技术可以制 备研究界面结构的透射电镜试样。技术的另一重要特点是对原始组织损伤很小。 FIB电路修改则是利用FIB对芯片电路进行物理修改，可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试，以便更快更准确的验证设计方案。 若芯片部份区域有问题，可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能，以便找到问题的症结。FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片，利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。 纳瑞科技目前在珠海，深圳，北京和上海都有分部，可以为全国各地的集成电路设计和制造工业，光电子工业，纳米材料研究领域提供一流的分析技术服务。特别专注于离子束应用技术在IC芯片修改以及失效分析领域的技术应用及拓展。 纳瑞的服务宗旨是将为IC芯片设计工程师，IC制造工程师缩短设计，制造时间，增加产品成品率。为研究人员提供，截面分析，二次电子像，以及透射电镜样品制备。同时还为聚焦离子束系统的应用客户提供维修，系统安装，技术升级换代，系统耗材， 以及应用开发和培训。

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  • 中国半导体消费市场总额已占全球市场47%

    【导读】普华永道的报告显示：中国的半导体消费市场总额现已占全球市场的47%。 摘要：  普华永道的报告显示：中国的半导体消费市场总额现已占全球市场的47%。关键字：  半导体，消费市场总额 普华永道的报告显示：中国的半导体消费市场总额现已占全球市场的47%。 今天，普华永道最新发布的《2012半导体市场——中国新势力》报告指出，中国内地的半导体消费市场和产业增长速度是全球的10倍多。该报告同时显示，包括中国内地、香港和台湾地区在内的大中华区半导体消费市场总额占了全球整体市场的一半以上。在过去的四年中，大中华区的半导体产业增长了34%，是全球17%增幅的2倍。 中国半导体消费市场14.6%的增长率使其在全球市场的份额达到了创纪录的47%。 这一超出预期的增长速度归结于中国在智能手机和平板电脑产品生产中的重要地位。报告中其他重要发现包括：半导体设计影响中国半导体产业的发展：中国的半导体设计产业，继续保持快速发展，增速达到了36%;出口市场影响中国的主导地位：过去十年，出口市场已经成为了中国半导体市场发展的主要动力。中国国内所消耗的半导体产品有63%用于在中国组装成品的零部件中，并用于出口至其他国家;中国市场的年复合增长率继续上升：2003年，中国半导体市场消费总额占全球份额还不到19%，但到了2011年，消费总额在全球的份额超过了47%。2001年到2011年十年间，中国半导体产业的年复合增长率已达24%;中国在半导体产业首次公开募股(IPO)中扮演重要角色：中国将继续在全球半导体业首次公开募股(IPO)中占有重要的地位。 普华永道中国科技行业主管合伙人高建斌说：“中国启动了一系列雄心勃勃的政策措施，旨在拓展更为广阔的国内新一代技术市场，以推动国内这一产业的创新发展。半导体产业的公司需要重新评估这些因素，包括在中国的长期发展战略以及在市场中的地位。而保持稳固市场地位的关键是深入理解中国的创新机制，以及与中国政府机构加深合作。” 报告认为，中国的半导体消费市场增长速度之所以能够超越全球市场，主要有两个推动因素：首先是全球的电子设备产品的生产不断向中国转移，这些电子设备中半导体零件的比重超过了全球平均水平。中国生产的电子设备产品占全球产量的三分之一，中国生产的这些产品中，半导体零件的比重为25%，而全球的平均水平为20%。其次，国内市场的影响力也越来越大。从2003年开始，中国用于内销产成品所消耗的半导体零部件的价值的年复合增长率为24%。国内的半导体市场在全球所占的份额将近20%。 多数产业分析家预测，在未来五年内，中国生产的电子产品在全球所占的份额将继续增长。高建斌补充道：“现在有很多有利的因素促使中国在全球的半导体产业中扮演重要的角色。中国已经制定了一些方案来推动技术革新，巩固其在半导体行业的竞争优势。这些项目也为中国的新兴企业提供了一个展示自己的机会。半导体消费市场的发展同时也很可能受益于城市化进程加快、消费者购买力增强以及绿色能源项目的兴起等因素。”

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  • 中国光伏企业的未来，筹码是国外新兴市场?

    【导读】太阳能光伏，这个短时间内造就了无数富翁的行业在过去两年举步维艰，尤其是在中国，爆发性的增长带来的产能过剩以及欧美等国的“双反”政策将这个曾经的“朝阳行业”直接打落了谷底。面对这个不确定性的行业，广大企业该如何走，是挖掘国内市场还是努力拓展国外的新兴市场，在此路不通的情况下如何寻找突破点?有专家认为拉美和非洲等新兴市场是中国光伏的“就名单”。实情真的是这样么? 摘要：  太阳能光伏，这个短时间内造就了无数富翁的行业在过去两年举步维艰，尤其是在中国，爆发性的增长带来的产能过剩以及欧美等国的“双反”政策将这个曾经的“朝阳行业”直接打落了谷底。面对这个不确定性的行业，广大企业该如何走，是挖掘国内市场还是努力拓展国外的新兴市场，在此路不通的情况下如何寻找突破点?有专家认为拉美和非洲等新兴市场是中国光伏的“就名单”。实情真的是这样么?关键字：  太阳能光伏，光伏发电，晶科能源 国务院常务会议研究确定的促进光伏产业健康发展的五大政策措施中，明确提出要加强国际合作，巩固和拓展国际市场。但是作为全球光伏的传统市场，欧美却对我光伏业频频发难，我国企业能否把握住新兴国际市场的巨大机会? 亚太、东欧、非洲、拉美等新兴市场的全面开花，将在很大程度上弥补传统市场的相对萎缩。 2013年，海外新兴市场备受关注，也将迎来诸多机会。阿联酋太阳能工业协会研究报告预计，到2015年，中东和北非地区太阳能需求量将占全球总需求量的8%，太阳能装机总量有望达到3.5GW。据悉，商务部正在抓紧制定新政策，推进太阳能光伏，行业的援外力度，主要针对非洲40多个国家，从而强制带动中国光伏企业“走出去”。 同时，中国组件企业在去年第四季度对日本的出货量超过了400MW，其重要程度在出口市场中仅次于德国。业界分析称，如果今年补贴下调后延，或是补贴下调幅度不大，日本市场的火热情况将会贯穿整个2013年。随着去年印度发布光伏招标及支持政策后，其装机量将在2013年得到大幅提升。罗马尼亚目前对可再生能源的需求仍然旺盛，装机量也将在2013年得到进一步提升。 “2013年，新兴光伏市场将迎来新一轮发展热潮。随着光伏发电，成本的降低和各国配套政策的出台，未来全球将涌现出更多的新兴市场。”中盛光电CEO佘海峰告诉《中国电子报》记者。他认为，亚太、东欧、非洲、拉美等新兴市场的全面开花，将在很大程度上弥补传统市场的相对萎缩，预计今年全球装机总量仍将保持增长态势。 在新兴市场的开拓中，晶科能源表现颇为抢眼。“应该说我们在东南亚、非洲和南美市场都早已布局，在部分地区已经取得了相当惊人的成绩。”钱晶表示，“晶科在南非、印度、日本、加拿大等国家，都已收获多个大型和超大型项目，并积累和布设了重要的客户网络。”据悉，2012年晶科仅在南非斩获的订单就已接近100MW。 辉伦太阳能则推出“金砖战略”，在巴西首届光伏展会上正式宣布挺进巴西。袁全表示，针对该国光伏政策尚未完全明确、相关从业人员专业度不高以及现行常规电价偏高的市场特点，辉伦改变单一提供光伏组件的策略，结合系统集成能力，推出风光互补系统，其中包括风光互补路灯、离网直流系统等，并在当地寻找代理商。与此同时，辉伦在东南亚、非洲地区的业务也在有序开展。据悉，辉伦日前已与新必奥能源公司签署战略合作协议，联合开发40MW泰国光伏电站。 “新兴海外市场是我们一直努力跟踪的方向。”昱辉阳光研究院副院长吴承志在接受《中国电子报》记者采访时表示，“昱辉在澳大利亚已经取得了相当不错的业绩，在非洲和东南亚市场也已经开始布局。”另外，吴承志强调，虽然印度已对包括我国在内的多个国家提出反倾销调查，但印度光伏市场的潜力仍值得关注，因为其国内产能很难满足当前的安装需求。 开拓市场应对症下药 深入了解当地的气候特点、政治局势、法律法规，确保收汇安全。 在开拓海外新兴市场的过程中，我国企业有哪些需要注意的地方? “相对于成熟的欧美市场，目前业界所谓的新兴市场，多是‘阳光管够、财力和经验不足’的发展中国家和地区。”袁泉强调，“在开拓这些市场时，我们需要特别注意以下两点：第一，必须贴近终端市场需求，开发出价格低廉的应用性产品，尤其是离网型系统;第二，要深入了解当地市场的气候特点、政治局势、法律法规，更要确保收汇安全。” “我认为首先要了解当地的政策差异、应用差异、目标客户和客户的购买习惯差异以及他们对于产品要求的差异。”钱晶表示，“然后再选择合适的对口产品、合适的推广沟通渠道、合适的合作伙伴及合作方式等。”钱晶强调，关键还是要看品牌、成本和服务，这才是制胜的王道。品牌不仅仅是做广告，搞赞助，它来自于质量、口碑和长期的客户信任;成本来自于高效率的技术和生产运营管理;服务则来自于客户为先的意识和专业在地团队。 完善的一站式服务为中盛光电在海外市场带来了丰厚的回报。佘海峰表示，实际上，在海外许多的光伏电站项目上，中盛光电同时扮演了工程总承包商和组件供应商两种不同的角色。如这次的罗马尼亚项目，中盛不仅是整个项目的组件供应商，还是项目的EPC提供商，而且还为项目提供融资服务。“这才是我们的一站式服务，永远不对客户说‘NO’。”他强调。 “发展本土团队是成功开拓新兴市场的关键所在。”吴承志向广大光伏企业建议，“本土人才对当地的政策、环境等情况更为熟悉，积极吸收本土人才往往能起到事半功倍的效果。” 光伏行业初现回暖产能过剩危局未解 价格上涨、订单增加、企业招工、生产恢复……在经历了一年多的“寒冬”之后，近期中国光伏行业出现回暖迹象。 光伏企业大招工 2013年春节一过，位于江西省上饶市经济开发区的中国光伏龙头企业——江西晶科能源有限公司就一直忙着招人。 “订单太多，实在忙不过来。”晶科能源有限公司副总裁余木森说，今年订单已经排到了7月份，春节期间公司6000多名员工正常生产，仍然应付不过来，目前该公司仍面临约2000人的用工缺口。[!--empirenews.page--] 不仅是晶科能源，有限公司，近期国内多家光伏企业都在大招工，企业订单激增。 而此前，光伏产品价格也已企稳回升。 中国有色金属工业协会硅业分会市场分析人员刘晶介绍，2012年12月底，多晶硅价格触底11.5万-12.5万元/吨;从2013年1月初开始，各类多晶硅光伏产品价格开始出现止跌反弹现象;随后几周内，受需求回暖、下游企业主动停产及对美韩“双反”等几大因素影响，全产业链价格涨幅扩大，硅片、电池片、组件价格全线上涨。 光伏市场的回暖迹象也反映在众多企业的订单上。刘晶说：“进入1月后大量订单涌入，使国内一线企业的开工率达到近八成。” 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司总裁兼首席执行长佟兴雪也说：“今年元旦以来，光伏市场就在逐渐恢复，硅料、硅片价格都在上涨，需求量也有回升。” 记者了解到，为应付增加的订单，春节过后，赛维LDK制订了1200人的招聘计划。 回暖主因：“双反”预期 业内人士介绍，当前中国光伏行业出现回暖迹象，一方面是受欧洲“双反”即将到来影响，许多企业希望在此之前赶工，加大出货量;另一方面，中国以及其他光伏新兴市场装机量大幅增加。 欧洲是全球最大的光伏市场，也是中国光伏产品出口的主要地区。2012年，欧盟对中国光伏产品发起“双反”调查，按照时间表可能于今年5月公布初裁结果。虽然这对中国光伏行业将造成大冲击，但从短期来看，“双反”预期却推动了市场回暖(编注：据新华社布鲁塞尔3月5日电，欧盟委员会5日发布公告称，欧盟将自6日起对从中国进口的、厚度不超过400微米的光电池、晶片、电池板与组件等光伏产品实施自动登记。公告称，欧委会的调查小组已经掌握了初步证据证明从中国进口的上述产品对欧盟市场实施了倾销与补贴)。 “在欧盟做出裁决之前，很多地区都加大了安装量，这就像听说粮食要涨价，大家都多买一点米一样。”余木森说。 同时，中国以及其他光伏新兴市场的快速扩张也加快了行业回暖的步伐。全球知名光伏市场研究机构NPD Solarbuzz的研究显示，受2012年第四季5.3GW(1GW=1000MW，1MW=1000KW)需求的带动，2012下半年，亚太地区的光伏需求较上年预计有80%的增长。 “虽然历史上年底光伏的强劲需求来自欧洲主要市场，2012年第四季则标志着光伏行业的转变，光伏需求变得更为全球化，逐步向新兴市场推广。”NPD Solarbuzz预测，2013年，亚太地区光伏市场需求有望增长至13.5GW，比2012年上涨50%。 佟兴雪说：“去年以来，中国采取一系列措施启动国内市场，加快了行业回暖。”赛维LDK今年有望获得500MW国内光伏电站项目，与去年的200MW相比有大幅增加。 资金危局仍未解 虽然光伏行业出现回暖迹象令人振奋，但业内人士表示，这并不意味着中国光伏行业就此走出了“寒冬”。 中国可再生能源学会副理事长孟宪淦说，虽然当前行业出现回暖迹象，但导致行业陷入困境的一些根本问题还没有得到解决。 “从目前来看，中国光伏行业仍然是产能过剩，这个基本状况没有根本改变。”孟宪淦说，2012年，仅中国的太阳能电池产量就达到23GW，比2011年的21GW还略有增加，但这一年全球太阳能电池的安装量还不到30GW，是近十年来增速最慢的一年。 另据新华社旗下的经济参考报报道，国内市场应收账款和资金链的问题仍摆在光伏企业的面前。2012年前三季度，41家光伏企业应收账款高达316亿元，较上年同期增加69亿元，增幅近三成。去年第四季度这一状况仍未好转。国内光伏巨头英利3月4日晚间公布的去年四季报显示，其应付账款依然高达36.8亿元，账面现金为30.5亿元，比去年第三季度末账面现金减少了6.7亿元。而应收账款则由去年第三季度末的32.2亿元增加到第四季度末的39.2亿元。 “资金链情况还是比较紧张，企业在通过各种形式增加融资渠道，寻求银行授信，但在欧盟双反、市场形势不明朗的情况下，银行方面依然比较谨慎。”英利负责人告诉经济参考报。 国家开发银行董事长陈元昨日表示，今年将控制对光伏产业新增贷款，以降低风险。

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  • Altran：三大因素决定未来智能系统的成功

    【导读】Altran认为三大因素决定着未来智能系统的成功，它们分别是更多的用户关注、技术的安全性与融合，以及智能系统的盈利性。Altran 全球智能系统解决方案的推出将让该集团有机会展示互连汽车的数字世界。 摘要：  Altran认为三大因素决定着未来智能系统的成功，它们分别是更多的用户关注、技术的安全性与融合，以及智能系统的盈利性。Altran 全球智能系统解决方案的推出将让该集团有机会展示互连汽车的数字世界。关键字：  Altran，智能系统 由于预计2020年每天将实现4500亿次智能交互，智能系统必定将改造我们生活的世界，并且打破各行业之间的界限。这些系统让我们能在任何地方(在家中，汽车上，飞机上)都能保持连接。 Altran认为三大因素决定着未来智能系统的成功，它们分别是更多的用户关注、技术的安全性与融合，以及智能系统的盈利性。Altran 全球智能系统解决方案的推出将让该集团有机会展示互连汽车的数字世界。 为说明智能系统的潜力，Altran 集团正展示其已在研发计划范围中开发的两个原型。这些原型体现了为用户提供新体验的高科技系统的可行性。 Immersive ATM[1](拟真空中交通管制)：这种原型对通过手势和语音识别操作的空中交通管制新用法进行检验，使用3D 格式并与 iPad 类型的平板电脑进行交互。 Open & Connected Car(开放&互连的汽车)：这种原型让用户能使用一种包含应用、新服务和新用法(环保驾驶、个性化、社交网络等)的平台，可加以定制，从而以安全可靠的方式为驾车人和乘客等满足用户智能手机和平板电脑的需求。 将我们自己的智能世界带入汽车 Altran全球智能系统解决方案的推出将让该集团有机会展示互连汽车的数字世界。随着汽车领域的不断改革，数字世界无疑正在成为汽车不可分割的一部分，从而成为驾车人必不可少的通信工具;也完美地示范了连接到个人环境的重要性。 对于智能系统/ Altran 而言，需要解决的关键挑战有三个方面：技术、用法和盈利性。 技术：复杂技术融合、安全性和可靠性是关键因素 用法：智能系统对所有人来说都必须具有吸引力(设计)，高效(先进的生物工程学)并且非常便利 盈利性：智能系统帮助实现可盈利的商业模式，使之具有成本效益和可持续性。 Altran 以用户为中心的途径确保技术的无缝融合，造福整个价值链的参与者。

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  • ST甘化业绩扭亏全仗政府补助

    【导读】在浙江民企德力西集团入主两年后，*ST甘化2012年度业绩扭亏，却仍是仰仗公司所在地江门市的政府补助。 摘要：  在浙江民企德力西集团入主两年后，*ST甘化2012年度业绩扭亏，却仍是仰仗公司所在地江门市的政府补助。关键字：  ST甘化，政府补助，德力西 3月6日，*ST甘化发布的年报显示，公司2012年度实现营收4.69亿元，净利润4714.88万元。但扣除非经常性损益后，其归属于母公司所有者的净利润仅为-2561.91万元。在浙江民企德力西集团入主两年后，*ST甘化2012年度业绩扭亏，却仍是仰仗公司所在地江门市的政府补助。 此前，公司业绩修订预告称，因公司拟将原在专项应付款的停工损失中列支的相关财务费用和相关员工薪酬等转入当期损益，为此全年减少利润2000万元左右。其原预计净利润为6700万元至7500万元。 *ST甘化还表示，公司于3月5日向深交所提交了撤销对公司股票实行退市风险警示的申请。 不过，与当地政府倾力支持公司对比鲜明的是，公司对控股股东德力西的定向增发工作却久拖未决。公司早在去年11月就拿到了证监会的核准批复，至今仍无下文。 而对于德力西出现资金链问题的传闻，*ST甘化证券部人士当天上午给予了断然否认。 “目前，大股东一切经营正常。公司定向增发有很多前期工作要做，包括中介机构进场，大股东筹措资金。我们也在抓紧进行，相信能在6个月以内的有效期内顺利完成。”该人士强调。 不过，二级市场上，流通股东对公司全年扭亏却并不买账。截至当天收盘，*ST甘化逆势跌停，报收7.84元，跌4.97%。 政府反哺扭亏 据*ST甘化年报披露，公司当年成功扭亏的一大“利器”就是相关政府补助。 报告期内，公司收到的与收益相关的政府补助共达7356.5万元。其中，仅江门市国资委扶持金一项便高达6000万元。此外，在报告期末收到的与资产相关的政府补助中，LED重大产业发展专项扶持资金也有1000万元。 公司当期收到计入当期损益为7268.5万元;当期收到计入递延损益为1122.89万元。 “江门市国资委给公司的扶持金主要是作为公司当初股权转让后安置员工的一种补偿。”上述*ST甘化证券部人士称。 而早在公司股权转让的2011年10月11日，*ST甘化已收到了当地政府第一批的6000万元扶持资金。 此前，公司原控股股东江门市资产管理局(资管局)与德力西集团签署的《股权转让协议》及其补充协议的相关条款中明确，“公司承担的员工身份转换及处理公司离退休人员、社区移交等历史遗留问题的1.9亿元费用由资管局全额无息借款给公司”。 同时，“为鼓励公司在江门市投资发展LED产业及重组后公司解决职工就业和安排富余人员再培训后就业，资管局承诺在国有股过户后及与职工签署全部劳动合同的20个工作日内分别给予公司扶持资金6000万元”。 此外，公司在江门投资的60台MOCVD设备均验收合格后20个工作日内，也将获得与公司欠资管局借款的等额资金。 而*ST甘化年报显示，公司收到江门市国资委关于甘化公司解决历史遗留问题及员工安置有关费用分摊确认的函，在2.34亿元历史遗留问题及员工安置费用支出总额中，确认由公司承担的金额为1.34亿元。 截至去年底，公司承担部分已支付1.22亿元，尚需支付金额为1200万元。公司称，该承担部分未发放金额为公积金补助，预计于今年3月开始发放。 [#page#] 定增进程滞后 不过，公司对德力西的定向增发进程却远远落后于市场预期。此前，公司于2011年10月14日即开始启动非公开发行工作，但至今仍未正式实施。 对此，有投资者抱怨，从重组到定向增发，看不到德力西所说的“弯道超车”的速度，更看不到德力西在重组甘化中让人钦佩的地方。 公开资料显示，公司此次非公开发行股票的发行对象为德力西，定增价每股6.78元，德力西拟以现金认购12000万股。 “从增发开始到现在增发核准的批文，耗时比许多垃圾公司都长。其间，证监会也多次要求公司补充材料。这叫投资者怎么能相信大股东，相信公司的办事效率?”有投资者如是说。 在公司定向增发有效期一年期满之后，公司又于去年10月29日召开股东大会，延长一年有效期至2013年10月31日。 直到去年12月7日，公司才公告称，证监会已于12月6日核准了公司的定向增发方案，其批复自核准发行之日起6个月内有效。 然而，眼下距离批复有效期已过去一半时间，但公司定增仍无动静。 前述*ST甘化证券部人士则强调，公司仍在积极推进各项工作，相关工作正按照监管机构的程序办理。“担任此次定增的主承销商为恒泰证券。”该人士透露。 该人士还称，公司发展LED及生物工程产业的计划没有改变，LED外延片生产项目及酵母生物工程技改扩建项目均已开工建设，相关工作正在按计划推进。 此前，公司定增拟募集8.1亿元，用于LED外延片生产项目及酵母生物工程技改扩建项目。 值得一提的是，德力西在入主*ST甘化之初，同意后者在五年内通过增发等融资渠道筹集资金在江门市区投资LED产业规模不低于15亿元人民币;若公司投资不足15亿元，德力西承诺以自有资金追加投资补足15亿元在江门的投资。 截至去年底，公司LED项目累计完成投资1.8亿元，为总投资额的21.5%;完成土建工程量的60%;并已与供应商签订了首批MOCVD机及相关配套设备的采购合同。 “公司LED项目15亿投资额并非一次性投入，而是分期、分批投入。”上述*ST甘化证券部人士称，“公司也将加快项目土建施工进度、厂务系统安装和生产设备订购工作，力争2013年底前进入试产阶段。”

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  • 美光入主尔必达后将成第三大DRAM产业品牌厂

    【导读】从营收比重来看，美光正式入主尔必达后，可望将现有DRAM产能做进一步的整併，预计产业版图与供应链关系将会在未来产生重大变革; 摘要：  从营收比重来看，美光正式入主尔必达后，可望将现有DRAM产能做进一步的整併，预计产业版图与供应链关系将会在未来产生重大变革;关键字：  美光，尔必达，DRAM TrendForce 旗下记忆体产业研究部门DRAMeXchange 调查，日本东京地方法院已于2月28日正式裁定通过美光(Micron)整并尔必达(Elpida)一案，后续整并作业将于3月开始陆续展开。 先前虽然部份债权人反对此整併案，但掌握多数债权的日本银行仍以压倒性的赞成票数递交至东京地院，力求此整併案可以顺利通过。未来美光可能将以2，000亿日圆(21.6亿美元)入主尔必达，第一波美光将独资600亿日圆(6.5亿美元)支付债权银行，后续与尔必达整併后于2019年为止再支付1，400亿日圆(15.1亿美元)。 以目前尔必达债务达4，500亿日圆(49亿美元)来看，经由法院同意的企业再生程序，尔必达债权减除约一半后，其中有担保的债权人将获得完整的保障，而无担保的债权人，在可转换债的部份获得的补偿将较低。但在债权总金额降低、偿还时限延长及美光的资金挹注之下，尔必达将成为美光的子公司继续营运并重生，新美光集团将于2013年正式成军。 从营收比重来看，美光正式入主尔必达后，可望将现有DRAM产能做进一步的整併，预计产业版图与供应链关系将会在未来产生重大变革;从最新一季DRAM营收市佔率来分析，原美光与尔必达市占率各为10.5%及14.1%，与位居第二的韩系厂SK海力士(Hynix)的25%仍有显着差距，但美光整并尔必达后的新美光集团市占可望一跃逼近24.6%，与SK海力士仅在伯仲之间，成为仅次叁星(Samsung)与SK海力士的市占率第叁大记忆体品牌厂。 再者，从行动式记忆体方面来观察，日前美光与尔必达的市占率亦为1.3%及19%，如正式整并之后总体市占率亦将来到20.3%，虽低于SK海力士的23.8%，但全球叁大DRAM阵营已俨然成形，有助于 DRAM 产业于今年正式走向寡占格局，产业回归健康面甚至获利指日可待。 从DRAM产业竞争态势来分析，随着美光整并尔必达后，全新的新美光集团将集结台美日叁方DRAM厂的产能，各晶圆厂将各司其职，成为与韩系厂商相抗衡的新兴势力。 从美光的规划来看，美光自身将专注于 NAND Flash 製品的生产与开发，DRAM相关产品的研发，尔必达的研发团队将肩负重责大任，同时美光并逐步降低DRAM产能并转向台湾及日本子工厂如尔必达广岛厂将致力于行动式记忆体的生产。这从日前尔必达广岛厂行动式记忆体投片超过80%可见一斑;未来再加上美光的NAND Flash製程，更可以MCP製品进军智慧型手机市场，发挥垂直整合之效。 而瑞晶方面除了仍专职于标準型记忆体的生产，极有可能在年中开始生产行动式记忆体，逐步改善获利结构。而华亚科方面，随着云端市场的需求强劲，已降低标準型记忆体的生产，伺服器用记忆体的生产比重达50%以上，加上美光自身与美系厂商关係良好，伺服器市场市佔率有望进一步提升。 倘若按照美光的计画，美光将整合台美日的产能及优势，除了营收有机会可以稳坐全球DRAM产业第叁名的位置外，从投片量做观察，预计月产能将逼近360K上下，佔全球DRAM产能约35%，成为新的第叁势力，DRAM产业将进入叁强鼎立的市场格局。

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  • 海尔集成电路的成功经验：深耕技术和服务

    【导读】MCU领域的竞争日益激烈已是不争的事实，如何在竞争中提升核心竞争力，扩大应用领域，从而脱颖而出呢?海尔集成电路的成功经验，或可为我们带来一些启迪。 摘要：  MCU领域的竞争日益激烈已是不争的事实，如何在竞争中提升核心竞争力，扩大应用领域，从而脱颖而出呢?海尔集成电路的成功经验，或可为我们带来一些启迪。关键字：  MCU，海尔集成电路，核心技术，技术服务 MCU领域的竞争日益激烈已是不争的事实，如何在竞争中提升核心竞争力，扩大应用领域，从而脱颖而出呢?海尔集成电路的成功经验，或可为我们带来一些启迪。 从研发、生产到应用都有一整套核心技术 海尔集成电路从研发、生产到应用都有一整套核心技术，这些核心技术不仅体现在MCU架构、电磁兼容设计、良率控制、开发工具设计等方面，还包括技术服务支持，比如网站论坛、网上技术咨询等。“我们是本土MCU厂商中为数不多的一家做MCU产品并有完整支持工具的专业企业，从仿真、编程器，一直到软件集成开发环境、C编译器等等都有。此外，本地优势也是我们相对于国外厂商的优势之一，包括对客户需求的准确了解、及时的响应速度等等。”海尔集成电路销售总监唐群说道。据透露，今年海尔集成电路还将继续加强渠道推广优势，与代理商和Design-house的方案相结合，走差异化道路，更好地服务于用户。 正是基于这样一整套核心技术，海尔集成电路的产品才具有高抗干扰、高可靠性和低功耗的特点，从而广泛应用于消费电子、汽车电子、电表、白家电及小家电等领域。据唐总监介绍，依托海尔集团这个平台，也是海尔集成电路得以成长的重要因素。海尔集团作为投资方之一，也是海尔集成电路的第一个客户，凭借集团的支持和产品应用的成功，海尔集成电路才积累了丰富的设计与工艺经验，逐步打开并拓展了MCU市场。 8位MCU与32位互为补充 低端的8位MCU竞争日益加剧，业内有32位将取代8位之说。对此，唐群表示：正如8位不能完全取代4位MCU一样，32位同样也不能替代8位。他认为二者是互为补充而非互为替代的关系。在特定的应用领域里，8位MCU仍将会不断扩大其市场份额。 在本届IIC展会，笔者看到，海尔集成电路展示的大量方案均基于8位MCU，例如，家电市场的冰箱、洗衣机、电磁炉、抽油烟机、电热水器、太阳能热水器、咖啡壶、直/卷发器方案等;汽车电子领域的HID灯控制方案、汽车集控器方案;LED灯方案、智能灯光控制系统;工业控制领域的无刷电机驱动方案、电机软启动方案;智能仪表领域的数显表控制方案、温度控制表方案等。 图1：各类白家电控制方案(冰箱、洗衣机、抽油烟机、热水器方案) 图2：汽车集控器方案、单相电表方案、智能灯光控制系统、移动电源方案 图3：无刷电机驱动方案和温度控制表方案 [#page#] 而该公司新近推出的触控IC　HC540、548系列则采了32位MCU。据介绍，这款触控IC为互感式电容Touch Panel控制芯片，为客户提供真正多点触控电容屏解决方案，可用于智能手机、平板电脑、GPS、媒体播放器、PC外设、汽车触摸屏、打印机等领域。 图4：电容式触摸屏控制器方案 与高校合作，实现双赢 在产学研合作教育方面，海尔集成电路率先与上海、武汉和西安等地的高校合作成立“创新与应用联合实验室”，为学校提供教学所需的仪器、开发板等资源，帮助提高学生的动手能力。对此，唐总监表示：“这一种双赢的模式。一方面是利用学校的基础资源，第二也是为了培养人才。海尔集成电路想成为中国MCU第一品牌，就需要人才的储备，所以通过与高校的合作，希望为学生提供一个很好的平台，促进人才的培养。 ” 成功的IC公司一定要经过时间的积累和锤炼 回顾海尔集成电路十余年的发展历程，唐总监不无感慨地说：“一家成功的IC公司一定要经过时间的积累和锤炼，绝不可能速成。”他认为，经过数十年的发展，本土MCU厂商的的技术水平得到了很大的提升，与国外先进水平之间的差距在逐渐缩小，无论是产品广度还是深度都逐步向国际水准靠拢。唐总监指出，本土MUC厂商目前面临的最大挑战是产品的开发如何更好地适应市场的变化，这就需要开发人员缩短研发周期，使产品尽快上市。 图5：海尔集成电路销售总监唐群

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  • 欧美大腕中国大厂缺席 IIC-China人气技术均不足

    【导读】今年IIC-China这场展会给人的感觉却似乎是春寒料峭。主要因为德州仪器、意法半导体、博通、恩智浦、英飞凌、飞思卡尔等欧美大腕及日本厂商的集体缺席，中国的展讯、海思、锐迪科等大厂也难觅踪影，造成了人气和技术含量的不足。 摘要：  今年IIC-China这场展会给人的感觉却似乎是春寒料峭。主要因为德州仪器、意法半导体、博通、恩智浦、英飞凌、飞思卡尔等欧美大腕及日本厂商的集体缺席，中国的展讯、海思、锐迪科等大厂也难觅踪影，造成了人气和技术含量的不足。关键字：  芯片，处理器，移动终端 2月底3月初，笔者参加了在深圳举办的、历年来属国内顶级水平的国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China)。行业在经历了2012年不太景气的状况后，本应出现春暖花开的景象。但今年这场展会给人的感觉却似乎是春寒料峭。主要因为德州仪器、意法半导体、博通、恩智浦、英飞凌、飞思卡尔等欧美大腕及日本厂商的集体缺席，中国的展讯、海思、锐迪科等大厂也难觅踪影，造成了人气和技术含量的不足。取而代之的是中国大陆、台湾地区和韩国的一些规模不太大的半导体电子厂商。 展会及研讨会的主题之一是智能手机和平板电脑等移动应用。高通、Marvell、飞兆和MIPS(已被英国Imagination收购)虽然没有展台，但是参加了部分研讨会的演讲。 2013年，智能机将会普及，千元智能机是主流。智能机的市场与技术竞争集中在价格/品牌、显示屏、电池、用户界面等方面。所有手机型号都基于参考设计，如联发科及高通QRD等，这可消减研发资源，但也会导致很多小型手机厂商和独立设计厂商(IDH)推出市场，OEM和ODM的利润也将下滑。 处理器 高通产品市场总监Luke鲍在智能手机和平板论坛上指出：“市场上热炒的四核技术可以说是针对普通消费者的一个营销噱头，好像四核手机就比双核更领先，其实不一定，市面上采用高通双核芯片的智能机并不逊于四核机。” Luke鲍以市场上一款采用支持TD-LTE的28nm骁龙S4 MSM8930 双核处理器的智能机和另一款四核机做比较，证明了高通双核机的特性。首先，在针对HTML5的微软浏览器效能测试中，打开FishIE TANK页面，鱼的数量和游的速度，两款手机差不多，表明用户体验不相上下。还有，在Modem和多媒体方面，MSM8930 双核机的功耗还低26-42%，充电速度和成本低40%;GPS性能方面，MSM8930 双核机的速度以39s对251s领先;在手机支付等安全方面，MSM8930可将硬件与操作系统有效隔离。 另外，在ARM架构已成为智能移动终端主流CPU架构的情况下，市场保持一定的竞争确有必要，MIPS的存在有助于产业保持活性和健康发展。 MIPS的James Syu在论坛上对ARM进行了抨击：“ARM大小核(BigLittle)各自配备了一套资源，在很多情况下这种架构是对其所配置资源的一种浪费。”高通也附和道，为大小核判断任务量一定要精确，否则，一旦分配不准，就会出现上面的尴尬情况。 Syu还表示，1年前，MIPS与合作伙伴推出了不到100美元的全球第一款Andriod4.0平板电脑，下一步是在2013年底前，给中国等新兴市场的广大普通消费者带来50美元以下的产品。而且为了保证良好的用户体验，性能不会打折扣。例如，7英寸显示屏，主频1GHz以上，512MB的RAM，电池容量4000mAh，支持OpenGL ES2.0，高清视频编解码及WiFi等。 显示 北京集创北方在本届展会上展示了ICN 830/831XM互容式触摸屏检测芯片及解决方案。ICN 830XM适用于GG/GFF/PET+G CTPM模块，ICN 831XM适于SITO GG/OGS CTPM模块。支持真实5点触摸(ICN 830XM最大10点)，支持COF/COB，有效抑制RF、LCM干扰，支持2.8~7寸CTPM，Monitor模式下，功耗为4.3mA，Active模式下为7.9mA，Hibernate模式下80μA。 据展台负责人透露，集创正在开发In-Cell高端解决方案。其主要特点是DATA ITO在VCOM ITO下方，可减少DATA ITO对电场线的阻隔，触摸感应量提升10%。 笔者了解到，这家成立不到5年的初创型半导体设计公司有着一些山西背景，看来，“煤二代”的志向已不同于靠煤矿致富的上一辈人了，他们不满足于继承传统家业，也在向半导体集成电路等高科技行业转型。有自己的精神追求，希望通过知识与科技实现自身的价值，是这些富二代与那些靠炒房地产、挥金如土的纨绔子弟的最大差别。说远了，还是回到大家关注的半导体技术吧。 [#page#] 随着大屏、LTE及多核的流行，显示视觉效果和功耗的平衡是智能机和平板电脑设计中的一个重大挑战。QuickLogic的视觉强化引擎(VEE)技术可在高亮度环境光下，清楚地观看显示内容。而显示器功率最佳化(DPO)技术在保证用户观看体验的基础上，根据显示内容的不同，可降低显示器耗电量1.4~4.5W，延长电池寿命17~41%。 无线充电 目前，移动终端无线充电技术有MR(磁共振)与MI(磁感应)等方式。2013年，高端智能机将会配备无线充电技术。 IDT展出了符合无线充电联盟(WPC)A5、A6和A11线圈标准的无线充电发送器IDTP9035/9036和接收器IDTP9020解决方案。 营销副总裁 Graham Robertson表示：“上述方案分别针对单线圈5V输入和三线圈12V输入应用。将会大幅减少电路板面积和材料清单成本。” 他还指出：“目前市场上很难找到年复合增长率在25%以上的应用，而无线充电就是。IDT同时支持MR与MI两种无线充电方式。无线充电也是高端智能机差异化竞争的一种重要技术，不过，由于成本原因，在中低端机型上应用可能还要一些时间。过去2、3个月，中国本土前5位的终端厂商都向我们表达了对无线充电技术的浓厚兴趣，并正在加紧研发相关机型。” 无线充电方案的主要成本是线圈和收发器。据了解，目前一个线圈的市场价在3~4美元，一套收发器12~15美元，整套方案约20美元。现在看来，这种价位也只有高端机才消受得起。诺基亚Lumia 920已具有无线充电功能。 笔者记得在2012年11月的深圳高交会上，松下电工和TDK等日本厂商也曾展示了相关无线充电方案，当时的价位与目前差不多，而由于日本厂商这次均未参展，所以很遗憾我们无法看到他们的最新技术进展。[!--empirenews.page--] Robertson还表示，WPC已出台5W标准，正在制定10W标准。在这之前，由于10W标准的不确定性，很多厂商无从下手开发产品。在10W标准出台后，无线充电应用将可从目前的智能机扩展到需要更大功率的平板电脑等设备。 英特尔已与IDT合作开发基于MR技术的集成收发器芯片组，用于其无线充电技术。高通也与IDT合作，在WiPower技术基础上开发用于智能机等移动终端的无线充电芯片。 Robertson还表示，针对三线圈12V输入应用的无线充电发送器IDTP9036解决方案也适合汽车应用。不过，笔者认为，汽车内的电子系统众多，无线充电发送器很可能会对这些系统造成干扰，尤其是安全系统更敏感，如何解决他们之间的相互干扰是IDT必须面对的。Robertson透露，正与欧洲一些整车厂商合作，由于其采用的相关标准各自不同，所以解决方案也将会有差异。

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  • IC-China2013：汉凌微电子展最新多点触控芯片

    【导读】在不久前结束的IIC China 2013展会上，一家由美国知名半导体公司安华高(Avago)上海研发中心独立出来的，致力于无线通讯芯片产品及解决方案的高科技企业——汉凌微电子展示了其最新产品。 摘要：  在不久前结束的IIC China 2013展会上，一家由美国知名半导体公司安华高(Avago)上海研发中心独立出来的，致力于无线通讯芯片产品及解决方案的高科技企业——汉凌微电子展示了其最新产品。关键字：  汉凌微电子，触控芯片 由苹果引发的触摸屏热潮已经席卷整个移动消费电子产品市场，也正是这一潮流引起了整个触摸屏市场和触控芯片的巨大变化，巨大的市场空间引来多家本土厂商进入触控芯片市场。 在不久前结束的IIC China 2013展会上，一家由美国知名半导体公司安华高(Avago)上海研发中心独立出来的，致力于无线通讯芯片产品及解决方案的高科技企业——汉凌微电子展示了其最新产品。 汉凌微电子亮相IIC China 作为触控行业技术的领导者，汉凌微电子凭借卓越的算法，获得极佳的灵敏度/精确度/线性度体验，用户体验媲美iPhone/Galaxy。触控芯片HL3x06导航最多10点电容触摸，自动适应各种ITO图案以及“单层多点互容”ITO图案，尤其适应当下最具性价比优势的电容屏技术：OGS技术+单层多点ITO图案。它降低了对屏厂工艺一致性要求，等效提高TP良率，完美支持低成本TP方案。支持从2.8"到12"的各类尺寸电容屏。目前，其产品已受到国内主流的平板和手机厂商之青睐。 触控芯片HL3x06导航最多10点电容触摸 值得一提的是，该公司触控芯片在抗干扰性能方面有着卓越的表现。高性能ADC+大动态范围模拟前端，现代数字信号处理技术+32位CPU，信噪比评估算法，快速自适应跳频技术，这些使产品具有很好的抗干扰能力。同时增加LCD/Adaptor选择范围，等效降低TP模组+LCD模组成本。 汉凌微电子的产品从大类上讲分蓝牙，Wi-Fi和触摸屏控制芯片三大类。目前已量产的产品主要是蓝牙HL1009和HL1100，触控芯片HL3x06。2013年汉凌将主推触控芯片，面向平板电脑和智能手机应用。 作为新晋成员，如何在激烈的触控IC市场竞争中异军突起，甚是令人关注。该公司总经理助理王劲毅表示：“汉凌拥有蓝牙，Wi-Fi，触摸屏驱动IC芯片自主研发的核心技术和实力。我们的技术团队有长期的积累，致力于提供超高性能，具竞争价格的完整解决方案。”

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  • 《集成电路产业“十二五”发展规划》

    【导读】集成电路(IC)产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业化深度融合的核心与基础，是转变经济发展方式、调整产业结构、保障国家信息安全的重要支撑，其战略地位日益凸显。 摘要：  集成电路(IC)产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业化深度融合的核心与基础，是转变经济发展方式、调整产业结构、保障国家信息安全的重要支撑，其战略地位日益凸显。关键字：  芯片，集成电路，“十二五”发展规划 前言 集成电路(IC)产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业化深度融合的核心与基础，是转变经济发展方式、调整产业结构、保障国家信息安全的重要支撑，其战略地位日益凸显。拥有强大的集成电路技术和产业，是迈向创新型国家的重要标志。 未来五至十年是我国集成电路产业发展的重要战略机遇期，也是产业发展的攻坚时期。科学判断和准确把握产业发展趋势，着力转变发展方式、调整产业结构，以技术创新、机制体制创新、模式创新为推动力，努力提升产业核心竞争力，推动产业做大做强，实现集成电路产业持续快速健康发展，有着十分重要的现实意义和历史意义。 贯彻落实《国民经济和社会发展第十二个五年规划纲要》，按照《工业转型升级“十二五”规划》、《战略性新兴产业“十二五”发展规划》、《信息产业“十二五”发展规划》和《电子信息制造业“十二五”规划》的总体要求，在广泛调研、深入研究的基础上，提出发展战略思路，编制集成电路专题规划，作为集成电路行业发展的指导性文件和加强行业管理的依据。 一、“十一五”回顾 “十一五”期间，我国集成电路产业延续了自2000年以来快速发展的势头，克服了全球金融危机和集成电路产业硅周期的双重影响，产业整体实力显著提升，对电子信息产业以及经济社会发展的支撑带动作用日益显现。 (一)产业规模持续扩大 产业规模翻了一番。产量和销售收入分别从2005年的265.8亿块和702亿元，提高到2010年的652.5亿块和1440亿元，占全球集成电路市场比重从2005年的4.5%提高到2010年的8.6%。国内市场规模从2005年的3800亿元扩大到2010年的7350亿元，占全球集成电路市场份额的43.8%。 (二)创新能力显著提升 在《核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品》和《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》等国家科技重大专项等科技项目的支持下，大部分设计企业具备0.25微米以下及百万门设计能力，先进设计能力达到40纳米，中央处理器(CPU)、数字信号处理器(DSP)、微控制单元(MCU)、存储器等高端通用芯片取得重大突破，时分同步码分多址接入(TD-SCDMA)芯片、数字电视芯片和信息安全芯片等一批系统级芯片(SoC)产品实现规模量产;芯片制造能力持续增强，65纳米先进工艺和高压工艺、模拟工艺等特色技术实现规模生产;方形扁平无引脚封装(QFN)、球栅阵列封装(BGA)、圆片级封装(WLP)等各种先进封装技术开发成功并产业化;高密度离子刻蚀机、大角度离子注入机、45纳米清洗设备等重要装备应用于生产线，光刻胶、封装材料、靶材等关键材料技术取得明显进展。 (三)产业结构进一步优化 我国集成电路产业形成了芯片设计、芯片制造和封装测试三业并举、较为协调的发展格局。设计业销售收入占全行业比重逐年提高，由2005年的17.7 %提高到2010年的25.3%;芯片制造业比重保持在1/3左右;集成电路专用设备、仪器与材料业形成一定的产业规模，有力支撑了集成电路产业，以及太阳能光伏产业和光电产业的发展。 (四)企业实力明显增强 四家集成电路企业进入电子信息百强行列。集成电路设计企业销售收入超过1亿元的有60多家，2010年进入设计企业前十名的入围条件为6亿元，比2005年提高了一倍多，排名第一的海思半导体销售收入为44.2亿元;制造企业销售收入超过100亿元的有2家，中芯国际65纳米制造工艺已占全部产能的9%，是全球第四大芯片代工企业;在封装测试企业前十名中，中资企业的地位明显提升，长电科技已进入全球十大封装测试企业行列。 (五)产业聚集效应更加凸显 依托市场、人才、资金等优势，长三角、京津环渤海地区和泛珠三角的集成电路产业继续迅速发展，5个国家级集成电路产业园区和8个集成电路设计产业化基地的聚集和带动作用更加明显。坚持特色发展之路，作为发展侧翼，武汉、成都、重庆和西安等中西部地区日益发挥重要作用。 尽管“十一五”期间成绩显著，但是我国集成电路产业仍存在诸多问题。产业规模不大，自给能力不足，产品国内市场占有率仍然较低;企业规模小且分散，持续创新能力不强，核心技术少，与国外先进水平有较大差距;价值链整合能力不强，芯片与整机联动机制尚未形成，自主研发的芯片大都未挤入重点整机应用领域;产业链不完善，专用设备、仪器和材料发展滞后等等。 二、“十二五”面临的形势 集成电路产业是全球主要国家或地区抢占的战略制高点。一方面，这一领域创新依然活跃，微细加工技术继续沿摩尔定律前行，市场竞争格局加速变化，资金、技术、人才高度密集带来的挑战愈发严峻。另一方面，多年来我国集成电路产业所聚集的技术创新活力、市场拓展能力、资源整合动力，以及广阔的市场潜力，为产业在未来五年实现快速发展、迈上新的台阶奠定了基础。 [#page#] (一)战略性新兴产业的崛起为产业发展注入新动力 当前以移动互联网、三网融合、物联网、云计算、节能环保、高端装备为代表的战略性新兴产业快速发展，将成为继计算机、网络通信、消费电子之后，推动集成电路产业发展的新动力，多技术、多应用的融合催生新的集成电路产品出现。过去五年我国集成电路市场规模年均增速14%，2010年达到7349.5亿元。预计到2015年，国内集成电路市场规模将超过1万亿元。广阔、多层次的大市场为本土集成电路企业提供了发展空间。全球产业分工细化的趋势，也为后进国家进入全球细分市场带来了机遇。[!--empirenews.page--] (二)集成电路技术演进路线越来越清晰 一方面，追求更低功耗、更高集成度、更小体积依然是技术竞争的焦点，SoC 设计技术成为主导;芯片集成度不断提高，仍将沿摩尔定律继续前进。目前国际上32纳米工艺已实现量产，2015年将导入18纳米工艺。另一方面，产品功能多样化趋势明显，在追求更窄线宽的同时，利用各种成熟和特色制造工艺，采用系统级封装(SiP)、堆叠封装等先进封装技术，实现集成了数字和非数字的更多功能。此外，集成电路技术正孕育新的重大突破，新材料、新结构、新工艺将突破摩尔定律的物理极限，支持微电子技术持续向前发展。 (三)全球集成电路产业竞争格局继续发生深刻变化 当前全球集成电路产业格局进入重大调整期，主要国家/地区都把加快发展集成电路产业作为抢占新兴产业的战略制高点，投入了大量的创新要素和资源。金融危机后，英特尔、三星、德州仪器、台积电等加快先进工艺导入，加速资源整合、重组步伐，不断扩大产能，强化产业链核心环节控制力和上下游整合能力，急欲拉大与竞争对手的差距。行业门槛的进一步提高，对于资源要素和创新要素积累不足的国内集成电路企业而言，面临的挑战更为严峻。 (四)商业模式创新给产业在新一轮竞争中带来机遇 创新的内涵不断丰富，商业模式创新已成为企业赢得竞争优势的重要选择。当前，软硬件结合的系统级芯片、纳米级加工以及高密度封装的发展，对集成电路企业整合上下游产业链和生态链的能力提出了更高要求，推动虚拟整合元件厂商(IDM)模式兴起。特别是随着移动互联终端等新兴领域的发展，出现了“Google-ARM”、苹果等新的商业模式，原有的“WINTEL(微软和英特尔)体系”受到了较大挑战。 (五)新政策实施为产业发展营造更加良好的环境 “十二五”时期，国家科技重大专项的持续实施，发展战略性新兴产业的新要求，将推动集成电路核心技术突破，持续带动集成电路产业的大发展。《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发[2011]4号)保持了对《国务院关于印发鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发[2000]18号)的延续，进一步加大了对集成电路产业的扶持力度，扩大了扶持范围，优惠政策覆盖了产业链各个环节，产业发展环境将进一步得到优化。 三、指导思想、基本原则和发展目标 (一)指导思想和基本原则 深入贯彻落实科学发展观，以转方式、调结构为主线，坚持“应用牵引、创新驱动、协调推进、引领发展”的原则，以共性关键技术和重大产品为突破口，提升产业核心竞争力;优化产业结构，延伸完善产业链条;大力推进资源整合优化，培育具有国际竞争力的大企业;落实产业政策，建设完善产业公共服务体系;提升产业发展质量和效益，深入参与国际产业细化分工，提高产品国内供给能力;优化产业生态环境，打造芯片与整机大产业链，为工业转型升级、信息化建设以及国家信息安全保障提供有力支撑。 坚持应用牵引。以重大信息化推广和整机需求为牵引，开发一批量大面广和特色专用的集成电路产品。针对重点领域和关键环节，发挥政府的规划引导、政策激励和组织协调作用。 坚持创新驱动。结合国家科技重大专项和重大工程的实施，以技术创新、模式创新、机制体制创新为动力，突破一批共性关键技术。加强引进消化吸收再创新，走开放式创新和国际化发展道路。 坚持协调推进。调整优化行业结构，着力发展芯片设计业，壮大芯片制造业，提升封装测试层次，增强关键设备、仪器、材料的自主开发和供给能力。按照“扶优、扶强、扶大”的原则，优化企业组织结构，推进企业兼并、重组、联合。优化区域布局，避免低水平、重复建设。 坚持引领发展。把壮大规模与提升竞争力结合起来，充分发挥集成电路产业的引领和带动作用，推进战略性新兴产业的关键技术研发与产业化，支撑传统产业转型升级。 (二)发展目标 到“十二五”末，产业规模再翻一番以上，关键核心技术和产品取得突破性进展，结构调整取得明显成效，产业链进一步完善，形成一批具有国际竞争力的企业，基本建立以企业为主体的产学研用相结合的技术创新体系。 1、主要经济指标 集成电路产量超过1500亿块，销售收入达3300 亿元，年均增长18 %，占世界集成电路市场份额的15%左右，满足国内近30 % 的市场需求。 2、结构调整目标 行业结构：芯片设计业占全行业销售收入比重提高到三分之一左右，芯片制造业、封装测试业比重约占三分之二，形成较为均衡的三业结构，专用设备、仪器及材料等对全行业的支撑作用进一步增强。 企业结构：培育5-10家销售收入超过20亿元的骨干设计企业，1家进入全球设计企业前十位;1-2家销售收入超过200亿元的骨干芯片制造企业;2-3家销售收入超过70亿元的骨干封测企业，进入全球封测业前十位;形成一批创新活力强的中小企业。 [#page#] 区域结构：坚持合理区域布局，继续强化以长三角、京津环渤海和泛珠三角的三大集聚区，以重庆、成都、西安、武汉为侧翼的产业布局，建成一批产业链完善、创新能力强、特色鲜明的产业集聚区。 3、技术创新目标 芯片设计业：先进设计能力达到22纳米，开发一批具有自主知识产权的核心芯片，国内重点整机应用自主开发集成电路产品的比例达到30%以上。 芯片制造业：大生产技术达到12英寸、32纳米的成套工艺，逐步导入28纳米工艺。掌握先进高压工艺、MEMS工艺、锗硅工艺等特色工艺技术。 封装测试业：进入国际主流领域，进一步提高倒装焊(FC)、BGA、芯片级封装(CSP)、多芯片封装(MCP)等的技术水平，加强SiP、高密度三维(3D)封装等新型封装和测试技术的开发，实现规模生产能力。 专用集成电路设备、仪器及材料：关键设备达到12英寸、32纳米工艺水平;12英寸硅单晶和外延片实现量产，关键材料在芯片制造工艺中得到应用，并取得量产。 四、主要任务和发展重点[!--empirenews.page--] (一)主要任务 1、集中力量、整合资源，攻破一批共性关键技术和重大产品 强化顶层设计和统筹安排，围绕国家战略和重点整机需求，面向产业共性关键技术和重大产品，引导和支持以优势单位为依托，建立开放的、产学研用相结合的集成电路技术创新平台，重点开发SoC设计、纳米级制造工艺、先进封装与测试、先进设备、仪器与材料等产业链各环节的共性关键技术，重点部署一批重大产品项目。健全技术创新投入、研发、转化、应用机制，力争在一些关键领域有重大技术突破，培育一批高附加值的尖端产品，建立以企业为主体，市场为导向、产学研相结合的技术创新体系。 2、做强做优做大骨干企业，提升企业核心竞争力 加大要素资源倾斜和政策扶持力度，优化产业资源配置，推动优势企业强强联合、跨地区兼并重组、境外并购和投资合作。推动多种形态的企业整合，鼓励同类企业整合、上下游企业整合、整机企业与集成电路企业整合，培育若干个有国际竞争力的设计企业、制造企业、封测企业以及设备、仪器、材料企业，打造一批“专、精、特、新”的中小企业，努力形成大中小企业优势互补、协调发展的产业组织结构。 3、完善产业生态环境，构建芯片与整机大产业链 推动产品定义、芯片设计与制造、封测的协同开发和产业化，实施若干从集成电路、软件、整机、系统到应用的“一条龙”专项，形成共生的产业生态链/价值链。引导芯片设计企业与整机制造企业加强合作，以整机升级带动芯片设计的有效研发，以芯片设计创新提升整机系统竞争力。政府引导，发挥市场机制的作用，积极探索和实现虚拟IDM模式，共建价值链，形成良好产业生态环境，实现上下游企业群体突破和跃升。 4、完善和加强多层次的公共服务体系，推动产业持续快速发展 针对产业重大创新需求，采取开放式的建设理念，集中优势资源，建立企业化运作、面向行业的、产学研用相结合的国家级集成电路研发中心，重点开发SoC等产品设计、纳米级工艺制造、先进封装与测试等产业链各环节的共性关键技术，为实现产业可持续发展提供技术来源和技术支持。支持集成电路公共服务平台的建设，为企业提供产品开发和测试环境以及应用推广服务，促进中小企业的发展，使其成为芯片与整机沟通交流的平台。 (二)发展重点 1、着力发展芯片设计业，开发高性能集成电路产品 围绕移动互联网、信息家电、三网融合、物联网、智能电网和云计算等战略性新兴产业和重点领域的应用需求，创新项目组织模式，以整机系统为驱动，突破CPU/ DSP/存储器等高端通用芯片，重点开发网络通信芯片、数模混合芯片、信息安全芯片、数字电视芯片、射频识别(RFID)芯片、传感器芯片等量大面广芯片，以及两化融合、战略性新兴产业重点领域的专用集成电路产品，形成系统方案解决能力。支持先进电子设计自动化(EDA)工具开发，建立EDA应用推广示范平台。 专栏1：芯片与整机价值链共建工程 高端通用芯片：加强体系架构、算法、软硬件协同等设计研究，开发超级计算机和服务器CPU、桌面/便携计算机CPU、极低功耗高性能嵌入式CPU以及高性能DSP、动态随机存储器(DRAM)等高端通用芯片，批量应用于党政军和重大行业信息化领域，形成产业化和参与市场竞争的能力。 移动智能终端SoC芯片：面向以平板电脑和智能手机为代表的移动智能终端市场，以极低功耗高性能嵌入式CPU为基础，坚持软硬件协同、国际兼容、自主发展路线，开发移动智能终端SoC产品平台，突破多模式互联网接入、多种应用、系统级低功耗设计技术等，打通移动智能终端产业生态链。 网络通信芯片：围绕时分同步码分多址长期演进(TD-LTE)的产业化，开发TD-LTE终端基带芯片、终端射频芯片等，提升TD-LTE及其增强产业链最重要环节的能力，打造从芯片和移动操作系统到品牌机型的完善产业生态链/价值链。开发数字集群通信关键芯片、短距离宽带传输芯片以及光通信芯片等。 数字电视芯片：适应三网融合、终端融合、内容融合的趋势，重点突破数字电视新型SoC架构、图像处理引擎、多格式视频解码、视频格式转换、立体显示处理技术等。继续提升在卫星直播和地面传输领域的芯片设计和制造水平。 智能电网芯片：围绕智能电网建设，开发应用于智能电网输变电系统、新能源并网系统、电机节能控制模块、电表计量计费传输控制模块的各类芯片。 信息安全和视频监控芯片：发展安全存储、加密解密等信息安全专用芯片、提高芯片运算速度和抗攻击能力，促进信息安全功能的硬件实现;满足平安城市建设需求，开发视频监控SoC芯片。 汽车电子芯片：服务于汽车电子信息平台的需要，围绕汽车控制系统和车载信息系统核心芯片，开发汽车音视频/信息终端芯片、动力控制管理芯片、车身控制芯片等。积极配合新能源汽车开发的需要，开发电机驱动与控制、电力储存、充放电管理芯片及模块。 金融IC卡/RFID芯片：顺应银行卡从磁条卡向IC卡迁移的趋势，开发满足金融IC卡电性能、可靠性和安全性等需求，具有自主创新、符合相关技术标准和应用标准、支持多应用的金融IC卡芯片，推进金融IC卡芯片检测和认证中心建设。开发超高频RFID芯片，满足物联网发展需要。 [#page#] 数控/工业控制装置芯片：发展广泛应用于家电控制、水表等计量计费传输控制、生产过程控制、医疗保健设备智能控制的MCU系列芯片。加强应用开发研究，增强开发工具提供能力。针对实际应用需要开展高端DSP、模数/数模(AD/DA)、现场可编程门阵列(FPGA)等芯片工程项目。 智能传感器芯片：针对物联网应用，精选有实际应用目标的智能传感器芯片，开发智能传感器与节点处理器的集成技术，极低功耗设计技术，信息预处理技术等。 2、壮大芯片制造业规模，增强先进和特色工艺能力 持续支持12英寸先进工艺制造线和8英寸/6英寸特色工艺制造线的技术升级和产能扩充。加快45纳米及以下制造工艺技术的研发与应用，加强标准工艺、特色工艺模块开发和IP核的开发。多渠道吸引投资进入集成电路领域，引导产业资源向有基础、有条件的企业和地区集聚，形成规模效应，推进集成电路芯片制造线建设的科学发展。[!--empirenews.page--] 专栏2：先进工艺/特色工艺生产线建设和能力提升工程 先进工艺开发及生产线建设。加快12英寸先进工艺生产线的规模化、集约化建设。坚持国际化原则，采取开放合作的方式，推动45纳米/32纳米/28纳米先进工艺的研发及产业化，为22纳米研发和量产奠定基础，从而大大缩短与国际技术的差距，形成具有国际竞争力和持续发展力的专业代工业。 特色工艺开发及生产线建设。支持模拟工艺、数模混合工艺、微电子机械系统(MEMS)工艺、射频工艺、功率器件工艺等特色技术开发，推动特色的工艺生产线建设。加快以应变硅、绝缘衬底上的硅(SOI)、化合物半导体材料为基础的制造工艺开发和产业化。 3、提升封测业层次和能力，发展先进封测技术和产品 顺应集成电路产品向功能多样化的重要发展方向，大力发展先进封装和测试技术，推进高密度堆叠型三维封装产品的进程，支持封装工艺技术升级和产能扩充。提高测试技术水平和产业规模。 4、完善产业链，突破关键专用设备、仪器和材料 推进8英寸集成电路设备的产业化进程，支持12英寸集成电路生产设备的研发，加强新设备、新仪器、新材料的开发，形成成套工艺，推动国产装备在生产线上规模应用，培育一批具有较强自主创新能力的骨干企业，推进集成电路产业链各环节(设计、制造、封测、设备仪器、材料等)的紧密协作，建立试验平台，加快产业化。 专栏3：集成电路产业链延伸工程 先进封装测试。支持BGA、CSP、多芯片组件封装(MCM)、WLP、3D、硅通孔(TSV)等先进封装和测试技术，推进MCP、SiP、封装内封装(PiP)、封装上封装(PoP)等集成电路产品特别是高密度堆叠型三维封装产品的进程。 专用设备、仪器、材料。支持刻蚀机、离子注入机、外延炉设备、平坦化设备、自动封装系统等设备的开发与应用，形成成套工艺，加强12英寸硅片、SOI、引线框架、光刻胶等关键材料的研发与产业化，支持国产集成电路关键设备和仪器、原材料在生产线上规模应用。 五、政策措施 (一)落实政策法规，完善公共服务体系 贯彻落实国发[2011]4号文件，加快相关实施细则和配套措施的制订。加强产业调研，适时调整《集成电路免税进口自用生产性原材料、消耗品目录》。进一步完善集成电路发展法律制度，完善集成电路产业公共服务体系，加强公共服务平台建设，促进设计与应用的紧密联系。 (二)提升财政资金使用效率，扩大投融资渠道 精心组织实施国家科技重大专项和战略性新兴产业创新工程等，突破重点整机系统的关键核心芯片，支持和部署对新器件、新原理、新材料的预先研究。通过技术改造资金、集成电路研究与开发专项资金、电子信息产业发展基金等渠道，持续支持集成电路产业自主创新能力和核心竞争力提升。鼓励国家政策性金融机构支持重点集成电路技术改造、技术创新和产业化项目。鼓励各行业大型企业集团参股或整合集成电路企业。支持集成电路企业在境内外上市融资，引导金融证券机构积极支持集成电路产业发展，支持符合条件的创新型中小企业在中小企业板和创业板上市。鼓励境内外各类经济组织和个人投资集成电路产业。 (三)推进资源整合，培育具有国际竞争力大企业 按照战略协调、资源配置有效的原则，规范推进与各类所有制企业的并购重组。通过设立引导资金、直接注资、贷款贴息和减免相关费用等方式，克服分散重复，推进企业整合，优化企业结构，提高产业集中度，形成一批符合重大产品、重大工艺发展方向的大型企业，以适应产业发展新形势和国际市场竞争的需要。推进政、银、企大力协同，调动、引导、挖掘相关资源，广泛建立银企金融合作的项目开发平台，推动政、银、企合作纵深发展。支持产业联盟发展，以横向联盟推动技术和工艺攻关，以纵向联盟加快产业化进程和推动建立应用市场。 (四)继续扩大对外开放，提高利用外资质量 坚持对外开放，继续优化环境，大力吸引国外(境外)资金、技术和人才，承接国际高端产业转移。吸引跨国公司在国内建设研发中心、生产中心和运营中心。鼓励在华研究机构加大研究投入力度和引进高端研发项目，推动外资研发机构与本地机构的合作。完善外商投资项目核准办法，适时调整《外商投资产业指导目录》，引导外商投资方向。鼓励企业扩大国际合作，整合并购国际资源，设立海外研发中心，积极拓展国际市场。 (五)加强人才培养，积极引进海外人才 建立、健全集成电路人才培训体系，加快建设和发展微电子学院和微电子职业培训机构，形成多层次的人才梯队，重点培养国际化的、高层次、复合型集成电路人才;加大国际化人才引进工作力度，创造有力的政策环境，大力引进国外优秀集成电路人才;引入竞争激励机制，制定激发人才创造才能的奖励政策和分配机制。注重环境建设，努力造就开拓型、具有国际视野的企业家群体。 (六)实施知识产权战略，加大知识产权保护力度 大力实施知识产权战略，在重点技术领域掌握一批具有自主知识产权的关键技术;鼓励企业进行集成电路布图设计的登记，加强集成电路布图设计专有权的有效利用;在专项工程中开展知识产权评议，加大知识产权保护力度，促进市场公平有序的发展;鼓励行业组织、产学研用联盟等开展专利态势分析、建立知识产权预警机制，通过知识产权交流与合作，促进集成电路产业发展。

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