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  • 意法半导体(ST)发布新款汽车芯片

     近日，横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商、先进汽车芯片顶级供应商意法半导体，发布了新的汽车信息娱乐处理技术，让有助于提升普通汽车高档感的纯数字式仪表盘(俗称液晶仪表盘)走进中低端车型。 意法半导体新推出的Accordo5汽车处理器产品家族可以让一个低功耗、小尺寸的处理器平台满足经济型汽车显示屏的主要性能要求。新产品单片集成完整的图形控制和音视频处理功能，有助于汽车系统厂商节省研发成本，简化组装工序，降低全数字仪表盘和影像导航主机的成本。Accordo5汽车处理器可实现驾驶者十分看重的实用功能，例如智能手机投屏可以让驾驶者在车载显示屏幕上安全查看或使用手机上的内容，例如音乐和导航服务。先进的主处理器和高性能图形及音视频引擎可以实现复杂的信息显示功能，例如，同时显示用户界面、倒车影像、导航地图、视频预览。播放功能支持H.264和DivX®等主要视频编码格式，以及涉及图形混合覆盖等图效处理的2D和3D图形。新产品提供USB接口和SD存储卡接口。 安全是用户看不到的，但对于今天网络化越来越高的汽车至关重要，Accordo5汽车芯片集成一个高性能安全微控制器，保护多媒体主机与汽车网络之间的连接通信安全。这款安全微控制器内置启动代码鉴权、安全互连和高性能数据加密等功能。 意法半导体汽车产品与分立器件事业部副总裁兼汽车数字产品部总经理FabioMarchio表示：“用图形界面的数字仪表盘代替传统的机械开关旋钮、按键和指示灯，可以让驾驶者更方便地了解汽车状况和车辆周围情况，数字影像主机可提升驾驶安全性和便利性。Accordo5汽车处理器通过高成本效益的单片解决方案提供最先进的功能，让汽车企业能够将这些好处提供给更多的客户。” 技术细节：Accordo5产品家族是意法半导体取得市场成功的Accrodo产品线的最新一代产品，集成ARM®Cortex®-A7处理器，各项参数领先于市场上其它品牌的数字信息娱乐芯片。Cortex-A7架构不仅尺寸小，而且性价比高，运算处理性能优异，访存速度快。Accordo5系列为设计人员提供多种配置选择，单核CortexA7支持外部16位高性能DDR3存储器，以及双核Cortex-A7支持外部16或者32位高性能DDR3储存器。 Accordo5虽然主打中档汽车市场，但是500MHz3D图形处理器内核使其图形处理性能远超同级产品。系统架构支持1080p分辨率的2D和3D图形，常用格式包括OpenVG、OpenGLES-2.0，具有图形效果功能，例如，灵活的多达四图层混合和视频覆盖功能。多格式视频子系统提供图效后处理功能，例如画中画。高性能音频DSP、六个立体声模拟声道和支持多个工业标准的音频接口使提Accordo5具有非凡的音频性能。内置显示控制器支持全高清分辨率的TFT-LCD触屏。 新产品家族进一步强化了安全性，内部集成一个ARMCortex-M微控制器，专门管理数字仪表盘与汽车主网络之间的CAN接口的安全。Accordo5芯片集成三个CAN端口，其中一个支持最新的CANFD高速传输标准，片上硬件密码加速器支持SHA-2、PK和AES加密算法，一次性可编程(OTP)存储器用于保存主密钥，防止数据被恶意篡改。这款微控制器的待机电流极小，整个芯片的功耗都经过精心优化，从而最大限度降低对汽车的电池消耗。 关于其它的先进技术，更高的热耗散-执行性能比有助于简化热管理设计，提高运行可靠性;灵活的信号布线可简化音频设计。 意法半导体为设计人员提供功能全面的软件和中间件IP，使用这个平台开发功能丰富的显示屏和仪表板变得更加简单。

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  • 中美学者联手打破限制谐振器设计的“时间带宽极限”

     中美学者日前联合在著名期刊《科学》上发表了一篇论文，打破了限制谐振器设计的"时间带宽极限"，被国外媒体称为"解决了一个百年物理难题"。论文共同作者之一、浙江大学光电学院现代光学仪器国家重点实验室郑晓东研究员告诉记者，本研究将对新型器件和系统的发展起到深远作用。论文共同第一作者、南昌大学沈林放教授此前亦曾在浙大现代光学仪器国家重点实验室工作。 谐振器件与系统在现代社会的各行各业得到广泛应用，如激光谐振腔、各种波导等。离开谐振，计算机不再计算、手机不能刷屏、电视无法显示图像、收音机无法收音、手表无法定时…… 长期以来，谐振系统的设计被认为受制于一个基本极限。科学家在1914年就发现，谐振腔要么储能时间较长，而带宽窄;要么带宽较大，但储能时间短。带宽表明数据的存储量。"时间带宽极限"意味着，在谐振腔内长时间存储大数据是不可能的，“长时间”和“大数据”鱼和熊掌不可兼得。 这种时间带宽极限规律提出之后的100多年来，从来没有被挑战过。物理学家和工程师一直据此来设计和构建光学、声学、电子谐振系统。从前沿的微纳/慢光波导、到原子/分子结构中的振动关系、所有类型的谐振腔、晶体振荡器等等被时间带宽极限所限制。 受时间-带宽限制的诸多光、电系统 而中美科学家本次研究打破了这一魔咒。郑晓东用一个粗略的比喻解释了科学家们的做法。谐振腔就像一间屋子，在门口的人通过荡秋千进入和离开屋子。谐振腔的时间带宽极限意味着这样一种奇怪的规定：如果大家荡秋千的速度一样，那么就以这同一速度荡进去，可以在屋子里待上比较长的一段时间，再统一荡出来;如果彼此速度不同，有快有慢，那就只能在屋子里待很短的时间，一进去就得荡出来。而科学家们提出的新方法，让人们并排以正常速度荡入屋内;而离开时就不再并排，而是以可控的速度依次按顺序向外回荡。也就是说，利用控制能量以不同速率进入和离开谐振腔的方法，或者说设计进、出时间非对称的谐振系统，成功打破了一百多年来限制谐振器设计的"时间带宽极限"。系统非对称的程度越高，超越"极限"的程度也越高。 接下来的问题是，如何能使进入和离开谐振系统的能量具有可以自由调节的速率，这是实现非对称系统设计的关键。论文中所使用的独家秘笈就是南昌大学和浙江大学合作研究的磁光材料混合谐振腔/波导系统利用这种系统，就可以游刃有余地自由控制反向传播电磁波的能量传播速率，在太赫兹波段，传统的时间—带宽限制已经可以提高上千倍。从理论上说，这种不对称系统中根本没有上限，带宽不再受制于能量的存储时间。 郑晓东认为，谐振系统时间带宽极限的突破，将会在物理和工程的众多领域产生深远影响，潜在应用前景十分广泛，包括通信、光探测、能量采集和信息存储等。例如，人们有可能实现真正的超连续谱直流激光，人类可以将很多现在的光源变成方向性的光源，甚至改变现在太阳能的储能模式等等。可以预料，在不远的将来，据此原理的大量新型器件和系统将应运而生。

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  • 我国石墨烯太赫兹外差混频探测器研究获进展

     近日，从中国科学院获悉，中国电子科技集团有限公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中国科学院纳米器件与应用重点实验室再次合作，在高灵敏度石墨烯场效应晶体管太赫兹自混频探测器的基础上，实现了外差混频和分谐波混频探测，最高探测频率达到650GHz，利用自混频探测的响应度对外差混频和分谐波混频的效率进行了校准，该结果近期发表在碳材料杂志Carbon上。 频率介于红外和毫米波之间的太赫兹波在成像、雷达和通信等技术领域具有广阔的应用前景，太赫兹波与物质的相互作用研究具有重要的科学意义。高灵敏度太赫兹波探测器是发展太赫兹应用技术的核心器件，是开展太赫兹科学研究的重要手段与主要内容之一。太赫兹波探测可分为直接探测和外差探测两种方式：直接探测仅获得太赫兹波的强度或功率信息;而外差探测可同时获得太赫兹波的幅度、相位和频率信息，是太赫兹雷达、通信和波谱成像应用必需的核心器件。外差探测器通过被测太赫兹信号与低噪声本地相干太赫兹信号的混频，将被测信号下转换为微波射频波段的中频信号后进行检测。与直接探测相比，外差探测通常具备更高的响应速度和灵敏度，但是探测器结构与电路更加复杂，对混频的机制、效率和材料提出了更高的要求。 天线耦合的场效应晶体管支持在频率远高于其截止频率的太赫兹波段进行自混频探测和外差混频探测。前者是直接探测的一种有效方法，可形成规模化的阵列探测器，也是实现基于场效应晶体管的外差混频探测的基础。目前，国际上基于CMOS晶体管实现了本振频率为213GHz的2次(426GHz)和3次(639GHz)分谐波混频探测，但其高阻特性限制了工作频率和中频带宽的提升。 石墨烯场效应晶体管因其高电子迁移率、高可调谐的费米能、双极型载流子及其非线性输运等特性为实现高灵敏度的太赫兹波自混频和外差混频探测提供了新途径。前期，双方重点实验室秦华团队和冯志红团队合作成功获得了室温工作的低阻抗高灵敏度石墨烯太赫兹探测器，其工作频率(340GHz)和灵敏度(～50pW/Hz1/2)达到了同类探测器中的最高水平。此次合作进一步使工作频率提高至650GHz，并实现了外差混频探测。 如图1所示，工作在650GHz的G-FET太赫兹探测器通过集成超半球硅透镜，首先通过216、432和650GHz的自混频探测，验证了探测器响应特性与设计预期一致，并对自混频探测的响应度和太赫兹波功率进行了测试定标。在此基础上，实现了本振为216GHz和648GHz的外差混频探测，实现了本振为216GHz的2次分谐波(432GHz)和3次分谐波(648GHz)混频探测。混频损耗分别在38.4dB和57.9dB，对应的噪声等效功率分别为13fW/Hz和2pW/Hz。2次分谐波混频损耗比216GHz外差混频损耗高约8dB。 此次获得混频频率已远高于国际上已报道的石墨烯外差探测的最高工作频率(～200GHz)，但中频信号带宽小于2GHz，低于国际上报道最高中频带宽(15GHz)。总体上，目前G-FET外差混频探测器性能尚不及肖特基二极管混频器。但是，无论在材料质量还是在器件设计与工艺技术上，都有很大的优化提升空间。根据Andersson等人预测，G-FET的混频转换效率可降低至23.5dB，如何达到并超越肖特基二极管混频探测器的性能指标是未来需要重点攻关的关键问题。

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  • 科学家在一块芯片上成功整合光与电

     “人们相信，最好的计算机是用电信号来处理而用光信号来传输。”美国东北大学物理学副教授斯瓦迪克·卡尔说。为此人们迫切需要一种芯片整合设备，既能用光输入，也能用电输入来进行逻辑操作。 美国东北大学和韩国庆熙大学科学家共同发表在最新一期《自然·光子学》杂志上的论文显示，他们首次在一块电子芯片上整合了电子和光的性质，并开发出一系列基于这种芯片的创新型设备，为制造混合光电逻辑元件提供了一种可升级平台，也代表了未来光电计算机制造中的一项关键性突破。 去年，卡尔和本校机械与工业工程系副教授容俊中(音译)合作发现，如果把碳纳米管和硅连接，其界面上产生光感应电流的速度比传统光电二极管中的硅—金属界面更快。“这种能让电流‘突然激增’的性质有助于我们设计出用光开关的先进设备。”卡尔说。 据物理学家组织网2月25日报道，他们利用这一发现，开发出一种新的基于光电二极管的逻辑设备，用碳纳米管和硅的混合连接，就可以用光和电两种输入来操控输出电流。他们还与韩国庆熙大学教授权永昆(音译)合作，运行了这些连接的计算模型。 这些新开发的创新型设备包括三种新元件和一个升级设备。第一种是“与门”(AND-gate)，需要同时有电子和光输入而产生一个输出，这种开关要两因素同时具备才会触发;第二种是“或门”(OR-gate)，只要两个感光器其中之一输入，就会产生一个输出;第三种是一个4-比特光电数字—模拟转换器，可用于把数字信号转换为模拟信号，比如把MP3文件的数字内容转换成真实音乐，这种能力非常重要。 升级设备是把25万个微芯片集成在一个约1厘米见方的晶片上，就像一个摄像机传感器的前端。虽然这种设备要充分发挥功能还要更多微芯片，但目前可用来测试他们的汇编程序是否可重复。 研究人员指出，计算机即使要输出最简单的结果，每秒钟也得处理数十亿次计算步骤。如果每一步都能快一点点会怎样?卡尔说，要提高它们处理这些步骤的能力，就要从只提高一步开始，这就是我们所做的。

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  • 北大半导体耦合多量子点量子比特器件研究取得重要进展

     在不远的将来，摩尔定律所预示的微电子器件的尺寸将微缩到一系列物理极限，这一技术进步推动科研人员利用纳米技术寻求一个完全基于量子效应的信息处理方案。经过近二十年的发展，半导体量子点自旋比特固态器件以其可调控性和可扩展性成为最具应用潜力的固态量子计算方案之一，目前已成为以凝聚态物理为背景，融合了凝聚态理论、量子物理、纳米加工技术、纳米电子学、低温技术、半导体器件工艺等多个研究方向的前沿交*研究领域。 近日，北京大学信息科学技术学院、固态量子器件北京市重点实验室“千人计划”教授徐洪起课题组，与中国科学院半导体研究所、半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员课题组合作，首次采用砷化铟(InAs)纳米线制备出具有高可调性的半导体耦合三量子点量子器件，并对器件的电子稳态构型、相干输运和电子在远距离量子点之间通过虚态辅助隧穿进行长程交换的物理过程进行了精细测量。该研究展示了基于半导体纳米线的线性三量子点体系可被用为通用量子器件平台，以及构筑具有长相干时间、全电学调控的自旋量子比特器件和量子计算芯片的潜力。 半导体InAs材料具有较高的电子迁移率、较小的电子有效质量、较大的朗德因子和较强的自旋-轨道耦合。在本研究中，联合课题组采用先进局域底指栅阵列技术，在单根单晶纯相InAs纳米线上构造出串联耦合的三量子点结构，其中限制量子点的局域势垒、量子点中的电化学势、量子点之间的隧穿耦合强度均可被独立调控;量子点输运性质的测量和调控是在超低温稀释制冷机环境下完成的。该工作是首次在半导体InAs纳米线三量子点器件中，以精细栅调控技术实现以能量简并四重点为标志的三量子点相干共振耦合。研究还通过电子相干输运测量证实，在中间的量子点处于库仑阻塞状态时，被中间量子点隔开的两端量子点之间依然可通过共隧穿实现相干强耦合，其单电子能够在远端两个量子点之间进行长程相干交换，从而展现超交换相互作用的物理过程。

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  • LED芯片迈入深水区洗牌，新一波产能释放将敲定格局

     LED芯片端的集中度已经迈入深水区，行业格局大势已经基本形成。以三安、华灿等为首的芯片端领头羊梯队格局已定，而剩下的其他芯片端企业在下一波产能释放时，将面临怎样的生存现状呢? 为深入了解当前芯片端的市场格局现状下的LED芯片的未来市场发展和技术策略，TrendForce旗下研究品牌LEDinside于光亚展期间采访了华灿光电股份有限公司营销总监施松刚先生。 行业集中度上升导致进入门槛变高，小规模将死在这波产能释放里 随着行业发展的日趋成熟，市场份额越来越向具有技术及规模优势的企业加快集中。国内芯片的格局基本形成，产业也进入资本驱动成长阶段。 作为没有上市的中小型LED芯片企业，在没有资本驱动下，连参与规模战的机会都没有，尤其是芯片这种重资产投入的环节。施松刚也表示，“行业发展到现在阶段，芯片端的竞争已经是规模战，这样不仅抬高了新进入者的门槛，同时也在成本上逼迫了中小型芯片企业退出”。 据集邦咨询LED研究中心(LEDinside)市场数据显示，到2017年年底，华灿等LED芯片扩产的产能将大幅释放，届时中小型的LED芯片企业将直接进入寒冬。虽然此次光亚展参观的人数很多，市场甚至传出回暖讯息，但是对于拥有几十台旧的MOCVD小企业来说，未来会一直是寒冬，而且很有可能会死在这波寒冬里。 细分市场机遇，芯片端留给新进者的空间不大 当传统LED照明显示背光市场进入稳定期，产业都在寻找利基市场。一时间，对于生存在被逼到边缘地带的LED企业，都企图希望寻找到细分市场来谋取新机，但是事情却并不是那么容易。 近年来，迫于大陆芯片封装规模价格战的强势策略，台系LED厂纷纷加速转型，继华上弃守蓝光之后，佰鸿透过转投资高辉光电生产蓝光LED晶片，于2016年底停产所有氮化镓生产线，转进IRLED、四元LED。而且随着今年LED照明渗透率持续创新高，台湾地区有意愿继续投产蓝光LED的厂商已经愈来愈少，大陆不仅如此，而且领头企业还在纷纷扩产。 据施松刚表示，目前芯片端规模越来越大导致门槛变相提高，而且很难有一个新的细分市场，让没有规模的企业很好的生存。其主要原因表现为三个方面：首先、细分市场本身对技术的要求就高于现有的传统LED的成熟应用，如果你没有规模也很难进去。其次、现在市场比较透明，如果既没有规模成本优势，也没有技术优势，那么新的细分市场，随着封装厂行业的整合，新的细分市场进入的企业也不多，留下来的空间也不多，越来越难。再次，新技术或者说更前沿的东西还跟相关配套设备有关，而早期的设备必然渐渐被淘汰，因为没法适应现在的技术，新设备的投入又太大，到时很多中小企业被迫让出市场。 新技术研发方面，华灿光电去年起开始加大投入，其中红外LED预计今年底有望实现量产，与著名厂商合作研发MicroLED项目也取得初步成果。深紫外，植物照明等市场研发均在积极部署中。 加码布局倒装、CSP，芯片端技术未来走向渐清晰 今年光亚展倒装、CSP已经几乎覆盖所有封装厂，倒装、CSP在LED行业已行之多年，过去国内厂商CSP一直处在样品和小规模阶段，但是进入今年显然已经成为各大芯片、封装企业的参展产品重点。 但作为倒装芯片延伸出来做减法的新技术CSP，成本却很高，施松刚表示，“现在成本高的原因还是局限在细分市场，但这也是一个必经之路，因为新技术都是从新的细分市场开始渗透。但是从长远来看，一旦CSP、倒装芯片从成本、规模足够成熟起来，那么它的份额会越来越大”。 施松刚还表示，就当前CSP产品市场发展来说，肯定不是成本原因上的替换。虽然从芯片端来看，确实是高。那是因为倒装本身的工艺复杂、产品又没有形成规模效应。但是目前企针对倒装产品更多是采取成本之外的附加值来进入高阶的细分市场。 关于华灿CSP、倒装的策略，施松刚表示，华灿今年参展产品是以倒装为重点方向，无论是产品系列，产品规模还是针对细分市场其策略都更加清晰更加明确。目前华灿倒装CSP产品主要是针对车载市场、背光市场和闪光灯市场，而且公司倒装产品增长幅度相较去年增长了300-500%，并且Q3还会继续加快扩充。

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  • Spectrum仪器引领行业浪潮，旗下全线产品质保五年

    全球领先的PC测试测量设备设计制造商Spectrum仪器公司今日正式宣布，其旗下全线产品保修期由两年延长至五年，引领行业浪潮。   Spectrum仪器首席执行官吉塞拉.哈斯勒(Gisela Hassler)表示：“将产品质保期由两年延长至五年能够充分体现Spectrum仪器全系列产品的高水准以及公司在行业中的领导地位。基于对用户在过去十几年间的维修记录及反馈，我们非常有信心的为其提供高质量且性能卓越的产品。今年我们维修的最老的一台机器是由Spectrum仪器在十四年前制造的，至今仍能满足客户的各项需求。对于一些在工业和医疗行业领域的高端设备制造商，产品的使用年限对其尤为重要。此外，Spectrum仪器也在一些长期的研究项目中扮演了至关重要的角色。因此，自2017年7月1日起我很荣幸的向所有的用户及合作伙伴宣布，Spectrum仪器全线产品保修期为五年。”   Spectrum 仪器首席执行官吉塞拉.哈斯勒(Gisela Hassler) 此次宣布的五年质保服务是Spectrum仪器战略拓展的重要部署之一。与此同时，为了进军全球市场，公司还于同日宣布由Spectrum Systementwicklung微电子公司正式更名为Spectrum仪器，并与官网网址对应。 吉塞拉.哈斯勒补充到：“如果没有一个全球性的品牌认知，将会阻碍我们营销策略的发展。 Spectrum Systementwicklung 微电子公司在过去的25年间已经成为德语系国家中家喻户晓且值得信赖的品牌，然而在其它国家我们的公司名称却很少有人能读出来。因此，我们也常常被用户简称为Spectrum，而无法建立一个有效的品牌概念。这一点在美国显现尤为明显。因此在2015年我们注册美国子公司时选择了Spectrum仪器公司这个名字。事实证明，这个新名字很受欢迎。Spectrum 仪器简单、易读而且非常国际化，同时也直接映射出了公司的服务范畴。强大的品牌理念使我们在国际上获得了更多的合作伙伴以及分销商。” “现在公司已经拥有明确的全球品牌标识，这也将从根本上强化我们自身的优势所在。Spectrum仪器在产品的模块化设计方面一直处于行业领先地位。“通过主板与各种子板的衔接和配合，我们可以拼装出完全符合用户要求的解决方案，并满足其所有对规格方面的要求。一般公司通常只有十几种标准化产品，很多问题只好折中去解决。但我们的方案意味着用户将拥有超过500种产品，每次都能提供最完美的解决方案”。”吉塞拉.哈斯勒解释说。 通过近期的一系列举措，公司未来业务量将继续成两位数增长。其增长一部分来源于公司最近在亚洲增加的一系列销售活动，目前在销售总体量中保持均衡。“为国际公司制造商品时，质量至关重要，” 吉塞拉.哈斯勒补充说：“为此，设备必须经过严格的测试。这也是为什么众多客户选择Spectrums仪器测试测量设备的原因。从数据采集到信号发生器，用户能够以最具成本效益的方式找到最合适他们的产品。”

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  • 产业“新发动机” 第三代半导体发展迅速

    “到2030年，第三代半导体产业力争全产业链进入世界先进行业，部分核心关键技术国际引领，核心环节有1至3家世界龙头企业，国产化率超过70%。”这是日前在京举办的第三代半导体战略发布会上，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲所描述的我国半导体产业未来的发展前景。 据专家介绍，与第一代、第二代半导体材料及集成电路产业上的多年落后、很难追赶国际先进水平的形势不同，我国在第三代半导体领域的研究工作一直紧跟世界前沿，工程技术水平和国际先进水平差距不大。当前，已经发展到了从跟踪模仿到并驾齐驱、进而可能在部分领域获得领先和比较优势的阶段，并且有机会实现超越。 因其有较好的应用前景和未来市场潜力巨大，第三代半导体产业也被我国决策层纳入战略发展的重要产业。例如，从2004年开始，我国政府就第三代半导体材料研究与开发进行了相应的部署，并启动了一系列的重大研究项目。2013年，科技部在863计划新材料技术领域项目征集指南中也特别指出了要将第三代半导体材料及应用列入重要内容。 技术水平并驾齐驱 据悉，第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、搞电子密度、高迁移率等特点，因此也被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。 记者在采访中获悉，半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半导体材料以硅(Si)为代表，以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料和以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)等宽禁带为代表的第三代半导体材料。相较前两代产品，第三代半导体其性能优势非常显著且受到业内的广泛好评。 对于第三代半导体发展，科技部高新司副司长曹国英曾表示，第三代半导体联合创新基地的建设对促进产业的发展具有十分积极的作用，科技部高新司也将会持续支持第三代半导体的建设及基地的发展。 一些地方也将半导体产业的发展作为主要项目予以特别关注。例如，北京市科委主任闫傲霜就曾表示，建设第三代半导体材料及应用联合创新基地，既是国家级的重要战略部署，也是北京作为全球科技创新中心的一项重要的决策。 有专家举例说，氮化镓技术正助力5G移动通信在全球加速奔跑，5G移动通信将从人与人通信拓展到万物互联，预计2025年全球将产生1000亿的连接。5G技术不仅需要超带宽，更需要高速接入，低接入时延，低功耗和高可靠性以支持海量设备的互联。 在专利方面，决策层对第三代半导体产业的知识产权问题也较为重视。在2015年，我国不仅成立了第三代半导体专利联盟，而且还搭建了第三代半导体只是产权创新服务平台。同年5月份，京津冀就联合共建了第三代半导体材料及应用联合创新基地，抢占第三代半导体战略新高地。 市场份额从5%扩大50% 第三代半导体以氮化镓毫米波器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗也成为各地政府争相推进的项目。近几年，第三代半导体产业也在各级政府的支持下得到了快速发展，市场份额也实现了快速发展。 根据国际半导体设备与材料产业协会(SEMI)发布的报告，预计将于2017年—2020年间投产的半导体晶圆厂约为62座，其中26座将设于中国，占全球总数42%。这些建于我国的晶圆厂2017年预计将有6座上线投产。 中商产业研究院给记者提供的数据显示，2000年~2015年之间，中国半导体市场增速领跑全球，达到21.4%，其中全球半导体年均增速是3.6%，美国将近5%，欧洲和日本都较低，亚太较高是13%。 就市场份额而言，目前中国半导体市场份额从5%提升到50%，成为全球的核心市场。2015年全球半导体市场销售额为3352亿美元，同比下降了0.2%。而相对应的是中国半导体市场依旧保持较高景气度，半导体市场规模达到1649亿美元，同比增长6.1%，成为全球为数不多的仍能保持增长的区域市场。 根据国际半导体产业协会(SEMI)公布最新出货报告显示，今年5月北美半导体设备制造商出货金额为22.7亿美元，环比增长6.4%，同比增长41.9%，创下自2001年3月以来历史新高。SEMI预计，2017年全球设备出货量将达到历史新高490亿美元。 在全球半导体市场火热带动下，我国与之相关的半导体企业其利润也迎来了“开门红”。截至6月21日，有13家半导体企业发布了2017年中报业绩预告，在13家半导体企业中，有9家预增续盈，增长比例近七成。 记者统计显示，康强电子、华天科技、洁美科技预计半年报净利润最大增幅超50%。据康强电子预计，上半年净利润为2700万-3500万元，同比增长53.59%-99.10%。对于业绩增长的主要原因，公司表示，半导体行业持续回暖，预计公司制造业板块主要产品产销量及销售收入较上年同期有较大幅度增长。公司推进管理转型升级，提高运营效率和产品质量，降本增效。 中商产业研究院半导体研究员林宝宜在接受《中国产经新闻》记者采访时说，半导体设备制造商出货金额持续高速增长，主要驱动力来自于技术与市场两方面。技术方面源于相关厂商对3DNAND及高阶制程的持续投入。市场方面来自于近年来晶圆厂的建设浪潮，这两方面驱动力未来两年内将持续推动半导体产业不断提升。 整体实力仍显不足 近些年来，我国的第三代半导体产业发展相较以往可以说取得了不少的进步，其技术也逐步从第一代、第二代迈向了第三代。其产业规模也在不断扩大，产业发展潜力巨大。 值得一提的是，第三代半导体材料在应用领域涉及到能源、交通、装备、信息、家用电器等多个领域。然而，涉及面广的第三代半导体材料因产业链长、应用覆盖面广，国内绝大多数的企业在独立完成全产业技术创新方面仍不足。造成的结果就是，虽然我国第三代半导体在技术研发方面与发达国家相比差距较小，但仍然面临不少技术难关。 而事实上，这一困境也成为不少企业在发展过程中所面临的一大挑战。“半导体产业发展十分火热，但是从整体实力来看仍然存在不足”。林宝宜说，在IP核市场，中国依旧严重依赖外部供给，85%以上为国外供应商提供。 有数据显示，2015年中国集成电路进口金额2307亿美元，其进口额超过原油，成为我国第一大进口商品，出口集成电路金额693亿美元，进出口逆差1613亿美元。较大的逆差凸显半导体市场供需不匹配，严重依赖进口的局面亟待改善。 华南智慧创新研究院院长曾海伟认为，国内的半导体产业需求已占到全球市场需求的30%，但产能只有10%，处于产业链的底部，更是缺乏大型的、有核心技术及话语权的龙头公司。 曾海伟在接受《中国产经新闻》记者采访时表示，半导体的发展不是一朝一夕发展起来的，我国半导体发展还面临着人才、技术和经验的瓶颈。同时，创新链不通、缺乏体制机制创新也是阻碍其发展的原因。 “最大的瓶颈是原材料。”多位业内专家曾表示，我国原材料的质量、制备问题亟待破解。目前，我国对sic晶元的制备尚未空缺，大多数设备靠国外进口。 也有专家认为，国内开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始创新问题。国内新材料领域的科研院所和相关生产企业大都急功近利，难以容忍长期“只投入，不产出”的现状。因此，以第三代半导体材料为代表的新材料原始创新举步维艰。 所谓的原始创新就是从无到有的创新过程，其特点是投入大、周期长。以SiC为例，其具有宽的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，非常适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。 资料显示，SiC生长晶体难度很大，虽然经过了数十年的研究发展，到目前为止只有美国的Cree公司、德国的SiCrystal公司和日本的新日铁公司等少数几家公司掌握了SiC的生长技术，能够生产出较好的产品，但离真正的大规模产业化应用也还有较大的距离。因此，以第三代半导体材料为代表的新材料原始创新举步维艰，是实现产业化的一大桎梏。 有业内人士认为，虽然半导体产业从来不是完全由市场决定的，都是以企业为主，我国的半导体产业还不具有很强竞争力，与中国的大国地位还不匹配，半导体企业还需要跟欧美、日韩的企业学习，还有很长的路要走。

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  • 首届电子产业创新湾区论坛落户大亚湾，协同推动电子产业的创新与发展

    7月1日，《深化粤港澳合作 推进大湾区建设框架协议》在香港签署，粤港澳大湾区成为全球瞩目的热点。而在此前一天，首届电子产业创新湾区论坛在大亚湾隆重召开，包括北京航空航天大学副校长刘刚、中国电子电路行业协会秘书长张瑾、中科院微系统所上海新微集团总经理秦曦、金百泽董事长武守坤博士、世强先进科技总裁肖庆、前海产业智库秘书长罗润华、华正新材董事长刘涛、中科院高能物理研究所谢宇广博士和赛迪顾问副总裁李珂等在内的近200名产业高层、科研院校、政府机构、媒体记者共聚一堂，从产学研、供应链、研发链、技术/投资孵化、教育创新等多个角度共同热议湾区时代的电子产业协同创新话题。 集众智创未来，协同创新将成湾区经济发动机 “协同创新，要打破区域界限，集众智才能创未来。”本届论坛组委会主席、金百泽董事长武守坤博士向记者介绍，本次论坛由金百泽旗下众创空间云创工场承办，论坛主题为“以协同创新促协同发展”，志在打造成粤港澳大湾区电子创新领域思想碰撞和经验分享的年度盛会。“粤港澳大湾区的发展离不开湾区城市群之间良好的分工和协作，电子产业的创新同样离不开产业链上下游企业的配合，协同创新将是湾区经济的发动机，而我们的这个论坛，则希望能够为发动机做好润滑剂。” 论坛组委会主席、金百泽董事长武守坤 “抓创新就是抓发展，谋创新就是谋未来。”论坛指导单位中国电子电路行业协会秘书长张瑾在开幕致辞中也强调了创新的重要性，并希望能通过这次年度盛会集中产业智慧，以协同创新促进电子信息产业的发展。 中科院微系统所上海新微集团总经理秦曦阐述了国家政策对科技创新的支持力度以及近年来取得的成果，并介绍了新微集团“三位一体”开放创新模式，他认为，三位一体形成的创新链、产业链和资金链联动的融合发展体系对湾区协同发展有一定的参考价值。 中科院微系统所上海新微集团总经理秦曦 深圳北航新兴产业技术研究院执行院长王保江则用国学来讲述创新之道，企业在“守成”与“创新”的过程中，时时刻刻需要有“归零”的心态和思想认识，从小到大各个方面不断地能够抛弃过去的优势，不断地实现创新，以谋其长期可持续发展。而对于企业创新而言，不论是局部创新、还是全局创新，都可映射为“从0-1”，此事的基本规律概括为两句话：“走一步试一步;走一步是一步”，这样的定位才能够务实地指导实现创新，并通过风险管控实现创新引领的发展。 深圳北航新兴产业技术研究院 执行院长 王保江 论坛协办单位世强先进科技总裁肖庆表示，中国拥有数百万的中小企业，仍然面临着创新信息难达到、不权威，渠道资源分配不均，无法得到更多创新支持服务，元件选型难，新产品研发时样品良莠不齐、正品难买到，研发成本高等问题。这一情况下，电子行业中的元器件原厂、分销商、小批量制造和服务供应商应更加紧密的团结在一起，更好的利用自身平台，为智能硬件企业解决现实困扰，为他们的创新提供了尽可能多的支持与帮助。 世强先进科技总裁肖庆 前海产业智库秘书长罗润华提议建设“前海-滨海大道-惠深沿海高速-大亚湾”为轴心的科技创新走廊。大亚湾以全面接轨粤港澳大湾区为契机，建立示范区。将大亚湾示范区打造成为与深圳创新政策接轨区、高端产业协同发展区、科创资源重点辐射区、一体化交通体系枢纽区、公共服务融合共享区。 前海产业智库秘书长罗润华 赛迪顾问副总裁、中国半导体行业协会信息交流部主任李珂通过对当前大数据、云计算、物联网、人工智能、可穿戴设备和网络信息安全产品等几大热点领域进行数据分析得出，产业融合正成为发展趋势，产业生态将予以重构，未来在海量接入、数据挖掘和产业重构等方面将有广阔的发展前景。 赛迪顾问副总裁、中国半导体行业协会信息交流部主任李珂 合创资本合伙人刘明宇博士表示，当前时代，医疗和养老将成为增长最为可观的行业，而中国企业、尤其是粤港澳湾区企业具有很大的产业链协作优势，只要找好定位，未来成长可期。 合创资本合伙人刘明宇博士 前IBM采购总监、华南理工与华为大学客座讲师陈锦标认为，随着IOT、大数据、人工智能技术发展，供应链管理和协同也在经历重大变革，必须创造更智能的供应链解决方案来应对挑战、捕捉机遇，必须以最佳的成本满足和超越客户在复杂和不确定的幻想商业环境中提出了更高的要求。 前IBM采购总监、华南理工与华为大学客座讲师陈锦标 中科院高能物理研究所谢宇广博士介绍了与金百泽近几年来的合作科研成果，他认为，科学研究和现代企业、制造企业相结合，有利于充分利用双方优势资源，高效推动科研成果达到更高水平。 论坛支持单位华正新材董事长刘涛认为，如今整个行业的生态在发生改变，以前的做法和模式也在改变。以后的合作模式应该是生态圈的关系，是双向的、互动的，而不是单向的。 电子产业创新湾区联盟筹备正式启动 “在互联网+风起云涌的大时代，在智能硬件连接的物联网世界，连接即链接，链接即资源、链接即生产力，链接即财富。未来，金百泽将融合设计和制造力量，携手合作伙伴、创新创业团队，在粤港澳大湾区和大家一起共建协同共享的创新平台。”本次论坛上，金百泽、华正新材、世强先进科技、中电港在现场签署了共建创新平台的战略合作协议。武守坤博士介绍，金百泽此前已经与富士康、与非网、海尔优家等多个伙伴达成战略合作，加上本次签约的几家合作伙伴，电子产业创新湾区联盟已经呼之欲出。 电子产业创新湾区联盟(筹)签约仪式 “本届电子产业创新湾区论坛为我们搭建了更高层次的创新发展平台，也标志着华正新材与金百泽的合作进入了新的发展阶段。”华正新材刘涛董事长表示，“后续我们将在新产品、新技术、新工艺、新材料开发和共享、测试以及共建共享实验室等方面展开深度合作。” “各大原厂、电子元件分销商、小批量制造和服务供应商应更加紧密的团结在一起，更好的利用自身平台，为智能硬件企业解决现实困扰。世强与金百泽达成全面战略合作伙伴关系，将对智能硬件企业的服务和元件采购，从线下转移为线上线下全面打通，从产品研发、选材、采购、后续服务等多环节入手，进一步助力中国中小企业提高研发能力、降低研发成本。”世强先进科技肖庆总裁认为，产业链企业的联合有利于发挥各自的资源优势，进一步推进中国电子产业发展，共同打造电子产业创新生态圈。 中电港副总经理张强松介绍，中电港将开放更多资源，与大家在中小批量电子元器件渠道、PCB设计/样板/中小批量、创新创业服务、智能硬件设计和制造对接、培训、电商、投资等方面展开紧密合作，互联互通，共同搭建创新创业服务，提高创客创业能力。“希望通过更多战略合作的方式，与伙伴们利用各自在产业链深厚的基础优势，共同发力电子产业创新发展模式。” 论坛永久落户大亚湾，启用大亚湾论坛简称及LOGO “十年前来这里考察时我就有了一个大亚湾梦：大亚湾一定能够迅速发展，成为中国的旧金山湾区。今年粤港澳大湾区的正式推出，使这一梦想即将成为现实，为更快更好地实现大亚湾梦，我们决定今后电子产业创新湾区论坛将永久落户大亚湾。”在论坛开幕致欢迎词环节，武守坤博士充满感情地表示，今后论坛将永久落户大亚湾，希望更多电子行业相关企业参与和加入，早日将粤港澳大湾区打造成比肩旧金山湾区的世界级城市群。

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  • 恩智浦突破固态射频能量极限

     全球最大的射频功率晶体管供应商恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW)，比目前市场上同类产品高出百分之五十。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS，突破了半导体射频功率放大器的极限，使之成为在高功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。 这款晶体管简单易用，极大方便了微波发生器设计人员。与真空管时代的技术(如磁控管)相比，MRF13750H具有卓越的精度、控制性和可靠性。MRF13750H支持在0至750W的全动态范围内进行精确的功率控制，并可实现频移，有助于精确地使用射频能量。而且，MRF13750H的性能随时间推移下降很小，能够运行数十年，降低了总拥有成本。MRF13750H的工作电压为50V，比磁控管更安全。另外，固态功率放大器尺寸小，有助于实现设计冗余和灵活性。 恩智浦市场射频功率工业技术高级总监兼总经理Pierre Piel表示：“长期以来，半导体器件的可靠性和优异的控制特性早已得到认同，但是工业系统设计人员难以组合多个晶体管来匹配磁控管的功率水平。现在凭借MRF13750H的优异性能，工业加热工程师能在非常高功率的系统中使用这种晶体管。” 射频能量联盟执行董事Klaus Werner表示：“鉴于固态射频能量作为高效可控的热源和功率源具有诸多优势，射频能量联盟(RFEA)认为该技术有着不可估量的市场机会，不仅能够改善现有的射频能量应用，而且有助于开发新的能量应用。新产品MRF13750H的强大性能无疑将加速行业向固态射频技术的转型。” 这款新晶体管专为工业、科学和医疗(ISM)应用而设计，范围从700MHz至1300MHz，特别适合工业加热/干燥、固化和材料焊接及颗粒加速器应用。MRF13750H在915MHz时可提供750W CW，效率为67%，封装为3×3.8英寸(7.6×9.7厘米)小封装。

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  • 三星全力量产最强64层3D闪存：SSD可以安心降价了

     闪存、内存的疯狂涨价，让三星今年大赚特赚，当然他们在新技术上的投入也没有手软，今天官方公布的消息显示，三星将在韩国投资186.3亿美元，以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。 之前我们曾报道了三星全球最大芯片工厂将开工的消息，而现在三星位于京畿道平泽市的新半导体工厂已经正式投入生产，其主要量产的是第四代3D NAND闪存芯片，其垂直堆叠达到64层。 三星新一代64层V-NAND数据传输速度为1Gbps，提供业界最短的500微秒(㎲)的烧录器，烧录单个芯片的时间，比典型的10nm级的平面NAND闪存快约四倍，而比三星最快的48层3位256Gb V-NAND闪存的速度快了1.5倍。 三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商，这次开足马力让第四代3D NAND闪存芯片大规模生产，可以缓解闪存、SSD目前短缺的状况，当然也能拉低产品的售价。 接下来，三星还将通过堆叠超过90层的单元阵列，来生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。

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  • 曝三星突然撤销中国七大支社，还将继续裁员

     7月4日下午消息，今日有媒体报道称，中国三星电子组织架构现重大调整。从7月1日起，中国三星电子将撤销七大支社。中国三星电子方面确认了此消息，并称”旨在积极适应市场变化“。 此前，三星电子在中国市场设立了华北、华东、华南、华中、西南、西北、东北七大支社，32个管辖区域。根据媒体报道，撤销七大支社之后，将变为26个办事处，同时中国市场会继续裁员。 中国三星电子方面确认了撤销七大支社的消息，称旨在积极适应市场变化，促进组织管理创新。不过并未对裁员一事进行回应。 去年三星Note7爆炸风波对三星电子在全球的品牌形象造成了巨大冲击，而三星电子方面对中国市场的区别对待也引发了中国消费者的不满。在巨大的舆论压力下，三星终于在2016年10月11日宣布在中国市场展开召回行动。 随着Note7爆炸风波影响的显现，以及中国本土智能手机厂商的崛起，三星电子在中国的智能手机份额不断下滑。根据极光大数据发布的2017年Q1手机行业数据报告显示，三星2017年Q1国内的智能手机销量为456万台，排名第六位，销量同比下滑51.2%，环比下滑22.6%，并且已经连续四个季度大幅下跌。用户忠诚度也由2016年Q1的15.3%降至10.4%，也即意味着只有10.4%的三星手机用户在换机时仍会选择三星。 Note 7爆炸事件后，关于三星电子中国裁员的消息不断传出。据外媒报道，目前三星中国员工数量为37070人，较前一年的44948人下降了17.5%。还有媒体报道称，三星电子中国的工资机制也进行了改革，按分数进行KPI奖金发放，但其条件极为苛刻，几乎很少人能够达到。 此前，专门为中国设立的中国三星官方网站已于4月1日关闭网站及相关服务，被整合进三星电子官网。今年5月，三星电子对中国高管也进行了调整，任命Kwon Kye hyun为中国业务负责人。 以下为中国三星电子回应原文： 创新是三星的DNA。如同我们始终引领行业及产品创新一样，组织管理也不断创新，旨在积极适应市场变化，致力于提升以“消费者为中心”的经营理念，为中国市场提供优质产品和服务，更好地服务于中国广大消费者。 感谢媒体朋友关注三星电子的发展!请更多的关注三星的产品和服务，希望得到您一如既往的支持!

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  • 内存强盛CPU式微 三星有望成全球头号芯片生产商

     一代芯片霸主英特尔(Intel)，今年可能保不住销售额榜首之位了。曾在2016年因“note 7手机爆炸”事件损失惨重，又卷入“朴槿惠事件”纷争的三星电子，有望凭借内存芯片实现超越，成为全球最大芯片生产商。 据美国半导体市场调研机构IC insights的数据分析，三星在2017年第二季度的芯片销售额估计会达到149亿美元，超过英特尔的销售额估值144亿美元。如果成真，这对三星而言将是“一个里程碑式的成就”。 IC insights对三星和英特尔第二季度的销售额估值。(单位：100万美元) 从上图中曲线可以看出，相对于英特尔销售额的疲软，三星电子扶摇直上。它主要的业绩增长来自于DRAM(动态随机存储器) 和NAND flash(资料存储型闪存)，均为内存芯片。 三星在DRAM和NAND flash上的销售额。 成立于1968年的英特尔公司靠研制CPU(中央处理器)发家，它在1971年推出了第一个微处理器，直接推动了计算机和互联网革命。1993年，英特尔发布了具有革命性意义的奔腾(Pentium)处理器。此后，随着个人电脑的普及，英特尔成为了全球头号芯片制造商，占据着该领域的龙头地位长达24年。 不过，曾经的PC霸主英特尔却未能将这种优势保持到飞速发展的移动互联网时代。随着用户对电脑需求的减少，英特尔擅长的个人电脑芯片业务已成夕阳态势。去年有报道称，英特尔宣布了1.2万人的大规模裁员计划。CEO柯再奇(Brian Krzanich)称，这更有利于释放资金，来增长投资业务。尽管英特尔积极转型，其在移动领域却鲜有突破。 三星则逐渐缩小了与英特尔之间的差距，实现了弯道超车。据IC insights的数据，1993年，三星半导体销售额不到英特尔的一半，差距明显，这种趋势一直延续到2006年。但期间三星的销售额世界排名从第7位升至第2位。2016年，三星的销售额(不包括代工厂)为443亿美元，仅次于英特尔570亿美元。 世界半导体市场销售额TOP10 (单位：10亿美元)。 移动设备如手机、笔记本和平板电脑数量的迅速扩张使得内存芯片和SSD(固态硬盘)的需求激增。另一方面，在大数据时代，不断有公司寻求建立自己的数据中心。 野村证券分析师CW Chung称“内存芯片市场的规模已超过中央处理器”。而储存需求不断提高，也必然导致内存芯片价格的大幅提升。 三星作为全球最大的内存芯片制造商，已占有一定的优势。此外，三星电子还生产针对智能手机的自主应用处理器，并为苹果、高通代工处理器。 英国《金融时报》也分析认为，如果内存芯片的价格在下半年不出现大幅度波动，三星全年的销售额将高于英特尔，成为全球头号芯片生产商。《金融时报》预估三星2017年的芯片销售总额为636亿美元，英特尔为605亿美元。

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  • 贸泽电子联手格兰特.今原推出“打造智能城市”系列短片

    贸泽电子(Mouser Electronics)联手明星工程师格兰特.今原为贸泽电子非常成功的Empowering Innovation Together™计划启动最新的“打造智能城市”项目。 该项目将提供5个短片，向大家展示世界各地的工程师和公司如何利用创新型的智能技术打造更加智能、应变能力更强的城市。此活动由贸泽的重要供应商Analog Devices、Intel®、Microchip Technology和Molex提供支持。 在第一集的“打造智能城市”短片中，格兰特.今原将与位于美国旧金山的WIRED Brand Lab的负责人Michael Copeland一起，为这个系列拉开帷幕。他们将一起探讨不断扩张的城市所面临的挑战，并介绍短片系列将如何发展。 业界顶尖的最新半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子的总裁兼CEO Glenn Smith认为，“创新才是针对当前问题的真正解决方案来源”。“我们期待了解世界各地的工程师如何解决他们当地特有的问题，并了解如何将这些解决方案应用于其他城市”。 格兰特.今原则表示，“非常高兴能够参加这样的重要讨论，研究未来的城市将是什么样子，解决问题是工程师的天然职责，所以我很期待了解世界各地的工程师如何帮助打造未来的智能城市”。 此系列短片将带领观众前往葡萄牙、日本和美国加州，了解各个地区所面临的挑战，以及工程师为了解决这些问题而开发出来的出色新技术。贸泽和格兰特.今原将探索具有互联接入点和传感器的公交车和城市交通工具如何构成一个网格网络，提供免费Wi-Fi和大量数据来帮助提高城市运转效率。接下来，此系列将调查室内种植如何成为高密度城市中未来的农业模式，并探讨增强现实技术如何帮助工程师在实际动手建造前，提前对建造过程进行视觉体验并解决发现的问题。 自从2015年推出以来，Empowering Innovation Together计划已成为电子元器件行业知名度和市场认可程度最高的推广计划之一，其中的活动包括将超级英雄的招牌武器引入现实以及3D打印采用无人机技术的半自动汽车。在2017年，贸泽的目标是吸引全球更多的创新工程师参与Empowering Innovation Together计划，并解决困扰大多数人的问题。

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  • 领先一个身位 三星从2019年开始用6nm工艺制造芯片

     根据国外媒体报道，日前有内部人士表示，三星已经开始计划在2019年使用6nm工艺制造移动芯片，而并且将逐渐大幅减少7nm工艺生产线的投资。据悉，三星计划在今年安装两款全新的光刻机，并且计划在2018年继续追加投资7台，这样就将为未来制造工艺的提升提供了支持，同时还能大幅提高产品的生产效率。 高通刚刚决定放弃将三星作为自己7nm工艺处理器的生产合作伙伴，目前两家公司已经开始在10nm工艺的骁龙825处理器进行合作生产。而高通未来在放弃三星之后，将开始与台积电合作，因此在7nm工艺的订单上，三星目前暂时处于劣势。 不过这一决定的最终结果就是，三星明年的大部分订单都将以8nm的工艺完成，而这一技术基本上是对目前10nm工艺的升级版。尽管三星将减少投资，但是未来7nm工艺还是非常有可能使用在三星自家Exynos处理器的生产上。 三星的这一举措具有相当的战略性，尽管明年的7nm工艺生产会受到影响，不过从2019年开始，三星将会在与台积电的竞争中拥有明显的优势。毕竟6nm的制造工艺要比7nm更先进一些。通常来说，半导体的制造工艺越小，最终产品的功耗和性能上就越优秀。而这就意味着在2019年，三星将凭借6nm的制造工艺，成为市面上最领先的芯片制造商。

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