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  • 英特尔发布i9处理器回怼AMD：性能强悍 价格感人

    5月31日消息 据彭博社报道，英特尔发布i9芯片，新产品拥有多达18个处理核心，主要面向游戏玩家和电脑发烧友。英特尔希望通过新产品加强其在高端个人电脑处理器市场上的优势，面对来自AMD的竞争。 AMD此前推出的Ryzen系列据称拥有超越英特尔产品的表现。今年第一季度，AMD试图凭借数款新品强势抢夺PC市场。 英特尔估计，游戏发烧友以及其他愿意花钱升级最高配置的用户代表着一个每年增长20%的市场。尽管全球PC市场自2011年达到峰值之后便逐年下降，但高端市场仍然利润可观。 更高的性能意味着更高的价格和盈利。首款i9-7980XE售价达1999美元，这一价格比许多人的整部电脑更贵。 通过提供优于竞争对手产品的处理器，英特尔在PC芯片市场中占据着超过80%的市场份额和更高水平的销售价格。英特尔的垄断性强势让众多的竞争对手纷纷出局只剩下AMD，而后者已经有五年时间未能盈利。

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  • Intel Core i9来了！为省钱偷工减料，散热有问题

     Intel正式发布了旗舰至尊级别的X299平台，与之搭配的是采用LGA2066接口的到Skylake-X、Kaby Lake-X处理器。 按照产品线划分，Kaby Lake-X序列只有两款4核心，分别属于Core i5/i7，而其他的6/8/10/12/14/16/18核心全部属于Skylake-X序列，分别属于Core i7/i9。 二者共享LGA2066接口和X299主板，但长得并不完全一样，正面散热顶盖的形状和大小是不同的。 虽然新的处理器在规格方面有了极大的提升，让人大呼Intel这次终于不挤牙膏了。但遗憾的是，最新曝光的消息显示，Intel又“偷工减料”了。 知名超频玩家der8auer今天确认，Intel的的Skylake-X和Kaby Lake-X系列处理器均不含采用钎焊导热技术，而是采用“祖传”的硅脂散热，这次Intel首次在至尊平台上采用这一技术。 众所周知，硅脂散热技术的热传导效率相比钎焊来说要低不少，因此散热方面存在不少问题。从Intel的Ivy Bridge处理器开始，硅脂散热材料就成了超频性能最大的阻力。 毫无疑问，这次Skylake-X和Kaby Lake-X使用硅脂而不是钎焊技术，理论上也会限制超频能力的发挥，开盖又会成为主流。

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  • 软银要搞大事情？买了ARM之后又再出手收购Nvidia

     据早前彭博社报道，软银上周末透露其已经获得了一个“未指定数量”的一部分Nvidia股票作为早前宣布的930亿美元的技术投资基金承诺。而该 据早前彭博社报道，软银上周末透露其已经获得了一个，也就是本文刚开篇的40亿美元。 作为一家拥有美国运营商Sprint多数股权的日本公司，软银旨在未来10年左右成为世界上最大的技术投资者，其在Nvidia的股份虽然看起来小，但可谓是一个战略上重要的切点。Nvidia以图形显卡而出名，其应用范围已经广泛存在于世界各地的数以百万计的电脑，它扩大了近年来的视野，包括在汽车行业的合作伙伴关系，以及人工智能的主要投资。 去年，软银收购ARM控股公司(英国处理器公司广泛应用于设备从智能手机、平板电脑、笔记本电脑、网络设备、嵌入式设备、服饰以及更多)，此次326亿美元收购ARM可谓软银最大的一次收购，但随着世界各地对超低功耗芯片需求的不断增长，许多人认为这是日本公司的一个明智之举。 目前，Nvidia公司最近打破了其最新盈利报告的预期，强劲增长得益于其投资于新的细分市场，包括汽车技术和数据中心。

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  • 频繁受打压,中国半导体之路到底怎么走？

    中国集成电路行业发展自主创新，亟欲摆脱西方发达国家的制约，究竟距离世界强国还有多远?半导体行业资深专家莫大康日前认为，中国半导体业离世界强国尚有不短的路程，至少还需10年以上时间。 中国半导体业发展有其特殊性 莫大康对DIGITIMES分析道，中国半导体业发展有其特殊性存在，行业当前发展与全球不同步，在国际上受到瓦圣纳条约控制，涉及国家安全议题;贸易逆差大，市场庞大但是芯片自给率却低，行业仍需要国家资金推动，另外一头地方政府也强势加入竞投这一领域。 莫大康表示，产业仍需要透过政府资金支持，在现阶段是有必要，但不能太久，不应该期待“水到渠成”，应该早下决断，让企业减少依赖性，迫使企业在竞争中的环境条件下自主决策，真正能在市场竞争中锻炼成长。因此现阶段中国的“帮扶式”发展模式，不能太长久。 他认为，中国半导体业发展仍要依靠企业，尤其是骨干企业的进步与成功，这之间，政府要迅速转换角色。中国半导体业发展要齐头并进，除了IC设计、制造及封装业之外，包括配套的设备与材料业等，以及人才培养与产业大环境的逐步改善。 其中，人才的培养离不开优质的“土壤”条件。能迅速的培育人才及留得住人才;“土壤”是什么?这包括对IP尊重、公平竞争、诚信及教育、医疗、房价等环境与条件的配套。甚至，要从根本的教育观念着手，普及最基本的道德理念。 中国半导体业崛起引起美国跳脚 他认为，西方对中国半导体的崛起已有所警戒。之前的美国商务部长普里茨克(Penny Pritzker)在演讲中批评中国一项规模1500亿美元计划，即到2025年前使中国制造的集成电路在国内市场的份额从当前的9%扩大至70%。普里茨克称“这种史无前例的干预，会扭曲市场，破坏创新生态系统”。 美国对华的半导体策略是“大棒加胡萝卜”两手策略， 以“瓦圣约”条约处处制肘中国，透过禁运或出口审查阻挠中国核心技术发展。只要中国在核心技术上取得突破，例如上海中微半导体成功推出先进的等离子体刻蚀机，美国马上宣布相关设备的出口松绑。另一方面，也透过合作模式积极主导其在中国市场的发展，控制核心技术，抢占市场，中国厂商与其合作或者“购买技术”后自己研发，缺少横下一条的斗志，进而削弱了中国的自主研发动力。 中国半导体业要以全新的姿态融入世界 莫大康语重心长地说，中国半导体行业当前要切实做好“追赶者”、“学习者”及“贡献者”角色。中国市场应该继续扩大改革开放，用更宽广的胸怀欢迎来华投资与合作，同时，重视IP保护、融入国际产业链，并打击一切违法行为;此外，更要透过自媒体传达出行业内的 “中国之声”，要自律、不浮夸、少说大话、实事求是、不卑不亢。 在未来的AI、物联网等市场，中国拥有市场优势，很有可能抓紧机遇、异军突起，然后逐步转强，所以要持续坚定的走市场化道路。

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  • 造谣？授权GPU给Intel？AMD：可能性不大

    几个月前就有分析师援引彭博社的报道称，AMD即将与宿敌英特尔达成显卡芯片技术授权协议，上周更有匿名消息人士在一家PC爱好者网站上确认了此事。然而，无论从AMD自身利益角度考虑，还是从该公司CEO苏姿丰本周一在投资者会议上表明的态度来看，AMD与英特尔通过这种方式“化敌为友”的可能性并不大。 过去四年里，AMD在公司史上首位女性CEO苏姿丰的领导下大力推陈出新，面向PC和服务器的中央处理芯片以及瞄准游戏玩家和机器学习任务的显卡芯片都采用了全新设计。如今，AMD已有新一代Ryzen PC芯片和Vega显卡芯片在手。 与此同时，显卡芯片却不是英特尔的专长。而且有报道称英特尔与Nvidia的显卡技术授权协议已经到期。因此，英特尔很有可能通过与AMD达成新的授权协议，来使其集成了中央处理器和显卡功能的芯片组保持市场领先地位。 然而，AMD对于“化干戈为玉帛”似乎并无兴趣。本周一，CEO苏姿丰在波士顿的AMD投资者会议上拒绝正面回应关于向英特尔授权显卡芯片技术的传言，但明确表态她无意助竞争对手一臂之力——尽管并未“点名”提到英特尔。她表示，AMD将考虑通过“选择性”地进行知识产权授权来提升市场份额，但这样做主要是为了在“目前未有产品销售”的市场提高销量或拥有知识产权，而不会“让竞争对手能够与我们的产品竞争”。 带有集成显卡的PC处理芯片组是AMD和英特尔针锋相对的必争之地，所以这绝非AMD“目前未有产品销售”的市场。而且AMD作为唯一同时具备自有高端中央处理芯片和高端显卡芯片产品线的大型芯片厂商，与英特尔签订技术授权协议无疑会削弱其独一无二的市场竞争优势。 与英特尔签订多年技术授权协议将为AMD带来数十亿美元的收入，这一盈利前景无疑会引起华尔街的兴趣。但是苏姿丰在此次投资者会议上也指出：公司全年调整后的每股收益预计为75美分，而这一数字假定没有尚未公布的技术授权新协议。 与英特尔签订技术授权协议的传闻已经对AMD的股价造成了影响：5月17日传出“确认”消息当天，股价从大约11美元升值12.77美元;而CEO苏姿丰未能确认该消息后，股价又在美国时间本周二盘中跌至10.79元。然而不管股价怎样变化，在宿敌相争的局面下，AMD向英特尔授权显卡芯片技术的可能性确实微乎其微。

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  • 原子极限不远了？14埃米或成其终点

    随着半导体发展脚步接近未来的14埃米，工程师们可能得开始在相同的芯片上混合FinFET和纳米线或穿隧FET或自旋波晶体管，他们还必须尝试更多类型的内存;另一方面，14埃米节点也暗示着原子极限不远了… 在今年的Imec技术论坛(ITF2017)上，Imec半导体技术与系统执行副总裁An Steegen展示最新的半导体开发蓝图，预计在2025年后将出现新工艺节点——14埃米(14A;14-angstrom)。这一工艺相当于从2025年的2nm再微缩0.7倍;此外，新的占位符号出现，显示工艺技术专家乐观看待半导体进展的热情不减。 Steegen指出：“我们仍试图克服种种困难，但如何实现的途径或许已经和以前所做的全然不同了。” 14埃米节点也暗示着原子极限不远了。单个砷原子(半导体所使用的较大元素之一)大约为1.2埃。 随着半导体发展脚步接近未来的14埃米，工程师们可能得开始在相同的芯片上混合鳍式场效晶体管(FinFET)和纳米线或穿隧FET或自旋波晶体管。他们将会开始尝试更多类型的内存，而且还可能为新型的非冯·诺依曼计算机(non-Von Neumann)提供芯片。 短期来看，Steegen认为业界将在7nm采用极紫外光(EUV)微影技术、FinFET则发生在5nm甚至3nm节点，而纳米线晶体管也将在此过程中出现。 如今，14埃米节点还只是出现在PPT上的一个希望 (来源：Imec) Steegen表示：“从事硬件开发工作的人员越来越有信心，相信EUV将在2020年初准备好投入商用化。经过这么多年的努力，这一切看来正稳定地发展中。” Imec是率先安装原型EUV系统的公司，至今仍在鲁汶(Leuven)附近大学校园旁的研究实验室中持续该系统的开发。 Steegen预计，EUV“将在最关键的层级导入工艺，”以便在线路终端处完成通道和区块。使用今天的浸润式步进器，这项任务必须通过3或4次的步骤，但透过EUV更精密的分辨率，只需一次即可完成。 工程师在这些先进节点上工作时，必须先检查其设计能够搭配使用浸润式或EUV系统。当他们在将芯片发挥到极致时，将会使用EUV更进一步缩小其设计。 无论如何，还需要3或甚至4次的浸润式图案化过程，才能打造具有小于40nm间距的特征尺寸。工程师不要指望设计规则能很快地变得更简单。 Imec勾勒未来节点可能实现的功率性能 选择抗蚀剂与晶体管 找到合适的抗蚀剂材料是让EUV顺利量产的几项挑战之一。到目前为止，如果研究人员能以20毫焦耳/平方公分的曝光能量进行，就能使EUV顺利进展。 包括ASML、东京电子(Tokyo Electron)和ASM等几家公司正在开发专有(意味着昂贵)的技术来解决问题。它们通常涉及了抗蚀剂处理以及多个工艺步骤，才能蚀刻或退火掉粗糙度。 “这项技术看起来非常有希望，所以我们有信心能够克服线边粗糙度(LER)的问题，”Steegen说。 此外，Imec现正开发保护EUV晶圆免于污染的防尘薄膜。它以碳纳米管提供承受EUV曝光超过200W以上所需的强度，而非阻挡大部份光源穿透晶圆。 除了EUV以外，下一个重大障碍是基本晶体管的设计转变——任何组件核心的电子开关。Steegen说：“FinFET的微缩是必须解决的关键问题。” 截至目前为止，研究显示，FinFET可以在5nm时使用，而如果导入EUV的情况顺利，甚至可沿用至3nm节点。Steegen说：“在3nm节点，FinFET和纳米线的效果能几乎一样好，但纳米线闸极间距带来了更多的微缩，”他并展示一项堆栈8根纳米线的研究。 详细观察阻抗剂的问题显示，使用化学助剂和不使用化学助剂(CAR和NCAR)的研究结果。LWR/LCDU是指线边粗糙度的测量值应不超过特征间距尺寸的十分之一，图中的范围约为3.2至2.6。 信道微缩与内存 如果EUV一再延迟，芯片制造商将会调整单元库来缩小芯片。Imec正致力于开发一个3轨(3-track)的单元库，这是将芯片制造商目前用于10nm先进工艺的7-track单元库缩小了0.52倍。 其折衷之处在于它能实现3nm节点，但仅为每单元1个FinFET保留空间，较目前每单元3个FinFET减少了。此外，随着单元轨缩小，除了从7nm节点开始的挑战，预计工程师还将面对新的设计限制。 Imec正致力于开发几种得以减轻这些困难的设计，包括所谓的超级通道(super-vias)，连接3层(而2层)金属以及深埋于设计中的电源轨，以节省空间。 这项工作显示，设计人员可能被迫在3nm时移至纳米线晶体管，实现完全以浸润式步进器为基础的工艺。然而，透过EUV，3nm工艺仍可能有足够的空间实现5-track的单元库，因而使用基于FinFET的组件。 仅使用浸润式步进器的工艺可缩小单元轨，但却会随着闸极(红色)缩小而牺牲FinFET(绿色)数量。而在底部，Imec展示研究人员正开发的4个结构，用于减缓微缩。 无论如何，到了这些更先进的节点时，系统、芯片和工艺工程师都必须比以往更加密切地合作。他们必须确定哪些功能可以被整合于单一芯片上，或者是否需要单独的芯片制作，如果是这样的话，那么这些芯片又该如何进行链接等等。 同时，还有一大堆新的内存架构仍处于实验室阶段。Steegen说，磁阻式随机存取内存(MRAM)目前是最有前景的替代技术，可用于取代SRAM快取，甚至是DRAM。然而，MRAM到了5nm以后可能还需要新晶体管结构。 此外，还有其他更多有趣的选择，包括自旋轨道转矩MRAM以及铁电RAM，可用于取代DRAM。业界目前正专注于至少5种备选的储存级内存技术，主要是交错式(crossbar)和电阻式RAM结构的内存。 此外，Imec正开发新版OxRAM，将有助于物联网(IoT)的设计。目前已经针对可承受汽车设计所需温度条件的方法进行测试了。 面对诸多极其乏味的选择与严苛挑战，Steegen依然乐观。在开始对1,800位与会者发表演讲之前，她还快速地进行了一项调查，结果显示有68%的人认为半导体产业将顺利过渡到3nm节点。 她说：“谢谢所有对这个可能性回答‘是’的人，而对于那些认为‘不’的人，我会证明你错了。”

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  • 三星叫板台积电：芯片我们可以自己造

    据报道，三星正在提升芯片代工业务，将芯片制造业务剥离组建新的部门，挑战市场领先者台积电。三星提高芯片制造业务地位，以彰显其独立性和保障其使用公司内部资源的能力。 这家韩国公司周三还许诺客户，将在竞争对手前推出新生产工艺，新工厂在今年第四季度投入运行。三星芯片制造营销高级主管凯尔文·洛(Kelvin Low)称，建立独立的业务部门可以舒缓与三星其他业务竞争的一些潜在客户的担忧。 他表示：“我们要在芯片代工领域真正竞争，我们感觉最好是建立独立的组织。这样可以减少利益冲突--虽然这不是目前真正的问题--但一些客户心中依然有这种想法。”三星的承诺说明了芯片部门的重要性以及芯片外包生产的需求增长。 现在越来越少的公司能投资数十亿美元建设工厂并研发新制造技术。市场主导者、为苹果等公司生产芯片的台积电(TSMC)过去5年营收都取得两位数增长。今年三月英特尔表示将重新致力于建立按订单生产芯片业务，称其制造技术依然领先三星和台积电。 这三家公司都在争夺高通和苹果订单，因为后者只设计自己的芯片但不生产。三星目前没有细分芯片生产部门的营收，作为世界最大内存芯片制造商，内存占三星芯片总营收的大部分，第一季度在15.66万亿韩元芯片营收中贡献了12.12万亿韩元(约合105亿美元)。 这显示其他芯片，包括代工和为内部消耗生产的芯片，销售额为3.54万亿韩元，同比增长10%。与台积电第一季度75.3亿美元营收相比不到一半。占三星运营利润三分之二的芯片部门，与英特尔和台积电不断缩小晶体管尺寸，当前最好的技术是10纳米工艺。 三星称，自己率先量产这种芯片，台积电也称现在满负荷生产10纳米芯片，下半年产量可快速提高。三星表示，8纳米技术将在今年晚些时候推出，2018年推出7纳米技术。其7纳米生产工艺将首次采用极紫外光刻——新版芯片电路印刷技术。 三星称，采用这种技术可减少生产步骤、降低成本和提高芯片性能。该公司还称2020年引入4纳米生产技术，届时晶体管的排列将有全新面貌。

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  • 美高森美和Aquantia发布 可量产的多速率交换机参考设计平台

    近日， 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，及面向数据中心、企业基础设施和客户端连接的高速以太网连接性解决方案先驱和市场领先者Aquantia 公司今天宣布推出可量产的多速率交换机参考设计平台，经优化支持24 x 2.5G及另外多达四个2.5G/5G/10G BASE-T端口。该解决方案组合了美高森美的SparX-IV L2/L3企业交换机VSC7448、Linux SMBStaX 软件、时钟管理、PD69208M以太网供电(PoE) 供电设备 (PSE) 管理器及Aquantia的第二代多速率IEEE™802.3bz PHY AQR409 ，并由美高森美于上周在美国拉斯维加斯Interop ITX的NBASE-T Alliance展台展示。 美高森美以太网网络技术(ENT)部产品营销总监Larry O’Connell称：“由于Aquantia的PHY应用程序接口(API)和固件集成到美高森美基于Linux的应用软件套件中，包括CEServices、SMBStaX和WebStax，使得这种新的多速率交换机参考平台能够为美高森美的客户提供容易推向市场的全面硬件和软件解决方案。此外，该解决方案组合了美高森美PoE、低抖动时钟解决方案及我们的以太网交换机和软件技术，一揽子方案为我们的客户满足其以太网联网需求。” 美高森美和Aquantia的联合参考设计的目标应用包括1G、2.5G和10G以太网交换和聚合，理想用于企业基础设施应用，如大型企业和中小型企业(SMB)交换机、企业接入路由器，及无线局域网(WLAN)接入点(AP)交换机。由于Wi-Fi设备的指数级增长，今天业界纷纷最大化企业级AP的千兆上行吞吐量。HIS Technology预期2015年至2020年世界802.11ac和802.11ac Wave 2 的AP总量将超过1.28亿台，到 2020年前占据AP总出货量的76%以上。这些802.11ac 升级，特别是Wave 2，所需的以太网数据率将超过目前千兆以太网技术支持的水平。 Aquantia高级营销副总裁Kamal Dalmia称：“预期Wi-Fi速度将超过现有的有线网络的能力，因此，市场明显出现了优化多千兆以太网解决方案的需求。Aquantia的AQrate AQR409 多速率PHY与美高森美SparX-IV企业交换机的组合为原始设备制造商(OEM)提供了高度优化的解决方案来应对这种挑战。因此，我们预期和美高森美新的联合参考平台将加速在现有网络电缆上实施多千兆带宽，同时，使企业经济高效地应对信息技术问题。” Aquantia与美高森美合作，成为加速生态系统(Accelerate Ecosystem)的一部分，该加速生态系统的目的是缩短终端客户的上市时间，及缩短生态系统合作伙伴实现盈利实现获利所需的时间。美高森美的加速生态系统组合提供领先的硅知识产权(IP)、系统、软件和设计专家，为终端客户提供经过验证的主板和系统级解决方案。 关于美高森美的SparX-IV L2/L3企业交换机VSC7448 VSC7448 SparX-IV-80™器件是80G SMB/中小型企业 (SME) 工业以太网交换机，拥有高达52个端口，支持1G、2.5G和10G以太网端口组合，提供丰富的企业以太网交换功能特性。它采用多级通用内容感知处理(VCAP™) 以提供虚拟局域网(VLAN)和服务质量(QoS) 处理，从而实现差异化服务、智能帧处理安全和出口帧操作。 为了实现工业应用，VSC7448集成了美高森美正在申请专利的计时技术VeriTime™，可提供高度准确的IEEE 1588 网络计时和同步实施。强大的500 MHz中央处理器(CPU)实现全面的2层和3层以太网交换解决方案管理，全面的API和软件开发包则可加速管理以太网应用的上市时间。软件API包还可无缝集成第三方软件，保留了现有的软件投资。 关于美高森美的PD69208MPoE PSE管理器和时钟管理IC PD69208M PoE PSE管理器支持高达10G数据率，面向IEEE 802.3bt的未来发展。美高森美的时钟管理产品组合提供超低抖动器件，用于时钟合成、频率转换、抖动衰减和扇出缓冲，以降低材料清单成本和主板空间要求，并可改善性能可靠性和简化设计复杂性。 关于Aquantia的AQrate AQR409 AquantiaAQrate AQR409是采用19 x19mm覆晶式球栅阵列(BGA)封装的低功耗、高性能、三速四端口PHY。AQrate技术填补了1 Gbps数据率旧电缆基础设施与带宽1Gbps以上的新兴802.11ac WLAN技术之间的带宽空白。AQR409通过100米Cat 5e或Cat 6电缆提供2.5 Gbps、1Gbps和100 Mbps线率速度，使得企业不需更换旧有电缆也能够发展802.11ac WLAN基础设施。 所有AQrate PHY都与NBASE-T Alliance PHY规范及IEEE® 802.3bz标准兼容，以执行100米双绞电缆传输所需的所有物理层功能。它们还支持IEEE 802.1AE MAC层安全(MACsec) 协议、IEEE 1588 v.2、用于同步实时时钟且准确度精确到亚微秒的精确时间协议(PTP)、降低工作功率的节能以太网(EEE)及高达60W以太网(PoE)供电。 关于美高森美通信产品组合 美高森美提供以性能、功率可靠性和安全性脱颖而出的半导体、系统和业务，是卓越的供应商，使客户能够为广泛应用打造解决方案，包括以太网交换机，100G 以太网和光传输网络(OTN)，以及包括 LTE- Advanced和 5G、小蜂窝在内的蜂窝基础设施， 和微波和毫米波系统，Wi-Fi接入点，基于XGS PON 或NGPON2的聚合线缆接入，包括光纤/PON、G.fast 和DOCSIS3.1的宽带网关，以及家庭/内部的安全/监视。美高森美的通信产品包括高精度时间和同步器服务器，比如 IEEE1588 PTP和 NTP服务器、软件和组件、低抖动 PLL和高扇出缓冲器，以及企业和在运营商及以太网交换机和PHY、包括 AEC和ASR的语音和音频智能, 及具有高安全性和可靠性最低功率的 FPGA;还有PCI高速交换机、OTN PHY和处理器、光驱动器、集成Wi-Fi前端模块 (FEM)，以及高能效和多制式 Power-over-Ethernet (PoE) IC和系统， 及G.hn、 G.fast 和xDSL线驱动器。 关于Aquantia Aquantia是高速半导体连接性解决方案的领先开发商和全球供应商。拥有10多年技术领导地位和执行实力的强大支持，Aquantia的市场领先产品组合使能世界最创新的计算、数据中心和企业基础设施应用。Aquantia提供基于架构创新的广泛的产品系列，为客户提供高性能、低功耗、高密度和高质量的硅解决方案，以满足市场不断变化的需求。Aquantia的总部位于美国加利福尼亚州硅谷，拥有实力雄厚的风险资本和战略投资者。

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  • 高通抢了联发科生意：P30获OPPO和vivo认可

    去年下半年至今，帮助联发科的芯片出货量创下新高的OPPO和vivo转而与高通密切合作并达成专利授权合作，这导致联发科去年四季度和今年一季度的业绩都表现不佳，近期台媒传OV下半年将采用联发科的helio P30芯片。 OPPO和vivo与联发科的深厚友谊。OPPO和vivo在2014年曾与高通密切合作，全面采用它的芯片推出4G手机，在当时国内开始商用4G的情况下取得了不错的业绩，不过之后考虑到芯片的成本问题，OV两家转而与联发科合作大量采购它的芯片。 2015年和2016年，OPPO和vivo凭借在三四五线城市和农村乡镇市场所拥有的强大线下渠道优势，出货量不断攀升，去年上半年OV进入全球前五大手机品牌的位置，当时OV两家大量采用联发科的MT6755芯片，这帮助联发科的季度业绩连连创下新高。 不过OPPO和vivo带给联发科的也并不全是好消息，在它们帮助联发科连连创下季度营收新高的情况下，毛利率却不断创下新低，这不禁让人思考OV两家大量采用联发科芯片的情况下却在不断压低其芯片的价格。这倒也与OPPO和vivo的营销策略相关，它们偏向于采购中低端芯片，获得更高的毛利，以与渠道分享利润从而获得渠道的支持，而它们疯狂的广告营销也需要大笔的费用。 在OPPO和vivo的出货量不断冲高的情况下，它们占优势的三四五线城市和农村乡镇市场开始逐渐饱和，这就要求它们开始进入一线城市。不过一线城市在华为和小米等的培养下，用户对手机的性能相当熟悉，OPPO和vivo的“低配高价”在这里要赢得用户支持并不容易，于是去年下半年开始OPPO和vivo开始转向于品牌形象和产品性能都更高的高通合作。 2016年10月，国内最大运营商中国移动要求手机企业和芯片企业支持LTE Cat7技术，由于中国移动占有国内手机市场的六成市场份额，对市场具有强大的影响力，而联发科直到去年底都没有芯片可以支持LTE Cat7技术，这成为OPPO和vivo放弃联发科芯片的又一个因素。 台媒指OPPO和vivo将会再次采用联发科芯片倒也不是不可能，联发科下半年发布的helio P30芯片性能接近高通的骁龙660，应该会支持LTE Cat7及以上技术，当然更重要的是性价比高。由于联发科当下市场表现不佳，OPPO和vivo作为全球前五大手机品牌，采购规模当然不会小，在这样的情况下相信联发科会给予OV让利。 OPPO和vivo引入联发科芯片也有利于它们平衡与高通的关系，毕竟任何手机企业都不希望完全受制于一家手机芯片企业，那样不利于企业降低成本，在芯片供应方面也更有可能受制于人。 当前OPPO和vivo无法摆脱对高通的依赖，它们正努力开拓国际市场，不过这两家手机企业缺乏专利，也正是这个原因它们去年与高通达成了专利授权合作，希望凭借后者的专利优势为它们走向海外市场保驾护航。小米早在2014年底被爱立信以专利侵权为由被爱立信起诉，随后借助高通的专利获得暂时解禁，不过采用联发科芯片的手机却被禁售，这是值得OPPO和vivo吸取的教训。 因此，在考虑众多因素后，OPPO和vivo采用联发科芯片的可能性是相当大的，不过迫于性能和专利等方面的影响其采购联发科芯片的量方面应该会有限，联发科想再靠这两家手机企业的支持重演去年上半年的辉煌已不可能。

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  • 国内晶圆制造28纳米制程再获突破

    据报道，近日联芯集成电路制造(厦门)有限公司(下称“联芯”)顺利导入28纳米制程并量产。联芯是由厦门市政府、联电以及福建省电子信息集团三方合资新建的12寸晶圆代工厂，其28纳米制程技术就来源于联电。 今年一季度，联电正式量产旗下最新的14纳米制程技术，按照相关规定，可以向子公司联电输出28纳米技术。 所以在今年三月底，联电就表示，将尽快推动联芯导入28纳米制程。 没想到布局速度这么快，刚过去一个多月，联芯就实现了28纳米技术的量产。 据悉，联芯目前的量产良率高达94%，刚导入就能取得这么高的良率确属不易，也证明了联电28纳米制程的稳定性。 目前，联芯月产能为6000片，预计今年年底月产能可达1.6万片。 随着联芯28纳米制程工艺顺利量产，未来将快速带动厦门甚至福建集成电路产业集群的形成，也将增加国内28纳米晶圆出货量在全球市场的出货占比。 根据拓璞产业研究院资料显示，此前中国大陆本土纯晶圆代工厂商只有中芯国际量产了28纳米制程晶圆，但其28纳米晶圆产能全球占比不足1%，与台积电(66.7%)、格罗方德(16.1%)、联电(8.4%)仍有较大差距。 预计联芯28纳米制程的快速量产未来可能会对中芯国际28纳米的布局产生较大影响。 虽然中芯国际28纳米制程工艺已在这之前开始量产，但从产品规格来看，中芯更多偏向中低端的28纳米Ploy/SiON技术，对于高端的28纳米HKMG制程工艺涉足并不深，而联电授权联芯的28纳米在量产时间上领先中芯国际两年，技术水准也相对更加全面和稳定。

    半导体 集成电路 晶圆 纳米 制程

  • 都是套路！AMD为何做8核16线程的Ryzen

    AMD的Ryzen处理器已经发布了Ryzen 7和Ryzen 5系列,已经有8核、6核及4核型号,不过我们之前已经从AMD官方那边确认了目前的Ryzen处理器都是原生8核的,其他核心都是屏蔽部分核心、缓存阉割而来的,未来的Ryzen 3也不例外。 原生8核阉割到4核未免有些浪费,AMD难道不心疼吗?但是AMD这么做也是有好处的,更关键的是Ryzen 8核的良率非常高,达到80%以上。 我们之前提过AMD要是出个原生4核8线程的处理器就更好了,这样在中低端市场很有意义,省得用原生8核阉割到4核这么浪费,不过Zen架构的处理器对AMD来说不止是桌面处理器,他们更看重的是高性能服务器市场,AMD推出了32核64线程、128个PCI-E通道、8通道DDR4内存的Naples跟Intel竞争,Zen架构必须要考虑到这一点。 从前几天AMD展示的数据中心品牌EPYC来看,每个32核Naples处理器内部是有4个Ryzen处理器组成,正好是8核16线程,当时我们也分析了AMD为何做8核16线程的Ryzen了——4x8核的组合做32核处理器要比8x4核更简单。 AMD做原生8核可能还有更深的问题,那就是良率,在同样的300mm晶圆下,芯片成本不仅跟芯片面积有关,良率也非常重要。意大利bitchips网站爆料称Ryzen 8核的良率达到80%以上,而良率越高,成本就越低,所以AMD能以非常低的价格制造出32核处理器。 原文还提到了AMD Naples处理器已经吸引到了厂商注意,Dropbox就对Naples和ThreadRipper很感兴趣,表示内部评估对EPYC处理器印象深刻,核心性能、内存带宽及I/O的组合使它独一无二,Dropbox将持续评估EPYC作为他们基础设施的可能性。 他们还提到有家大公司将购买数量庞大的Naples处理器,很快就会公布名字了。良率确实是影响处理器成本的一个重要问题,越复杂的芯片良率会越低,成本也会更高,具体到每家公司的产品来说,良率都是不同的,也是各家的机密,所以我们无法从公开数据去对比Ryzen 8核的80%良率到底是什么水平,Bitchips这里认为80%的良率是很高了,有助于降低32核Naples的成本,所以AMD可以只搞已成原生8核的Ryzen,通过它来实现高中低端桌面及服务器处理器产品线划分。 不过原生4核Ryzen对消费者来说依然很有意义,可惜这一代的Ryzen上是见不到了,不过Ryzen APU中有4核8线程的,还有Vega架构显卡,预计在今年下半年发布。

    半导体 ryzen 16线程 AMD

  • 国人荣耀！我国研发成功全球首款二维雷达

    根据相关新闻报道，近日中航机载雷达研究所(607所)完成了世界首部风冷机载两维有源相控阵火控雷达研制，并且经过了试飞，取得了重大技术突破。 中国研制成功风冷机载有源相控阵火控雷达，可以方便对现有战斗机进行升级对于战斗机来说，没有配备有源相控阵火控雷达，可能就难以适应2020年之后空战环境。 这部雷达研制成功表明国产现役战斗机可以方便用有源相控阵雷达替代现有机械扫描雷达，从而提高战斗能力，并且这种雷达也可以用于国外战斗机升级改造，成为中国防务出口一个新的增长点。 我们知道有机载源相控阵火控雷达与现役机械扫描雷达相比，探测性能、多目标跟踪/攻击能力、多用途性能、抗电子干扰能力更强，已经成为现代作战飞机主流配置，因此有人认为战斗机如果不配备有源相控阵雷达，可能就无法适应2020年之后空战环境。 有源相控阵雷达并不是没有自己缺点，其中一个主要缺点就是T/R模块能量转换效率偏低，我们知道有源相控阵依靠天线上的T/R模块将电能转换成电磁波辐射出去，受到现有电子技术限制，目前有源相控阵T/R模块转换效率还比较低，一般在30%左右，也就是输入进来电能只有一小部分能够转换成电磁波，大部分都转变成了热能，我们知道高温是电子设备大敌，对于半导体材料来说，工作环境温度不能超过30度，如果这些热能无法及时散发出去，就会让环境温度迅速上升，从而影响雷达和其他航空电子系统工作，这样就需要高效制冷系统配合有源相阵雷达工作。 另外中国还可以把这型有源相控阵雷达推向国际市场，用于其他国家战斗机升级改造，上世纪90年代以后，许多国家引进了米格-29、F-16这样三代作战飞机，这些飞机同样配备机械扫描雷达，也到了升级时候，这是一个非常有潜力市场，实际上中国已经涉足相关领域，根据相关资料，中国相关单位曾经将国外空军F-5战斗机升级为综合火控系统，因此在前期项目基础上，可以向潜在用户提供一套完整有源相控阵火控雷达升级方案，避免对战斗机进行较大改进，节省费用，这对于许多发展中国家来说是非常有吸引能力的。

    半导体 半导体 二维雷达

  • 华为麒麟970将采用10nmFinFET工艺

    10nm工艺的高通骁龙835、三星Exynos 8895、联发科Helio X30已经陆续出炉，传说中的华为麒麟970又在哪儿呢?据说它也会上10nm FinFET工艺，并且会在华为下一代旗舰Mate 10中首发。 随着10nm工艺的骁龙835处理器新机陆续问世，华为海思麒麟970何时推出也成了不少网友关心的话题。根据网友@草Grass草在微博上的最新爆料称，华为下代麒麟970处理器将采用10nm FinFET工艺，GPU则或将首发ARM Heimdallr MP (北欧神话人物海姆达尔)。这意味相比现在16nm工艺的麒麟960处理器无论在功耗还是发热控制等方面都会有更好的表现。 假如网友@草Grass草在微博上的爆料属实，那么和骁龙835还有猎户座8895相比，麒麟970的参数一点都不差，甚至性能还要更为强大! 此外，消息表示这款处理器仍然沿用目前的4*A72+4*A53的架构，据说GPU或许会良心发现地升级到MP8，也就是八核心级别。这么看来对比自家产品的上一代来说，提升也是非常巨大的了。 虽然麒麟960在性能上已经够好了，但是和骁龙835比起来还是落后了太多，所以今年的麒麟970那是势在必行的! 在网络制式方面，该款处理器将集成基带，支持全网通网络以及全球大部分的频段，支持5载波聚合、256-QAM调制，并且还将提前支持5G网络的一些特性。 怼骁龙845已经没有“隔代差”优势 尽管以上消息的真实性还有待证实，但如果爆料属实的话，那么麒麟970处理器还是完美解决了当前麒麟960所存在的一些不足，包括工艺带来的功耗和发热问题，以及GPU表现较为逊色等等。 麒麟970无疑会在华为下一代旗舰Mate 10中首发，而发布时间还是老规矩，也就是今年10月份发布麒麟970、11月份再发布Mate 10。 根据华为一贯的战略，其将会打田忌赛马的时间差，比骁龙835高那么点，抢占骁龙845登场前的时间制霸。不过，由于今年第四季传出高通还有骁龙845处理器推出的消息，所以麒麟970以往的“隔代差”优势将不复存在，由此可见高通已经掌握了华为麒麟的节奏，年底的处理器大战将会变得更加的精彩。 当然根据华为的特性，或许这枚处理器在发布时会美如画，在实际终端搭载会有功能上的阉割吧。 而在此前，德国网站Win Future曾经在高通官网上发现骁龙845和骁龙660、骁龙630等处理器同时出现在一个表单中。虽然该款处理器的信息很快便被删除，但据称将在今年第四季推出，并采用台积电的7nm工艺，可以封装在更小的体积中，同时性能将提升25%-30%。

    半导体 10nm 华为麒麟970

  • 富士康等4家苹果代工厂拒付专利费 遭高通起诉

     高通与苹果之间的专利战此前一直处于僵持状态，日前有消息称，高通表示，已起诉富士康(鸿海)集团等4家苹果代工厂拒付专利费。高通与苹果之间的专利战升级，有评价称这样会间接给苹果施压。这一举措使两家公司之间的紧张关系严重升级，无论结果如何都会造成市场紊乱。 专利战升级 代工厂被起诉 其它被高通起诉的苹果代工厂还包括：和硕、纬创和仁宝。 高通称，已在加州南区联邦地区法院提起诉讼，指控为苹果公司制造其在全球销售的iPhone 和iPad的四家制造商——富智康集团有限公司和鸿海精密工业有限公司(合称为富士康)、和硕联合科技股份有限公司、纬创资通股份有限公司和仁宝电脑工业有限公司——违反了他们与高通之间的许可协议和其它承诺，并拒绝就使用高通向其许可的技术付费。 由于高通有关iPhone和iPad的许可协议不是直接与苹果签署，而是与生产这些设备的代工厂商签署的，因此它无法直接起诉苹果拒不支付专利使用费。 在起诉中，高通指控苹果“精心导演”了其代工厂商拒绝支付专利使用费的行为。起诉书称，“除不向被告支付应当支付给高通的专利使用费外，苹果还唆使被告不向高通支付专利使用费。更有甚者，苹果还同意为代工厂商因违背与高通的协议而蒙受的损失买单，进一步表明了苹果的强势。” 两家公司间的纠纷起始于1月份。苹果在2017年透过联邦贸易委员会(FTC)向高通求偿10亿美元，并发表声明表示高通收取的权利金，是其它移动通讯专利授权者加总金额的5倍。高通则辩称，苹果如果没有采用高通提供的快速移动通讯连线功能，就不可能打造出大获成功的商业产品。 苹果于4月底表示在双方解决法律纠纷之前，将停止支付高通与iPhone有关的权利金。 苹果拒付权利金导致高通被迫下修2017会计年度第3季财务展望，高通坦言，由于苹果扣留应付给合约制造商的权利金，致使合约制造商无法支付高通相关权利金。 有分析认为，苹果与高通的争议之所以现在才爆发，原因与5G即将推出脱不了关系，因为苹果与其它手机厂都希望在5G普及之前，与高通协议新的授权费用。 利益攸关寸步不让 比拼双方决心 实际上，此次争议对双方可谓都是利益攸关。 在高通而言，专利费是其利润的重要来源。现阶段高通专利授权业务利润比芯片销售还高出3倍，高通估算全球约有13.7亿台采用3G和4G的装置必须向其支付权利金。 全球将于2018年开始部署5G，而高通几乎与所有主要5G电信商建立紧密的联盟关系。另外，高通将3万多项专利列为必要智能财产权，苹果无法具体得知哪些专利已获得授权，目前有争议的专利便有20项，以苹果在移动通讯领域的处境来看，应仍会继续向高通、诺基亚(Nokia)、爱立信(Ericsson)等支付权利金。 在苹果而言，iPhone的高利润是苹果每年利润的核心，所以它奋力反抗避免任何情况的利润减少。而专利费确实是其一笔庞大的支出。 苹果称，过去数年高通向它多收了“数十亿美元”的专利使用费，与其无线通信技术专利相比，高通收取了“过高的专利使用费”。苹果执行长Tim Cook日前针对与高通的专利争议表示，苹果不否认高通在标准必要专利方面的贡献，但高通的元件只占iPhone一小部分，却以iPhone售价的百分比收取权利金。在双方各自认为有理情况下，只好诉请法院裁决。 如果法院判定高通必须根据元件而非手机价格计算费用，这对手机厂来说可谓是一大胜利。但高通、诺基亚、爱立信等行之有年、仰赖专利授权获利的商业模式恐将遭到破坏。 也因此，双方此次力战寸步不让，愈演愈烈。 有分析指出，高通是否会通过美国国际贸易委员会寻求禁令还有待观察。苹果可能会选择解决问题，如果iPhone 8因为进口禁令推迟发布，无论推迟时间多短暂，苹果的股价可能会面临巨大打击。 知识产权律师游云庭在与《证券日报》记者交流时表示，根据专利法规的规定，生产是法定的侵权专利的方式之一。对于这些诉讼，如果高通的专利确实成立，胜诉应该没有什么悬念。但对于苹果方面来说，这些诉讼可以看作是高通对苹果的敲打。“如果苹果铁心承受损失也要将专利费砍下来，我个人觉得他们可以挺下去。”

    半导体 富士康 苹果

  • 全球半导体市场趋向集中购并业者

    根据调研机构Gartner最新公布的2016年半导体市场规模最终统计报告，当年全球半导体市场规模为3,435.14亿美元，较2015年3,349.34亿美元，成长2.6%。 Gartner研究总监James Hines表示，2016年半导体市场，由于一开始时的库存调整，使得市场需求疲弱，而引发不少担忧。他指出，全球半导体营收成长主要受惠于诸多电子设备领域产能增加、NAND Flash存储器价格改善，以及相对有利的汇率走势，因此2016全年全球半导体市场整体表现大幅优于2015年。 然而随著各半导体业者彼此间的收购或整并案不断，2016年全球营收前25大半导体业者合计营收，较2015年前25大增加了10.5%。相较而言，当年营收前25大以外的所有业者合计营收，则是大幅下滑了15.6%。这意味，全球半导体业市场，正在趋向主要业者集中。 资料显示，2016年全球营收前25大半导体业者合计营收，已占当年整体半导体市场规模的74.9%。 而在2016年前十大半导体业者中，英特尔(Intel)与三星电子(Samsung Electronics)营收分别年增4.6%，与5.9%，以540.91亿美元与401.04亿美元续居全球前二大。 高通(Qualcomm)与SK海力士(SK Hynix)营收虽然分别年减4.1%，与10.2%，但仍以154.15亿美元与147.00亿美元，位居全球第三与四名。2015年SK海力士排名为第三，高通为第四。 至于2016年全球营收排名第五的业者，则是由原名为安华高科技(Avago)的新加坡半导体业者博通(Broadcom)取得。安华高于2016年初完成对美国芯片设计业者博通购并作业后，将合并后的新公司仍命名为博通。 新成立的博通2016年营收大幅年增191.1%，达132.23亿美元。营收排名也由2015年的17，跳升为2016年的第五。 2016年营收排名因购并案而攀升的业者尚包括，如购并快捷半导体(Fairchild)的安森美半导体(ON Semiconductor)，以及购并新帝(SanDisk)的威腾(WD)等。 Gartner表示，如果将各收购案中的收购者与被收购者营收回归至原个别业者来计算的话，那么2016年营收前25大半导体业者合计营收，仅较2015年前25大成长1.9%，前25大以外所有业者合计营收，则会较2015年成长4.6%。 资料显示，台湾地区芯片设计业者联发科2016年营收为87.25亿美元，年增30.1%。该公司2015年与2016年营收排名均为第十。

    半导体 半导体 市场

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