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  • 10月全球芯片销售额224.7亿美元 同比下降2.4%

    据半导体产业协会(SIA)引证世界半导体贸易统计协会（WSTS）数字显示，10月份得出的全球芯片销售额三个月移动加权平均值由去年同期的230.3亿美元下滑至224.7亿美元，下滑幅度为2.4%；比今年9月份的230亿美元下滑了2.1%。   今年前十个月的销售额为2160亿美元，比去年前十个月2100亿美元的销售额增长了2.6%。不计内存产品，业界销售额比去年同期增长了3.8%，但比9月份下降了1.4%。   因价格压力，DRAM内存和NAND闪存的销售额都出现大幅度下降：10月份DRAM内存销售额比去年同期下滑了14%，而NAND闪存的销售额则下滑了近41%；同期，DRAM 1GB的约当产量增加了73%；NAND 2GB的约当产量增加了123%。   SIA总裁乔治·斯卡利塞表示："全球芯片销售额的下滑在今年9月份已经突显，10月份将持续下去。全球性金融危机有望持续影响2009年对芯片业务的需求。预计2009年PC发售量要降低5%，手机发售量要降低9%，而PC和手机约占芯片总需求的60%。"  

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  • 巴伦周刊：硅谷失业潮更甚于网络泡沫破灭期

    12月1日消息，据台湾媒体报道，全球景气衰退，科技业深受其害。美国知名投资刊物《巴伦周刊》最新一期提出警告，这波不景气恐怕将使美国科技重镇硅谷的失业潮更甚于2002年网络泡沫破灭时的情况。   网络泡沫破灭时，加州硅谷裁员达20万人，超过硅谷总工作数的20％，当年硅谷的失业率一度攀高到8.4％；如今经济急转直下，硅谷所在的加州十月失业率已扬升至8.2％。   《巴伦周刊》推断当前这一波硅谷裁员潮恐怕更严重。苹果计算机、惠普、Google、雅虎等重量级科技业在硅谷基地圣塔克拉拉郡的失业率已达6.9％，比全国失业率6.5％更高。   过去这几个月美国科技公司已有多家公布裁员计划来对抗经济衰退，包括惠普裁员2.4万人；升扬裁减五、六千人；雅虎和电子湾裁撤各超过千人；Google上周也证实砍掉约聘员工，分析师推估裁员人数达三千人或更多。   半导体设备厂商裁员人数更是惊人：应用材料裁员幅度达12％、科磊裁15％、Cymer裁员8％。芯片制造商国家半导体、超微、及Nvidia等其它厂商也都在进行裁员。   《巴伦周刊》同时指出，据传苹果计算机也开始缩短零售分店某些员工的工作时数。《巴伦周刊》实际走访帕罗奥图的苹果零售商店观察，发现店内生意依旧忙碌。不过《巴伦周刊》也表示，若是连苹果计算机也在考虑缩减人力，可见硅谷几乎没有厂商敢说有把握安然度过此波经济衰退。

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  • 日本德山马来西亚新建多晶硅厂 09年产能8200吨

    据Solarbe报道：全球太阳能级多晶硅巨头日本德山公司日前宣布计划在马来西亚建立一个新的多晶硅生产厂以扩大现有生产能力，新的工厂位于马来西亚的一个工业园内，将于2009年春天完工并投产。  马来西亚多晶硅生产项目是德山公司首次在海外建立生产基地，新厂投产后产能从目前的5200吨提高到8200吨。  

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  • 欧洲第二大半导体生产商欲寻求政府救助

            法兰克福１１月２７日电（陆群新）德国萨克森州政府２７日向外界表示，欧洲第二大半导体生产商德国英飞凌科技及其子公司Ｑｍｏｎｄａ已表达了希望能寻求政府救助的意愿。            萨克森州经济和劳动部的发言人表示，由于半导体价格大幅下降，英飞凌公司已向州政府和联邦政府寻求救助。           据报道，英飞凌公司首席执行官彼得·鲍尔已于２６日与德国经济和技术部长米夏埃尔·格洛斯进行了会谈，讨论如何救助其子公司Ｑｍｏｎｄａ的各种方案，其中包括将Ｑｍｏｎｄａ部分国有化的可能。目前，英飞凌控制Ｑｍｏｎｄａ７７．５％的股份。           据报道，今年以来，５１２Ｍ内存芯片价格已下跌了６７％。２６日全球第二大半导体材料公司ＳＵＭＣＯ表示，由于经济低迷影响需求，公司第三季度利润将比去年同期下降７８％。           ２７日，英飞凌公司股价下跌３．７４％，收盘报每股１．９３欧元。 

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  • AMD抨击英特尔拖延反垄断指控案作法

        据国外媒体报道，英特尔已向位于卢森堡的欧洲初审法院起诉，指控欧盟在裁决该公司涉嫌垄断案中具有“歧视”和“偏袒”行为，不过英特尔的这一作法遭到AMD的抨击。 　　据悉，英特尔还要求公开欧盟在正式指控中援引的AMD文件，并延长在10月中旬前就上述反垄断指控做出书面回复的最后期限。英特尔对这一期限置之不理。 　　AMD负责欧洲、中东和非洲地区政府关系的总监简恩斯·德鲁斯(Jens Drews)抨击了英特尔这种拖延案子的作法，他表示，“这看上去是英特尔企图拖延欧盟司法诉讼的又一次尝试，这一诉讼已有了证据，并做出了正式裁决，英特尔非法滥用其垄断力量。” 　　欧盟的一位官员称，欧盟拒绝给予英特尔提出的延期请求，因为在案子审理的前期，欧盟已经给予了该公司一次延期的机会。 　　英特尔否认了企图拖延司法诉讼的作法，该公司位于伦敦的发言人罗伯特·马尼塔(Robert Manetta)辩称，上诉欧洲初审法院是基于“根本的公平”的考虑。

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  • 台积电增休1天行政假 变相减薪15%

    据DigiTimes网站报道，晶圆代工龙头台积电继对外调降第4季财测后，对内近日由总执行长蔡力行以录像方式向全体员工宣布，以增休1天行政假方式因应景气不佳方案，随后台积电内部1级高阶主管并紧急召开各厂区说明会，安抚人心。未来台积电除了员工排假，也规定开始放行政假，内部怨声四起，并认为此举至少变相减薪15%。台积电员工过去想有极佳的福利措施，这回面对公司大规模调整福利、缩减成本，员工的苦日子来了。 联电日前在新任董事长洪嘉聪、执行长孙世伟上任后，就展开一连串的优退、裁员计划，内部预估至少裁减15%以上人力。联电员工超过1万人，而晶圆代工龙头台积电的员工数超过2万人，台积电如何应对景气突然冲击，外界都在关注。 台积电总执行长蔡力行3日也亲上火线，以录像方式向员工说明因应措施，除了开始放假、取消津贴，也将动用部分2009年员工分红补贴员工固定薪资的短少。 台积电总执行长蔡力行在内部录像中说，希望同仁一起共体时艰，公司将大幅降低2009年资本支出、进行人事冻结，而且生产单位也决定从12月起，因应产能利用率的下滑，开始实施一定程度不支薪的“行政假”，其它所有单位也将从2009年1月起施行，并暂停对所有主管的交通津贴补助。 据了解，包括每年34级以上主管的健检新台币6,000元津贴、出差商务舱补贴也将同时取消。蔡力行录像宣布之后，副总又在各厂区随即宣布新措施并举行说明大会，对内安抚人心，希望取得全体同仁的体谅。不过，台积电内部已出现杂音，指出每月4周中有3周要休1天行政假，这相当于变相减薪至少15%，还不包括无法支薪的排休。 蔡力行说，这项措施一定会影响员工的固定收入，因此经过权衡决定，2008年前3季仍然有很好的获利，因此2009年应有不错的员工分红，会先将2009年每位同仁应得的员工分红一小部分先行运用，填补员工们每个月固定收入的差距。 至于裁不裁员？蔡力行说，为了维持公司竞争力，将会全力保护同仁的工作机会。他说，景气自第4季起就急剧滑落，而且不景气的现象还会延续一段相当长的时间，半导体企业的营运会更艰辛。  

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  • 韩国现代半导体推迟一年出售在华合资企业

    韩国现代半导体（Hynix）表示，将推迟一年向Numonyx出售在华合资企业。据了解，出售股权涉及金额约1亿美元，目前现代半导体已出售了半数股权。   综合外电12月3日报道，韩国现代半导体（Hynix）表示，将把其在华合资企业出售给合资伙伴Numonyx的计划推迟一年。   据了解，现代半导体原计划在08年年底前，把其在华合资企业股权全部出售给Numonyx，总值约1亿美元。目前现代半导体已出售了半数股权。在现代半导体提交给韩国证交所的文件中显示，剩余的5,000万美元股权交易，将在2009年底完成。   Numonyx是意法半导体、英特尔和Francisco Partners的合资企业。

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  • 英特尔否认大连12英寸厂挖角传闻

    几天前，一则英特尔为大连一座12英寸芯片厂而大量“挖角”中芯国际等大陆半导体企业人才的消息，让业内紧张不安。不过，英特尔中国一位公关人士昨天对《第一财经日报》说，公司去年以来确实招募了部分半导体人才加盟，但并无挖角一说，而且近期并无大规模招募计划。   全球第三大半导体代工企业中芯国际内部人士也透露，英特尔2007年底到今年8月份前，曾有过集中的招募行动，其中，“安家费有的开出8万元，有的开出20万元”，中芯国际少数员工加盟了英特尔。   英特尔官方没有透露目前已招募的员工数量。该公司官方公布的仍是9月前的招募数据，即大约200名员工。英特尔大连工厂总计划招聘1200名员工，大陆本土人才大约800名，其中，该厂运营高管将多为英特尔嫡系或海归人才，工厂总经理科比·杰斐逊便是英特尔美国运营高管，大陆员工将主要充实一线生产环节。   中芯国际认为，英特尔大连一座12英寸厂，不可能对大陆半导体人才构成挑战，当初的担忧有些多虑，因为，从英特尔该厂人力构成与企业文化看，它更愿吸引海外运营人才，并且透露，英特尔前段时间在新加坡等地的招募倒颇有成效，未在大陆设厂的新加坡特许半导体可能更为担忧。   半导体产业研究专家、美国应用材料高级顾问莫大康此前对本报表示，大陆基础人才雄厚，不过，兼有技术、管理等复合能力的高端运营人才数量不足。目前，大陆半导体制造企业高管，多由台湾地区人才构成。   本土专业的猎头机构科锐咨询一位人士透露，英特尔目前并没有进行大规模招聘，除了配合工厂建设进度外，也应该考虑到经济危机来临，很多同行已经冻结人力招募，它不会担心人才稀缺问题。   英特尔新工厂要到2009年上半年才能建成，正式投产将大约在2010年上半年。11月22日，《第一财经日报》再度探访该厂。现场看到，工厂主体厂房早已封顶，两个对称的LOGO标志十分耀眼，大约20名工人正在紧急建设厂房前方、右方的配套工程。   英特尔的招募与建厂动作，确实与全球半导体业形成鲜明对比，因为多数同行都在冻结人力、收缩资本支出，更多公司则实施了裁员。  

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  • 高通副总裁Steve Mollenkopf加入GSA董事会

    全球半导体联盟（GSA）宣布高通执行副总裁Steve Mollenkopf加入GSA董事会。   Steve Mollenkopf现任高通执行副总裁兼高通CDMA总裁。   “GSA是业内组织良好且享有声誉的行业组织，非常荣幸可以成为董事会成员。”Steve Mollenkopf说道，“高通将期待继续与GSA紧密协作，推动无晶圆设计业发展。”  

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  • 金融危机冲击下 日本内存业开发依然活跃

    可称为半导体业界奥运会的“ISSCC 2009”大会新闻发布会，日前在东京举行。会上宣布，ISSCC 2009大会将于2月8日～12日在美国旧金山举行。ISSCC筹委会希望参会者达到上年水平的约3500人。   金融危机冲击着电子产业，半导体技术开发人员却在全力拼搏。这一点将体现在ISSCC 2009大会的内存发展史中。例如，亮相于ISSCC大会的NAND闪存（multi-level cell：MLC）的高度集成化趋势，在1999年～2008年间以年均约55％的速度提高。其增势超过了摩尔定律。其实，展望将在2009年ISSCC大会亮相的NAND闪存的容量，就可以看出，NAND闪存将以超过此前55％年均增长率的速度实现大容量化。   在目前经济萧条的情况下，NAND闪存何以能比以前更快地实现大容量化？一言以蔽之，原因在于“打总体战”。NAND闪存的价格以前所未有的速度持续下跌，内存厂商对此一筹莫展。为了使成本低于市场价格，内存厂商投入了其全部技术。具体而言，即3Xnm工艺的微细化和3bit/单元以上的超多值化。例如，东芝及美国SanDisk将联合发布在35nm以下工艺微细加工技术中组合应用3bit/单元多值化技术开发出的32Gbit产品（论文编号13.4）。芯片面积只有113mm2。这两家公司还将联合发布应用4bit/单元技术的64Gbit NAND闪存（论文编号13.6）。该产品采用43nm工艺半导体技术制造，芯片面积稍大，为244mm2，如果微细化到3Xnm工艺，则商用芯片有可能早日面世。   ISSCC 2009大会上SSD（solid state drive）技术也在疾速进步。支撑SSD今后技术进步的将是3维堆叠技术。“对SSD而言，降低耗电量将是今后的一大课题。通过3维堆叠技术实现SSD相关电源系统及接口将成为大潮流”（ISSCC 2009大会远东地区委员会）。目前在3维堆叠SSD领域处于全球领先地位的是日本东京大学研究生院工学系研究科电气工程学专业及工学系电气电子工学专业副教授竹内健的研究小组。竹内的小组将在ISSCC 2009大会上与东芝联合发布面向3维SSD的电源系统技术（论文编号13.2）。通过导入名为适应控制增压转换器的技术，可将SSD用内存内核的耗电量降低68％。   3维堆叠技术对DRAM而言同样重要。韩国三星电子（Samsung Electronics）计划在ISSCC 2009大会上公布采用硅贯通电极技术，3维堆叠4个2Gbit DRAM的8Gbit DRAM（论文编号7.2）。在应用硅贯通电极技术的DRAM技术开发方面，尔必达内存等公司在全球处于领先地位，现在三星已开始奋起直追。   与日益严峻的业务环境正相反，目前内存业界的技术开发颇为活跃。为了如实地展现开发人员的充足干劲，本刊筹备举办内存系统相关研讨会。除了在超多值化领域领先全球的东芝NAND闪存战略之外，从事上述3维SSD技术研究的东京大学竹内健以及尔必达内存，还将公布包括硅贯通电极技术在内的最新技术开发战略。说不定能在研讨会上提前听到ISSCC 2009大会上的内容。    

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  • 欧盟批准爱立信与意法半导体设立合资公司

    欧盟（EU）欧洲委员会（EC）批准瑞典Ericsson Mobile Platforms AB（EMP）与瑞士ST-NXP Wireless SA设立合资公司。EMP是瑞典Ericsson AB的子公司，目前经营着无线平台设计业务。ST-NXP Wireless是意法合资的意法半导体的子公司，一直从事移动通信半导体业务。    新公司将向全球供应手机无线平台及移动通信半导体。具体来说，将合并包括支持HSPA（高速分组接入）方式的最新3G（第3代）终端平台开发在内的EMP公司的全部业务，以及2G（第二代）终端和W-CDMA（宽带码分多址接入）方式3G终端相关的ST-NXP公司的业务。ST-NXP目前是EMP的HSPA平台所配备的核心半导体的主要供应商。    EC对两公司的合资计划进行的调查，得出了在水平市场上两公司的竞争力较弱，阻碍企业竞争的可能性较小的结论。

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  • 日本半导体企业:连学生都认为“缺乏经营战略”

    今年，日本某知名国立大学的电子电路专业学生在毕业求职时将半导体企业从候选单位中排除，而将目标锁定了外资咨询公司、证券公司及银行等。负责就职指导的教授问学生“为什么不去半导体企业？”学生的回答令教授哑口无言。学生回答说“在和老师的谈话中我了解到，日本半导体厂商没有经营战略。我不想去那样的企业”。   从很早开始，出于“薪酬不错”、“感觉很气派”、“因为对软件感兴趣，所以希望从事系统开发”等动机，就有相当多的理工科学生到咨询公司及金融机构就职。然而，那位教授说“因为电子厂商缺乏经营战略，所以不愿意去就职”的学生还是第一次遇到。这是一位拿出过出色研究成果的优秀学生，正因为如此，他才更注重企业的经营状况。   截至上世纪90年代前期，日本半导体厂商挤进了全球市场销售额十强行列。然而，众所周知，日本厂商曾几何时的发展势头如今已不复存在。可以说日本半导体厂商的许多经营方针都以失败告终。那么，日本半导体厂商真的是缺乏经营战略吗？   就职于日本半导体厂商及美国半导体制造装置厂商、并担任日本大阪大学教授的赤坂洋一指出，“在日本半导体业界，拥有远景规划及经营理念的企业不太多。可能是从来没有想过‘这个公司为什么必须存在？’，也没有思考制定远景规划及经营理念的原始动机的习惯”。   如果没有经营战略，高层拿不出明确的方针，那么员工就没有用武之地。长年从事LSI开发及制造的菊地正典表示，“（日本LSI厂商）制造不出功能、性能、可靠性及成本等面面俱佳的产品。如果没有差异化的产品策划就不可能赢得市场，日本LSI厂商做不到这一点，因此日本半导体厂商从上世纪90年代开始走向衰退。目前，虽然已出现了拥有明确方针的企业，但拿出的多是没有具体方向的开发方針。只会命令制作现场的员工‘好好干’的企业还是难免衰败”。   以上是针对半导体制造的前工序为中心的企业而言的，其实后工序也出现了同样的问题。从事封装开发及后工序生产线运营的萩本英二这样表示，“由于SiP（System In Package）日益受到关注，因此半导体厂商也在不断改变。不过，体制建设不足的半导体厂商也不是没有。首先，半导体厂商必须就前工序、中间工序及后工序需要何种体制描绘出蓝图。必须充分考虑其设想的用户是谁，以及在大多通过定制（Tailor Made）方式小批量多品种生产的SiP业务中、要提高利润应如何生产和销售”（摘自本站报道“应建立前后工序相结合的SiP开发及量产体制——向日本半导体厂商进言”）。这种蓝图策划，日本半导体厂商还做得不够。   本文所提到的“经营战略”，绝大多数都是理应做到的。虽然不可能每一条战略都得到所有人的赞同。但是如果问及半导体厂商是否真正做到了，那么回答还是有疑问的。虽然近年来，日本半导体厂商也在改变，但还不能因此就断言，本文开篇那位年轻人的选择是错误的。

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  • 2008年前三季半导体供应商排名公布

    市场调研公司IC Insights最近为其The McClean报告11月更新所做的调查包括一份对2008年第一至第三季度最大20家半导体供应商的分析。其中包括8家美国公司(包括3家无厂半导体设计公司)，6家日本公司，3家欧洲公司，2家韩国公司和一家台湾公司(IC代工厂商台积电)。如图所示，2008第一至第三季度的销售额至少达到30亿美元才有资格上榜。尽管最大的四家公司还是原来那几家，20家最大厂商中的其它多数供应商的排名也只是变动一两个位置，但有几家公司的2008第一至第三季度排名与2007年全年排名相差悬殊。    半导体供应商排名      排名主要变化包括：  # 2008前三个季度，手机芯片供应商高通(Qualcomm)的销售额比去年同期增长27%，排名上升五位至第九位。  # 第三大无厂半导体供应商博通(Broadcom)排名上升五位，目前升至第18。  # DRAM供应商奇梦达(Qimonda)2008年第三季度状况恶化，排名下滑12位，从2007年的第18降至第30。  # 恩智浦(NXP)半导体2008年前三个季度的销售额比2007年同期下降5%，排名比2007 年下滑5个位置，从第10降至第15。预计2008年全年该公司的销售额将比2007年减少11%。    总结    由于有些大型DRAM与闪存供应商(如奇梦达、尔必达和Spansion)不再属于20大供应商之列，2008年前三个季度20大半导体供应商的总体销售额比2007年增长6%，而全球半导体市场整体增长4%。在20家最大半导体供应商中，增长最快(高通增长27%)与下降最大(海力士半导体下降27%)的公司增长率相差54个百分点。   如图所示，20大供应商中有8家的2008年前三个季度销售额比2007年同期增长幅度为两位数，而且均是整体半导体市场4%增长率的三倍。这表明在“缓慢”市场中仍有“强劲”的企业。        半导体供应商增长率排名    鉴于目前全球经济形势和半导体市场走软，IC Insights预计2008年第四季度20大半导体供应商整体销售额为432亿美元，比第三季度下降8%。值得指出的是，2008年前三个季度的“明星”增长企业高通，曾警告称预计它的2008年第四季度销售额将比第三季度减少28%左右，但是，它目前预测其2009年全年的WCDMA/CDMA手机芯片出货量增长25%，与2008年的预计增长率相同。    2008年全年，20大半导体供应商的总体销售额预计为1,822亿美元，比2007年增长2%。预计2008年全球半导体整体市场的增长率也是2%。

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  • 市场低迷期待新技术——得材料者得天下

    半导体业界团体和调查公司相继宣布下调世界半导体市场规模预测。对2008年与上年相比的增长率，世界半导体市场统计（WSTS）由＋4.7％调整为＋2.5％，美国SIA由＋4.3％调整为＋2.2％，美国iSuppli由＋3.5％调整为-2％，美国VLSI Research由＋3.6％调整为-1.7％。而对2009年，WSTS预计为-2.2％，SIA预计为-5.6％，VLSI Research预计为-6.9％，均预计为负增长。半导体业界今后1～2年将是真正的考验期。   然而另一方面，最近也常遇到意气风发的人士：“正因为是这样的时期，才要进行技术革新，迎接新的飞跃”。回顾其它产业的历史，会发现名垂史册的重大发明大多出自低迷时期。而如今，作为元器件技术革新关键要素而倍受重视的正是“材料”。因为材料能够从根本上改变元器件的性能和功能，所以“要形成区别于竞争对手的差异化，就只有改变材料”。   半导体元件技术专家东京大学生产技术研究所教授平本俊郎十分关注“CMOS晶体管材料”。尽管半导体领域一直存在“微细化技术极限论”，但随着CMOS晶体管材料由硅向化合物半导体、石墨、碳纳米管等新材料过渡，“今后的发展速度将呈指数变化”（平本）。为实现这一进程，“提供可以使半导体、材料、物理等各领域专家共同研究的环境非常重要”，平本强调说。   液晶面板方面，业界正在探讨TFT元件材料由非晶硅向高迁移率的氧化物半导体过渡，布线材料则用低电阻的Cu-Mn合金取代Al，此外可高效扩散LED背照灯光的材料也对面板薄型化发挥着重要作用。支撑有机EL和电子纸等新一代显示器显示性能和寿命的也是材料技术。   美国著名投资公司英特尔投资（Intel Capital）的Sean Doyle经理在列举未来的黄金增长领域时，除以太阳能电池为首的“可再生能源”外，还提到了“材料”。并称材料“可以开拓新的应用领域，可扩展业务模式”。可以说，我们已经进入了“得材料者得天下”的时代。    

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  • 美国在芯片研发领域落后了吗？

        对于美国在半导体研发领域的衰落我们需要重点研究，悲观者认为正如贝尔实验室被后来者所超越一样，TI也在面临同样的问题，需要面对诸如TSMC等新兴制造商的挑战，乐观派则认为Intel依然扮演下一代半导体技术世界领导者的角色，IBM依然在半导体专利方面占据统治地位，而IM Flash(Micron与Intel的合资公司)这样的公司也正在大踏步前进，而惠普实验室的忆阻器技术将使得传统的半导体存储器过时，同时美国的大学和国家实验室正在研发那些改变游戏规则的芯片技术，这些大学和工业界，实验室的研发联盟将会填补空白。       很多电子工程师们都认为美国在半导体领域的衰落最具有代表性的时间就是贝尔实验室宣称不再继续进行半导体材料和器件方面的研发。贝尔实验室曾经是半导体领域先锋，不光是晶体管，它在半导体材料和器件的很多领域都取得了很大的突破，比如MOSFET，CCD，分子束外延，电子束曝光，光电电池，二氧化碳激光器，量子级联激光器，光路由器以及第一代单芯片32位微处理器。 IBM的Watson研究中心日前演示的能使碳纳米管实施商用的方案       坐落于新泽西州莫里山的贝尔实验室，曾经是半导体领域的研发先锋，如今是总部位于巴黎的阿尔卡特-朗讯的研发单位，目前实验室拥有1000名研发人员以及每年20亿美元的预算，用于研发例如无线，网络，光通信和计算算法等更为务实的技术。另外还有一个组继续进行更为长期的研究，例如高速电子和纳米技术，但是那些让贝尔实验室取得6次诺贝尔奖的具有突破意义的研究已经中止。       贝尔实验室放弃那些长期的半导体领域的研究，可以看作是将美国在半导体领域的研发进入了死胡同，美国半导体制造上普遍认为发生在贝尔实验室的事情表明了半导体市场行情的变化，就是芯片制造商需要在当今这个全球低利润，高容量的市场下寻求生存之道。       Freescale半导体的副总裁Gregg Bartlett认为：“现在认为美国让出了全球半导体老大位置还为时过早，人们需要注意到，贝尔实验室发生的事情并不具有普遍意义，并不说明在其他地方没有新的创新，美国依然是全球半导体的中心，Intel，IBM以及它的技术伙伴依然聚焦于技术研究，在它们那里大量的创新依然在发生.”       尽管如此，仍然很难说服那些持相反意见者，他们会拿出存储领域的例子，几乎所有的美国芯片制造商都曾经进入这个领域，但是如今只剩下DRAM制造商Micron，今年的营收只有16亿美元，对于美国的芯片工厂来说，也面临同样的命运，因为越来越多的芯片制造转移到了TSMC，UMC，特许半导体等厂商，并正在向中国大陆的厂商转移，这些都是悲观论调者用来反驳的理由，当然，只能说美国半导体研发正在衰落，还没有到出局的时候。       IBM，Intel专注于研发       IBM的半导体研发中心副总裁Gary Patton介绍：“一些公司不得不改变他们的商业模式来应付这样的变化，但美国依然拥有大量的半导体技术统治力量，例如IBM商业联盟以及Intel，很显然他们两位是高级半导体技术研发的核心力量。”       IBM的研发预算高达62亿美元，多达3200名工程师组成核心研发团队，他们背后是多达200,000名工程技术人员，Intel的研发预算也超过60亿美元，他们的公司级技术团队，Intel研究院，拥有超过1000名工程师和科学家，同时也拥有数以千计的技术支持人员。       尽管美国在半导体领域例如DRAM等领域正像日用品领域一样已经有所衰退，但是IBM和Intel仍然认为美国在半导体领域仍然充满活力，毕竟Intel是世界上最先切入45纳米工艺的公司，这足以证明美国的半导体行业仍然走在业界前列。 Intel与加州大学圣芭芭拉分校合作研发的硅激光芯片       Intel的CTO Justin Rattner介绍：“你可以通过我们技术上的稳定的研发节奏判断我们的实力，我们已经能够顺利切入到高K栅电介质和金属栅电极叠层技术。”       IBM同样宣称已经为高端服务器处理器规划了45纳米的时间表，同时其他的工厂也在做迁移计划，为了保证深亚微米级研发的高额投入，IBM成立了联合研发组，包括AMD，特许半导体，飞思卡尔，英飞凌，三星以及意法半导体。       目前的问题不是技术路标，而是芯片制造的产业现实，当更多的半导体晶元加工转移到海外，对应的研发责任相应转移，如今，开工一家新的工厂需要投入30亿美金，面对这样的投资事实，像TI这样的半导体制造商越来越多的需要依赖他们的制造伙伴，用于研发32纳米以下的工艺。       飞思卡尔的Bartlett介绍：“坦率地说，更多的工艺技术开始向台湾转移，这不是缺少投资的结果，而是制造业的产业现实，技术研发和布局必然向产量大的地方倾斜。”       成本因素       感觉上来说，美国半导体研发实际上是其取得的成功的牺牲品。今天，财务健康与否取决于缩小节点来在每个晶圆(wafer)上制造更多的芯片，也就是降低每片裸片(die)的成本。晶圆厂难以接受新的材料和设备，因为已有的工艺可以将产品做的更小，另外因为离岸代工厂日益增加的晶圆厂规模，这种情况更加明显。       TI已经承认他不再是一家垂直集成公司。“我们一次又一次将我们的投资转移到更加贴近消费者，因此我们热衷的已经不是芯片下面的工艺技术，而是关注我们如何才能解决客户在明天会面临的问题，并且保证解决方案具备成本和功耗效益。”TI研发中心一位副主席Martin Izzard表示。       TI决定将22亿美元研发预算投入到设计更为优秀的模拟、混合信号和特殊应用信号处理芯片上来，还不清楚这个策略长期来说会有什么效果。但有一点是肯定的：开发新的材料和器件架构 - 需要在未来进行工艺节点的创新 - 这已经不是TI的问题了，而是晶圆代工厂的问题。       作为对比的是，像IBM、Inter和Micron，还不想做无晶圆公司，还维持着以往的工厂。       “我们目前进入了这样一个时代，所有公司的技术正在接近光刻工艺的物理极限，所以挑战相比以往更加艰巨，”Micron存储业务副主席Brian Shirley表示，“目前，我们正在寻找能在3到5年内解决这个挑战的方法，那些研发看起来将会花费大量成本，且产业的压力也比以往更大。”       向物理极限挑战的研究和开发的鸿沟会花费美国半导体制造商更多的成本，而现在鸿沟正在扩大化，产业的研发预算则被降低的销售额和过度供应所积压。美国大学和国家实验室长期来看应当肩负起更重的职责。       大学研究的重要性       事实上，IBM也看到了这种趋势。这几年来公司的一些研究科学家已经进入了美国各个大学，IBM、Intel等公司借此与大学建立了很强的合作关系。最好的一个例子是IBM日前宣布了全球最小的SRAM芯片 - 一个22nm工艺的器件 - 在奥尔巴尼纳米技术研究中心得以制造，这项科技成果是IBM与纽约州立大学阿尔巴尼分校合作的结果。       IBM在纽约运作了一系列资金充裕的与高校的合作项目。它与伦斯勒理工学院合作研究先进的3D和其他封装技术。IBM还与奥尔巴尼的两所大学有合作，一个项目是15nm印刷工艺在300mm晶圆厂的实现，另一个是关于其“深蓝”超级计算机的，瞄准实现网格运算的算法。       Intel的Rattner说：“我们是高校研究的大赞助商，有大量和长期的工作要做 - 自旋电子学、碳纳米管、二维碳原子片等。这些创新需要8到10年的研究，然后我们会把这些工作转为公司内部研发，并将其打造成为最有希望商用的产品。”       也许历史上最为成功的让美国一直处于半导体技术领先行列的商业与学院合作的典范要属Semiconductor Research Corp.(SRC)公司了，它在相关的大学和产业实验室赞助了超过100个研究项目。       不过相比来自美国空军科研办公室、美国国防部高级研究计划署(Darpa)、美国国家标准技术委员会、海军研究办公室、13个国家能源实验室和8个技术中心来说，这些用于大学研究的私有公司资金还是太少。用于学术研究的最大的独立非防御政府资金是国家科学基金，大概有60亿美元的预算，并在联邦支持的各个大学的研究中占有大约20%的份额。       随着金融压力越来越大，那些不能承诺带来直接回报的长期研究项目的经费受到了削减。根据Darpa的统计，基础“电子学”研究基金在2007年从2.54亿美元削减到了2.36亿美元，到2008年减到了1.97亿美元。       私有和政府基金还可以申请的到，但是否还能满足像贝尔实验室那样的巨舰的运作并保持美国在半导体研发领域的领先就不得而知了。“我不认为我们需要新的项目 - 我们只需为我们已看到的项目投入资金，”Intel的Rattner表示，“我们有这个机构，我们知道他们的运作 - 我们只需在背后投入人力和资金来确保他们成功。”

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