晶体管
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IBM突破芯片生产工艺 32纳米不晚于英特尔
IBM突破芯片生产工艺 32纳米不晚于英特尔
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日本研制成功3D晶体管 处理器速度提升10倍
日本研制成功3D晶体管 处理器速度提升10倍
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晶体管：60花甲宝刀不老！
60年前，科学家们在贝尔实验室证明了20世纪最重要的发明：第一只真正的晶体管。 很难说电子时代起源于何时，但是，WilliamSturgeon在1825年对电磁石的发展，为JosephHenry在1830年发明粗糙的电报机播下了种子，那是
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美科学家新发现：新型碳晶体管胜过非晶硅！
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微欧功率MOSFET晶体管（ST）
意法半导体（ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。
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微欧功率MOSFET晶体管（ST）
意法半导体（ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。
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CPU核战：向45纳米高地挺进 充实高端市场
英特尔45纳米处理器发布，安全电脑国际标准出台，华硕超低价EeePC“登陆”，在2007年最后两个月中，沉寂了一段时间的IT业界再次热闹起来，一些将深刻影响来年的PC大事纷纷登台。尽管2007年笔记本增速已经达到了28%，
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英特尔发布45纳米新一代处理器 增加晶体管数
11月12日消息，据国外媒体报道，英特尔公司打算在周一推出最新一代处理器，公司将以精确的新工艺开展大规模生产，新一台45纳米制造工艺可将多达40%的晶体管放入芯片。 全球最大半导体制造商将开始销售16款新微处理器
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英特尔即将发布45纳米处理器
据国外媒体报道，英特尔计划于本周一推出新一代处理器。英特尔新型处理器采用了45纳米生产工艺，晶体管数量比上一代产品增加了40%。与此同时，新型处理器还采用了新材料，以解决电泄漏的问题。 英特尔将于周一发布1
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英特尔即将发布45纳米处理器
英特尔即将发布45纳米处理器
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微波NPN晶体管BFU725F（NXP）
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）（由飞利浦创建的独立半导体公司）发布了BFU725F微波NPN晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的第一款产品。
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英特尔12英寸/45纳米工艺芯片厂投产
本刊讯 10月25日，英特尔斥资30亿美元建造的一座12英寸芯片厂周四正式投产，坐落于美国亚利桑那州钱德勒市的这家制造厂，是英特尔首座采用45纳米工艺的大规模芯片制造厂。这座代号为“Fab 32”的工厂，占地约100万平
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龙芯2F大规模量产 性能相当中档奔4
龙芯2F大规模量产 性能相当中档奔4
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Zetex 发布两款低电压PNP晶体管
Zetex Semiconductors (捷特科) 公司在其低饱和、大电流SOT23FF晶体管系列中新增两款低电压PNP晶体管产品 —— ZXTP25020CFF和ZXTP19020DFF。
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碳纳米管晶体管发展迅速，截止频率提高三倍
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安森美扩展低Vce(sat)双极结晶体管产品
电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件，丰富了其业界领先的低Vce(sat)双极结晶体管(BJT)产品系列。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET相比，不仅实现了
