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英特尔12英寸/45纳米工艺芯片厂投产
时间：2007-10-26 09:22:34
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[导读] 本刊讯 10月25日，英特尔斥资30亿美元建造的一座12英寸芯片厂周四正式投产，坐落于美国亚利桑那州钱德勒市的这家制造厂，是英特尔首座采用45纳米工艺的大规模芯片制造厂。这座代号为“Fab 32”的工厂，占地约100万平
本刊讯 10月25日，英特尔斥资30亿美元建造的一座12英寸芯片厂周四正式投产，坐落于美国亚利桑那州钱德勒市的这家制造厂，是英特尔首座采用45纳米工艺的大规模芯片制造厂。
这座代号为“Fab 32”的工厂，占地约100万平方英尺，相当于17个足球场大小，员工人数超过1千人，采用最为先进的45纳米生产工艺。
新厂主要生产代号为“Penryn”的芯片，主要用于支持网络运行的PC及服务器，产品预计于11月12日上市销售。
新厂的投产将使英特尔进一步保持与AMD的竞争优势。目前英特尔大多数芯片都使用65纳米制造工艺，45纳米意味着硅片的同一区域可以安放更多的晶体管，从而实现提高芯片厂生产率，提高芯片运算速度并降低能耗的目的。目前，AMD仍在采用65纳米工艺，预计到明年才能转向45纳米。
据悉，英特尔计划最新投资80亿美元用于升级或建造45纳米芯片厂，其中包括斥资35亿美元在以色列建厂，另投资15亿美元升级位于美国新墨西哥州的一家工厂，预计两家工厂均于明年投产。
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