业内最受欢迎的适用于AEC-Q101高温应用的BAS16/21二极管和BC807/817晶体管
18日,美国半导体解决方案领导供应商MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.(以下简称MACOM)于美国股市6月18日盘后宣布,公司已启动组织重整计划,一旦全面实施,每年平均可省下5000美元的费用。
撤去保护, 中间那个就是Fin门部位的多晶硅/高K介质生长门部位的氧化层生长长成这样源极 漏极制作(光刻+ 离子注入)初层金属/多晶硅贴片蚀刻+成型物理气相积淀长出表面金属层(因为是三维结构, 所有连
为了使得客户易于集成功率系统,宜普电源转换公司(EPC)为客户提供领导业界的氮化镓功率器件的晶圆。
“集成电路并不是一个能够遍地开花的事情。我曾经到了一个地方,这个地方领导说,我们下决心了,要把集成电路做上去,在我们这里建个集成电路厂。我就说,恐怕不行,你这里没钱。我一说没钱呢,人家很不高兴,马上就说你怎么知道我没钱?跟旁边的人说,我给你50个亿,你给我把这个事情做起来!我就跟他说,恐怕后面还要再加个0。”
晶体管的微缩制程技术越来越难实现,并且所须要的成本代价非常昂贵,然而消费电子产品尤其是可穿戴设备的崛起对于追求更加轻薄便捷、功能效率显著提高的要求越来越强,先进封装技术成为了推动摩尔定律持续推进的关键。
根据最新曝料,AMD自己还准备了纪念版的Radeon VII显卡,从流出的资料看,这个特殊版本将采用红色的外观,有别于以往的银色,看起来更加激情。
清华大学化学系焦丽颖课题组和微电子所任天令课题组在《自然·电子学》上在线发表了题为“二维电子元件一体化制备及集成”的研究论文,首次提出了二维晶体材料合成与器件集成一体化的器件制备策略。
4月1日,模拟IC厂商达尔科技Diodes官网宣布,已完成对德州仪器位于苏格兰格里诺克的晶圆制造厂和运营部门(GFAB)的收购。
3月19日,材料领域国际顶级期刊《自然·材料》发表了复旦大学修发贤团队最新研究论文,《外尔半金属砷化铌纳米带中的超高电导率》。修发贤团队制备出二维体系中具有目前已知最高导电率的外尔半金属材料-砷化铌纳米带,该材料电导率是铜薄膜的一百倍,石墨烯的一千倍,这也是目前二维体系中的最高电导率。
展望未来十年,功耗和功率密度将会被视为限制数据中心和行动装置运算性能提升的因素。我们将再次面临挑战,就像1980年代使用80386处理器时的情况一样——运算性能受到功耗或热的限制,但事实上,这些问题最终都透过芯片封装技术改善了。
韩国开发出更有效的超微细半导体粒子的“石墨烯量子点”技术,预计能对新一代电子产品的元件“单电子晶体管”发展做出贡献。
12月14日消息,意法半导体推出MDmesh?系列600V超结晶体管,针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。
2018年的中国集成电路,一如既往地发展着,同时仍保持着90%的高端芯片依赖进口的局面,每年集成电路进口额也仍在2000多亿美元,连续多年位于我国进口产品中的榜首。
该转换器描述如下:它基于一个硅双极型晶体管(BJT),可在低于250mV电压下工作,这对一个不是基于结型场效应管或锗晶体管的转换器来说几乎是创记录的。如何实现这种可能性呢