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创新「混合式晶圆」可望实现单芯片手机
美国麻省理工学院(MIT)的研究人员利用氮化镓(gallium nitride，GaN)材料做成的晶圆片，制造出一种内含硅晶体管的芯片；虽然该种芯片大部分的晶体管仍是以硅制成，但其余的氮化镓晶体管性能更高。 目前的研究人员试图
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剑桥研发LED新制法 可大大降低造价
据美国工程物理科学委员会（Engineering and Physical Science Council）消息，剑桥大学氮化镓中心研究出一种发光二极管（LED）的新制法，可使其造价降低90%，并有望在五年内将家庭电费减少75%。 90年代以来，用于制
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剑桥发光二极管新技术将大幅降低居民电费
据美国工程物理科学委员会（Engineering and Physical Science Council) 消息，剑桥大学（Cambridge University）氮化镓(Gallium Nitride GaN)中心研究出一种发光二极管（LED）的新制法，可使其造价降低90%，并有望在
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OKI为无线基站研制的氮化镓晶体管
今天，OKI公司宣布将开始预备为无线基站研制的增强型伪同晶高电子迁移率氮化镓晶体管(GaN-HEMT)。这种晶体管的使用，将有效降低3G移动电话和PHS基站以及城域网基站的规模与能耗。 GaN-HEMT拥有3-10W/mm...
