氮化镓(GaN)是一种III / V直接带隙半导体,作为第三代半导体材料的代表,随着其生长工艺的不断发展完善,现已广泛应用于光电器件领域,如激光器(LD)、发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等。GaN基材
氮化镓(GaN)是一种III / V直接带隙半导体,作为第三代半导体材料的代表,随着其生长工艺的不断发展完善,现已广泛应用于光电器件领域,如激光器(LD)、发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等。GaN基材
氮化镓(GaN)是一种III / V直接带隙半导体,作为第三代半导体材料的代表,随着其生长工艺的不断发展完善,现已广泛应用于光电器件领域,如激光器(LD)、发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等。GaN基材料的良好
氮化镓(GaN)是一种III / V直接带隙半导体,作为第三代半导体材料的代表,随着其生长工艺的不断发展完善,现已广泛应用于光电器件领域,如激光器(LD)、发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等。GaN基材
据国外媒体报道,三星电子周一称,其研究人员报告在LED技术方面实现一项技术突破,将允许使用窗户玻璃等普通玻璃生产超大尺寸高级显示屏面板。三星称,三星高级技术研究所在非晶玻璃基板上成功地制造出单晶氮化镓。这
据国外媒体报道,三星电子周一宣布,公司研究人员已经在LED(发光二极管)技术上取得突破性进展,现在已经能够利用普通玻璃比如窗户玻璃来生产超大尺寸的高级显示屏面板。三星高级技术研究所(Samsung Advanced Institu
10月11日消息,据国外媒体报道,三星电子周一称,其研究人员报告在LED技术方面实现一项技术突破,将允许使用窗户玻璃等普通玻璃生产超大尺寸高级显示屏面板。三星称,三星高级技术研究所在非晶玻璃基板上成功地制造出
10月11日消息,据国外媒体报道,三星电子周一称,其研究人员报告在LED技术方面实现一项技术突破,将允许使用窗户玻璃等普通玻璃生产超大尺寸高级显示屏面板。三星称,三星高级技术研究所在非晶玻璃基板上成功地制造出
美国空军研究实验室(AFRL)已完成了其“经济上可承受的武器数据链插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion,AWDI)研究项目。该项目由AFRL、罗克韦尔•柯林斯公司和Nitronex公司联合完成,目标是改进武器数
美国空军研究实验室(AFRL)已完成了其“经济上可承受的武器数据链插入”(Affordable Weapons Datalink Insertion,AWDI)研究项目。该项目由AFRL、罗克韦尔•柯林斯公司和Nitronex公司联合完成,目标是改
1千万元到1亿元的距离,东莞中镓半导体公司(以下简称中镓半导体)觉得不远,今年直指1亿元产值目标,而去年产值才1千万元。 中镓半导体的1亿元产值,即便在东莞也不算多。led产业已列入广东省战略性新兴产业。去年,
21ic讯 宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。EPC2012 FET是一
21ic讯 宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。EPC2012 FET是一
台积电(2330)转投资的LED照明技术及解决方案研发与制造厂商Bridgelux公司今早宣布,其刷新自己创下在业界「氮化镓上矽」技术(GaN-on-Si)最高每瓦流明纪录。Bridgelux技术长Steve Lester指出,公司对于这个领域的进
近日,普瑞宣布将在未来两年预计制造基于硅衬底的LED芯片。由于LED的成本的居高不下,阻碍了LED照明在通用照明领域的普及,普瑞希望通过此举可降低大约20%至30%LED照明成本。普瑞公司战略和发展副总裁Bullington表示
近日,普瑞宣布将在未来两年预计制造基于硅衬底的LED芯片。由于LED的成本的居高不下,阻碍了LED照明在通用照明领域的普及,普瑞希望通过此举可降低大约20%至30%LED照明成本。普瑞公司战略和发展副总裁Bullington表示
美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10 ′10 mm-2和18 ′18 mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘
美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于
美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于
赛迪顾问表示,从2003年启动国家半导体照明工程到现在,中国的led产业已经获得了长足的发展。2008年,受全球金融危机的影响,LED行业下游需求低迷,LED行业增长减慢。到2009年,由于国家的各项配套政策,LED行业的增