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科学家开发下一代“完全整合”LED元件
伦斯勒理工学院(RensselaerPolytechnicInstitute)的智能照明工程技术研究中心稍早前宣布，已经成功地在相同的氮化镓(GaN)上整合LED和功率电晶体。研究人员称这项创新将敲开新一代LED技术的大门，因为它的制造成本更低
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IHS：2013年氮化镓LED产品收益将超100亿美金
IHS研究公司预计，2013年将有超过1000亿件氮化镓LED单位的出货，且来自于氮化镓LED产品的收益将超过100亿美金。公司预计今年应用于照明领域的氮化镓LED产品总收入将达到34亿美金，并于2016年达到67亿美金。 IHS指出，
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硅基氮化镓在大功率LED的研发及产业化
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底大功率
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宜普公司的全新氮化镓功率器件网上图书馆正式开馆
宜普电源转换公司于2013年5月宣布全新设计的宜普网站的氮化镓晶体管网上图书馆正式开馆(epc-co.com )， 使工程师可以轻松搜寻及取得关于氮化镓晶体管技术的教育资源及产品资料。功率设计工程师可以浏览主页便直接找
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IR开始商业装运氮化镓器件
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日宣布已经为一套家庭影院系统测试并装运了基于其革命性氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台的产品。这套家庭影院系统是由一家业界领先的消费电子产品公司所
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IR开始商业装运氮化镓器件
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日宣布已经为一套家庭影院系统测试并装运了基于其革命性氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台的产品。这套家庭影院
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IR开始商业装运氮化镓器件
全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日宣布已经为一套家庭影院系统测试并装运了基于其革命性氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台的产品。这套家庭影院系统是由一
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孙钱：硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率LED的研发及产业化
2013年5月14日下午，在由国家半导体照明工程研发及产业联盟与英国励展博览集团共同主办的“2013上海国际新光源&新能源照明论坛”之 “新光源&新能源照明的应用”分会上，来自晶能光电有限公司孙钱博士做了题为《硅衬
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剑桥大学CCS系统实现6英寸硅晶片生长氮化镓外延
德国爱思强股份有限公司(Aixtron)日前宣布，剑桥大学在材料科学与冶金系的新设施中成功完成另一套多晶片近耦合喷淋头(CCS)MOCVD反应器的调试工作。据爱思强称，剑桥大学该套6x2英寸的CCS系统将配置为可以处理一片6英
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剑桥大学实现6英寸硅晶片生长氮化镓外延
德国爱思强股份有限公司(Aixtron)日前宣布，剑桥大学在材料科学与冶金系的新设施中成功完成另一套多晶片近耦合喷淋头(CCS)MOCVD反应器的调试工作。据爱思强称，剑桥大学该套6x2英寸的CCS系统将配置为可以处理一片6英
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宜普公司推出内含增强型氮化镓场场效应晶体管的EPC9005开发板
21ic讯 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出内含增强型氮化镓场场效应晶体管的EPC9005开发板，展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器可帮助工程师简单地及以低成本从硅器件转而采用氮化镓技
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台港企业在南京共建12亿美元半导体项目
新华网南京4月6日电(记者 张展鹏)记者6日从南京市台办获悉，由台湾立升投资控股集团与香港企业共建的半导体项目已签约落户南京，项目计划总投资达12亿美元。 该项目位于南京经济技术开发区，由台湾立升投资控股
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台港企业在南京共建12亿美元半导体项目
新华网南京4月6日电(记者 张展鹏)记者6日从南京市台办获悉，由台湾立升投资控股集团与香港企业共建的半导体项目已签约落户南京，项目计划总投资达12亿美元。该项目位于南京经济技术开发区，由台湾立升投资控股集团、
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宜普推出全新内含100 V氮化镓场效应晶体管的开发板
21ic讯 宜普电源转换公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010开发板。这种开发板能使工程师更方便地使用宜普100 V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管(FET)来设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速直流-直流电源、负
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宜普展示200V氮化镓场效应晶体管 可使设计功率系统变得容易
21ic讯 宜普电源转换公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9004开发板，展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器，可帮助设计工程师简单地及以低成本从硅功
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TriQuint推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管
21ic讯 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的
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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会
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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
21ic讯 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量
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TriQuint与Richardson RFPD合作提供广泛的创新氮化镓产品选择
21ic讯 TriQuint半导体公司和Richardson RFPD日前宣布，Richardson RFPD新建立的氮化镓技术中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint业内领先的广泛氮化镓 (GaN) 产品系列——包括放大器、晶体管和开关。TriQuint
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TriQuint与Richardson RFPD合作提供广泛的创新氮化镓产品选择
TriQuint自1999年起一直是氮化镓研发领域的先驱者，并在2008年推出首批商业产品和发布了氮化镓的代工。TriQuint通过广泛的氮化镓产品系列，和其出色的高频0.25微米碳化硅衬底氮化镓 (GaN on SiC) 代工服务，继续保持
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