21ic讯 宜普电源转换公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010开发板。这种开发板能使工程师更方便地使用宜普100 V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管(FET)来设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速直流-直流电源、负
21ic讯 宜普电源转换公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9004开发板,展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器,可帮助设计工程师简单地及以低成本从硅功
21ic讯 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益。这些新的
富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会
21ic讯 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量
21ic讯 TriQuint半导体公司和Richardson RFPD日前宣布,Richardson RFPD新建立的氮化镓技术中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint业内领先的广泛氮化镓 (GaN) 产品系列——包括放大器、晶体管和开关。TriQuint
TriQuint自1999年起一直是氮化镓研发领域的先驱者,并在2008年推出首批商业产品和发布了氮化镓的代工。TriQuint通过广泛的氮化镓产品系列,和其出色的高频0.25微米碳化硅衬底氮化镓 (GaN on SiC) 代工服务,继续保持
AZZURROSemiconductors将正式投产8吋矽基氮化镓(GaN-on-Si)发光二极体(LED)。继2011年量产6吋晶圆后,AZZURROSemiconductors日前再度公开宣示,将于2013年第二季导入8吋矽基氮化镓LED晶圆生产,以迎合未来客户需求。
增强型氮化镓电源管理器件的供应商宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion)日前宣布,WiTricity™公司开发出采用高频氮化镓(eGaN®)的无线电源展示系统。WiTricity™公司的无线电源展示系统内含宜
目前,世界范围内在GaN基高亮度LED及半导体全固态照明光源的研发方面居于领先水平的公司主要有:美国的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他综合性大公司(如NEC、Matsushita、
美国能源部(DOE)下属能源转换机构ARPA-E已经选定氮化镓对氮化镓(GaN-on-GaN)新成立公司Soraa来引领GaN基质研发项目。 新成立公司Soraa在二月份举办的照明策略大会(the Strategies in Light Conference)上毫无动静,但
过去在电子工业中知名的普莱思半导体有限公司,已交付到能够一次处理7个6英寸的晶片的Aixtron(爱思强)公司,并用于生产高亮度LED。普莱思正在利用自身的技术制造基于硅衬底的氮化镓晶片。“我们使用更薄的氮化镓
成本一直是LED照明一个主要障碍,妨碍著人们购买高能效LED球泡灯。现在,世界上最大的一家LED制造商欧司朗光电半导体公司(Osram Opto Semiconductors)表示,它已经完善技术,能显著降低LED的生产成本。白光LED的制备
成本一直是一个主要障碍,妨碍著人们购买高能效LED灯泡。现在,世界上最大的一家LED制造商欧司朗光电半导体公司(Osram Opto Semiconductors)表示,它已经完善技术,能显著降低LED的生产成本。 白色LED的制备,通常
成本一直是一个主要障碍,妨碍著人们购买高能效LED灯泡。现在,世界上最大的一家LED制造商欧司朗光电半导体公司(Osram Opto Semiconductors)表示,它已经完善技术,能显著降低LED的生产成本。 白色LED的制备
成本一直是LED照明一个主要障碍,妨碍著人们购买高能效LED球泡灯。现在,世界上最大的一家LED制造商欧司朗光电半导体公司(Osram Opto Semiconductors)表示,它已经完善技术,能显著降低LED的生产成本。白光LED的制备
据物理学家组织网近日报导,一种新的制造技术有望大幅降低发光二极管(LED)的生产成本,进一步推动其普及进程。这项由西门子旗下子公司欧司朗光电半导体公司的研究人员所进行的研究,成功在矽衬底上生产出了氮化镓L
据悉,一种新的制造技术有望大幅降低发光二极管(LED)的生产成本,进一步推动其普及进程。这项由西门子旗下子公司欧司朗光电半导体公司的研究人员所进行的研究,成功在矽衬底上生产出了氮化镓LED芯片,取代了目前普
氮化镓并非革命性的晶体管技术,这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体(Si LDMOS)和砷化镓(GaAs)晶体管技术以及某些特定应用中的真空管。与现有技术相比,氮化镓(GaN)的优势在于更高的漏极效率、
据悉,一种新的制造技术有望大幅降低发光二极管(LED)的生产成本,进一步推动其普及进程。这项由西门子旗下子公司欧司朗光电半导体公司的研究人员所进行的研究,成功在矽衬底上生产出了氮化镓LED芯片,取代了目前普