【2026年3月12日,德国慕尼黑讯】随着汽车行业向软件定义汽车(SDV)转型,网络安全已成为保护车辆生态系统、主机厂(OEM)知识产权及终端客户隐私的关键。为满足这一需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正全面升级其汽车微控制器(MCU)产品组合,通过确保AURIX™ TC4x和TC3x系列、车规级PSOC™和TRAVEO™ T2G系列符合ISO/SAE 21434标准,英飞凌进一步巩固了其在汽车信息安全领域的领导地位。此外, 英飞凌AURIX™ TC397已获得中国汽车技术研究中心(CATARC)的网络安全认证,并推出支持后量子加密(PQC)的解决方案。
Atmel® 微型编程接口(TPI)仅在部分低端 Atmel AVR® 微控制器上配备,它使外部编程器能够访问设备的非易失性存储器(NVM)。该接口可访问设备锁定位、程序闪存以及签名、配置和校准部分。
Flash ROM(闪存)作为非易失性存储器的重要分支,自1988年英特尔推出NOR架构、1989年东芝发布NAND架构以来,凭借兼顾存储稳定性与成本效益的优势,逐渐取代传统ROM、EPROM,成为电子设备的核心存储部件。它基于浮栅晶体管技术存储数据,既保留了非易失性的核心优势,又优化了读写效率与集成密度,在消费电子、工业控制等领域占据不可或缺的地位。
中国,2025年9月12日——意法半导体已将其广泛应用的SPC58汽车微控制器(MCU)长期供应计划从15年延长至20年,确保通用及高性能产品线至少供应至2038年。其中,通用系列中的SPC58 H系列配备高达10MB的非易失性存储器(NVM)用于代码和数据存储,供应期限将延长至至少2041年。
【2025年7月24日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出新型英飞凌ID Key系列,进一步扩展其通用串行总线(USB)令牌、加密狗、安全密钥及其他基于硬件的鉴权应用场景。新推出的ID Key S USB是一款高安全且功能多样的产品,专为各类USB及USB/NFC令牌设备与应用设计。ID Key S USB集成了英飞凌SLC38安全控制器的集高安全性、高性能及高可靠性, 并与USB桥接控制器合封在一个独立模块中,是一款独特的系统级合封方案。
在数据量呈指数级增长的时代,非易失性存储器(NVM)凭借断电数据不丢失的特性,成为数据中心、边缘计算与物联网设备的核心组件。然而,其耐久性瓶颈——如PCM的写入次数限制、RRAM的电阻漂移、Flash的擦写寿命衰减等问题,正制约着技术的进一步普及。从算法优化到材料创新,全球科研机构正通过多维度技术突破,将NVM的写入寿命从十万次提升至千万次量级,为存储革命注入新动能。
2025年2月6日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 于2024年新增超过60家供应商,产品代理阵容持续扩大,为广大电子设计工程师与采购人员提供了更加多元化的选择。贸泽为客户提供各类先进产品,让设计人员轻松获得各项新技术,协助其加快产品上市速度。
为增进大家对存储器的认识,本文将对存储器的工作原理以及非易失性存储器的具体类型予以介绍。
具有将出色的交易性能与易于集成的全系统解决方案相结合的特性
2023 年 1 月 3 日,中国——意法半导体的STNRG011A数字电源二合一控制器适用于 90W 至 300W 电源,强化了过载管理功能,确保在过流保护功能激活时输出电压调整准确。
【2022年11月22日,德国慕尼黑讯】近日,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布该公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F-RAM存储器(铁电存取存储器)开始批量供货。该系列储存器是业界功率密度最高的串行F-RAM存储器,能够满足新一代汽车和工业系统对非易失性数据记录的需求,防止在恶劣的工作环境中丢失数据。新存储器的工作电压范围为1.71 V至3.6 V,借助低引脚数接口,该器件可支持高达54MBps的数据吞吐量,并且采用了符合RoHS标准的24-ball FBGA封装。
2022 年 6 月 30 日,中国—— 依托在串行EEPROM技术领域的积累和沉淀,意法半导体率先业界推出了串行页EEPROM (Serial Page EEPROM)。这款全新类别的EEPROM 是一种SPI串行接口的高容量页可擦除存储器,擦写灵活性、读写性能和超低功耗独步业界,前所未有。意法半导体新的串行页EEPROM产品家族前期先推出32Mbit 的M95P32,稍后在适当的时候增加16Mbit 和 8Mbit 产品。
爱思开海力士·英特尔DMTM半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区举行开工仪式。该项目将建设一座新的晶圆工厂,从事非易失性存储器3D NAND芯片产品的生产。
先进嵌入式解决方案的领导者赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码:CY)近日宣布推出新型串行非易失性存储器系列,为关键任务数据采集提供卓越性能和高可靠性。Excelon™铁电随机存取存储器(F-RAM™)系列具有高速非易失性数据记录功能,即使在恶劣的汽车和工业环境中,以及处于极端温度的情况下均可防止数据的丢失。ExcelonAuto系列具有2Mb至4Mb的汽车级存储密度,而ExcelonUltra系列具有4Mb至8Mb的工业级存储密度。这两个系列均提供低引脚数的小型封装选项,是各类先进汽车和工业应用的理想选择。
汽车系统的设计变得越来越复杂,因为要不断的加入新的功能,如高级驾驶辅助,图形仪表,车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作,每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器,以便在复位操作和电源切换期间存储信息。非易失性存储器用于存储可执行代码或常量数据、校准数据、安全性能和防护安全相关信息等重要数据,以作将来检索用途。
基于不断发展的硅技术的集成电路使得集成了若干模块的复杂SoC的制造得以实现。最早的SoC是微控制器,其中包括CPU、缓存SDRAM和用于连接传感器和制动器(actuator)的外设模块
近日,在英特尔扎根中国市场30年之际,英特尔正式宣布将计划升级其大连工厂,将转产为“非易失性存储器”制造。未来,英特尔预计对此项目投资高达55亿美元,是英特尔迄今在中国的最大一笔投资。
为帮助企业及消费用户进一步提升数据处理效率及利用率、突破存储瓶颈,英特尔公司于今天在京举办了2015英特尔固态盘媒体沟通会,在解读2015年英特尔固态盘市场的最新战略的
基于不断发展的硅技术的集成电路使得集成了若干模块的复杂SoC的制造得以实现。最早的SoC是微控制器,其中包括CPU、缓存SDRAM和用于连接传感器和制动器(actuator)的外设模块
纵观目前低容量并行接口的非易失存储器市场,EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占据了市场主流,其中EEPROM的供应厂家很多,其中以ATMEL,ST等厂家占主导地位,FRAM只有美国