DDR3

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DRAM产业二次崩盘潮

全球DRAM产业再度面临二次崩盘潮的危机，虽然2010年上半年在供给不足的情况下，DRAM报价达到顶峰，但下半年却意外遇上个人计算机(PC)产业旺季不旺，加上DRAM产业供给端大量产出，使得DRAM价格再度面临崩盘窘境，时至

智能硬件
2010-12-01

DRAM DDR3 BSP 时序
S2C现可提供DDR2和DDR3原型就绪IP

S2C公司宣布S2C的客户现在可以购买工作在S2C第四代S4 TAI Logic Module上的DDR2和DDR3原型就绪IP。该IP允许用户在S2C基于Altera Stratix IV的FPGA原型硬件运行即开即用的2G DDR2到533Mbps，2G DDR3到800Mbps。FPGA上

电子设计自动化
2010-11-18

SoC AI IP DDR3
如何实现FPGA到DDR3 SDRAM存储器的连接

采用90nm工艺制造的DDR3 SDRAM存储器架构支持总线速率为600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高带宽，工作电压低至1.5V，因此功耗小，存储密度更可高达2Gbits。该架构无疑速度更快，容量更大，单位比特的功耗更低，但问

电子设计自动化
2010-11-05

FPGA 存储器 SDRAM DDR3
集邦科技：DRAM产业Q3营收仅增3.4%

集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange调查，全球DRAM产业第3季营收数字达108亿美元，虽然DRAM总产出量季成长15%，但在第3季合约价跌幅超乎预期拖累，相较于上季营收104亿美元，仅微幅成长约3.4%。而在全球市占上，韩系D

模拟
2010-11-03

三星 GB DRAM DDR3
台DRAM厂4Q面临全亏危机

南亚科和华亚科20日将打头阵召开法说，然力晶却抢先公布第3季财报，税后获利19.36亿元，若加计瑞晶获利，第3季获利可望逼近30亿元；南亚科和华亚科则因为50奈米制程转换，产出不如预期，加上DDR3价格慢性崩盘，使得2

模拟
2010-10-19

芯片 GB DRAM DDR3
力晶前3季赚122亿元笑傲DRAM厂

DRAM大厂力晶科技（5346）昨（18）日公布今年第3季不含转投资瑞晶之自行结算财务报告，第3季营收达250.24亿元，毛利率达17.35％，每股净利达0.34元，而总结今年前3季营收达675.42亿元，税后净利达122.39亿元，每股净

模拟
2010-10-19

晶圆代工先进制程 DRAM DDR3
内存: 30nm工艺将成主流,1G DDR3芯片价格跌至1.99$

据相关消息保奥：近日，1Gb DDR3芯片平均现货价格已跌至1.99美元，另外同规格eTT芯片价格也仅为1.74美元。依此趋势，年底时1Gb DDR3芯片价格有可能跌至1美元左右，远低于一些厂商的成本价。据相关报道，使用

显示光电
2010-10-16

芯片内存 GB DDR3
内存价格10月份将持续下调

据HKEPC网站报道，市调机构DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM颗粒合约价持续下调， DDR3 1Gb颗粒均价趺破2美元关口， DDR3 2GB模块合约价亦由36美元下调至34美元，跌幅约为5.5% ，而低位更曾经下试33美元新低水平，第

电子设计自动化
2010-10-06

内存 GB DRAM DDR3
三星量产8GB DDR3笔记本电脑内存模组

三星刚刚公布其量产8GB DDR3笔记本内存模组的消息，根据计划，三星将为笔记本和移动工作站生产SODIMM接口内存模块，该模块基于40纳米制程，1333MHz频率，1.5V电压，比上一代4GB DDR3模组节电53%，比1.8V DDR2节电67%

电子设计自动化
2010-09-24

三星内存笔记本电脑 DDR3
DRAM价15天爆跌10%恐跌至2美元线

韩国电子时报报导，DRAM价格在15天内暴跌10%，1GbDDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值，不只三星电子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)，设备业者也感到相当紧张。据市调机构DRAMeXange统计，1GbDDR

模拟
2010-09-20

半导体海力士 DRAM DDR3
DRAM价15天爆跌10%　恐跌至2美元线

韩国电子时报报导，DRAM价格在15天内暴跌10%，1Gb DDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值，不只三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，设备业者也感到相当紧张。据市调机构DRAMeXange统计，1Gb

智能硬件
2010-09-20

半导体海力士 DRAM DDR3
Agiga以当前最高密度的非易失性DDR3解决方案扩充产品线

赛普拉斯半导体子公司AgigA技术公司日前宣布，推出业界最高存储密度的DDR3解决方案，成为其无需电池供电的高速非易失性RAM系列产品中新的一员。AGIGARAM™非易失性产品系列中的这一新解决方案可提供高达8GB的存

消费电子
2010-08-19

电池供电 SDRAM GB DDR3
高存储密度的DDR3解决方案（Agiga）

赛普拉斯半导体公司的子公司AgigA技术公司日前宣布，推出业界最高存储密度的DDR3解决方案，成为其无需电池供电的高速非易失性RAM系列产品中新的一员。AGIGARAM™非易失性产品系列中的这一新解决方案可提供高达8

智能硬件
2010-08-18

存储密度 SDRAM GB DDR3
惠瑞捷全新的HSM3G高速内存测试解决方案

惠瑞捷全新的 HSM3G 高速内存测试解决方案为 DDR3、DDR4和更高级的内存提供了低廉的测试成本平价的升级提供了未来三代设备多代发展路径惠瑞捷 (Verigy)（纳斯达克代码：VRGY）推出了全新的 HSM3G 高速内存测试解

模拟
2010-08-11

内存测试解决方案 3G DDR3
DRAM涨价效应难再现　供给大增考验价格承受力

近2年DRAM价格的高点都出现在上半年，下半年虽然有传统旺季的加持，但DRAM价格反而都是一路走下坡的趋势，除了是全球经济局势变量太多，各厂力拼制程微缩，拼命转进新制程以增加产出，也是因素之一;目前各界认为，20

智能硬件
2010-08-06

PC ELECTRONICS DRAM DDR3
DRAM涨价效应难再现供给大增考验价格承受力

近2年DRAM价格的高点都出现在上半年，下半年虽然有传统旺季的加持，但DRAM价格反而都是一路走下坡的趋势，除了是全球经济局势变量太多，各厂力拼制程微缩，拼命转进新制程以增加产出，也是因素之一；目前各界认为，2

模拟
2010-08-05

PC ELECTRONICS DRAM DDR3
JEDEC发布低电压存储器标准DDR3L

JEDEC 固态技术协会, 微电子产业标准全球领导制定机构，今天宣布正式发布JEDEC DDR3L规范。这是广受期待的DDR3存储器标准JESD79-3 的附件。这是DDR3作为当今DRAM主导性标准演变的继续。DDR3L 将促使应用存储器的涉

消费电子
2010-08-05

存储器低电压 JEDEC DDR3
63奈米新制程撑腰力晶7月营收创40个月新高

DRAM大厂力晶(5346-TW)今(3)日公布7月营收，在晶圆代工客户需求强劲，以及63奈米新制程DRAM出货比重逐渐上扬下，带动7月营收持续升至86.17亿元，月增0.7%，并创近40个月来新高。力晶副总经理暨发言人谭仲民表示

模拟
2010-08-04

电子晶圆代工 DRAM DDR3
先进制程转换Q4全球DRAM市场趋向供过于求

DigitimesResearch分析师柴焕欣分析，2008年下半受金融海啸冲击，除三星电子(SamsungElectronics)外，全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损，为保有手中资金，各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此举

模拟
2010-07-30

先进制程 BORDER DRAM DDR3
先进制程转换Q4 全球DRAM市场趋向供过于求

DigitimesResearch分析师柴焕欣分析，2008年下半受金融海啸冲击，除三星电子(SamsungElectronics)外，全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损，为保有手中资金，各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此举

模拟
2010-07-28

先进制程 DIGI DRAM DDR3

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DRAM产业二次崩盘潮

S2C现可提供DDR2和DDR3原型就绪IP

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DRAM价15天爆跌10%恐跌至2美元线

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Agiga以当前最高密度的非易失性DDR3解决方案扩充产品线

高存储密度的DDR3解决方案（Agiga）

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DRAM涨价效应难再现　供给大增考验价格承受力

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