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福懋科、华东Q1营收续冲

DRAM封测厂首季展望乐观，由于DDR3封测制程改变，代工价格较DDR2增加约20％，加上DDR2封测代工价今年初已调涨10％，DRAM封测厂首季平均价格（ASP）明显优于去年第4季，加上上游DRAM厂提升投片量，法人预估福懋科（81

模拟
2010-01-27

DRAM DDR3 尔必达东芝
机台交期延DRAM厂制程微缩绊脚石

2010年台DRAM厂将决战50和40奈米制程技术，但新制程关键恐未必在技术上，而在于浸润式微显影(ImmersionScanner)机台设备采购是否能跟上脚步，近期业界传出瑞晶机台原本2月要交货，但目前交期已递延至4月，南亚科和华

模拟
2010-01-26

美光制程技术 DRAM 尔必达
机台交期延　DRAM厂制程微缩绊脚石

2010年台DRAM厂将决战50和40奈米制程技术，但新制程关键恐未必在技术上，而在于浸润式微显影(Immersion Scanner)机台设备采购是否能跟上脚步，近期业界传出瑞晶机台原本2月要交货，但目前交期已递延至4月，南亚科和华

电子设计自动化
2010-01-26

美光制程技术 DRAM 尔必达
三星与Rambus达成和解将支付9亿美元

据国外媒体报道，三星公司和Rambus公司1月19日宣布双方已达成和解协议，此前所有争端已得到解决，并且三星还得到了Rambus的授权，以使三星能在其产品上使用Rambus的专利技术。在此协议下，三星将向Rambus初步支付2

消费电子
2010-01-26

三星 RAM 随机存储器 DRAM
并Touchdown 惠瑞捷探针卡技术如虎添翼

半导体测试设备与解决方案大厂惠瑞捷（Verigy）接橥今年四大发展目标，除了计划提升既有测试机台的影响力外，惠瑞捷也藉由并购Touchdown取得半导体探针卡（probe card）技术，同时惠瑞捷并计划在18个月内把RF测试的

模拟
2010-01-26

测试机 HD TOUCH DRAM
中芯国际全面停止DRAM生产

上海芯片代工厂中芯国际自新任CEO王宁国掌权后，包括中芯本身、武汉厂新芯、成都厂成芯等可掌控产能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生产业务。由于中芯过去两年以SDRAM填补产能，成为国内消费性电子产品及家电市

智能硬件
2010-01-25

中芯国际电子 SDRAM DRAM
DRAM忙扩产封测涨价在即

虽然三星、海力士、美光等3大厂仍未释出封测订单委外代工，但占全球DRAM产能逾4成的台湾DRAM厂及日本尔必达，封测订单却是源源不绝释出，所以台湾DRAM业者如力成、华东、福懋科、泰林等，今年来产能利用率维持95％以

模拟
2010-01-23

美光 GB DRAM DDR3
力成去年第四季毛利率仍有26%以上

DRAM封测大厂力成（6239）已敲定在2月4日举行法说会，公布去年第四季和全年财报。法人预期，力成第四季单季毛利率将持续成长，有机会超过26%，续优于第三季的水平。随着半导体景气持续复苏，带动内存IC封测厂营

模拟
2010-01-23

半导体内存 IC DRAM
海力士4Q获利6，570亿韩元创3年新高

全球第2大计算机存储器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季财报，随著全球个人计算机(PC)景气回温，海力士获利创下3年来新高。 2009年第4季海力士营收为2。8兆韩元(约24。7亿美元)，较第3季大幅成长32%，海力士营收成

半导体
2010-01-23

计算机海力士 NANDFLASH DRAM
嵌入式系统中DRAM控制器的CPLD解决方案

嵌入式系统中DRAM控制器的CPLD解决方案

嵌入式教程
2010-01-22

控制器嵌入式系统 CPLD DRAM
美光、尔必达提前导入40纳米4大DRAM阵营火药味浓

2010年4大DRAM阵营三星电子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)战场直接拉到40纳米世代！继尔必达跳过50纳米制程，大举转换至45纳米后，美光阵营也不甘示弱宣布年中将同步转42纳米。

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2010-01-22

美光 40纳米 DRAM 尔必达
南亚科扩建12寸厂全球市占挑战10%

南亚科将逆势扩建旗下12寸厂，从现有3万片扩增至5万~6万片，成为此波DRAM景气复苏后，首家扩产的台系DRAM厂。值得注意的是，南亚科单月产能(加计华亚科)约9。5万片，以目前全球单月12寸厂产能约100万片计算，南亚科扩

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2010-01-22

美光 PID MICRON DRAM
三星与Rambus达成和解将支付9亿美元

据国外媒体报道，三星公司和Rambus公司1月19日宣布双方已达成和解协议，此前所有争端已得到解决，并且三星还得到了Rambus的授权，以使三星能在其产品上使用Rambus的专利技术。在此协议下，三星将向Rambus初步支付

智能硬件
2010-01-21

三星 RAM 随机存储器 DRAM
海力士金钟甲：将扩增NANDFlash产能

据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-KapKim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品，同时，海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率，并倍增NANDFlash的产能。根据研究机构iSup

模拟
2010-01-20

计算机海力士 NANDFLASH DRAM
DRAM厂祭搭售策略紧急抢救DDR2

全球DRAM市场正加速进行世代交替，DDR3芯片因缺货使得价格持续上涨，DDR2价格却严重下跌，且累积库存越来越多，近期韩系DRAM大厂开始祭出买DDR3模块必须搭配买DDR2模块的搭售策略，希望系统厂和模块厂不要只购买DDR3

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2010-01-20

存储器 DDR DRAM DDR3
DRAM厂祭搭售策略　紧急抢救DDR2

全球DRAM市场正加速进行世代交替，DDR3芯片因缺货使得价格持续上涨，DDR2价格却严重下跌，且累积库存越来越多，近期韩系DRAM大厂开始祭出买DDR3模块必须搭配买DDR2模块的搭售策略，希望系统厂和模块厂不要只购买DDR3

智能硬件
2010-01-20

存储器 DDR DRAM DDR3
海力士金钟甲：将扩增NAND Flash产能

据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品，同时，海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率，并倍增NAND Flash的产能。根据研究机构iSup

智能硬件
2010-01-20

Flash 海力士 NAND DRAM
DDR2乏人问津DRAM厂抢转产能

DDR2和DDR31月上旬合约价走势迥异，DDR2合约价大跌，DDR3却大涨，凸显世代交替已提前来临，将加速DDR2需求急速降温，快速转移到DDR3身上，近期台系DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3，尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶和

模拟
2010-01-18

存储器 DDR DRAM DDR3
DDR2乏人问津　DRAM厂抢转产能

DDR2和DDR3 1月上旬合约价走势迥异，DDR2合约价大跌，DDR3却大涨，凸显世代交替已提前来临，将加速DDR2需求急速降温，快速转移到DDR3身上，近期台系 DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3，尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶

智能硬件
2010-01-18

存储器 DDR DRAM DDR3
365天：DRAM产业从地狱到天堂

2009年DRAM产业在地狱和天堂里各走一遭，年初1颗DRAM均价还在0.5美元，当时生产成本还在2美元，可见亏损有多严重，各厂只好宣布停工、减产，巨额亏损的问题延伸至台、美、日DRAM厂大整合阶段，也演变成国与国之间的战

智能硬件
2010-01-18

微软 PC VISTA DRAM

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DRAM

福懋科、华东Q1营收续冲

机台交期延DRAM厂制程微缩绊脚石

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DDR2乏人问津DRAM厂抢转产能

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