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TrendForce集邦咨询： 涨价效应带动2025年第四季度 DRAM产业营收成长达29.4%
Feb. 26, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查显示，由于AI应用由LLM模型训练延伸至推理，推动CSPs业者的数据中心建置重心由AI Server延伸至General Server，进一步推动存储器采购重心由HBM3e、LPDDR5X及大容量RDIMM延伸至各类容量的RDIMM，积极释出追加订单，带动Conventional DRAM的合约价大幅上涨，2025年第四季DRAM产业营收为535.8亿美元，较上季度增加29.4%。
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TrendForce集邦咨询: 2026年第一季度存储器价格全面上涨，各类产品季增幅度将创历史新高
Feb. 2, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业调查，2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，TrendForce集邦咨询据此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度，预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55-60%，改为上涨90-95%，NAND Flash合约价则从季增33-38%上调至55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。
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人均64万元！内存巨头发放巨额年终奖
1月20日消息，全球内存疯涨让原厂赚得盆满钵满，纷纷给员工发放丰厚的年终奖。
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TrendForce集邦咨询: AI运算架构升级推升存储器市场产值有望于2027年再创高峰，预估年增率超过50%
Jan. 22, 2026 ---- 根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新研究，AI的创新带来市场结构性变化，数据的存取量持续扩大，除了依赖高带宽、大容量且低延迟的DRAM产品配置，以支撑大型模型参数存取、长序列推理与多任务并行运作之外，NAND Flash也是高速数据流动的关键基础元件，因此存储器已成为AI基础架构中不可或缺的关键资源，更成为CSP的兵家必争之地。在有限的产能之下必须达成更多的分配，带动报价不断上涨，连带使得整体存储器产业产值逐年创高，预估2026年达5,516亿美元，2027年则将再创高峰达8,427亿美元，年增53%。
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溢价太离谱！三星新一代笔记本直接涨价超3300元
1月20日消息，即便玩家们已经对2026年的电子产品普涨有了心理准备，但三星最新给出的定价策略依然让人完全意想不到。
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TrendForce集邦咨询: 美光收购力积电铜锣晶圆厂，2027年全球DRAM供给或将上修
Jan. 19, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新DRAM产业调查，随着Micron(美光科技)计划以18亿美元收购PSMC(力积电)在铜锣的厂房(不含生产相关机器设备)，双方将建立长期的DRAM先进封装代工关系，此次合作将有利于Micron增添先进制程DRAM产能，并提升PSMC的成熟制程DRAM供应，预估2027年全球DRAM产业供给将有上修空间。
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Cadence 采用下一代低功耗 DRAM 和 Microsoft RAIDDR ECC 技术，为人工智能应用提供企业级可靠性
业界首款专为数据中心设计、采用 RAIDDR ECC 算法的 LPDDR5X IP 系统解决方案
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TrendForce集邦咨询: 原厂产能倾向Server应用，2026年第一季度各类存储器产品价格全面持续上涨
根据TrendForce集邦咨询最新调查，2026年第一季由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至Server、HBM应用，以满足AI Server需求，导致其他市场供给严重紧缩，预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价将季增55-60%。NAND Flash则因原厂控管产能，和Server强劲拉货排挤其他应用，预计各类产品合约价持续上涨33-38%。
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首款2nm芯片三星Exynos 2600没有集成5G基带：需要单独外挂
12月23日消息，三星在本月推出了Exynos 2600，这是全球首款2nm手机芯片。不过三星做出了一个颇为反常的举动—未在Exynos 2600中集成5G基带，此举可能是为了简化应用处理器的制造流程。
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SRAM与DRAM的区别
在计算机和电子设备中，内存是数据存储与访问的核心组件，直接影响系统性能与效率。SRAM(静态随机存取存储器)和DRAM(动态随机存取存储器)作为两种主流内存技术，各自占据独特生态位。
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TrendForce集邦咨询: DDR5高获利放大产能排挤效应，2026年HBM3e定价动能同步转强
Dec. 18, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随之走扬，但是预期未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距仍将明显收敛。
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三星晶圆代工市场份额跌破7% 积极与AMD洽谈2nm订单
12月16日消息，据TrendForce最新调查，台积电第三季度全球晶圆代工市占率攀升至71%的历史新高，进一步巩固了其行业霸主地位;而三星电子市占率则下降0.5个百分点至6.8%，位列第二，双方差距持续扩大。
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TrendForce集邦咨询: 预计2026年第一季度存储器涨势持续强劲，智能手机、笔电品牌启动价格上修与规格降级
Dec. 11, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，由于预期2026年第一季存储器价格将显著上涨，全球终端产品面临艰巨的成本考验，智能手机、笔电产业上修产品价格、调降规格，销量展望再度下修已难避免，资源优势将向少数龙头品牌高度集中。
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三星、SK海力士、美光联手放纵内存涨价！
12月4日消息，刚刚，美光又往内存涨价的“伤口”上狠狠撒了一把盐。
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华邦电子推出先进 16nm 制程 8Gb DDR4 DRAM 专为工业与嵌入式应用而生
2025年12月3日，中国苏州 — 全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，该产品采用华邦自有先进 16nm 制程技术，提供更高速度、更低功耗及更具成本效益的解决方案，适用于电视、服务器、网通设备、工业计算机及嵌入式应用等多元市场。
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三星、SK海力士拒绝扩大内存产量：赚钱优先
12月2日消息，面对内存疯狂涨价的局面，全球前两大存储巨头三星、SK海力士却拒绝扩大产量，而是以盈利考虑优先。
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三星电子整合HBM技术路线 核心团队并入DRAM开发体系
11月28日消息，据媒体报道，三星电子近期对其高带宽存储器(HBM)开发团队进行了组织调整，撤销原隶属于半导体业务DS部门下的HBM开发团队，相关人员整体并入DRAM开发室。这一变动引发市场对三星HBM业务推进节奏与内部协同效率的关注。
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TrendForce集邦咨询: 2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%，达414亿美元
Nov. 26, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合约价上涨、出货量季增，且HBM出货规模扩张，推升DRAM产业营收较前一季成长30.9%，达414亿美元。
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市占率达34.8%！三星第三季度DRAM销量重夺市场第一
11月20日消息，据媒体报道，三星电子于今年第三季度成功重返全球DRAM市场销售额第一的位置，主要受益于高带宽内存(HBM)出货量的显著增长以及通用DRAM产品价格的持续上涨，推动其销售额创下历史新高。
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内存价格疯狂上涨！三星DDR5-5600 16GB三个月涨超300%
11月18日消息，随着全球DRAM价格持续飙升，普通用户不得不以高出往常两倍的价格购买内存，不过三星大本营韩国的DIY市场涨幅则更为惊人。
