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TrendForce集邦咨询: DDR5高获利放大产能排挤效应，2026年HBM3e定价动能同步转强
Dec. 18, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随之走扬，但是预期未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距仍将明显收敛。
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三星晶圆代工市场份额跌破7% 积极与AMD洽谈2nm订单
12月16日消息，据TrendForce最新调查，台积电第三季度全球晶圆代工市占率攀升至71%的历史新高，进一步巩固了其行业霸主地位;而三星电子市占率则下降0.5个百分点至6.8%，位列第二，双方差距持续扩大。
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TrendForce集邦咨询: 预计2026年第一季度存储器涨势持续强劲，智能手机、笔电品牌启动价格上修与规格降级
Dec. 11, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，由于预期2026年第一季存储器价格将显著上涨，全球终端产品面临艰巨的成本考验，智能手机、笔电产业上修产品价格、调降规格，销量展望再度下修已难避免，资源优势将向少数龙头品牌高度集中。
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三星、SK海力士、美光联手放纵内存涨价！
12月4日消息，刚刚，美光又往内存涨价的“伤口”上狠狠撒了一把盐。
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华邦电子推出先进 16nm 制程 8Gb DDR4 DRAM 专为工业与嵌入式应用而生
2025年12月3日，中国苏州 — 全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，该产品采用华邦自有先进 16nm 制程技术，提供更高速度、更低功耗及更具成本效益的解决方案，适用于电视、服务器、网通设备、工业计算机及嵌入式应用等多元市场。
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三星、SK海力士拒绝扩大内存产量：赚钱优先
12月2日消息，面对内存疯狂涨价的局面，全球前两大存储巨头三星、SK海力士却拒绝扩大产量，而是以盈利考虑优先。
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三星电子整合HBM技术路线 核心团队并入DRAM开发体系
11月28日消息，据媒体报道，三星电子近期对其高带宽存储器(HBM)开发团队进行了组织调整，撤销原隶属于半导体业务DS部门下的HBM开发团队，相关人员整体并入DRAM开发室。这一变动引发市场对三星HBM业务推进节奏与内部协同效率的关注。
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TrendForce集邦咨询: 2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%，达414亿美元
Nov. 26, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合约价上涨、出货量季增，且HBM出货规模扩张，推升DRAM产业营收较前一季成长30.9%，达414亿美元。
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市占率达34.8%！三星第三季度DRAM销量重夺市场第一
11月20日消息，据媒体报道，三星电子于今年第三季度成功重返全球DRAM市场销售额第一的位置，主要受益于高带宽内存(HBM)出货量的显著增长以及通用DRAM产品价格的持续上涨，推动其销售额创下历史新高。
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内存价格疯狂上涨！三星DDR5-5600 16GB三个月涨超300%
11月18日消息，随着全球DRAM价格持续飙升，普通用户不得不以高出往常两倍的价格购买内存，不过三星大本营韩国的DIY市场涨幅则更为惊人。
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TrendForce集邦咨询：存储器产业2026年资本支出仍显保守，对位元产出成长助力有限
Nov. 13, 2025 ----- 根据TrendForce集邦咨询调查显示，随着存储器平均销售价格(ASP)持续提升，供应商获利也有所增加，DRAM与NAND Flash后续的资本支出将会持续上涨，但对于2026年的位元产出成长的助力有限。DRAM和NAND Flash产业的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。
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价值20亿美元！三星SDI将为特斯拉供应储能系统电池
11月4日消息，据媒体报道，韩国三星SDI与特斯拉正式达成一项为期三年的ESS(能源存储系统)电池供应协议，总价值超过3万亿韩元(约合21.1亿美元)。
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美光正式送样业界高容量 SOCAMM2 模组，满足 AI 数据中心对低功耗 DRAM 的需求
192GB SOCAMM2 搭载 LPDDR5X，巩固美光在 AI 基础设施高能效解决方案的领先地位
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TrendForce集邦咨询：4Q25 DRAM价格延续涨势，服务器需求提前发酵、旧制程产品涨幅仍较大
Sep. 24, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM，排挤PC、Mobile和Consumer应用的产能，同时受各终端产品需求分化影响，第四季旧制程DRAM价格涨幅依旧可观，新世代产品涨势相对温和。预估整体一般型DRAM (Conventional DRAM)价格将季增8-13%，若加计HBM，涨幅将扩大至13-18%
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SK海力士业绩有望创新高 员工人均将获得51万奖金
9月4日消息，据媒体报道，SK海力士员工今年将发放约3万亿韩元的奖金，每位员工将获得超过1亿韩元(约合人民币51.3万元)的奖金。
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TrendForce集邦咨询: 2Q25 DRAM营收季增17.1%，SK海力士市占扩大
Sept. 2, 2025 ---- TrendForce集邦咨询表示，2025年第二季DRAM产业因一般型DRAM (Conventional DRAM)合约价上涨、出货量显著增长，加上HBM出货规模扩张，整体营收为316.3亿美元，季增17.1%。平均销售单价(ASP)随着PC OEM、智能手机、CSP业者的采购动能增温，加速DRAM原厂库存去化，多数产品的合约价也因此止跌翻涨。
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华邦电子重新定义 AI 内存：为新一代运算打造高带宽、低延迟解决方案
随着高效能运算(HPC)工作负载日益复杂，生成式 AI 正加速整合进现代系统，推动先进内存解决方案的需求因此日益增加。为了应对这些快速演进的需求，业界正积极发展新一代内存架构，致力于提升带宽、降低延迟，同时增加电源效能。DRAM、LPDDR 以及利基型内存技术的突破正重新定义运算效能，而专为 AI 优化的内存方案，则扮演了驱动效率与扩展性的关键角色。华邦的半定制化超高带宽元件 (CUBE) 内存即是此进展的代表，提供高带宽、低功耗的解决方案，支持 AI 驱动的工作负载。本文将探讨内存技术的最新突破、AI 应用日益增长的影响力，以及华邦如何透过策略性布局响应市场不断变化的需求。
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美国制造 三星将为苹果生产芯片
8月7日消息，苹果公司宣布，三星电子位于得克萨斯州的工厂为包括iPhone在内的苹果产品供应芯片。苹果在声明中称，该工厂将供应能优化苹果产品(包括iPhone设备)功耗与性能的芯片。”对此，三星发言人拒绝发表评论。
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SK海力士HBM4定价曝光：较HBM3E溢价最高70%
8月6日消息，据媒体报道，作为全球最早量产HBM4的存储器制造商，SK海力士正为AI芯片提供关键解决方案。依托与英伟达的独家供应链关系及自身技术领先地位，SK海力士计划提高HBM4售价，预计相比HBM3E溢价可能高达70%。
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三星被曝降价抢单NVIDIA：2大优势
8月3日消息，内存一哥三星在HBM技术栽了跟头，输给了SK海力士，错失几万亿美元的AI市场，但是三星现在要杀回来了。
