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DDR3将成主流，后段封测厂设备将跟着升级
全球最大美国消费性电子展CES即将在明年1月7日到10日登场，芯片龙头厂英特尔将在展中推出新架构Nehalem、Westmere、以笔记计算机为主的Atom系列的处理器及芯片组，并全面支持DDR3，将推升DDR3成为明年度主流产品。由
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2010年下半年内存芯片将会严重短缺
据国外媒体报道，行业跟踪公司DRAMeXchange认为，随着消费者需要更多的容量和企业开始更换电脑，计算机内存芯片在明年下半年将可能会短缺。 由于受到经济衰退影响，内存芯片厂商减少生产能力和资本开支，引起内存芯
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海力士：2010年DRAM供不应求
据华尔街日报(WSJ)报导，韩国半导体大厂海力士(Hynix)看好2010年存储器市场表现，将提升资本支出并扩张产能。 海力士执行长金钟甲(Jong-KapKim)表示，2009年12月为第1次DRAM合约价在11月后并未下滑，此外，预期2010
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DRAMeXchange：2010年下半年存储器芯片供给料出现短缺
行业研究公司DRAMeXchange称，电脑存储芯片或将在明年下半年出现供应不足，因消费者需求升温，且公司将开始进行推迟了的电脑更新工作。 DRAMeXchange周四预计，明年个人电脑出货量将增长13%，其中笔记本增长22。5%至
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2010年下半年内存芯片将会严重短缺
据国外媒体报道，行业跟踪公司DRAMeXchange认为，随着消费者需要更多的容量和企业开始更换电脑，计算机内存芯片在明年下半年将可能会短缺。 由于受到经济衰退影响，内存芯片厂商减少生产能力和资本开支，引起内存芯
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DDR3时代来临 封测受惠最大
英特尔将在明年初美国消费性电子展（CES）中，正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3处理器及芯片组，可望推动DDR3在明年登上市场主流位置。国内外DRAM厂主流产品线已由70奈米DDR2快速转进50奈米DDR3，随
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京元电、硅格 爆发力强
看好明年 封测景气回温，京元电明年营收有机会挑战历史新高。图为京元电董事长李金恭。 记者何易霖／摄影 二线封测厂接单热，京元电（2449）第三季转盈后，本季业绩持续向上，明年营收将挑战2007年的历史新高
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2010年DRAM制造商资本支出将猛增80%
据DRAMeXchange的预测，2010年DRAM制造商资本支出总额将达到78.5亿美元，较2009年的43亿美元增长80%。虽然增长迅猛，但较2007年的214亿美元还是有一定差距。 2011年和2012年全球DRAM制造商资本支出预算将达到100亿
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存储器价格回温美光亏损11季后首度获利
美国存储器大厂美光(Micron)公布2010会计年度第1季(2009年9~11月)财报，由于存储器价格回温，因此在连续亏损11季之后，终于由亏转盈。第1季营收为17。4亿美元，较2009年度同期成长约24%。净利为2。04亿美元，每股盈余
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PC DRAM容量提升至2.92GB DRAM现货价大涨3%
沈寂已久的DRAM价格再度动起来，存储器厂对于DRAM产业后市看法相当乐观，DRAM厂供货呈现小幅吃紧状态，目前个人计算机(PC)搭载存储器平均容量成长16%至2。92GB，未来消费性PC机种搭载DRAM容量可望升级至4GB，市场对于
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海力士发表40纳米制程绘图芯片DRAM
韩国存储器厂海力士(Hynix)于2009年12月20日发表40纳米制程2GbGDDR5绘图芯片DRAM，工作频宽为7Gbps，32位元I/O通道，数据处理速率每秒28GB/s，电压为1。35V。 新推出的GDDR5绘图DRAM采用海力士40纳米制程制造，体积
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好羡慕！台积电宣布明年起加薪15% 分红奖金全年奖不完
台积电董事长张忠谋宣布，2010年起全体员工本薪调涨15%。(巨亨网记者叶小慧摄) 晶圆代工市场竞争激烈，加上分红制度费用化冲击，台积电(TSMC；TSM-US；2330-TW)为巩固人才诱因，董事长暨执行长张忠谋今(21)日宣布，
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报告称半导体市场今年缩水11％至2260亿美元
据路透社报道，由于全球经济回暖，市场调研机构Gartner于本周四修正了对2009年全球半导体市场的估计。根据其最新预测，2009年全球半导体市场规模将缩水11.4%，至2260亿美元。而根据Gartner今年10月份的估计，2009年全
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FormFactor推出全新12吋DRAM晶圆探针卡
全球先进晶圆探针卡供货商 FormFactor公司宣布针对DRAM市场，推出新一代12吋全晶圆接触探针卡SmartMatrix 100探针卡解决方案，以持续稳固龙头地位，至于竞争对手日商麦克尼克司（MJC）今年也将重振雄风，希望可以重新
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海力士2010年半导体生产开支将增加一倍
据国外媒体报道，据《韩国时报》报道，内存芯片厂商海力士半导体计划在2010年向芯片生产投入大约2.3万亿韩元（约20亿美元），比2009年的资本开支增加一倍。 这项开支有1.5万亿韩元（大约13亿美元）用于DRAM内存生产
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12月上旬合约价DRAM持平Flash下跌
12月上旬的存储器合约价格中，DRAM合约价意外持平开出，南亚科副总经理白培霖表示，主要是个人计算机(PC)厂急单涌入之故；而NANDFlash合约价格则反应市场需求不佳，16Gb芯片价格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合
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尔必达蚕食台12寸厂DRAM产能
日系DRAM大厂尔必达(Elpida)社长坂本幸雄再度访台，8日将与新策略联盟伙伴茂德董事长陈民良联合召开记者会，说明双方合作代工细节。由于坂本幸雄过去惯常与力晶合作亮相，这次换成茂德，变化过程颇耐人寻味，尔必达2
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DRAM厂资本支出竞赛三星更胜台厂一筹
台系DRAM厂开始规划2010年资本支出，估计包括南亚科、华亚科、力晶和茂德4家DRAM厂2010年资本支出逾新台币700亿元，且主要支出集中在台塑集团身上，台DRAM厂似乎又生龙活虎起来，开始扩大投资规模，然相较于三星电子
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台“经济部”无力扭转情势 DRAM再造方案全面停摆
根据政府官员表示，日前“立法院”经济委员会通过决议，要求行政院国发基金不得用于「DRAM产业再造计画」一事，经过“经济部”一再向立委沟通，确定未获得立委同意，目前「DRAM产业再造方案」已面临全面停摆的情况。
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三星焦点转向Flash 打算全面称霸内存市场
内存产业经历1年冰河期，今年第3季终于春暖花开。更值得注意的是，三星日前宣布30奈米3-bit MLC NAND Flash开始量产，显示三星关注焦点不再是DRAM，且称霸内存企图心十足。 据台湾媒体报道，DRAM产业原已因供过于求
