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半导体月报：4季度依然强劲，1季度可能“淡季不淡”
主要电子指数11月上涨：11月份，费城半导体指数上涨4。5%，道琼斯指数上涨6。5%，台湾的电子零组件指数上涨3。6%，台湾加权指数上涨3。3%，而大陆的CSRC电子行业指数则上涨16%，沪深300指数上涨7。1%。中国大陆电子股
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iSuppli：DDR3将是2010年的摇钱大树
2009 年即将结束，DDR2 作为DRAM 市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3 几年前就已经问世，iSuppli 公司认为，它即将成为世界上最流行的内存技术。 DDR2 还不算过时，而且未来一段时间
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美光争取华亚科主导权 台塑拒绝成瑞晶翻版
华亚科办理6.4亿股的现金增资，南亚科和美光(Micron)等大股东按原持股比例认购现增额度，但近期传出美光向台塑集团摊牌，希望能增加认购比例，争取华亚科更多股权，惟台塑集团回决此提议，认为目前「等权共治」策略较
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台12寸DRAM厂废墟变黄金 美日都觊觎
台湾DRAM产业成也12吋晶圆厂、败也12吋晶圆厂！在金融风暴期间，台湾DRAM产业身背2,000亿元的负债，每天摇旗吶喊希望政府金援，否则整个产业面临垮台的命运，根本原因就是过去几年间，业者太容易拿到资本市场的资金
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集邦：DDR3将居主流，下半年封测产能将吃紧
根据集邦科技(DRAMeXchange)调查显示，由于去年第四季欧美感恩节与圣诞节销售畅旺，加上经济景气复苏及Windows7带动下，PC销售表现一路旺到年底，展望今年，Windows7 效益持续，PC表现畅旺，零组件将出现短缺，且由于
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集邦：上半年DDR3封测产能 更吃紧
受惠微软操作系统Windows 7渗透率持续提升，及计算机系统厂大幅拉高DDR3机种比重，DRAM厂DDR3新产能已陆续开出，但因后段封测产能提升速度较慢，集邦科技预估，今年上半年DDR3封测产能吃紧情况更加严重，且可能因此影
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福懋科去年Q4营收 优于预期
DRAM封测厂福懋科（8131）昨（4）日公布去年12月营收约达9.4亿元，第4季营收达27.24亿元，季增率10.1％，略高于市场预期，而福懋科2009年全年营收达89.56亿元，与2008年的101.93亿元相较，年减率约12.1％。法人预估，
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2010年DRAM资本支出将猛增80%
据DRAMeXchange的预测，2010年DRAM制造商的资本支出将同比增长80至78.5亿美元。2009年DRAM制造商的支出额为43亿美元。 然而，该支出水平仍然低于过去十年的平均支出，比2006年和2007年的高峰值也低许多。
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韩国FTC：NANDFlash大厂无操控价格
据华尔街日报(WSJ)报导，韩国公平贸易委员会(FTC)并未发现NANDFlash存储器大厂有任何操控价格的证据，将结束为期将近3年的调查。此外，韩国FTC表示，至目前为止所有和存储器市场相关的操控价格调查皆已完成，包括DRA
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ITC判Tessera控侵权败诉，力成毛利率可望提升
美国封装专利业者Tessera控告国内外DRAM业者侵权案，美国国际贸易委员会（ITC）终判Tessera败诉，原本有付Tessera权利金的封测厂力成科技（6239）指出，若未来不需要再缴交权利金予Tessera，力成代工价格将更具优势，
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记取DRAM再造失败教训台“经济部”拟推动“产业再造法”
台“经济部”主导的「DRAM产业再造方案」几乎已确定翻案无望，“经济部”长施颜祥29日首度松口表示，若国发基金无法投资台湾创新存储器公司(TIMC)，或许可改由民间资金投入。由于产业经常会遇到再造的需求，“经济部
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华亚科现金增资案过关
2010年DRAM产业前景看好，台系DRAM厂忙著抢钱扩大产能，华亚科日前宣布办理现金增资，预计再募资超过新台币百亿元，日前已正式获得证期局的同意。华亚科预计2010年资本支出上看450亿元，与同为台塑集团的南亚科合计资
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力成毛利率可望提升
美国封装专利业者Tessera控告国内外DRAM业者侵权案，美国国际贸易委员会（ITC）终判Tessera败诉，原本有付Tessera权利金的封测厂力成科技（6239）指出，若未来不需要再缴交权利金予Tessera，力成代工价格将更具优势，
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海力士调高资本支出 规模逼近华亚科
国际DRAM厂相继传来调高资本支出的消息，韩国大厂海力士(Hynix)宣布调高2010年资本支出，预估将从1兆韩元调高至1.5兆韩元，相当于12.7亿美元，虽然以全球的角度来看，2010年的资本支出仍高居全球第三大，然经此一调高
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DDR3注定要夺取DRAM王座
2009年即将结束，DDR2作为DRAM市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3几年前就已经问世，iSuppli公司认为，它即将成为世界上最流行的内存技术。 DDR2还不算过时，而且未来一段时间之内也不会过时，它
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海力士调高资本支出规模逼近华亚科
国际DRAM厂相继传来调高资本支出的消息，韩国大厂海力士（Hynix）宣布调高2010年资本支出，预估将从1兆韩元调高至1。5兆韩元，相当于12。7亿美元，虽然以全球的角度来看，2010年的资本支出仍高居全球第三大，然经此一
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台湾当局续推DRAM再造研拟产业再生立法
台湾“经济部长”施颜祥29日表示，若“立法院”三读通过否决“国发基金”投资DRAM再造，“经济部”已研拟三个替代方案，包括由民间资金投资、横向整合、参考日本产业再生法，建立法制基础，继续推动DRAM产业的再造。
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DRAM内存芯片2010年将严重缺货厂商受益
由于消费者需求增长，以及企业进入PC更换周期，2010年下半年DRAM内存将严重缺货。 2009年，DRAM芯片价格在大部分时间内都呈增长趋势，因为受经济低迷影响许多厂商都削减了产量，只是在刚刚过去的两个月内趋于稳定。
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基于当代DRAM结构的存储器控制器设计
1、引言 当代计算机系统越来越受存储性能的限制。处理器性能每年以60％的速率增长，存储器芯片每年仅仅增加10％的带宽，本文就如何设计一种符合当代DRAM结构的高效存储器控制器进行研究。 本文第二部分介绍当代D
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NAND闪存芯片价格本月逐步趋于平稳
根据市场调研公司DRAMeXchange的最新统计，12月后半个月的MLC NAND闪存芯片价格和前半月相比持平，高密度芯片价格则将下降1-5%。其中，16Gb芯片期货价格下降2-7%，32Gb芯片价格持平或下降3%，两种芯片后半个月的平均
