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台湾政府决定不投资台湾创新记忆体,须全数向民间筹资

路透台北2月4日电---随着DRAM产业景气回温,台湾经济部周四一改先前立场表示,国发基金已决定不投资台湾创新记忆体公司(TIMC),TIMC需自行寻找民间资金,政府只能从旁协助.经济部最新这番表态,也意味着最初由政府主导成立

模拟
2010-02-05

DRAM 尔必达半导体
韩国海力士涉嫌窃取三星电子芯片机密

韩国首尔东部地检刑事6部3日表示，对美国AM公司副总经理郭某和韩国分公司AMK公司组长金某提出拘留起诉，并对其他8名职员进行不拘留起诉。他们涉嫌窃取三星电子95项半导体生产技术，并将其中13项转交给海力士。AM公司

智能硬件
2010-02-05

三星电子电子芯片海力士 DRAM
扑朔迷离，2010存储厂商前景难料

1985年全球内存产业低潮期所带来的冲击既深且巨，即使在市场复苏后仍然留下了许多难以抹灭的伤害，如果没有2001年的那一波严重不景气，它可能被公认为是有史以来最严重的衰退。然而，去年发生的‘2009内存惨案’(Mem

消费电子
2010-02-05

内存海力士 SPANSION DRAM
GlobalFoundries来势汹汹各晶圆厂展开市占率保卫战

全球晶圆(Global Foundries)喊出以全球市场占有率3成为目标!各家晶圆厂纷纷展开市占率保卫战，仅管联电也表示将以冲市占率为目标，不过执行长孙世伟还是不忘股东权益报酬率，他说必须在两者间求取适切平衡。联电也认

电子设计自动化
2010-02-05

联电晶圆厂 GLOBALFOUNDRIES DRAM
Global Foundries来势汹汹　联电兼顾市占、股东权益

全球晶圆(Global Foundries)喊出以全球市场占有率3成为目标！各家晶圆厂纷纷展开市占率保卫战，仅管联电也表示将以冲市占率为目标，不过执行长孙世伟还是不忘股东权益报酬率，他说必须在两者间求取适切平衡。联电也认

模拟
2010-02-05

联电新加坡 GLOBAL DRAM
DRAM走出黑暗 2010年内存厂商或兴旺发达

在DRAM 市场的历史上，2009 年初可能是最黑暗的时期之一，当时厂商能活下来就不错了。但是，继春季温和复苏之后， DRAM 供应商的黑暗日子结束，夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。三

消费电子
2010-02-04

三星内存 DDR3 DRAM
威刚陈立白：产能不足内存看涨

今年各大DRAM厂相继扩大资本支出，以进入DDR3领域，但是在各家厂商抢订机台之下，恐影响后续产出。威刚（3260）董事长陈立白指出，内存厂所需的浸润式曝光机台交期长达10个月以上，目前只能靠微缩制程增加产出，然在

模拟
2010-02-04

内存 Flash DDR3 DRAM
三星将大批量生产30纳米DDR3 DRAM内存芯片

据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周一称，30纳米DDR3 DRAM内存芯片已经适合消费者使用，准备应用到产品中。三星称，2GB DDR3内存芯片耗电量比用50纳米生产技术制造的内存芯片的耗电量减少了30%，生产

智能硬件
2010-02-03

三星内存芯片 DDR3 DRAM
华东：订单满手加班出货

半导体封测法说周昨（2）日由华新科（2492）集团的内存封测厂华东（8110）打头阵，总经理于鸿棋指出，内存需求仍佳，现在是被订单追着跑，全年包括ASP（平均销售单价）、毛利和营收都将呈现逐季走扬趋势。于鸿棋

模拟
2010-02-03

内存 EPS DDR3 DRAM
40纳米成DRAM厂流行口号

近期DRAM厂掀起一股40纳米热潮，这一切都要从尔必达(Elpida)说起。因为尔必达2009年没钱转进50纳米技术制程后，最后决定跳过50纳米，直接转进45纳米，这下刺激了美光(Micron)阵营，南亚科和华亚科近期宣布42纳米制程

电子设计自动化
2010-02-02

美光 40纳米 DRAM 尔必达
南亚科扩建12寸厂　全球市占挑战10%

南亚科将逆势扩建旗下12寸厂，从现有3万片扩增至5万~6万片，成为此波DRAM景气复苏后，首家扩产的台系DRAM厂。值得注意的是，南亚科单月产能(加计华亚科)约9.5万片，以目前全球单月12寸厂产能约100万片计算，南亚科扩

模拟
2010-02-01

PID BSP MICRON DRAM
DRAM走出黑暗年底阳光灿烂

在DRAM市场的历史上，2009年初可能是最黑暗的时期之一，当时厂商能活下来就不错了。但是，继春季温和复苏之后，DRAM供应商的黑暗日子结束，夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。三星走

模拟
2010-02-01

三星美光 DDR3 DRAM
DRAM走出黑暗年底阳光灿烂

在DRAM市场的历史上，2009年初可能是最黑暗的时期之一，当时厂商能活下来就不错了。但是，继春季温和复苏之后，DRAM供应商的黑暗日子结束，夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。三星走

智能硬件
2010-02-01

三星美光 DDR3 DRAM
DRAM跌价袭击模块厂1月营收处变不惊

2010年1月农历春节前的补货行情落空，DRAM价格大跌，所幸NANDFlash价格比预期强势，存储器模块厂1月营收可望维持平稳，与2009年12月相较，呈现小涨或小跌的局面，整体第1季营收受到2月农历过年工作天数减少影响，而呈

模拟
2010-01-29

存储器 NANDFLASH DDR3 DRAM
设备交期拉长恐影响设备业2010年成长力道

近期晶圆代工、DRAM等科技大厂扩产计划不断，不少业者的机台进厂时间落在下半年，从目前的设备交期6~9个月来推算，部分机台交货时间恐怕落到2011年。在2010年科技业大扩产风潮下，市场纷纷看好设备业业绩可望较2009年

电子设计自动化
2010-01-29

晶圆代工 LED IC设计 DRAM
DRAM跌价袭击　模块厂1月营收处变不惊

2010年1月农历春节前的补货行情落空，DRAM价格大跌，所幸NAND Flash价格比预期强势，存储器模块厂1月营收可望维持平稳，与2009年12月相较，呈现小涨或小跌的局面，整体第1季营收受到2月农历过年工作天数减少影响，而

智能硬件
2010-01-29

Flash NAND DDR3 DRAM
中芯国际全面停止DRAM生产

上海芯片代工厂中芯国际自新任CEO王宁国掌权后，包括中芯本身、武汉厂新芯、成都厂成芯等可掌控产能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生产业务。由于中芯过去两年以SDRAM填补产能，成为国内消费性电子产品及家电

消费电子
2010-01-28

中芯国际电子 SDRAM DRAM
福懋科、华东Q1营收续冲

DRAM封测厂首季展望乐观，由于DDR3封测制程改变，代工价格较DDR2增加约20％，加上DDR2封测代工价今年初已调涨10％，DRAM封测厂首季平均价格（ASP）明显优于去年第4季，加上上游DRAM厂提升投片量，法人预估福懋科（81

模拟
2010-01-27

东芝 DDR3 DRAM 尔必达
机台交期延DRAM厂制程微缩绊脚石

2010年台DRAM厂将决战50和40奈米制程技术，但新制程关键恐未必在技术上，而在于浸润式微显影(ImmersionScanner)机台设备采购是否能跟上脚步，近期业界传出瑞晶机台原本2月要交货，但目前交期已递延至4月，南亚科和华

模拟
2010-01-26

美光制程技术 DRAM 尔必达
机台交期延　DRAM厂制程微缩绊脚石

2010年台DRAM厂将决战50和40奈米制程技术，但新制程关键恐未必在技术上，而在于浸润式微显影(Immersion Scanner)机台设备采购是否能跟上脚步，近期业界传出瑞晶机台原本2月要交货，但目前交期已递延至4月，南亚科和华

电子设计自动化
2010-01-26

美光制程技术 DRAM 尔必达

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DRAM

台湾政府决定不投资台湾创新记忆体,须全数向民间筹资

韩国海力士涉嫌窃取三星电子芯片机密

扑朔迷离，2010存储厂商前景难料

GlobalFoundries来势汹汹各晶圆厂展开市占率保卫战

Global Foundries来势汹汹　联电兼顾市占、股东权益

DRAM走出黑暗 2010年内存厂商或兴旺发达

威刚陈立白：产能不足内存看涨

三星将大批量生产30纳米DDR3 DRAM内存芯片

华东：订单满手加班出货

40纳米成DRAM厂流行口号

南亚科扩建12寸厂　全球市占挑战10%

DRAM走出黑暗年底阳光灿烂

DRAM走出黑暗年底阳光灿烂

DRAM跌价袭击模块厂1月营收处变不惊

设备交期拉长恐影响设备业2010年成长力道

DRAM跌价袭击　模块厂1月营收处变不惊

中芯国际全面停止DRAM生产

福懋科、华东Q1营收续冲

机台交期延DRAM厂制程微缩绊脚石

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