DRAM

关注人关注

我要报错

存储器巨头再掀产能技术争夺战

无独有偶的事近期在存储器领域上演。Spansion公司除宣布整合富士通半导体MCU及相关业务外，还宣布与中国大陆300mm晶圆厂XMC共同签署一项技术许可协议。据该协议，XMC将获得

嵌入式硬件
2014-03-27

存储器 SPANSION 美光 DRAM
2014国内外IC行情窥测：展讯中芯助力国产IC跨越式发展

2014年IC行情：半导体大厂走势窥探！转眼间，一年又过去了，我们踏入一个新的年份，在半导体行业里，过去的一年依然是风起云涌，暗战不断。不但在产品性能上进行提升，同时在营销方面也各施其法。而同时由于市场

模拟
2014-03-26

中芯制程技术 IC DRAM
三星电子与英特尔半导体市占差距缩小

据报道，三星电子稳坐去年全球半导体市占第二名，且与市场龙头英特尔的差距逐渐缩小。韩联社23日引述产业研究业者报导，去年三星半导体营收较前年同期跃增8.2%，达到338.2亿美元，市场占有率则从10.3%上升至10.6%。产

消费电子
2014-03-26

半导体英特尔三星电子 DRAM
DRAM产业景气明年市场铁定会更好

DRAM产业今年风风雨雨，先是上半年DRAM价格飙涨，下半年则是美国DRAM厂美光正式并购日本DRAM厂尔必达，以及SK海力士无锡厂9月初发生大火。但对台塑集团旗下南科及华亚科来说

嵌入式硬件
2014-03-25

尔必达 SK海力士美光 DRAM
三星电子与芯片巨头英特尔市场份额差缩小到4.3%

3月24日消息，据外媒报道，三星电子缩小了与芯片巨头英特尔的差距，其市场份额差从5.3%缩小到4.3%。据市场研究公司IHSiSuppli调查显示，三星去年发布338亿美元销售收入，排名第2。在内存和系统芯片领域比前一年上涨8

半导体
2014-03-25

芯片英特尔三星电子 DRAM
Mobile DRAM市场供应持续紧缺原厂更有成本优势

由于NAND Flash与DRAM的生产设备差异不大，上游芯片厂DRAM与NAND Flash产线会按照市场的供需及价格的变化而转换生产。以下是原厂存储工艺状况。目前全球Mobile DRAM主要供应商仅限于三星、尔必达(美光)、SK 海力士三

消费电子
2014-03-25

Flash NAND MOBILE DRAM
下世代DDR4 DRAM 功能更强

在英特尔下一代处理器将支援新世代记忆体DDR4 DRAM下，包括三星、美光及海力士及相关模组厂，近期也相继导入DDR4 DRAM试产行动，业者强调，DDR 4 DRAM因功耗低，运算速度更

嵌入式硬件
2014-03-24

英特尔 DDR4 JEDEC DRAM
三星电子与芯片巨头英特尔市场份额差缩小到4.3%

3月24日消息，据外媒报道，三星电子缩小了与芯片巨头英特尔的差距，其市场份额差从5.3%缩小到4.3%。据市场研究公司IHSiSuppli调查显示，三星去年发布338亿美元销售收入，排名第2。在内存和系统芯片领域比前一年上涨8

模拟
2014-03-24

芯片英特尔三星电子 DRAM
京元电…土狗精神守护苗栗

京元电这几年积极在苗栗县投资，投资金额仅次于群创，但论单一公司在苗栗投资占比则居冠。董事长李金恭生于苗栗、长于苗栗，是苗栗客家子弟中，最致力促进地方繁荣、创造就业机会及提升文化气息的企业家。李金恭自

模拟
2014-03-24

联发科半导体产业联电 DRAM
LED芯片制作中衬底知识大全

外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极，N极)，接下

显示光电
2014-03-23

电极 CMOS LED芯片 DRAM
20纳米DRAM制程战火点燃　三星、SK海力士将量产

据韩联社报导，三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产，SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实，往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制

半导体
2014-03-23

三星三星电子 SK海力士 DRAM
创见董事长：未来3个月DRAM、NAND Flash价格将缓跌

创见资讯董事长束崇万表示，因市场需求较弱，预计未来3个月DRAM、NAND Flash价格都将缓跌。创见董事长束崇万今日指出，包括动态随机存取记忆体(DRAM)及储存型快闪记忆体(NAND Flash)今年市场都有点供过于

消费电子
2014-03-21

Flash NAND BSP DRAM
20纳米DRAM制程战火点燃　三星、SK海力士将量产

据韩联社报导，三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产，SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实，往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制

半导体
2014-03-20

三星三星电子 SK海力士 DRAM
20纳米DRAM制程战火点燃　三星、SK海力士将量产

据韩联社报导，三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产，SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实，往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制

模拟
2014-03-18

三星三星电子 SK海力士 DRAM
世界先进买新厂，2季后贡献业绩

世界先进(5347)已确定买下南科8寸晶圆厂，将可以加快扩充总产能，初期每年约可增加40万片晶圆产能，估计约2季时间转换制程后，便可开始贡献业绩。世界先进现有月产能13.9万片规模，本季持续满载。为快速扩产，世

模拟
2014-03-18

元件晶圆厂超高压 DRAM
三星电子量产世界最小型20纳米4Gb DDR3 DRAM

三星电子日前宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克服了20纳米DRAM微细化的技术限制。NAND闪存的基本存储单元由一个晶体管构

消费电子
2014-03-13

三星电子 GB DDR3 DRAM
三星量产最先进20nm 4Gb DDR3 DRAM

作为尖端半导体解决方案的全球领先企业，三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克服了20纳米DRAM微细化的技术限制

消费电子
2014-03-13

三星 GB DDR3 DRAM
韩国积极引导半导体发展

韩国半导体产业已形成垄断局势，市场集中度极高。三星和现代两家公司主导了韩国的半导体产业。内存部门中，三星电子占24.5%，现代占7.4%，而在DRAM方面则是三星电子占了32.2%，现代占12.8%。韩国半导体产业的产品构成

半导体
2014-03-10

半导体半导体产业超大规模集成电路 DRAM
韩国积极引导半导体发展

韩国半导体产业已形成垄断局势，市场集中度极高。三星和现代两家公司主导了韩国的半导体产业。内存部门中，三星电子占24.5%，现代占7.4%，而在DRAM方面则是三星电子占了32.2%，现代占12.8%。韩国半导体产业的产品构成

模拟
2014-03-07

半导体半导体产业超大规模集成电路 DRAM
传高端LPDDR DRAM开始缺货

3月5日消息，业内知名爆料人士“手机晶片达人”在今天的微博上透露，虽然还处于淡季，但高端LPDDR DRAM开始缺货。 “手机晶片达人”预测，今年需求旺季来临时，内存的供应量将更不容乐观。LPDDR(Low Power Double Da

消费电子
2014-03-07

内存 DDR PD DRAM

首页上一页 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 下一页尾页

DRAM

存储器巨头再掀产能技术争夺战

2014国内外IC行情窥测：展讯中芯助力国产IC跨越式发展

三星电子与英特尔半导体市占差距缩小

DRAM产业景气明年市场铁定会更好

三星电子与芯片巨头英特尔市场份额差缩小到4.3%

Mobile DRAM市场供应持续紧缺原厂更有成本优势

下世代DDR4 DRAM 功能更强

三星电子与芯片巨头英特尔市场份额差缩小到4.3%

京元电…土狗精神守护苗栗

LED芯片制作中衬底知识大全

20纳米DRAM制程战火点燃　三星、SK海力士将量产

创见董事长：未来3个月DRAM、NAND Flash价格将缓跌

20纳米DRAM制程战火点燃　三星、SK海力士将量产

20纳米DRAM制程战火点燃　三星、SK海力士将量产

世界先进买新厂，2季后贡献业绩

三星电子量产世界最小型20纳米4Gb DDR3 DRAM

三星量产最先进20nm 4Gb DDR3 DRAM

韩国积极引导半导体发展

韩国积极引导半导体发展

传高端LPDDR DRAM开始缺货

相关标签

关注此标签的用户(人)

热门活动

课程视频