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DRAM厂拼转型长期恐重演标准型产品历史

DRAM价格惨跌，也拖累DRAM厂营运表现疲弱，为拯救低迷的营运，各厂也纷纷减少标准型DRAM产能，转向其他利基型产品，希望能摆脱价格波动造成的影响，对此，市场研究机构Gartner(顾能)半导体产业首席分析师王哲宏认为，

模拟
2011-07-26

DRAM 尔必达 MOBILE 电子
DRAM厂拚转型长期恐重演标准型产品历史

DRAM价格惨跌，也拖累DRAM厂营运表现疲弱，为拯救低迷的营运，各厂也纷纷减少标准型DRAM产能，转向其他利基型产品，希望能摆脱价格波动造成的影响，对此，市场研究机构Gartner(顾能)半导体产业首席分析师王哲宏认为，

智能硬件
2011-07-26

BSP DRAM 尔必达 MOBILE
DRAM产业过去十年仅三星获利

个人计算机(PC)销售量不如预期，又遇上平板计算机挤压市场，导致2011年DRAM报价持续下跌，目前已濒临变动成本边缘，过去3年1次循环的存储器景气，现在景气循环的时间周期大幅缩小，加上制程技术进展快速，台系DRAM厂

消费电子
2011-07-25

三星存储器奇梦达 DRAM
DRAM厂拚转型 Gartner：长期恐重演标准型产品历史

DRAM价格惨跌，也拖累DRAM厂营运表现疲弱，为拯救低迷的营运，各厂也纷纷减少标准型DRAM产能，转向其他利基型产品，希望能摆脱价格波动造成的影响，对此，市场研究机构Gartner(顾能)半导体产业首席分析师王哲宏认为，

模拟
2011-07-25

GARTNER DRAM 尔必达 MOBILE
DRAM产业过去十年仅三星一家获利　大者愈大趋势仍难挡

个人计算机(PC)销售量不如预期，又遇上平板计算机挤压市场，导致2011年DRAM报价持续下跌，目前已濒临变动成本边缘，过去3年1次循环的存储器景气，现在景气循环的时间周期大幅缩小，加上制程技术进展快速，台系DRAM厂

模拟
2011-07-25

三星存储器奇梦达 DRAM
DRAM产业过去十年仅三星一家获利

个人计算机(PC)销售量不如预期，又遇上平板计算机挤压市场，导致2011年DRAM报价持续下跌，目前已濒临变动成本边缘，过去3年1次循环的存储器景气，现在景气循环的时间周期大幅缩小，加上制程技术进展快速，台系DRAM厂

智能硬件
2011-07-25

三星存储器奇梦达 DRAM
DRAM产业过去十年仅三星一家获利　大者愈大势难挡

个人计算机(PC)销售量不如预期，又遇上平板计算机挤压市场，导致2011年DRAM报价持续下跌，目前已濒临变动成本边缘，过去3年1次循环的存储器景气，现在景气循环的时间周期大幅缩小，加上制程技术进展快速，台系DR

单片机
2011-07-25

三星存储器奇梦达 DRAM
海力士2Q营收26亿美元

韩半导体大厂海力士(Hynix)21日上午发布2011年第2季财报。海力士第2季营收2.76兆韩元(约26.15亿美元)，营业利益4,470亿韩元(约4.24亿美元)，与2010年同期相比营收减少16%、营业利益减少56%，然与2011年第1季相比，虽

电子设计自动化
2011-07-24

海力士 NANDFLASH TOSHIBA DRAM
DDR3仍将是主流DRAM技术

据IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市场份额稳定在85-90%，2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术，随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。2011年DRAM模组出货量将达8.08亿个左右，预计DDR3将占89%，高于

智能硬件
2011-07-22

内存 PC DDR3 DRAM
需求疲软而产量不减 DRAM市场Q3持续供过于求

第2季DRAM报价下跌幅度相当大，主要是日本311地震后，下游客户担心断链危机扩大，因此提前拉货，但最后发现PC终端需求低于预期，导致整个第2季记忆体市场都处于消化库存情况，且一直到第3季库存水位仍是偏高，因此DR

消费电子
2011-07-21

PID SAMSUNG ELECTRONICS DRAM
台塑将导入20纳米DRAM制程

台塑表示不会放弃DRAM产业，将跨入20纳米微缩制程提高产品竞争力。台塑主管指出，目前50纳米的制程已经没有竞争力;南科与华亚科除由40纳米跨入30纳米的制程之外，更进入一项空前的微缩制程，制程一举由30纳米跨入20纳

电子设计自动化
2011-07-21

平板计算机 IPAD DRAM
未来几年PC中的DRAM含量增长速度将会放慢

据IHS iSuppli公司的内存与存储报告，个人电脑(PC)中的DRAM含量增长速度将出现历史性的下降，2012年以后每台新PC中的DRAM含量的平均年度增长速度将不会超过35%，低于最近25年48%的平均水平。继2009和2010年分别增长3

智能硬件
2011-07-20

内存硬件 PC DRAM
第3季度DRAM展望

第2季DRAM报价下跌幅度相当大，主要是日本311地震后，下游客户担心断链危机扩大，因此提前拉货，但最后发现PC终端需求低于预期，导致整个第2季记忆体市场都处于消化库存情况，且一直到第3季库存水位仍是偏高，因此DR

模拟
2011-07-20

PID SAMSUNG ELECTRONICS DRAM
瑞萨谈DRAM封装的耐湿性故障：“30多年来首次公开提及”

笔者感觉最具有冲击力的是瑞萨的演讲。演讲者是田中政树（品质保证统括部MCU品质保证第一部高级专家）（图1）。田中介绍了30～40年前在日立制作所发生的、与DRAM封装的耐湿性相关联的故障。该故障是首次在日立以外的

模拟
2011-07-20

芯片日立封装 DRAM
记忆体产业变化剧烈，封测供应链跟着起涟漪

2008-2009年金融海啸期间，全球记忆体产业风云变色，DRAM厂奇梦达宣布破产倒闭，NOR Flash快闪记忆体厂Spansion飞索也申请重整与破产保护，到了2011年，DRAM厂商持续陷入苦战，也让后段封测供应链跟着起了变化，其中

模拟
2011-07-18

供应链封装 LCD驱动 DRAM
合约价跌跌不休 DRAM厂恐启动减产机制

目前各DRAM厂虽无积极扩产，不过在加速制程转换下，使得产出量大为提升，而随着2Gb价格来到现金成本，大部分DRAM厂财务状况与现金水位都尚未回复至金融风暴前的水平，以及下半年PC内存搭载未显著提升、加上全球经济衰

模拟
2011-07-15

内存 GB DDR3 DRAM
美林：SCM循环负面看待，最不青睐封测双雄

美银美林证券全球半导体产业研究部主管何浩铭(Daniel Heyler)昨天出具半导体研究报告指出，维持对半导体合约制造商（SCM，包括晶圆代工厂、封装测试厂）循环持负面立场，在存货建置及需求皆走软下，除颀邦评等为中立

模拟
2011-07-15

台积电晶圆厂 IC设计 DRAM
DRAM报价直落尔必达逆势大举募资

DRAM产业产品价格一再破底，但DRAM厂募资脚步却从未停歇，像茂德计划募资是为寻找活下去的救命钱，尔必达(Elpida)日前也宣布要发行500 亿日圆(约新台币179亿元)新股和近300亿日圆的可转债，决定大举投入30纳米和25纳

消费电子
2011-07-13

存储器 DDR3 DRAM 尔必达
DRAM产业技术转型期成本下降趋势放缓

据IHSiSuppli公司的研究，随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术，该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。虽然最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极，但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年

模拟
2011-07-12

40纳米节点 ISUPPLI DRAM
DRAM产业技术转型期成本保持平缓

随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术，该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。虽然最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极，但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年第一季度该产业的加权平均

消费电子
2011-07-12

40纳米节点 ISUPPLI DRAM

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DRAM厂拼转型长期恐重演标准型产品历史

DRAM厂拚转型长期恐重演标准型产品历史

DRAM产业过去十年仅三星获利

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DRAM产业过去十年仅三星一家获利　大者愈大趋势仍难挡

DRAM产业过去十年仅三星一家获利

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海力士2Q营收26亿美元

DDR3仍将是主流DRAM技术

需求疲软而产量不减 DRAM市场Q3持续供过于求

台塑将导入20纳米DRAM制程

未来几年PC中的DRAM含量增长速度将会放慢

第3季度DRAM展望

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DRAM报价直落尔必达逆势大举募资

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