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[导读]韩半导体大厂海力士(Hynix)21日上午发布2011年第2季财报。海力士第2季营收2.76兆韩元(约26.15亿美元),营业利益4,470亿韩元(约4.24亿美元),与2010年同期相比营收减少16%、营业利益减少56%,然与2011年第1季相比,虽

韩半导体大厂海力士(Hynix)21日上午发布2011年第2季财报。海力士第2季营收2.76兆韩元(约26.15亿美元),营业利益4,470亿韩元(约4.24亿美元),与2010年同期相比营收减少16%、营业利益减少56%,然与2011年第1季相比,虽然营收减少1%,但营业利益则增加了38%。

海力士表示,以美元计算的营收较第1季增加,然因汇率问题而出现较第1季减少的情况。

海力士表示,第2季初虽然面临淡季,但日本发生震灾后,各厂担忧日本供货短缺,而使需求短暂攀升,然而需求未达到预期,第2季中后期营收快速恶化等,市场变动相当大。

实际上第2季DRAM及NANDFlash等平均销售价格与第1季相比,DRAM减少1%、NAND则暴跌19%。出货量方面,DRAM维持与第1季相同水平,NAND则增加约36%。

海力士相关人员表示,下半年将进入旺季,但因欧洲财政危机及全球景气恢复趋势钝化,整体经济仍存在许多不透明的情况。海力士将会致力于微细制程转换及架构良好的产品收益结构,持续扩大与他厂竞争力的差距。

对于微细制程,海力士透露,2011年第1季投入生产的30纳米等级DRAM比重至年底将扩大至40%。而第2季末比重约占70%的行动装置、绘图、服务器用DRAM等高附加价值产品,也将持续维持其比例。

海力士将加快NANDFlash转换微细制程的速度,第2季末占比重约50%的20纳米等级产品,年底将扩大至约70%,次世代20奈米产品也计划于2011年下半投入量产。

海力士与日厂东芝(Toshiba)为确保在次世代存储器市场的主导权,合作研发STT-MRAM等,正持续为未来的竞争力做准备。

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