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半导体厂扩产 力成进补
不让韩国三星专美于前，日本半导体大厂东芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，将共同斥资4,000亿日圆(约新台币1,221.2亿元)，于日本三重县四日市兴建储存型快闪存储器(NAND Flash)新厂，导入最新16至17纳米制程，使总产能
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为何Flash存储产品能够生存壮大？
我永远忘不了自己第一眼看到华丽的菲斯克卡玛（Fisker Karma）[1]的情景。在那之前，公众一直沉迷于丰田普锐斯或日产Leaf等混合动力插电式汽车，这些车的外观性感异常，就像Martha Stewart在新一期维多利亚的秘密
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HOLTEK推出单颗电池0.9V标准Flash MCU系列
21ic讯 Holtek新一代0.9V标准型Flash微控制器，整合了电源管理IC的功能，在单一芯片上实现单一颗电池之应用。同时整合外部电路，可达到体积缩小、组件精简、电池减少的绿色环保需求。本系列产品包含有HT66F017L及HT6
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HOLTEK新推出HT66F0172、HT66F0174 Enhanced A/D Flash MCU系列
21ic讯 Holtek新推出Enhanced A/D Flash Type MCU系列，此系列有两颗MCU分别为HT66F0172及HT66F0174，符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求，并具有2Kx16 Flash程序内存，SRAM为128 Bytes、I/O 18个
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基于TMSF240芯片的内部FLASH自测试方法
飞控计算机CPU模块的处理器通常选用PowerPC或X86系列，CPU模块设计有专门的FLASH芯片，为保证飞控程序存放的正确无误，FLASH测试必不可少。而智能接口模块的处理器通常选用TMSF240、TMSF2812等，采用片内FLASH存放自
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HOLTEK推出HT85F2280/70/60 8051 A/D Flash Type MCU系列
21ic讯 Holtek推出全新的8051 A/D Flash Type MCU的HT85F2280、HT85F2270、HT85F2260系列，全系列宽工作电压范围2.2V~5.5V，符合工业等级-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求，是一系列混合信号高性能MCU，使
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扩张嵌入式版图 飞索启动购并/多代工厂策略
飞索(Spansion)于2013年上半年接连展开与武汉XMC和联电分别达成32奈米(nm)和40奈米的晶圆代工合作协议，以及收购富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)部门布
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武汉“新芯”能成为亮点
沉默了一段时间之后的武汉“新芯“，近期又开始显声。它的变化主要有两个方面，更英文名为XMC，以及宣布与中芯国际之间已不再是姊妹公司关系。 观看EE Times采访它的市场营销经理Walter Lange谈话之后，发现该公司
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武汉“新芯”能成为亮点
沉默了一段时间之后的武汉“新芯“，近期又开始显声。它的变化主要有两个方面，更英文名为XMC，以及宣布与中芯国际之间已不再是姊妹公司关系。观看EE Times采访它的市场营销经理Walter Lange谈话之后，发现
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北美半导体设备制造商B/B值连续5个月逾1
5月北美半导体设备制造商订单出货(B/B)值为1.08，与4月持平，已连续5个月维持在1以上水准。 国际半导体设备材料产业协会(SEMI)指出，北美半导体设备厂商5月的3个月平均订单金额为13.2亿美元，较4月11.7亿美元增加12.
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封测厂动能稳健 日月光5月封测营收创新高 力成营收也同升
IC封测日月光(2311-TW)今(7)日公布 5 月营收，封测营收为124.1亿元，较 4 月增加6.3%，较去年同期成长12.2%，创下封测营收历史新高，合并营收则达174.4亿元，较 4 月成长4.3%，较去年同期成长11.5%；另一家封测厂力成
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HOLTEK推出BS84xxxA-3系列新一代Flash触控单片机
21ic讯 Holtek推出新一代内建8通道的12-bit ADC的Flash触控MCU BS84xxxA-3系列，此系列共有2颗，BS84B08A-3与BS84C12A-3分别支持8个及12个触控按键，可应用于温度或其它电压讯号量测等应用，如温控电茶壶、电陶炉、
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HOLTEK推出BS83xxxA系列新一代Flash触控单片机
21ic讯 Holtek推出新一代Flash触控MCU BS83xxxA，除了保有上一代的优点之外还比上一代触控MCU更省电，触控侦测的更新率更高，并且抗干扰的能力更好。在产品开发阶段还提供了OCDS EV及新的Touch Key开发平台，使用简
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常用Nor Flash操作
SST39VF160芯片介绍SST39VF160是一个1M×16的CMOS多功能FlashMPF器件，由SST特有的高性能SuperFlash技术制造而成(SuperFlash技术的分裂闸split-gate单元结构和厚氧化物
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100万次擦写！三星首创45nm嵌入式闪存
三星电子近日宣布，正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash，并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺，为量产和商用打下了坚实基础。三星宣称，基于其45nm e
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199元，800台工程版PPBox今日被速抢
PPTV携手华数传媒合作推出了机顶盒产品PPBox，299元售价在业界引起了不小的轰动。今日零点800台工程版PPBox的网络预售正式首发了，工程版的售价为199元，但仅过了3分钟的时间，800台PPBox就被速抢一空。
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全球首创45nm嵌入式闪存 100万次擦写！
三星电子近日宣布，正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash，并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺，为量产和商用打下了坚实基础。三星宣称，基于其45nm eFlash的智能卡电路具备极高的可靠性、耐久性
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盛群低功耗LCD Flash MCU 满足温度与高抗杂讯要求
盛群推全新系列的TinyPower液晶(LCD)快闪记忆体(Flash)微控制器(MCU)，全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三个微控制器，符合工业上-40°C～85°C工作温度与高抗杂讯之性能要求，且提供48～80接脚的不同封
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三星淡出microSD，NAND Flash供应链再洗牌
近期内存业界传出三星电子(Samsung Electronics)将策略性淡出小型内存卡microSD生产行列，未来仅针对少数几家客户以供应Wafer方式，让客户自行生产并封装 microSD成卡，至于三星既有资源将全数投注于eMMC、eMCP、固态
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MSP430---FLASH 读写
MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段，其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节，其他段有512字节。SegmentB的地址是：0x01000h到0x107F，SegmentA的地址是：0x01080h到0x010FFh。其
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