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GaN， “镓”驭全功率 ——高压大功率应用，氮化镓前景可期
功率半导体领域已有很多年未发生系统性技术变革，目前热门的宽禁带（WBG）功率器件已经开始占据自己所“擅长”的市场领域——氮化镓（GaN）功率器件应用从快充起步已获得显著的商业化进展，EV的逆变器则率先采用了碳化硅（SiC）。
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低功耗 GaN 在常见交流直流电源拓扑中的优势
消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向 USB Type-C® 充电器，越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。
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CGD为电机控制带来GaN优势
评估套件具有 Qorvo 的高性能无刷直流/永磁同步电机控制器/驱动器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
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英飞凌：稳居全球功率和汽车半导体之首， 首次拿下全球汽车微控制器NO.1
英飞凌位列2023全球半导体供应商第九，稳居全球功率和汽车半导体之首。2023年英飞凌汽车MCU销售额较上年增长近44%，约占全球市场的29%，首次拿下全球汽车MCU市场份额第1。
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CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装
新封装提供了更高的功率输出、便于光学检查、节省了系统成本，并提高了可靠性
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CGD与中国台湾工业技术研究院签署GaN电源开发谅解备忘录
为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机应用开发功率密度超过30 W/in3的140-240 W USB-PD适配器
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将功率密度卷出新高度，TI发布集成驱动GaN LMG21/3100和汽车级隔离DC/DC UCC33420-Q1
功率密度是电源设计的永恒话题，而随着近年来各类创新应用对于功率等级的提高，要在同样甚至更小的体积中达成同样的供电需求，就势必要把功率密度推向更高的纬度。而追求电源设计功率密度的提升，最根本的是要从器件层面入手。对于电源芯片而言，提升功率密度绝非易事。在提升的同时，就会面对着来自散热、EMI等因素带来的反制。功率密度的提升绝非提高电压电流那么简单，而是需要来自芯片前道的材料、工艺、电路设计和来自后道封装的多方面配合。那么如何克服一系列的挑战，将电源芯片的功率密度卷出新高度？TI于近日发布的100V GaN驱动芯片LMG21/3100和隔离DC/DC UCC33420-Q1，我们可以从中找到答案。
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新加坡芯片厂突然倒闭，员工解散！
业内消息，近日新加坡 RF GaN（射频氮化镓）芯片供应商 Gallium Semiconductor（加联赛半导体）突然终止业务并解雇所有员工，包括位于荷兰奈梅亨的研发中心。
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英飞凌：增强功率系统领域的领导地位，助力低碳可持续发展
如何把握住2024年的行业新机遇，实现技术突破创新，赋能各类新兴应用的发展？新一年伊始，我们采访到了英飞凌科技全球高级副总裁暨大中华区总裁、英飞凌电源与传感系统事业部大中华区负责人潘大伟，他和我们分享了英飞凌这一年来的成绩，以及对于明年的市场趋势展望。
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瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容
增强瑞萨宽禁带专业知识和产品路线图发展，以应对电动汽车、数据中心、人工智能电源，以及可再生能源快速增长的市场机遇。
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大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的2KW PSU服务器电源方案
大联大诠鼎基于Innoscience InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH和INN650D080BS芯片推出2KW PSU服务器电源方案，旨在利用先进的GaN器件助力服务器电源实现更出色的能效。
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占板面积减半！Allegro Power-Thru技术带来GaN隔离栅极驱动器新选择
从电流感应、磁传感器和电源的结合，Allegro Microsystems在汽车和工业市场赢得了成功。而今通过对于Power-Thur技术的隔离栅极驱动器的成功发布，Allegro继续扩大优势，强势布局宽禁带器件功率市场，为客户应用带来更好的选择。
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意法半导体和法国空客将联合开发功率半导体
21ic 近日获悉，意法半导体(ST)和法国空客公司将联合研发功率半导体，双方表示开发的新型电力电子设备更高效，将用于混合动力飞机和全电动城市飞行器。
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ST的半导体制造战略：加大第三代半导体垂直整合，与客户长期双赢
对于ST而言，芯片设计和制造同样重要。ST在制造上的战略规划正在逐步实施，将会帮助其实现200亿美元营收和2027碳中和两大目标。
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通过最新 GaN 器件提高设备电源效率，降低能源消耗
从 EPC 的角度来看，我们将通过我们的 GaN 器件推出全新一代技术。所以那将是一个令人兴奋的发布。我们显然也期待与我们在汽车行业以及最近真正起飞的太阳能行业的合作伙伴公司讨论我们在 GaN 方面的所有新技术。因此，电源解决方案的设计人员面临挑战，并且越来越多地转向所谓的宽带隙技术来克服硅的局限性。其中之一是 GaN，您非常了解它。所以正如你在一篇文章中所说，GaN技术有一个硅无法比拟的优势。这就是将功率器件与信号和数字器件集成的能力。那么你在哪里押注 GaN，为什么?
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垂直 GaN 技术：GaN 在横向和纵向技术方面的主要技术差异
垂直结构通常被认为有利于高电压、高功率器件，因为它便于电流扩散和热管理，并允许在不增大芯片尺寸的情况下实现高电压几乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直结构此外，与GaN-on-Si外延相比，GaN-on-GaN同质外延层具有更低的位错密度，(VON)是由GaN的大能带隙引起的。先进的sbd是非常可取的，因为它们结合了肖特基样正向特性(具有低VON)和pn样反向特性(峰值电场从表面移到半导体中)。
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垂直 GaN 技术：在哪些领域会有重大的技术扩张机会？
垂直氮化镓设备能够达到更高的频率和操作在更高的电压，这应该导致新一代更有效的电力设备，现在的一些挑战，具体来说，你正在工作与横向氮化镓相比，有什么制造问题，问题降低成本?我想这很重要。所以，我们谈论的是学术上的垂直氮化镓，还是我们可以在市场上找到解决方案?
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垂直 GaN 技术：为什么我们需要垂直的氮化镓？
为什么我们需要垂直的氮化镓?因此，由于输出电容较小，应用中的开关损耗非常小，与横向氮化镓设备相比，保持这些通过均匀材料的最佳传输，而没有额外的层定向到封装，并将框架从设备的顶部和底部离开。
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GaN在能源和电力市场已经彻底改变了高功率应用
到目前为止，我们已经涉足能源和电力市场数十年，我们的目标确实是为专注于电力转换和储能应用的客户提供支持，例如交通运输、可再生能源、重型工业机械。我们一直在全球范围内这样做。所以我想说大约十年前，我们看到对更高效的电源解决方案和高功率密度以及小尺寸的需求在增加。所以这就是为什么我们一直专注于宽带半导体的早期阶段。我指的是氮化镓或 GaN 和碳化硅。这帮助我们走在了今天采用这些技术的前沿。
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SiC 和 GaN 都可以为创建下一代智能电网做出贡献
SiC 和 GaN 都可以为创建下一代智能电网做出贡献，以解决能源问题，尤其是在电动汽车方面。那么等待我们的未来是什么?但特别是，从长远来看，您认为基于 SiC 的功率器件应该如何发展才能满足下一个更严格的行业要求?
