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垂直 GaN 技术：GaN 在横向和纵向技术方面的主要技术差异
垂直结构通常被认为有利于高电压、高功率器件，因为它便于电流扩散和热管理，并允许在不增大芯片尺寸的情况下实现高电压几乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直结构此外，与GaN-on-Si外延相比，GaN-on-GaN同质外延层具有更低的位错密度，(VON)是由GaN的大能带隙引起的。先进的sbd是非常可取的，因为它们结合了肖特基样正向特性(具有低VON)和pn样反向特性(峰值电场从表面移到半导体中)。
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垂直 GaN 技术：在哪些领域会有重大的技术扩张机会？
垂直氮化镓设备能够达到更高的频率和操作在更高的电压，这应该导致新一代更有效的电力设备，现在的一些挑战，具体来说，你正在工作与横向氮化镓相比，有什么制造问题，问题降低成本?我想这很重要。所以，我们谈论的是学术上的垂直氮化镓，还是我们可以在市场上找到解决方案?
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垂直 GaN 技术：为什么我们需要垂直的氮化镓？
为什么我们需要垂直的氮化镓?因此，由于输出电容较小，应用中的开关损耗非常小，与横向氮化镓设备相比，保持这些通过均匀材料的最佳传输，而没有额外的层定向到封装，并将框架从设备的顶部和底部离开。
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GaN在能源和电力市场已经彻底改变了高功率应用
到目前为止，我们已经涉足能源和电力市场数十年，我们的目标确实是为专注于电力转换和储能应用的客户提供支持，例如交通运输、可再生能源、重型工业机械。我们一直在全球范围内这样做。所以我想说大约十年前，我们看到对更高效的电源解决方案和高功率密度以及小尺寸的需求在增加。所以这就是为什么我们一直专注于宽带半导体的早期阶段。我指的是氮化镓或 GaN 和碳化硅。这帮助我们走在了今天采用这些技术的前沿。
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SiC 和 GaN 都可以为创建下一代智能电网做出贡献
SiC 和 GaN 都可以为创建下一代智能电网做出贡献，以解决能源问题，尤其是在电动汽车方面。那么等待我们的未来是什么?但特别是，从长远来看，您认为基于 SiC 的功率器件应该如何发展才能满足下一个更严格的行业要求?
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进一步了解氮化镓和碳化硅目前赢得业务的市场
电力电子在采用 GaN 和 SiC 器件方面发生了变化。硅仍然主导着市场，但很快，这些设备的出现将引导技术走向新的、更高效的解决方案。Yole Développement 估计，到 2025 年来自 SiC 器件的收入将占市场的 10% 以上，而来自 GaN 器件的收入到 2025 年将超过 2% 的市场。一些主导市场的公司是 STMicroelectronics、Cree/ Wolfspeed、ROHM、Infineon、Onsemi 和 Mitsubishi Electric 用于 SiC 功率器件。而在这个领域，GaN Yole Développement 拥有 Power Integrations 和 Infineon 作为参与者，以及 Navitas、EPC、GaN Systems 和 Transphorm 等创新初创企业。
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Transphorm在深圳设立GaN场效应晶体管实验室
据业内信息报道，TransphormInc已经在深圳设立GaN场效应晶体管实验室，并且已经全面投入运营，并为中国的客户提供产品及服务。
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GaN 功率器件，E-模式 HEMT技术选择介绍和发展情况
最流行的 e-mode HEMT 结构是在栅极上使用 p-GaN 层。实现的典型 Vt 在 1-2 V 范围内。HEMT 在开关应用中的固有优势得以保留，并且开关损耗可以更低。e-mode 器件的主要缺点之一是其低 Vt，这可能导致栅极对噪声和 dV/dt 瞬态的抗扰度较差。出于可靠性原因，最大栅极电压通常限制为 6-7 V，并且可能需要负电压来关闭器件。
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高清晰小尺寸，日本开发最小的硅衬底GaN激光芯片
据业内消息，近日日本京都京瓷公司开发了一种新的薄膜工艺技术，用于制造基于GaN的微光源(即边长
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如何应对电气设备热管理的几个方面考量
应对电气设备温度，第一个考量就是加强散热。首先要采取的预防措施是采用并实施一种策略来分散电气和电子电路的热量。散热器的传热效率与散热器与周围空间之间的热阻有关。它测量材料散热的能力。具有大表面积和良好空气流通(气流)的散热器，提供最佳散热。为此，必须安装合适的散热器，与相关方直接接触。
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亚虹医药APL-1401治疗中度至重度活动性溃疡性结肠炎的新药临床研究申请获美国FDA许可
上海2022年11月10日 /美通社/ -- 全球化创新药公司亚虹医药（股票代码：688176.SH）今日宣布，其口服药APL-1401治疗中度至重度活动性溃疡性结肠炎的新药临床研究申请（IND）获美国食品药品监督管理局（FDA）许可。公司将尽快在美国启动临床入组，并于近期向中国...
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美国封锁，中国破冰！建厂/6英寸GaN...国内捷报不断
众所周知，从今年8月开始的《芯片与科学法案》，再到10月的出口管制措施，美国试图不断通过各种措施来限制我国半导体领域获得先进技术。也正是因为美国的封锁让行业产生了危机感，我国的半导体也在积极寻求破冰崛起。
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PCIM 上各家公司的最新GaN 功率半导体产品
在PCIM Europe上，电力电子制造商展示了他们在宽带隙 (WBG) 技术方面的最新创新和进步。硅功率器件制造商也实现了性能改进。尽管硅在电力电子市场占据主导地位，但 WBG 半导体正在各种应用中取得巨大进展，包括数据中心、工业控制、汽车和电动汽车。特别是氮化镓 (GaN) 等 WBG 半导体在快速充电器设计方面取得了长足进步，而碳化硅 (SiC) 预计将在 800 伏 (V) 电动汽车中出现巨大需求。
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用于功率转换的 GaN 技术第一部分，电源转换系统介绍
从家用电器、笔记本电脑和数据中心到电动汽车，电源转换系统是每个电子设备的核心。在这个与 Wise-Integration 首席执行官 Thierry Bouchet 的播客中，我们将发现 GaN 在电源转换解决方案中的优势。Wise-Integration 是 CEA-LETI 的衍生公司，是一家从台积电开发 GaN 集成解决方案的公司，以使电源小型化并提高能源效率。
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用于功率转换的 GaN 技术第二部分，GaN 技术发展趋势
下一代功率器件必须采用满足性能、效率和价值要求的技术。正如您所提到的，GaN 已成为主要组件。然而，在评估 GaN 解决方案时，出现了一个问题，即什么是该应用的最佳解决方案。例如，GaN-on-silicon 和 GaN-on-silicon-carbide 或 GaN-on-GaN。在这种情况下，我们谈论的是垂直 GaN。GaN的默认衬底是硅或-碳化硅，对于碳化硅，在射频领域有很多应用，如你所知。在 GaN-on-GaN 中，我发现与其他产品相比，碳化硅的导热性比 GaN 高得多。你怎么看?技术在这方面的挑战和方向是什么?
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KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作开发下一代电车应用GaN技术
KYOCERA AVX和VisIC Technologies扩大合作，开展下一代电动汽车应用GaN技术开发 耐斯兹敖那、以色列和萨尔茨堡和奥地利2022年10月27日 /美通社/ -- 结合KYOCERA AVX在分立和模块封装方面...
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GaN 晶体管的性能测试，器件GS61008T
GaN晶体管是新功率应用的理想选择。它们具有小尺寸、非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 进行实验。
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Dieter Liesabeths担任VisIC Technologies公司高级副总裁
汽车应用氮化镓（GaN）解决方案公司VisIC Technologies LTD宣布： Dieter Liesabeths将加入公司，担任产品高级副总裁。在过去的10年里，他在Wolfspeed GmbH担任高级总监，并建立了汽车部门。(能动Nengdong)...
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氮化镓技术讨论，第一部分
氮化镓提高了功率转换级的效率。GaN 很有吸引力，因为它比硅具有更高的能效、更小的尺寸、更轻的重量和更便宜的总成本。在剑桥 GaN 器件业务开发副总裁 Andrea Bricconi 的讨论中，我们将分析这个宽带隙生态系统的最新技术，这些技术将推动下一步的改进。
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GaN 助力转向 800V 牵引逆变器
在过去的几年里，我们道路上的电动汽车 (EV) 的数量显着增加，给设计人员带来了严峻的挑战，例如最大限度地提高 EV 效率、优化充电基础设施和缩短充电时间。
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