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大佬带你看IGBT：IGBT短路性能、寄生导通讲解
本文中，小编将对IGBT予以介绍，如果你想对IGBT的详细情况有所认识，或者想要增进对IGBT的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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IGBT模块主要参数有哪些？IGBT对栅极驱动电路有哪些要求？
今天，小编将在这篇文章中为大家带来IGBT的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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最强梳理！IGBT原来是这么玩的
IGBT的发展对于很多行业都有益，但是在相当长的一段时间里，IGBT的核心技术都被国外企业牢牢地把在手里。“核心技术之痛”依然横亘在我们面前，在IGBT全球市场中，西门子旗下的子公司英飞凌占有率全面领先，IGBT分立器件和IGBT模块的市占率分别为29.3%和 36.5%。
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IGBT的主要参数及其工作原理
IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种高效能的功率半导体元件，在能源转换和控制领域的作用日益凸显。
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IGBT功率半导体器件主要参数
如果正输入电压通过栅极，发射极保持驱动电路开启。另一方面，如果 IGBT 的栅极端电压为零或略为负，则会关闭电路应用。
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如何并联使用IGBT？电流计算公式+影响图例！
一直以来，IGBT都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来IGBT并联使用的相关介绍，详细内容请看下文。
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基于EXB841，你知道如何设计IGBT推挽驱动电路吗？
在下述的内容中，小编将会对基于EXB841的IGBT推挽驱动电路予以介绍，如果IGBT推挽驱动电路是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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如何检测比亚迪高压电控总成IGBT模块？
在这篇文章中，小编将详细分析如何检测比亚迪高压电控总成IGBT模块，以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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IGBT硬并联存在哪些技术风险？你知道优化IGBT硬并联的技术方案吗？
在下述的内容中，小编将会对IGBT硬并联技术优化方案予以报道，如果IGBT是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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工频变压器中如何输出正负电压
随着电子技术的提高，以及电子产品的发展，一些系统中经常会需要负电压为其供电。例如，在大功率变频器，会使用负电压为IGBT提供关断负电压
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HOLTEK新推出HT45F0005A/35A电磁炉MCU
Holtek持续精进电磁炉产品技术开发，再推出更具性价比的电磁炉Flash MCU HT45F0005A/HT45F0035A。相较于前代产品提供更丰富的资源，如硬件辅助UL认证功能、硬件I²C可与面板通信及过电流保护及台阶电压侦测功能等，同时也保留前代产品优势，如电磁炉所需的硬件保护电路(电压/电流浪涌保护、IGBT过压保护)、PPG含硬件抖频功能，使电磁炉工作于高功率时，可以有效减小IGBT反压以及降低EMI电磁干扰，减少抗EMI元件成本，并通过EMI标准测试。
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安森美推出第七代IGBT智能功率模块，助力降低供暖和制冷能耗
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用，能实现更高能效和更佳性能
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HOLTEK新推出HT45F0006/36电磁炉MCU
Holtek针对电磁炉应用领域，新推出HT45F0006/HT45F0036电磁炉Flash MCU。HT45F0006/HT45F0036提供电磁炉所需的硬件保护电路，如电压/电流浪涌保护、IGBT过压保护、过电流保护及台阶电压侦测等。相较于前代产品，HT45F0006/HT45F0036提供更丰富的资源，内建硬件辅助UL认证功能，并提供硬件UART及I²C可用来与面板通信，同时也保留前代产品优势，如PPG含硬件抖频功能，使电磁炉工作于高功率时，可以有效减小IGBT反压以及降低EMI电磁干扰，减少抗EMI元件成本，并通过EMI标准测试。
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超结MOS/IGBT在储能变流器(PCS)上的应用-REASUNOS瑞森半导体
功率器件在储能变流器(PCS)上的应用，双向DC-DC高压侧BUCK-BOOST线路，推荐瑞森半导体超结MOS系列。模块BOOST升压/双向DC-AC转化器，推荐瑞森半导体IGBT系列。
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Littelfuse推出FDA117光隔离光伏驱动器为隔离开关应用提供浮动电源
提供高电压与大电流，可驱动不同行业的标准MOSFET/IGBT
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TrendForce集邦咨询：预估2023年中国大陆成熟制程产能占比约29%，2027将扩大至33%
Oct. 18, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询统计，2023~2027年全球晶圆代工成熟制程(28nm及以上)及先进制程(16nm及以下)产能比重大约维持在7:3。中国大陆由于致力推动本土化生产等政策与补贴，扩产进度最为积极，预估中国大陆成熟制程产能占比将从今年的29%，成长至2027年的33%，其中以中芯国际(SMIC)、华虹集团(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)扩产最为积极。
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第18届中国研究生电子设计竞赛全国总决赛落幕
（全球TMT2023年8月14日讯）第18届中国研究生电子设计竞赛（研电赛）全国总决赛暨颁奖典礼落幕。今年，来自全国53所高校的90支参赛队伍报名了由德州仪器 (TI) 提供的企业命题，通过德州仪器行业先进的技术方案与产品支持，电子工程专业学生们在研电赛舞台充分展现电子设计专业...
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绝缘栅双极晶体管的基本概述，在应用上具有什么特点？
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是一种重要的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。它不仅综合了双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和场效应晶体管(Field-Effect Transistor，FET)的优点，还具备自身独特的特性。本文将对绝缘栅双极晶体管进行基本概述，并介绍其在应用上的特点。
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厂家有推出哪些绝缘栅双极晶体管的系列产品？
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)作为一种关键的功率半导体器件，由多家厂家推出了各种系列产品。本文将介绍几个知名厂家推出的主要IGBT系列产品，包括其特点和应用领域，为读者了解IGBT的市场情况和选择适合的产品提供指导。
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绝缘栅双极晶体管是什么？有什么作用？
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是一种关键的功率半导体器件，在现代电力电子和驱动技术中广泛应用。本文将介绍IGBT的基本原理、结构组成和工作原理，并探讨其在电力变换和控制中的重要作用。
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