IGBT模块主要参数有哪些？IGBT对栅极驱动电路有哪些要求？

今天，小编将在这篇文章中为大家带来IGBT的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。

一、IGBT模块主要参数

RGint：模块内部栅极电阻:为了实现模块内部芯片均流，模块内部集成有栅极电阻。该电阻值应该被当成总的栅极电阻的一部分来计算IGBT驱动器的峰值电流能力。

RGext：外部栅极电阻：      外部栅极电阻由用户设置，电阻值会影响IGBT的开关性能。

上图中开关测试条件中的栅极电阻为Rgext的最小推荐值。用户可通过加装一个退耦合二极管设置不同的Rgon和Rgoff。

已知栅极电阻和驱动电压条件下，IGBT驱动理论峰值电流可由下式计算得到，其中栅极电阻值为内部及外部之和。

实际上，受限于驱动线路杂散电感及实际栅极驱动电路非理想开关特性，计算出的峰值电流无法达到。       如果驱动器的驱动能力不够，IGBT的开关性能将会受到严重的影响。       最小的Rgon由开通di/dt限制，最小的Rgoff由关断dv/dt限制，栅极电阻太小容易导致震荡甚至造成IGBT及二极管的损坏。

Cge：外部栅极电容：      高压IGBT一般推荐外置Cge以降低栅极导通速度，开通的di/dt及dv/dt被减小，有利于降低受di/dt影响的开通损耗。

IGBT寄生电容参数：

IGBT寄生电容是其芯片的内部结构固有的特性，芯片结构及简单的原理图如下图所示。输入电容Cies及反馈电容Cres是衡量栅极驱动电路的根本要素，输出电容Coss限制开关转换过程的dv/dt，Coss造成的损耗一般可以被忽略。

其中：Cies=CGE+CGC：输入电容（输出短路）Coss=CGC+CEC：输出电容（输入短路）Cres=CGC：反馈电容（米勒电容）动态电容随着集电极与发射极电压的增加而减小，如下图所示。

CGE的值随着VCE的变化近似为常量。CCG的值强烈依赖于VCE的值，并可由下式估算出：

IGBT所需栅极驱动功率可由下式获得：

或者

二、IGBT对栅极驱动电路的要求

IGBT对栅极驱动电路的要求主要是保证电路的稳定性和可靠性。IGBT驱动电路需要具备良好的绝缘性能、耐压性能和耐温性能，以及足够的电流和电压控制能力，以保证IGBT的正常工作。此外，IGBT驱动电路还需要具备足够的电流和电压控制能力，以保证IGBT的正常工作。

IGBT 的静态和动态特性与栅极驱动条件密切相关。栅极的正偏压+VGE、负偏压-VGE 和栅极电阻RG 的大小，对IGBT 的通态电压、开关时间、开关损耗，承受短路能力以及dvce/dt 等参数都有不同程度的影响。

栅极驱动电路提供给IGBT 的正偏压+VGE使IGBT 导通。在实际应用中，综合该电压对开通时间、开通损耗以及器件在短路时承受短路电流时间等方面的因素，通常使用+15V。栅极驱动电路提供给IGBT 的负偏压-VGE使其关断。它直接影响IGBT 的可靠运行，为了防止IGBT 产生动态擎住现象，栅极负偏压应为-5V 或更低一些的电压，负偏压的大小对关断时间损耗的影响不大。

此外，栅极驱动电压必须有足够快的上升和下降速度，使IGBT 尽快开通和关断，以减少开通和关断损耗。在器件导通后，驱动电压和电流应保持足够的幅度，保证IGBT 处于饱和状态。由于IGBT 多用于高电压、大电流场合，信号控制电路与驱动电路之间应采用抗干扰能力强、信号传输时间短的高速光电隔离器件加以隔离。为了提高抗干扰能力，应采用驱动电路到IGBT 模块的引线尽可能短、引线为双胶线或屏蔽线等措施。

以上便是小编此次想要和大家共同分享的有关IGBT的内容，如果你对本文内容感到满意，不妨持续关注我们网站哟。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day！