如何检测比亚迪高压电控总成IGBT模块？

在这篇文章中，小编将详细分析如何检测比亚迪高压电控总成IGBT模块，以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。

一、IGBT

绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。

二、如何检测比亚迪高压电控总成IGBT模块

1、比亚迪 e5高压电控总成内 IGBT 模块位置

2、比亚迪 e5高压电控总成内IGBT模块

3、比亚迪 e5高压电控总成内IGBT实物

4、IGBT实物图与工作原理图

图左上方为一相上桥臂和下桥臂的IGBT实物图，其侧面一般标有原理图，如图左下方所示。实际上上桥臂和下桥臂是由8个IGBT组成，上桥臂和下桥臂分别由4个IGBT并联，再将上桥臂和下桥臂串接起来，如图右侧所示。连接T1、T2的是热敏电阻（温度传感器）。

5、IGBT的检查

a.未触发导通性检查  测量上桥臂IGBT的二极管的导通性（反向不导通），在IGBT未触发状态下用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“～”之间的正向导通性，显示导通，压降为0.34 V。在IGBT未触发状态下用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“～”之间的反向导通性，显示不导通。   在IGBT未触发状态下用万用表二极管挡测量下桥臂“～”与“-”之间的正向导通性，显示导通，压降为0.339 V，而反向不导通。

b.通电导通性检查  用9 V电池作为电源接至G11触发上桥臂中的1号IGBT，用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“～”之间的导通性，显示导通，压降为0.379 V。

在触发上桥臂中的1号IGBT后，断开电源，1号IGBT的控制极C与控制级E仍保持导通。用万用表二极管挡测量上桥臂“+”与“～”之间的导通性，显示导通，压降为0.379 V。

c.放电后导通性检查用螺丝刀将G11与Ex11短接放电后，上桥臂的1号IGBT的控制级C与控制级E不再导通，因其他3个IGBT也未触发，故上桥臂“+”与“～”不再导通。实际的电路板上4个IGBT是一同触发的。

依次对上桥臂的其他3个IGBT进行触发，检查其导通性，检查前注意先短接控制级G与控制级E，使其内部电容放电。用相同方法可依次检查下桥臂的各个IGBT。

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