IGBT硬并联存在哪些技术风险？你知道优化IGBT硬并联的技术方案吗？

在下述的内容中，小编将会对IGBT硬并联技术优化方案予以报道，如果IGBT是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。

一、IGBT硬并联技术风险

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，与同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化 IGBT驱动器的原理图。

IGBT硬并联的特点分析：

优点：

IGBT模块之间并联在一起，不需要均流电抗，比较紧凑和经济

缺点：

对直流母排对称性要求很高； 比较容易产生发射极环流； 功率电路与门极回路产生耦合。

IGBT硬并联时的技术风险点如下：

（1）发射极环流问题；

（2）门极回路与功率回路产生耦合（门极共模环流问题）；

（3）直流母排杂散电感不对称产生的问题；

（4）交流排杂散电感数值过大所产生的问题；

（5）IGBT开通门槛电压VGEth，开通延迟的差异所产生的问题；

（6）门极回路杂散电感不对称所产生的问题；

（7）IGBT模块并联数增多的风险。

二、IGBT并联技术优化方案

CONCEPT驱动器直接并联技术：

1. SCALE-2芯片组使用磁隔离时，PWM信号传输延时为80ns±4ns，这样的精确延迟可以确保驱动器直接并联技术得以实现； 2. 副方芯片自身的稳压功能使驱动电压一致性得到保证；  使用了直接并联技术的1SP0635，及1SP0335如下图：

CONCEPT的实现方法：

1.SCALE-2芯片组可以实现，原方PWM信号至Vge的精确延时；

2.副边15V开通电压与-10V关断电压完全相同；

IGBT均流的测试方法： 静态均流测试时，使用柔性电流探头，测桥臂输出电流，测量其电流有效值，考核两桥臂一致程度。柔性电流探头在测量I1和I2时，可能会见到下图的情况。上面的尖刺就是流过L1，L2的换流电流。要想办法消除。

以上就是小编这次想要和大家分享的内容，希望大家对本次分享的内容已经具有一定的了解。如果您想要看不同类别的文章，可以在网页顶部选择相应的频道哦。