IGBT可以反向导通吗？IGBT和MOSFET到底有哪些区别？

一直以来，IGBT都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来IGBT的相关介绍，详细内容请看下文。

一、igbt可以反向导通吗？如何控制igbt的通断？

IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔离栅双极晶体管的缩写，是一种功率半导体器件。IGBT 可以用于直流电和交流电的电子开关。现在，IGBT 被广泛应用于大功率直流变换器、交流变频器及逆变器、电力传输和输配电等领域。在使用 IGBT 的过程中，我们需要控制其通断，以便实现我们的需求。而 IGBT 的通断控制有两种方式：1、电压控制 (VCE) 线性调制2、电流控制 (ICE) 断路调制所谓线性调制，就是通过调整 VCE 端电压的大小来改变 IGBT 的导通度。而断路调制，则是通过控制电流量来改变 IGBT 的导通度。关于 IGBT 反向导通问题，我们需要先了解 IGBT 的结构和原理。IGBT 由 PN 结和 MOSFET 组成。PN 结是控制 IGBT 导通的主要结构，当 PN 结正向偏置时，电流可以流经 PN 结，实现 IGBT 的导通。反之，则无法导通。因此，IGBT 不能反向导通。在实际应用过程中，我们可以通过输出的脉冲信号，控制 IGBT 的导通与关闭。这个过程中，需要保证 IGBT 的电流和电压都在安全范围内。同时，为了保护 IGBT，我们需在操作 IGBT 时，设置保护电路，当 IGBT 出现故障时，能及时停止工作，以免损坏整个电路。值得强调的是，IGBT 在功率半导体器件中占据非常重要的地位。它不仅具有灵活的控制和国际上通用的标准化特性，还具有高性能、可靠性强、效率高等优点。因此，随着电力电子技术的不断发展和应用的广泛推进，IGBT 有着广阔的发展前景。

二、IGBT与MOSFET有9大异同点

在低电流区，MOSFET的导通电压低于IGBT，这也是它的优势。不过，在大电流区IGBT的正向电压特性优于MOSFET。此外，由于MOSFET的正向特性对温度具有很强的正向依赖性，因此，IGBT的高温特性更好，导通电压比MOSFET低。

IGBT适用于中到极高电流的传导和控制，而MOSFET适用于低到中等电流的传导和控制。

IGBT不适合高频应用，它能在千Hz频率下运行良好。MOSFET特别适合非常高频的应用，它可以在兆Hz频率下运行良好。

IGBT的开关速度比较低，MOSFET开关速度非常高。

IGBT可以承受非常高的电压以及大功率，MOSFET仅适用于低至中压应用。

IGBT具有较大的关断时间，MOSFET的关断时间较小。

IGBT可以处理任何瞬态电压和电流，但当发生瞬态电压时，MOSFET的运行会受到干扰。

MOSFET器件成本低，价格便宜，而IGBT至今仍属于较高成本器件。IGBT适合高功率交流应用，MOSFET适合低功率直流应用。

图：IGBT vs MOSFET结构图示

上述这些差别，在应用上MOSFET和IGBT各有侧重点。通常，MOSFET的额定电压约为600V，而IGBT的额定电压能够达到1400V。从额定电压角度看，IGBT主要用于更高电压的应用。从工作频率角度看，IGBT通常在低于20kHz的开关频率下使用，此时它们比单极性MOSFET具有更高的开关损耗。

最后，小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读，对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。希望大家对IGBT已经具备了初步的认识，最后的最后，祝大家有个精彩的一天。