MOSFET
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高电压输入的降压DC-DC变换器设计
本文介绍一种以TL494为控制器，可以工作在60V输入的降压变换器。
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高电压输入的降压DC-DC变换器设计
本文介绍一种以TL494为控制器，可以工作在60V输入的降压变换器。
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Intersil推出全球首款高速双通道6A MOSFET驱动器
21ic讯 Intersil公司今天推出业内首款双6A峰值电流驱动能力的双通道MOSFET驱动器---ISL89367。此款独特器件为设计人员提供了高速驱动多个并联大电流功率MOSFET的集成解决方案，非常适合用于开关电源、电机驱动器和D
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准谐振反激式电源架构及应用
低成本和高可靠性是离线电源设计中两个最重要的目标。准谐振 (Quasi resonant) 设计为设计人员提供了可行的方法，以实现这两个目标。准谐振技术降低了MOSFET的开关损耗，从而提高可靠性。此外，更软的开关改善了电源
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PMOS开关管的选择与电路设计
首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间
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安森美半导体推出非同步升压控制器NCV8871
21ic讯 安森美半导体(ON Semiconductor)推出用于汽车系统自安崭新的可调节输出非同步升压控制器。NCV8871是一款输入电压范围为3.2伏(V)至44 V的宽输入电压器件，能用于驱动外部N沟道MOSFET。此器件包含的内部稳压器为
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航空和国防应用的电源保护
凌力尔特向国防工业供应高性能模拟集成电路已经近 30 年了，一直奉献各种资源来支持该市场的专门需求。凌力尔特提供包括工业、汽车和军用温度范围在内的多种产品级别以及业界领先的质量和 0.1 FIT 级的“同类最
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航空和国防应用的电源保护
凌力尔特向国防工业供应高性能模拟集成电路已经近 30 年了，一直奉献各种资源来支持该市场的专门需求。凌力尔特提供包括工业、汽车和军用温度范围在内的多种产品级别以及业界领先的质量和 0.1 FIT 级的“同类最
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欧姆龙与IceMos Technology量产采用MEMS超结构造MOSFET
图1：开发的MOSFET（点击放大） 美国IceMos Technology与欧姆龙开始量产采用MEMS工艺技术的超结（Super-Junction）构造MOSFET（图1）。IceMos Technology主要负责设计和开发，欧姆龙负责生产。首批量产的是两种产
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一种求解每个热源功率损耗的新方法
一 引言 DC-DC转换器的效率和功率损耗是许多电子系统的一个重要特征参数。可以测量出这些特征参数，并用下面的直观方式进行表达： 效率 = 输出功率 / 输入功率 （1） 功率损耗 = 输入功率-输出功率
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一种求解每个热源功率损耗的新方法
一 引言 DC-DC转换器的效率和功率损耗是许多电子系统的一个重要特征参数。可以测量出这些特征参数，并用下面的直观方式进行表达： 效率 = 输出功率 / 输入功率 （1） 功率损耗 = 输入功率-输出功率
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用非传统MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效
我们发现日益改进的静电学及晶体管传输有助于形成一种成熟的方法，这种方法能够降低有源和待机功耗。要做到这一点，新型晶体管结构和材料拓展了性能?功耗设计空间，使之超跃了传统的本体硅晶体管。最终，通过构成一个由多层系统-电路-器件电源管理生态系统构成的底层，晶体管的创新将会继续在定义下一代提高功效的策略时发挥关键作用。
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完全自保护MOSFET功率器件分析
为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现，但是在更多情况下，设计人员使用完全
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完全自保护MOSFET功率器件分析
为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现，但是在更多情况下，设计人员使用完全
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80V浪涌吸收器原理与设计
摘要 针对飞机直流电源上的浪涌干扰，分析了采用电压钳位和开关式稳压电路两种方法，实现80V浪涌吸收器的可行性。经过设计和试验，较好地解决了这一问题。 关键词 机载电子设备；80V浪涌吸收器；浪涌干扰 随
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IR推出新系列40V至75V车用MOSFET
21ic讯 IR近日推出新的车用MOSFET系列，适合要求低导通电阻的一系列应用，包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。IR坚固的新型平面器件提供低导通电阻，适合电压介于40V和75V之间的各种
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IR推出新系列40V至75V车用MOSFET
21ic讯 IR近日推出新的车用MOSFET系列，适合要求低导通电阻的一系列应用，包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。IR坚固的新型平面器件提供低导通电阻，适合电压介于40V和75V之间的各种
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基于混合SET/MOSFET的比较器
据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]，而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理，因此必须寻找新的替代器件。单电子晶体管(Single-Electron Tra
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基于混合SET/MOSFET的比较器
据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]，而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理，因此必须寻找新的替代器件。单电子晶体管(Single-Electron Tra
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基于UC3844的反激开关电源设计
引言 随着现代科技的飞速发展，开关电源正朝着小、轻、薄的方向发展。反激变换器因具有电路拓扑简单、输入电压范围宽、输入输出电气隔离、体积重量小、成本低、性能良好、工作稳定可靠等优点，被广泛应用于实际变
