MOSFET
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一种高效率AC/DC电源的设计
由于功率密度的增加，能量损耗的密度也更为集中。更高的效率就意味着更低的热损耗。提高电源效率正在迅速成为提高功率密度时唯一可行的措施。本文讨论的AC/DC电源，80%以上的效率就可以被视为高效率。现在，市场上可
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两种常见的MOSFET驱动电路设计
由分立器件组成的驱动电路((如图所示)，驱动电路工作原理如下： A.当HS为高电平时，Q7、Q4导通，Q6关闭，电容C4上的电压(约14V)经过Q4、D3、R6加到Q5的栅极，使Q5导通。在导通期间，Q5的源极电压(Phase)接近电源电
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集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC-DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。 关键词：全桥移相控制器L345046；28个PIN脚功能 1 LM
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低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较
新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。 便携式产品(如手机、数码照相机、
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电动自行车控制器MOSFET驱动电路的设计
电动自行车具有环保节能，价格合适，无噪声，便利等特点，因此，电动自行车成为当今社会人们主要的代步工具。与此同时，消费者和商家对整车的质量及可靠性要求也越来越高。作为整车四大件之一的控制器的可靠性显得尤
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高精度MOSFET设计技巧
随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的
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Blade封装技术助力 低压MOSFET效能升级
在绿色节能热潮持续发烧与能源规范日趋严格等因素驱使下，市场对电源供应系统的效率和功率密度的要求也不断提升。为因应此一发展趋势，英飞凌(Infineon)已研发出采用新一代Blade封装技术的低压金属氧化物场效电晶体(
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Vishay发布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电
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Vishay发布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装，具有业内最低的导通电阻，以及最低的导通电阻与栅极电
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集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC-DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。 关键词：全桥移相控制器L345046；28个PIN脚功能 1 LM
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集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046
摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC-DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。 关键词：全桥移相控制器L345046；28个PIN脚功能 1 LM
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低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较
新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。 便携式产品(如手机、数码照相机、
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高精度MOSFET设计技巧
随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的
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高精度MOSFET设计技巧
随着个人计算机行业向着工作电流为200A的1V核心电压推进，为了满足那些需求，并为该市场提供量身定制新型器件所需要的方法，半导体行业正遭受着巨大的压力。过去，MOSFET设计工程师只要逐渐完善其性能就能满足市场的
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IR推出新系列40V至200V车用MOSFET
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制，以及内
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闸能科技朝高效率绿能产品应用IC发展
绿能环保已成全球电子业发展趋势，位于南港IC设计育成中心的IC设计新创公司闸能科技( Alfa-MOS Technology)，完成MOSFET、LED Driver、ESD等产品线的多项成果，符合手持装置、LED灯源、LCD面板以及车载等电子系统在绿
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开环推挽逆变器软开关实现的设计
电池供电的逆变器,为了减少回路中串联的功率管数量,多采用推挽电路,其中的MOSFET多工作在硬开关状态,硬开关状态有以下弊端:1、功率管开关损耗大,如图1所示.MOSFET关断时,D极电压上升,沟道电流下降,存在着VI同时不为零
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开环推挽逆变器软开关实现的设计
电池供电的逆变器,为了减少回路中串联的功率管数量,多采用推挽电路,其中的MOSFET多工作在硬开关状态,硬开关状态有以下弊端:1、功率管开关损耗大,如图1所示.MOSFET关断时,D极电压上升,沟道电流下降,存在着VI同时不为零
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开环推挽逆变器软开关实现的设计
电池供电的逆变器,为了减少回路中串联的功率管数量,多采用推挽电路,其中的MOSFET多工作在硬开关状态,硬开关状态有以下弊端:1、功率管开关损耗大,如图1所示.MOSFET关断时,D极电压上升,沟道电流下降,存在着VI同时不为零
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IR推出新系列40V至200V车用MOSFET
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制，以及内
田舍郎
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