MOSFET
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高压电机控制系统的设计
在现代机器人设计中，头部、颈部、四肢的任何活动都需要各种各样电机的支持，如传统的旋转电机、步进电机、直线电机和其它特殊电机，但这些电机的驱动和控制要求各有不同，如何实现各种电机的精确控制解决方案？如何
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高压电机控制系统的设计
在现代机器人设计中，头部、颈部、四肢的任何活动都需要各种各样电机的支持，如传统的旋转电机、步进电机、直线电机和其它特殊电机，但这些电机的驱动和控制要求各有不同，如何实现各种电机的精确控制解决方案？如何
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集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046(二)
摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC／DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。 关键词：全桥移相控制器LM5046；28个PIN脚功能 (上接第
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25W连续、28W峰值多输出电源电路简介
上图所示的DVD或机顶盒电源是用TNY280PN(U1)设计的一个反激式转换器。在这个设计中，10 μF的C4电容选择了U1的增强限流点，在启动或负载瞬态（DVD开仓）时可使电源输出28 W的峰值功率。图 1. 25 W连续、28 W峰值多
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集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046(二)
摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC／DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。 关键词：全桥移相控制器LM5046；28个PIN脚功能 (上接第
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Diodes新型P通道MOSFET以更小巧封装提高效率
21ic讯 Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升电池效率及减少电路板空间，并满足空间局限的便携式产品设计要求，如智能手机及平板计算机等。这款新MOSFET采用超精密及高热效率
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Diodes推出新型P通道MOSFET--DMP1245UFCL
21ic讯 Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升电池效率及减少电路板空间，并满足空间局限的便携式产品设计要求，如智能手机及平板计算机等。这款新MOSFET采用超精密及高热效率
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MOSFET驱动电路设计及应用
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，
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MOSFET驱动电路设计及应用
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，
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湾应与大陆晶圆代工厂共同经营中国新兴热点市场
根据中国国家统计局所公布的数据显示，2010年起中国已经超越日本，成为世界第二大经济体，其GDP在未来五年内的年复合成长率将高达7%，到2015年时预计会成长为56兆人民币，相当于新台币280兆的规模；而在此同时，中国
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飞兆半导体获颁伊顿亚太区最佳供应商奖
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布公司获颁伊顿亚太区2011年最佳供应商奖。伊顿(Eaton)公司总部位于美国，并在上海设有亚太区总部，该公司是为单相与三相UPS、电信
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上华：台湾应与大陆晶圆代工厂共同经营中国新兴热点市场
根据中国国家统计局所公布的数据显示，2010年起中国已经超越日本，成为世界第二大经济体，其GDP在未来五年内的年复合成长率将高达7%，到2015年时预计会成长为56兆人民币，相当于新台币280兆的规模；而在此同时，中国
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运放做自动OR操作的电源选择器
一般来说，人们都希望系统供电电源是可用性最高的输入电压。用一种肖特基二极管的OR方法就可以完成这个任务(图1)。糟糕的是，肖特基二极管的正向压降在300mV~600mV范围内。这个压降会消耗功率，产生热量，降低系统可
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运放做自动OR操作的电源选择器
一般来说，人们都希望系统供电电源是可用性最高的输入电压。用一种肖特基二极管的OR方法就可以完成这个任务(图1)。糟糕的是，肖特基二极管的正向压降在300mV~600mV范围内。这个压降会消耗功率，产生热量，降低系统可
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最佳电源模块选择标准
目前，许多电信、数据通信、电子数据处理，特别是无线网络系统采用分布式电源架构供电。这些复杂的系统要求电源管理解决方案能够监控电源，直至每个精确的参数。为达到这种性能水平，大部分设计采用FPGA、微处理器、
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最佳电源模块选择标准
目前，许多电信、数据通信、电子数据处理，特别是无线网络系统采用分布式电源架构供电。这些复杂的系统要求电源管理解决方案能够监控电源，直至每个精确的参数。为达到这种性能水平，大部分设计采用FPGA、微处理器、
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理解功率 MOSFET 的电流
通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极电流IDM，雪崩电流IAV的额定值，然后对于许多电子工程师来说，他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中，它们如何影响系统以及如何选
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晶片设计/封装别出心裁 电源供应系统加速“绿”化
随着各国法规对电子产品耗电量的要求日益严苛，消费者也开始将节能效果的良窳，做为采购时的重要参考指标。为符合市场需求，电源晶片商正全力开发更高转换效率的解决方案，以因应电源供应器朝向更高节能效率发展的风
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Vishay的MOSFET荣获Top-10 DC/DC电源产品奖
2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET 功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。 《今
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Vishay Siliconix发布新款E系列MOSFET器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于
