东芝宣布推出最新一代BiCS FLASHTM三维(3D)闪存存储器

东京-东芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三维(3D)闪存存储器，采用了堆栈式单元结构。该款64层工艺的存储器于今天成为了世界首款[2]样品出货的产品。新型存储器采用 3-bit-per-cell(1个存储器储存单元可存放3比特的数据)技术，实现了256Gbit(32GB)的容量。这种进步印证了东芝专有架构的潜力。东芝将不断精进BiCS FLASHTM制造工艺，其发展蓝图中的下一个里程碑将是同样采用64层堆栈的512Gbit(64GB)容量存储器。

这款新型存储器沿袭48层BiCS FLASHTM，并采用领先的64层堆叠工艺，使每个单元芯片的容量比48层堆叠工艺增加40%，在降低每比特成本的同时提高每个硅晶圆的存储容量的可加工性。64层BiCS FLASHTM满足严格的性能规范，将用于包括企业级SSD和消费级SSD、智能手机、台式电脑和存储卡等存储相关应用。

东芝自2007年6月发布世界首款3D[3] NAND闪存存储技术原型以来，一直致力于积极推进BiCS FLASHTM发展，以满足市场对于更小尺寸且更大容量的存储需求。

东芝已于本月初在日本四日市的Fab2新厂生产该新型64层BiCS FLASHTM，并计划于2017年上半年开始量产。

注：

[1] 栈式结构闪存存储器单元垂直于硅基板，大大提高了密度，并超过二维NAND闪存存储器，单元在硅基板上形式。

[2] 截至至2016年7月，东芝调查

[3] 东芝提出，2017年6月12日

*BiCS FLASH是东芝公司的商标。