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2011年全球DRAM经营惨淡
2010年对于全球半导体产业而言，可说是值得纪念的一年，拓墣产业研究所研究员陈兰兰表示，2010年全球半导体产业年成长率将高达30%，创下10年以来新高纪录。然而，受到PC产业成长趋缓影响，2011年全球半导体产业仅将成
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NAND Flash管理算法的设计及实现
给出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的设计方法，文中集中研究了其中的软件部分，探讨了管理flash物理块的算法，提出了块级和页级两级地址映射机制以及映射信息在flash的存储定义，同时还提出了对flash的分区方法。
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全球平板电脑持续火爆 NAND营收创历史新高
据iSuppli公司，由于智能手机以及平板电脑的使用量增加，2010年全球NAND闪存营业收入将达到最高纪录。预计2010年NAND闪存营业收入将达到187亿美元，比去年的135亿美元劲增38%，部分利益于智能手机和苹果iPad等消费电
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东芝第二财季利润8.8亿美元同比增长一倍
日本东芝公司今天发布第二财季财报。在7至9月这个季度，东芝利润同比增长超过一倍，但是由于日元强势可能造成影响，并且全球经济前景并不明朗，该公司维持全年运营利润预测不变。由于苹果iPhone等智能手机以及iPad等
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NAND Flash的坏块管理设计
NAND Flash的坏块管理设计
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NAND Flash的坏块管理设计
NAND Flash的坏块管理设计
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东芝第二财季利润8.8亿美元 同比增长一倍
日本东芝公司今天发布第二财季财报。在7至9月这个季度，东芝利润同比增长超过一倍，但是由于日元强势可能造成影响，并且全球经济前景并不明朗，该公司维持全年运营利润预测不变。由于苹果iPhone等智能手机以及iPad等
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三星半导体转头生产NAND Flash
三星电子(SamsungElectronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂，决定将先提供闪存(NANDFlash)量产使用。据南韩电子新闻报导，三星预计于2011年初完工的半导体华城厂16产线，将于201
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美光和英特尔利用25纳米硅工艺技术推出3-bit-per-cell NAND 闪存
----双方称该业界容量最大、尺寸最小的 NAND 设备，为众多消费存储应用带来成本优势。美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特尔公司 (IntelCorporation)近日联合推出25纳米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc)
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DRAM上游厂惨淡 模块厂难置身事外
随著DRAM和NAND Flash市场价格持续崩跌，不仅上游DRAM厂营收纷呈现大幅衰退情况，下游存储器模块厂亦受到牵累，10月营收亦持续下滑，其中，威刚10月营收较9月减少达17.1%。威刚表示，预期11月营收将因为产业景气进入
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三星半导体16产线将转生产NAND Flash
三星电子(SamsungElectronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂，决定将先提供闪存(NANDFlash)量产使用。据南韩电子新闻报导，三星预计于2011年初完工的半导体华城厂16产线，将于201
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2011年全球固态硬盘年增长将超过150%
DRAMeXchange 最新发表的研究报告指出，固态硬盘(SSD)一直以来为各家 NAND Flash 厂商所寄予厚望的产品，主要是固态硬盘对于 NAND Flash 的使用量来说是一般内建式应用产品、U盘与记忆卡的数倍之多，因此对于固态硬盘
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关于电子产业前景的5个好/坏预兆
时间已经进入第四季，但 2010年的最后这几个月与 2011年的前景却一片阴霾，以下是电子产业界目前显现的一些好预兆与坏预兆。好预兆 1. Semiconductor Intelligence分析师Bill Jewell表示，2010年会是半导体市场表
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Spansion走出破产保护阴影 执着锁定嵌入式市场
高调宣布走出破产保护阴影的Spansion公司日前公布了其2010财年第二季度财报，公司非GAAP调整后净收入已经从2009年同期的2240万美元上升至2740万美元；GAAP净收入为3.418亿美元，与2010 Q1财季相比，仍继续保持着稳定
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力成2010年第3季财报
内存封测厂力成科技26日召开法人说明会，公布第3季营运结果，表现依旧亮丽，董事长蔡笃恭笑称「要留给大家一点惊喜」。根据力成财报显示，第3季合并营收及获利同创历史新高纪录，单季营收为新台币98.37亿元，季增5.9
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明年量产20纳米NAND Flash
海力士社长权五哲表示，自2010年8月投入量产的26纳米64Gb NAND Flash目前出货相当顺利。2011年中计划量产20纳米制程产品。海力士持续引领DRAM产品制程微缩趋势，然而NAND Flash产品技术方面在过去1、2年落后其它竞争
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海力士拟明年量产20纳米NAND Flash
韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置，相较26纳米存储器，晶圆(wafer)产出量提高约25%。海力士社长权五哲表示，自
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分析师预言英特尔美光将在NAND市场分道扬镳
英特尔(Intel)与美光(Micron)将在 NAND 闪存业务上分道扬镳吗？一位市场分析师断言，美光将撇下英特尔自己走自己的NAND之路。但英特尔拒绝对此发表评论，表示该分析师的说法纯属臆测，缺乏实际左证。英特尔与美光的合
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异业结盟潮起 次世代内存再掀热战
继海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作开发新世代内存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技术和材料，尔必达(Elpida)与夏普(Sharp)亦宣布共同研发ReRAM，让次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮，内存业者预期，未
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NAND Flash价格濒临成本线
全球NAND Flash产业在高容量32Gb和64Gb芯片产能持续开出下，9月下旬合约价续跌，其中，32Gb芯片合约价下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模块厂表示，NAND Flash芯片价格已跌到相当接近各大厂成本线，若价格再跌，恐会让
