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VLSI提升IC预测然隐患犹存
VLSI认为由于市场需求上升,而提升今年的IC预测,但是公司也表示已经看到一些需要重视的问题。VLSI的总裁DanHutcheson说,尽管提升今年IC预测,但是非常可能市场己经出现过热的迹象。VLSI认为与2009年相比今年全球IC销售
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VLSI提升IC预测 然隐患犹存
VLSI认为由于市场需求上升,而提升今年的IC预测, 但是公司也表示已经看到一些需要重视的问题。VLSI的总裁Dan Hutcheson说,尽管提升今年IC预测,但是非常可能市场己经出现过热的迹象。VLSI认为与2009年相比今年全球IC销
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什么因素推动尔必达和美光最近的闪存资产收购行动？
据iSuppli公司，最近DRAM供应商尔必达和美光的收购行动，突显供应商越来越重视打造完整的内存产品组合，以面向快速增长的智能手机市场。如图所示，未来几年智能手机使用的DRAM平均数量将增长九倍以上，到2014年将从2
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4月上旬NAND Flash合约价小涨
4月上旬NANDFlash合约价开始小涨，16Gb容量报价上涨2~7%，其次是32Gb容量芯片报价上涨3~4%。近期NANDFlash市场再度受到苹果(Apple)iPad正式开卖，外界再度燃起了兴趣，但消费者反应iPad不能无线上网、散热不佳的问题
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09年全球前十大NAND供货商排行榜出炉
市场研究机构Web-FeetResearch公布2009年全球NAND闪存供货商排行榜，三星电子(SamsungElectronics)仍稳居市占率第一名位置，其后则是东芝(Toshiba)与SanDisk；SanDisk的表现意外亮眼，领先美光(Micron)、海力士(Hyni
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Nand+Flash存储管理在DSP系统中的实现
Nand Flash作为一种安全、快速的存储体，因其具有体积小、容量大、成本低、掉电数 据不丢失等一系列优点，已逐步取代其它半导体存储元件，成为嵌入式系统中数据存储的主 要载体。尽管Nand Flash的每个单元块相互独
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Nand+Flash存储管理在DSP系统中的实现
Nand+Flash存储管理在DSP系统中的实现
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日月光、颀邦、硅格3月营收创新高
多家封测业3月营收陆续出炉，受惠于市况淡季不淡，封测业营收表现普遍优于预期，月增率普遍2位数幅度。其中日月光、硅格和颀邦等单月营收皆创下历史新高纪录；而硅品3月营收虽然回升，但受到丧失抢单先机的影响，首季
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嵌入式系统中Nand-Flash的原理及应用
嵌入式系统中Nand-Flash的原理及应用
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东芝正式宣布将开始建设NAND新车间Fab5
东芝正式宣布将开始建设之前延期的NAND型闪存量产线。预定于2010年7月开始建设四日市工厂的第五生产车间（Fab5），2011年春季竣工，最早将在2011年夏季投产。现在，作为NAND量产线东芝已启动了四日市工厂的第四生产车
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美光即将量产25nm工艺NAND
在半导体内存行业，美国美光科技（MicronTechnology）的地位在不断提高。该公司2010年2月宣布收购第一大NOR闪存厂商瑞士恒忆（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND闪存外，该公司今后还将涉足NOR闪存、MCP（Multi-chipPacka
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三星跳电 NAND、DRAM停止报价
DRAM龙头大厂三星半导体24日下午生产线意外跳电，旗下位于企兴（Kiheung）的12吋厂与8吋厂，分别负责生产NANDFlash、利基型DRAM产线跳电长达30分钟至40分钟，由于情形不明，厂商相继缩手，同步停止DRAM、NANDFlash报
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3月上旬NAND合约价小跌，厂商盼iPad带来需求
研究机构集邦科技表示，3月上旬主流MLC NAND Flash合约价下跌约1%~7%，但随着Apple宣布iPad将于4月3日上市后，目前NAND Flash相关业者期待iPad在第二季的后续销售状况及营运模式，能否为NAND Flash市场带来更多的需求
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iNAND嵌入式闪存驱动器支持e.MMC 4.4(SanDisk)
SanDisk（闪迪）推出了全新SanDisk® iNAND™嵌入式闪存驱动器（Embedded Flash Drives, EFD），支持e.MMC 4.4规格。这些驱动器基于3-bit-per-cell (X3) NAND闪存技术，在单一组件中提供最高达64GB1的容量，
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英特尔：不屑NAND竞争，力夺SSD龙头
芯片龙头英特尔(Intel)的NAND闪存事业群新主管透露，该公司立志成为固态储存(SSD)领域的一哥，但令人惊讶的是，他们没兴趣在NAND市场称王。 英特尔并不想步上三星(Samsung)、海力士(Hynix)与东芝(Toshiba)等NAND供货
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东芝宣布将关闭日本南部福冈内存封测厂
据台湾媒体报道，NAND快闪存储器大厂东芝3日下午宣布，将关闭位于日本福冈县宫若市的封测厂(TPACS)，今年中旬时该厂就将关闭，技术研发及设备等生产线，将移转到东芝NAND晶圆厂大本营的日本三重县四日市工厂内，预计
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东芝拟关闭福冈NAND工厂
据日本经济新闻报导，东芝计划今年关闭其国内2个NAND闪存工厂之一,而把存储芯片封装工作全部集中于另一工厂。即将关闭的工厂隶属于ToshibaLSIPackageSolutionCorp，位于福冈县宫若市,该厂生产设备以及约400名员工将被
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DRAM跌价袭击 模块厂1月营收处变不惊
2010年1月农历春节前的补货行情落空，DRAM价格大跌，所幸NAND Flash价格比预期强势，存储器模块厂1月营收可望维持平稳，与2009年12月相较，呈现小涨或小跌的局面，整体第1季营收受到2月农历过年工作天数减少影响，而
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2010年NAND Flash价格发展持续两极化
NAND Flash市场未脱传统淡季，仍在等待苹果(Apple)补货效应出现，2010年1月下旬NAND Flash合约价大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅调涨，低容量芯片要严防3-bit-per-cell架构的TLC(Triple- Level Cell)成为市场
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海力士金钟甲：将扩增NAND Flash产能
据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品，同时，海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率，并倍增NAND Flash的产能。根据研究机构iSup
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