异业结盟潮起 次世代内存再掀热战
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继海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作开发新世代内存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技术和材料，尔必达(Elpida)与夏普(Sharp)亦宣布共同研发ReRAM，让次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮，内存业者预期，未来ReRAM、3D NAND Flash、相变化内存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性随机存取内存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代内存，将会有一番激烈竞争。
尔必达在内存领域布局越来越广泛，2010年取得已破产的奇梦达(Qimonda)绘图卡内存(GDDR)技术，又与飞索(Spansion)合作研发电荷捕获 (charging-trapping)NAND Flash技术，未来可能跨足到NOR Flash市场，近期则宣布与夏普合作开发ReRAM。未来尔必达将以内存制程技术，辅以夏普最擅长的材料技术和制作工法，切入30奈米制程，最快2011年研发出ReRAM相关材料和制造技术，并由尔必达负责量产。
值得注意的是，海力士与惠普日前才宣布要共同开发ReRAM技术，惠普具有新的极小电子组件(Memory resistors;Memristors)技术，采用十字结构，相较于传统内存电路，更容易在层内堆栈，藉以让晶体管储存更多数据，惠普已研发逾10年之久，藉由惠普的材料技术，以及海力士在内存领域量产和技术实力，双方合作开发ReRAM芯片，预计在3年内第1款产品问世，采22奈米制程生产。
内存业者指出，海力士和尔必达纷携手异业，进军次世代内存技术领域，显示次世代内存的材料和技术门坎相当高，需要靠异业结盟来推动产品进入量产。至于惠普和夏普会投入内存开发，主要亦是为旗下PC、手持式产品等终端产品铺路，确保能拥有效能最佳的内存产品。
ReRAM是一种次世代内存技术，未来应用目标是取代NAND Flash和DRAM，ReRAM芯片能利用现有半导体制程制造，读写速度较NAND Flash芯片快许多，且大幅减少耗能。除ReRAM芯片外，其它次世代内存技术包括3D NAND Flash、PRAM和MRAM等，都有不同的内存大厂投入开发，都是为衔接NAND Flash和DRAM技术瓶颈，未来各种次世代内存都得经过导入量产考验。
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关键字： NAND NAND Flash 三星 SK海力士
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