力晶冲刺晶圆代工业务，估年底占产能逾半

力晶(5346)标准型DRAM未来将转为尔必达代工生产，在自身的产能调配上将更加灵活，力晶发言人谭仲民说，接下来将全力冲刺晶圆代工业务，预估今年底将占超过一半产能，另外，由于公司矽晶圆的料源供应相当分散，其中一半为非日系厂商提供，因此没有缺料疑虑。

谭仲民指出，现阶段产能满载，其中晶圆代工的需求不断增温，下半年明显放大的产品包括影像感测器(CMOS image sensor)、NOR Flash等，另外，LCD驱动IC、高压电源管理IC的需求也不弱。至于利基型DRAM的代工业务则多少受到产能排挤效应，也造成近期市场出现缺货。

谭仲民预估，到今年底，晶圆代工占12寸厂的产能将超过一半，即逾6万片，较去年第四季比重仅不到10%相比，呈现大幅跃进走势；而公司目前为市场唯一以12寸厂代工生产LCD驱动IC、电源管理IC、影像感测器的晶圆代工厂，具有成本优势，并不与台积电(2330)等一线晶圆代工厂竞争。

在NAND Flash的部分，谭仲民表示，公司自行研发的NAND Flash也是发展的重点产品之一，目前量产制程为50奈米，产品以销售大陆市场为主，而40奈米正在进入试产认证阶段，而20奈米的部分也正在开发。

另外，市场关心DRAM记忆体产业的市况与矽晶圆缺料的问题，谭仲民表示，第二季DRAM市况优于第一季，价格也稳健上扬，接下来的发展也以乐观看待，会越来越好。

关于矽晶圆供应的情况，谭仲民说，目前公司本身在矽晶圆的库存水位与日本311东北强震前一样，并没有受到影响，主要因为料源分散在4家供应商，其中2家是非日系的厂商，并无缺料的疑虑。

全球DRAM厂今年第一季仍饱受跌价冲击，呈现赚少赔多局面，其中力晶今年第一季税后亏损49.64亿元，EPS-0.9元，不过其中晶圆代工业务则是呈现获利，因此法人认为，随着记忆体市况好转，价格温和上扬，力晶第二季将有机会达到损益两平。