摘要:详细介绍了基于多P89C668单片机的组合逻辑电路自动测试诊断系统的设计,包括硬件结构设计和软件设计。该自动测试诊断系统采用USB接口实现计算机与诊断平台的通信,其移动式结构便于在现场进行测试,且设备成本
21ic讯 Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布推出采用256/64 KB 闪存/RAM配置的全新PIC32MX1/2 单片机(MCU)系列。同时,Microchip还为这些新型MCU配备了全面的软件和工具,以支持蓝牙®数字音频、US
摘要:本产品是由STC89C52单片机作为处理模块加载以程序控制的闪光带,通过各种形状的LED光带、程序控制和舞蹈表演的完美结合向观众呈现光与影的神奇表演-荧光舞的设计。详细介绍了系统的硬件设计和软件流程,其模块
日经新闻报道,夏普正与尔必达联手开发下一代ReRAM可变电阻式闪存芯片,预计在2013年实现量产。早在2007年,富士通就宣布开发出了这种可变电阻式闪存芯片,它在降低功耗的同
来自北京清华大学的研究人员开发出一种新技术,号称能让MARM的储存速度与功耗大幅改善;这种电子开关(electrical switching)技术写入位元所需的能源较少。上述新技术的基本
由于与深亚微米标准单元ASIC相关的非重复性工程费用(NRE)越来越大,设计周期又很长,因此利用结构化ASIC进行定制IC设计的吸引力正变得越来越大。结构化ASIC能以极具竞争力的
早在上世纪六十年代,就已经有人开始研究和开发嵌入式操作系统。但直到最近,它才在国内被越来越多的提及。其在通信、电子、自动化等需要实时处理的领域所日益显现的重要性
为了防止突然断电或电源电压降低,造成数据丢失,采用掉电保护电路。电路中使用电压比较器LM339来监测电源电压。从图中可看出反向输入端4脚由R3和VL提供稳定的标
就在刚刚,《华尔街日报》给出的确定消息显示,亚马逊本月18日将推出自己的智能手机,并且AT&T独家销售。之所以说亚马逊手机的配置丧心病狂,这主要是指内置的摄像头,其配备了6个摄像头,后置摄像头为1300万像素,除
【导读】FTC判垄断技术;Rambus仍坚信授权活动有效 美国联邦贸易委员会(FTC)执法者周三裁决,专业技术研发商Rambus非法垄断四种记忆芯片技术,Rambus股价应声暴跌30%。 Rambus发言人表示,该公司深信
【导读】飞思卡尔:利用4Mbit产品推动MRAM的普及 非挥发性内存MRAM不仅可随机访问,而且可无限次擦写。一致力于MRAM研发的美国飞思卡尔半导体公司终于投产了4Mbit产品。就其投产的目的及未来前景,笔者采访了
【导读】三星试制512MB PRAM 08年投产“速度为NOR型闪存30倍” 三星电子试制的512Mbit相变内存 韩国三星电子宣布,针对非挥发性内存--相变内存(PRAM)“开发成功了达实用水平的试制品”。计划08年
【导读】台积电遭UniRAM指控 判赔3,050万美元 台积电证实,旧金山联邦地方法院确实认定台积电对UniRAM公司所指控不当使用营业秘密的案件必须支付3,050万美元做为赔偿,但据台积电了解,此案仅是初判,未来
【导读】根据 Light Reading Communications Network (http://www.lightreading.com ) 旗下电信调研机构 Pyramid Research (http://www.pyr.com ) 的最新预测数据和分析,未来五年印尼的 3G 服务使用率将会显著增长,
【导读】马萨诸塞州剑桥9月10日电 /美通社亚洲/ -- Light Reading Communications Network 旗下电信调研机构 Pyramid Research 的一份新报告显示:在欧洲经济走出衰退、初现增长势头之时,大型电信运营商应调整资本支
【导读】2009年10月23日,北京讯,赛普拉斯半导体公司(NYSE: CY)的子公司AGIGA技术公司近日 宣布推出拥有市场上最高密度、最快速度的非易失性RAM系统。AGIGARAM™非易失性系统(NVS)的最新CAPRI系列可提供介于
【导读】杜比实验室(纽交所代码:DLB)宣布在北京成立杜比中国研究与工程中心。这是杜比在亚洲的首座研究与工程中心,也是杜比首次在美国以外的地区“从零开始”地组建一支研究与工程领域的工作团队。 中国,北京
【导读】近日,Gartner首席分析师Ganesh Ramamoorthy指出:2009年是市场大幅衰退的一年,而2010年将会有大成长,2010年对IP产业来说会是非常好的一年,在各种营收比例方面,授权业务营收将占据五成、权利金收入占据4
【导读】据工程顾问机构 UBM TechInsights 的一份拆解分析报告,发现在某款神秘手机中,有一颗由三星电子(Samsung Electronics)出品的多芯片封装(multi-chip package,MCP)内存,内含与NOR闪存兼容的相变化内存芯片。
【导读】铁电材料(Ferroelectric)是次世代非挥发记忆体FeRAM的关键成分,它是一种介电质,拥有自发性和可反转的双电极,能给记忆体在耐用度和读写功能有大幅提升。日前日本国家材料科学研究所研发出一种新的铁电生