飞思卡尔：利用4Mbit产品推动MRAM的普及

【导读】飞思卡尔：利用4Mbit产品推动MRAM的普及
    非挥发性内存MRAM不仅可随机访问，而且可无限次擦写。一致力于MRAM研发的美国飞思卡尔半导体公司终于投产了4Mbit产品。就其投产的目的及未来前景，笔者采访了该公司负责MRAM技术开发工作的Saied Tehrani（MRAM和SMARTMOS技术和技术解决方案部门经理）。

    飞思卡尔：利用4Mbit产品推动MRAM的普及  问：适合使用MRAM的产品是什么？  

    Tehrani：现阶段最被看好的应用就是取代电池后备SRAM。使用MRAM，能以更低的成本得到可靠性更高的内存。具体来说，就是能够取消电池后备SRAM必须使用的电池和电池控制单元。可减少设备的元件数量。而且从MRAM的使用方式上来看，非常适合于保存设备最后信息的配置存储用途。在使用设备过程中即使突然停电，或者发生了系统故障，由于MRAM保存了最后的状态，因此能够将设备恢复到故障发生前的状态。能为打印机厂商等客户带来很大的好处。能够高速写入，而且可无限擦写的MRAM使这种使用方式变成了可能。  

    问：MRAM是否还可用于其他用途？  

    Tehrani：其他还有硬盘和NAND闪存等需要大容量存储的缓存用途。由处理器向内存加载数据时，能够得到更高的可靠性。这种使用方式同样也是因为MRAM具有高可靠性和高性能的特点才成为可能。针对上述各种应用，我们已经向40多家客户提供了4Mbit MRAM样品。现已有多家客户决定采用，我们也做好量产的准备。  

    问：在技术方面，什么是MRAM得以投产的关键？  

    Tehrani：我们使抗紊乱能力较强的触发写入方式达到了实用水平。  

问：能否将工艺成本控制在低水平？  

    Tehrani：由于能够采用CMOS工艺生产，因此MRAM的工艺成本较低。尽管需要成膜工艺以防止外部磁场产生内部紊乱，但成本的增加非常小。  

    问：现为单一用途投产的4Mbit MRAM采用多少nm的设计工艺进行生产？能否谈一下此后的工艺蓝图？  

    Tehrani：4Mbit产品采用180nm工艺。此后将跳过130nm，直接过渡到90nm工艺。90nm产品将在2～3年内投入量产。为了向65nm以后的工艺过渡，目前正在开发自旋注入反磁化这一新技术。  

    问：为SoC混载领域投产时是否也需要这样一种微细化工艺？  

Tehrani：内存混载SoC的主流设计工艺是180～250nm。目前，利用现有工艺即可满足要求。  

    问：是否已经计划投产4Mbit以外的产品？  

    Tehrani：现已制定了容量比4Mbit要小的产品和16～32Mbit产品的投产计划。但没有投产Gbit级大容量产品的计划。  

    问：三星已经宣布投产PRAM（相变RAM内存）。其用途会不会与MRAM重叠？  

    Tehrani：不会重叠。PRAM厂商的目标是取代NOR闪存。而在MRAM设想的用途中，PRAM无法满足对工作速度和可擦写次数的要求。