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尔必达标准型DRAM将依赖台厂
日系存储器大厂尔必达(Elpida)虽然预期2010年第2季(7~9月)财报较2009年同期大幅增加，但相较上季却是明显缩水，主要还是受到个人计算机(PC)市场需求不振的影响，未来尔必达在标准型DRAM产品在线，将越来越依赖台系DR
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内存封测厂Q4看俏
虽然DRAM第4季价格出现大跌走势，但内存封测厂如力成（6239）、华东（8110）、福懋科（8131）等，对第4季接单仍然乐观，主要是因为国内DRAM厂，第4季采用50奈米世代新制程投片的产能将大量开出。只不过，面对DRAM价格
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2011年全球固态硬盘年增长将超过150%
DRAMeXchange 最新发表的研究报告指出，固态硬盘(SSD)一直以来为各家 NAND Flash 厂商所寄予厚望的产品，主要是固态硬盘对于 NAND Flash 的使用量来说是一般内建式应用产品、U盘与记忆卡的数倍之多，因此对于固态硬盘
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DRAM厂3Q成绩仅瑞晶逆势突围
DRAM厂第3季经历最冷的传统旺季，营运成绩单并不亮眼，其中南亚科和华亚科亏损较第2季扩大，力晶虽然第3季是少数获利的DRAM厂，但获利幅度较第2季大幅缩水，瑞晶则是台系DRAM厂中，唯一获利幅度逆势超过第2季的业者，
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力成2010年第3季财报
内存封测厂力成科技26日召开法人说明会，公布第3季营运结果，表现依旧亮丽，董事长蔡笃恭笑称「要留给大家一点惊喜」。根据力成财报显示，第3季合并营收及获利同创历史新高纪录，单季营收为新台币98.37亿元，季增5.9
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力成法说撑腰 封测族群看好
台股昨(26)日逢高震荡，电子股中封测族群表现亮丽。昨日封测族群由力成(6239)法说会打头阵，第三季财报交出好成绩单，今起硅品(2325)、周五日月光(2311)法说会接力登场，法人看好封测族群营收表现。 DRAM封测大厂
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力成蔡笃恭：Q4优于Q3，今年赚一个资本额没问题
存储器封测大厂力成(6239)今天召开法说会，公布前三季每股盈余为8.15元，董事长蔡笃恭乐观表示，今年赚一个资本额没有问题，至于明年展望，明年第一季优于今年第四季，这是一个蛮有趣的情况。显示出明年首季淡季不淡
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力晶明年资本支出160亿新台币
台系DRAM厂力晶宣布2011年的资本支出为新台币160亿元，较2010年的资本支出200亿元减少约20%;此外，之前被主管机关退件的上限8亿股的海外存托凭证(GDR)申请案也将重新启动;再者，力晶亦宣布将出售部分机台设备给设备商
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力晶明年资本支出160亿新台币拟售后租回机台设备
台系DRAM厂力晶宣布2011年的资本支出为新台币160亿元，较2010年的资本支出200亿元减少约20%；此外，之前被主管机关退件的上限8亿股的海外存托凭证(GDR)申请案也将重新启动；再者，力晶亦宣布将出售部分机台设备给设备
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明年量产20纳米NAND Flash
海力士社长权五哲表示，自2010年8月投入量产的26纳米64Gb NAND Flash目前出货相当顺利。2011年中计划量产20纳米制程产品。海力士持续引领DRAM产品制程微缩趋势，然而NAND Flash产品技术方面在过去1、2年落后其它竞争
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海力士拟明年量产20纳米NAND Flash
韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置，相较26纳米存储器，晶圆(wafer)产出量提高约25%。海力士社长权五哲表示，自
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台DRAM厂4Q面临全亏危机
南亚科和华亚科20日将打头阵召开法说，然力晶却抢先公布第3季财报，税后获利19.36亿元，若加计瑞晶获利，第3季获利可望逼近30亿元；南亚科和华亚科则因为50奈米制程转换，产出不如预期，加上DDR3价格慢性崩盘，使得2
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力晶前3季赚122亿元笑傲DRAM厂
DRAM大厂力晶科技（5346）昨（18）日公布今年第3季不含转投资瑞晶之自行结算财务报告，第3季营收达250.24亿元，毛利率达17.35％，每股净利达0.34元，而总结今年前3季营收达675.42亿元，税后净利达122.39亿元，每股净
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DRAM价格连跌5月 三星、海力士4Q营收不乐观
DRAM内存半导体价格跌势持续第5个月，韩厂三星电子(SamsungElectronics)和海力士半导体(Hynix)等内存公司2010年第4季将难避免营收恶化的危机。据内存市场研究机构DRAMeXchange统计，DRAM主要产品DDR3在10月上半时平均
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海力士拟明年量产20奈米NANDFlash
南韩半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20奈米制程量产NANDFlash。此20奈米制程闪存可应用于手机或平板计算机(TabletPC)等装置，相较26奈米内存，晶圆(wafer)产出量提高约25%。海力士社长权五哲表示，自2010年8月投
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USB 3.0明年起飞，2012年是否将普及如现今USB 2.0
市场研究机构DRAMeXchange认为，随着 USB 3.0 的应用将在主控端(Host)与装置端(Device)技术逐渐成熟，以及芯片与连接器等配套零件价格因竞争激烈而有效下滑，再加上处理器厂商Intel与AMD大力支持，该标准将在 2011年
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尔必达和夏普共同开发ReRAM填补DRAM与NAND闪存的性能差
新一代存储器的大型共同开发项目即将在日本启动。尔必达存储器、夏普、东京大学以及产业技术综合研究所将联手开发Gbit级可变电阻式存储器（ReRAM）。此次开发将结合夏普拥有的可变电阻元件等材料技术和尔必达存储器拥
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三星2011年半导体资本支出92亿美元居全球业者之首
据外电报导，三星电子(SamsungElectronics)继2010年对半导体进行达96亿美元的大规模资本额投资后，2011年也将持续投资92亿美元发展半导体事业。三星连续2年在半导体投资额排名居世界之冠。三星2011年将优先对华城厂1
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台湾南亚科技两工程师猝死 月加班超100小时
（浩钧）10月15日消息，据台湾媒体报道，经家属最近向媒体投诉，台湾南亚科技在今年1月份5天内连续有两名员工猝死，分别为29岁的工程师和38岁的课长。 南亚科技成立于1995年3月4日，致力于DRAM（动态随机存取内
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晶圆测试厂Q4能见度低
晶圆代工厂第3季产能利用率仍维持在满载水位，但后段晶圆测试厂京元电（2449）、欣铨（3264）的8月及9月营收虽仍同步保持在高档，但10月之后产能利用率已明显滑落，主要原因是利基型DRAM及闪存等订单突然喊卡。京元电
