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战略性新兴产业预警
曾经出现在芯片产业发展中的种种问题，正高悬于更多的新兴行业之上，如何避免相同的问题被复制，更多地需要从产业扶持政策与体制中破解。芯片产业发展中的问题并非独有。自2009年以来，新一轮以科技带动的产业发展的
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战略性新兴产业预警
曾经出现在芯片产业发展中的种种问题，正高悬于更多的新兴行业之上，如何避免相同的问题被复制，更多地需要从产业扶持政策与体制中破解。芯片产业发展中的问题并非独有。自2009年以来，新一轮以科技带动的产业发展的
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1Gb DDR3掼破1.3美元 DRAM产业减产潮恐扩大
11月下旬DRAM合约价跌幅超过10%，让市场笼罩在乌云密布的气氛当中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)报价单日再跌7%，1Gb DDR3报价掼破1.3美元；DRAM业者则表示，1Gb DDR3 eTT价格单日大跌超过7%，其实只是以补跌来
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应用材料：2011年NAND Flash厂资本支出将大幅成长
针对2011年半导体资本支出的趋势，设备大厂应用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash厂资本支出将大幅成长，幅度将胜过DRAM产业，晶圆代工也仍然相当强劲，预估整体半导体设备市场将有持平至5%的成长幅度。
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VLSI下调半导体及设备市场预测
按VLSI市场调研公司的最新报告，今年无论半导体以及设备业都达到历史上辉煌的年份之一，由此也导致可能产能过剩及芯片价格下降。同时，该公司也更新了2011及2012年半导体及设备业的预测，为2011年半导体增长4.4%为24
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应用材料计划重返硅蚀刻领域，投放新型装置
美国应用材料（AMAT）2010年11月30日宣布，为了重返硅蚀刻领域，开发出了新型蚀刻装置“Centris AdvantEdge Mesa Etch”，并决定在12月举行的“SEMICON Japan 2010”上展示。AMAT表示，在Si蚀刻领域的市场份额方面，
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DRAM产业二次崩盘潮
全球DRAM产业再度面临二次崩盘潮的危机，虽然2010年上半年在供给不足的情况下，DRAM报价达到顶峰，但下半年却意外遇上个人计算机(PC)产业旺季不旺，加上DRAM产业供给端大量产出，使得DRAM价格再度面临崩盘窘境，时至
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应用材料推出全新刻蚀系统
应用材料11月30日宣布推出全新的 Centris™ AdvantEdge™ Mesa™刻蚀系统，主要针对45nm以下存储和逻辑芯片市场。结构紧凑的Centris系统装配了8个反应腔，即6个刻蚀反应腔和2个刻蚀后清洁腔，每小时可
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产能过剩导致DRAM价格持续下滑
根据分析师和市场研究人员表示，个人电脑中的主要存储元件DRAM的价格在2011年将会呈现下滑的状态。瑞士信贷投资银行预测，2011年中期DRAM市场仍将供过于求，但2011年下半年将恢复。该公司表示，DRAM季度收入将可能在
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DRAM供需待调整2011年下半走向平衡
南朝鲜军事紧张关系对于DRAM报价激励未产生实质性的帮助，市场还是回到供需面看待DRAM市场未来的前景；在DRAM供给端产出都集中在下半年，但个人计算机(PC)需求却旺季不旺下，DRAM合约价和现货价都呈现加速赶底之姿，
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DRAM供需待调整 2011年下半走向平衡
南朝鲜军事紧张关系对于DRAM报价激励未产生实质性的帮助，市场还是回到供需面看待DRAM市场未来的前景；在DRAM供给端产出都集中在下半年，但个人计算机(PC)需求却旺季不旺下，DRAM合约价和现货价都呈现加速赶底之姿，
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朝鲜半岛交锋 台DRAM产业仍难救赎
南朝鲜军事紧张情势再度升高，由于韩国是全球存储器DRAM和NANDFlash生产重镇，三星电子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)合计囊括全球超过60%市占率，NANDFlash则合计有超过50%市占，加上台湾DRAM产业近2年来被韩
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朝鲜半岛交锋 台DRAM产业仍难救赎
南朝鲜军事紧张情势再度升高，由于韩国是全球存储器DRAM和NAND Flash生产重镇，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合计囊括全球超过60%市占率，NAND Flash则合计有超过50%市占，加上台湾DRAM产业近2年来被
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全球IC市场喜忧参半
根据VLSIResearch发布的报告，该公司预测2010年度全球IC市场将成长32%，2011年度将成长8%;2010年度设备市场将成长103%，2011年度将成长10.6%。该公司认为目前的全球IC市场呈现出一些正面与负面的迹象;正面的迹象包括
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全球IC市场呈现之正面与负面迹象
根据VLSIResearch发布的报告，该公司预测2010年度全球IC市场将成长32%，2011年度将成长8%；2010年度设备市场将成长103%，2011年度将成长10.6%。该公司认为目前的全球IC市场呈现出一些正面与负面的迹象；正面的迹象包
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客户端9月需求下滑 逸昌第4季营运转弱
模拟IC测试厂逸昌科技18日召开法说会，由于模拟IC客户端需求自9月开始走弱，冲击后段测试需求，该公司预测第4季产能利用率将由高档的90%下降至70%，等于单季营收也将同步季减至少20%。逸昌董事长郭啸华认为，此系季节
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42奈米制程 明年Q2量产
支应集团DRAM事业制程升级大计，南科（2408）规划办理99亿元现增，台塑四宝依持股，连手斥资40.8亿元大力相挺。南科董事长吴嘉昭昨（16）日表示，集团DRAM在年底华亚科全面导入50奈米制程后，亦即完成导入堆栈式改变
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供过于求持续11月上旬DRAM合约价续跌逾7%
11月上旬DRAM合约价再跌超过7%，虽然跌幅较10月大幅缩减，但仍挡不住DRAM市场严重供不于求的事实，虽然DRAM厂这次再度发动减产策略，但仍抵挡不住这波DRAM价格崩盘潮，主要是转换制程所产出的新产能太多，加上目前终
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相变存储器(PCM)与存储器技术的比较
相变存储器(PCM)与存储器技术的比较
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南茂第3季转亏为盈 惟本季营收、毛利率恐下滑
封测厂南茂科技公布第3季财报，营收季增4.9%，毛利率也上升4个百分点，同时单季也转亏为盈。此外，第4季因市场需求转为疲软，因此南茂也预测单季营收将会比上季下滑6~12%，毛利率也连带地下降2个百分点。 南茂第
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