MOSFET
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安森美半导体推出非同步升压控制器NCV8871
21ic讯 安森美半导体(ON Semiconductor)推出用于汽车系统自安崭新的可调节输出非同步升压控制器。NCV8871是一款输入电压范围为3.2伏(V)至44 V的宽输入电压器件，能用于驱动外部N沟道MOSFET。此器件包含的内部稳压器为
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航空和国防应用的电源保护
凌力尔特向国防工业供应高性能模拟集成电路已经近 30 年了，一直奉献各种资源来支持该市场的专门需求。凌力尔特提供包括工业、汽车和军用温度范围在内的多种产品级别以及业界领先的质量和 0.1 FIT 级的“同类最
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航空和国防应用的电源保护
凌力尔特向国防工业供应高性能模拟集成电路已经近 30 年了，一直奉献各种资源来支持该市场的专门需求。凌力尔特提供包括工业、汽车和军用温度范围在内的多种产品级别以及业界领先的质量和 0.1 FIT 级的“同类最
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欧姆龙与IceMos Technology量产采用MEMS超结构造MOSFET
图1：开发的MOSFET（点击放大） 美国IceMos Technology与欧姆龙开始量产采用MEMS工艺技术的超结（Super-Junction）构造MOSFET（图1）。IceMos Technology主要负责设计和开发，欧姆龙负责生产。首批量产的是两种产
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一种求解每个热源功率损耗的新方法
一 引言 DC-DC转换器的效率和功率损耗是许多电子系统的一个重要特征参数。可以测量出这些特征参数，并用下面的直观方式进行表达： 效率 = 输出功率 / 输入功率 （1） 功率损耗 = 输入功率-输出功率
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一种求解每个热源功率损耗的新方法
一 引言 DC-DC转换器的效率和功率损耗是许多电子系统的一个重要特征参数。可以测量出这些特征参数，并用下面的直观方式进行表达： 效率 = 输出功率 / 输入功率 （1） 功率损耗 = 输入功率-输出功率
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用非传统MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效
我们发现日益改进的静电学及晶体管传输有助于形成一种成熟的方法，这种方法能够降低有源和待机功耗。要做到这一点，新型晶体管结构和材料拓展了性能?功耗设计空间，使之超跃了传统的本体硅晶体管。最终，通过构成一个由多层系统-电路-器件电源管理生态系统构成的底层，晶体管的创新将会继续在定义下一代提高功效的策略时发挥关键作用。
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完全自保护MOSFET功率器件分析
为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现，但是在更多情况下，设计人员使用完全
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完全自保护MOSFET功率器件分析
为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现，但是在更多情况下，设计人员使用完全
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80V浪涌吸收器原理与设计
摘要 针对飞机直流电源上的浪涌干扰，分析了采用电压钳位和开关式稳压电路两种方法，实现80V浪涌吸收器的可行性。经过设计和试验，较好地解决了这一问题。 关键词 机载电子设备；80V浪涌吸收器；浪涌干扰 随
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IR推出新系列40V至75V车用MOSFET
21ic讯 IR近日推出新的车用MOSFET系列，适合要求低导通电阻的一系列应用，包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。IR坚固的新型平面器件提供低导通电阻，适合电压介于40V和75V之间的各种
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IR推出新系列40V至75V车用MOSFET
21ic讯 IR近日推出新的车用MOSFET系列，适合要求低导通电阻的一系列应用，包括传统内燃机 (ICE) 平台以及微型和混合动力汽车平台上的重载应用。IR坚固的新型平面器件提供低导通电阻，适合电压介于40V和75V之间的各种
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基于混合SET/MOSFET的比较器
据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]，而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理，因此必须寻找新的替代器件。单电子晶体管(Single-Electron Tra
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基于混合SET/MOSFET的比较器
据2001 年的国际半导体技术未来发展预示，到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1]，而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理，因此必须寻找新的替代器件。单电子晶体管(Single-Electron Tra
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基于UC3844的反激开关电源设计
引言 随着现代科技的飞速发展，开关电源正朝着小、轻、薄的方向发展。反激变换器因具有电路拓扑简单、输入电压范围宽、输入输出电气隔离、体积重量小、成本低、性能良好、工作稳定可靠等优点，被广泛应用于实际变
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矽晶片/封装技术加持 新MOSFET效能/体积齐优化
新问世的NexFET Power Block透过矽晶片及封装技术的突破，来满足小尺寸产品的高效率及高电量需求，其所占空间约为离散式MOSFET的一半，可降低相关寄生效应，并使同步降压电源配置，能够在效能方面超越离散式MOSFET电
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说出你的故事：中国IC设计及应用创新案例
现代创新理论的提出者约瑟夫·熊彼特认为，企业家的职能就是实现“创新”，引进生产要素或生产条件的“新组合”，目的是最大限度地获取超额利润。创新催生利润，因此“创新”一
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Diodes 全新MOSFET组合可减少直流电机损耗
21ic讯 Diodes 公司推出一对互补性双 MOSFET 组合DMC4040SSD，可用于低压单相/三相无刷直流（BLDC）电机控制应用。该组合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道导通电阻（Rdson）性能，以确保平衡分配电机负载的直流损耗
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分析混合动力电动车设计中大功率器件的应用
尽管标准内燃机驱动的汽车可以相对轻松地从12V电池供电和相应的12V/14V交流发电机获取车载系统的电气需求，但由于混合动力电动汽车采用了几个系统，它们需要更高的功率级别。对于轻混、全混、插电式混合动力汽车或
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同步降压MOSFET电阻比的正确选择
在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组
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明天你好8
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