Blade封装技术助力　低压MOSFET效能升级

在绿色节能热潮持续发烧与能源规范日趋严格等因素驱使下，市场对电源供应系统的效率和功率密度的要求也不断提升。为因应此一发展趋势，英飞凌(Infineon)已研发出采用新一代Blade封装技术的低压金属氧化物场效电晶体(MOSFET)，具备低电阻、低电感、低热阻及小尺寸特性，可为终端产品带来更强悍的市场竞争力。

台湾英飞凌应用工程经理林锦宏表示，未来Blade封装技术也将会运用在高压MOSFET的产品开发。
台湾英飞凌应用工程经理林锦宏表示，为符合现今严苛的能源标准，效率和功率密度将会是电源转换及电源管理系统设计时的两大重点。因此，势必得在研发电源转换关键元件--MOSFET时，设法降低导通损失与切换损失，进而使MOSFET效能发挥到淋漓尽致。

林锦宏进一步指出，为解决导通损失与切换损失的问题，英飞凌耗时1年所研发的Blade封装技术，淘汰过往的夹片(Clip)或打线接合(Wire Bonding)设计，改采类似电镀的方式与印刷电路板(PCB)接合，实现低电阻与低电感等特性，并分别达到让导通耗损最小化与开关损耗大幅降低的效果，进而使电源供应器的整体功耗下降，让装置更为省电。此外，该封装技术为3毫米(mm)×3毫米的超小尺寸，还能够使体积缩减到最小，达到降低成本与减少占位面积的目的，使多出来的空间能给予客户更大的设计弹性。

目前MOSFET封装技术主流仍为SuperSO8，其较上一代TO-220封装技术可提升约0.4%的效率，而Blade封装则可比SuperSO8再多提升1%的效率，且尺寸更为精巧。至于元件散热方面，过往使用SuperSO8封装技术仅依靠印刷电路板来进行散热，容易导致热阻过高，为解决此问题，Blade系在封装顶部加上一块铜片，再结合PCB双管齐下，可提供更佳的散热效果。

据了解，英飞凌使用Blade封装技术的MOSFET产品将于2011年第四季开始送样，明年第一季正式开始量产。主要应用领域将会锁定在须要高效率电源转换的设备上，例如开关式电源伺服器、太阳能应用，以及电动车等相关设备。

除改用新的封装技术外，英飞凌也计划透过导入新的材料，来提升MOSFET元件性能指数(FOM)。林锦宏表示，目前已有业者朝氮化镓(GaN)材料的方向研发，其元件性能指数可比目前的主流材料矽(Si)高出将近十倍，且低导通电阻的特性也较矽更为优秀。但由于目前GaN在制程上的良率过低，预计至少还得花3年的时间才有可能大量应用在市场上，届时再搭配先进的封装技术，将可彻底落实绿色电源的设计宗旨。