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SiC-MOSFET终端区对开关损耗的物理分析
尽管硅是电子产品中使用最广泛的半导体，但最近的研究表明它有一些局限性，特别是在大功率应用中。带隙是基于半导体的电路的相关因素，因为高带隙在高温、电压和频率下的操作方面具有优势。硅的带隙为 1.12 eV，而碳化硅的带隙值高 3 倍，为 3.2 eV，因此性能和效率更高，开关频率更高，总占位面积更小。
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【重磅】2022年第二十届TOP10 POWER电源产品奖公布！
经过全网数千次的工程师投票和21ic编辑紧张的审评，2022年度第二十届Top10 Power电源产品奖结果已经出炉！
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SiC半导体需求增加，博格华纳投资Wolfspeed
据业内消息，因SiC半导体需求增加，近日博格华纳向半导体制造商Wolfspeed投资5亿美元确保SiC产能。
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安森美的制胜之道
“过去两年，确实因为疫情关系遇到了挑战，但是安森美也是抓住了很大的机遇，尽最大可能助力客户取得成功。”安森美总裁兼首席执行官(CEO) Hassane El-Khoury在媒体会如是总结到。
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PCIM 上各家公司的最新SiC 功率半导体产品
UnitedSiC(现为 Qorvo)发布了其下一代 1200-V SiC FET 系列，声称其导通电阻具有行业领先的品质因数。新型 UF4C/SC 系列 1200-V 第 4 代 SiC FET 针对电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器以及焊机、不间断电源中的主流 800-V 总线架构用品和感应加热应用。
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KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作开发下一代电车应用GaN技术
KYOCERA AVX和VisIC Technologies扩大合作，开展下一代电动汽车应用GaN技术开发 耐斯兹敖那、以色列和萨尔茨堡和奥地利2022年10月27日 /美通社/ -- 结合KYOCERA AVX在分立和模块封装方面...
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Dieter Liesabeths担任VisIC Technologies公司高级副总裁
汽车应用氮化镓（GaN）解决方案公司VisIC Technologies LTD宣布： Dieter Liesabeths将加入公司，担任产品高级副总裁。在过去的10年里，他在Wolfspeed GmbH担任高级总监，并建立了汽车部门。(能动Nengdong)...
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Dieter Liesabeths将加入VisIC担任产品高级副总裁
（全球TMT2022年10月12日讯）作为汽车应用氮化镓（GaN）解决方案的全球领导者，VisIC Technologies LTD公司宣布： Dieter Liesabeths将加入公司，担任产品高级副总裁。Dieter在半导体行业拥有超过30年的丰富经验，他的加入将推动氮化...
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知名行业领军人物Dieter Liesabeths加入VisIC 担任产品高级副总裁
以色列耐斯兹敖那2022年10月12日 /美通社/ -- 作为汽车应用氮化镓（GaN）解决方案的全球领导者，VisIC Technologies LTD公司很高兴地宣布： Dieter Liesabeths将加入公司，担任产...
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欧洲第一座，6寸SiC工厂巨额投资落地意大利
据业内消息，ST昨日宣布将在意大利投资落地一个整合式SiC衬底制造厂，用来满足客户对汽车及工业SiC组件与日俱增的需求，同时协助其向电气化迈进并达到更高效率。据悉这座工厂预计2年后开始投产，建成后将成为欧洲第一座6寸大型SiC衬底生产基地。
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增产16倍以满足需求，安森美SiC工厂落户捷克
据业内消息，近日安森美在捷克共和国的SiC工厂的扩建落成，捷克的工业和贸易部科长、兹林州州长以及市长等政府官员出席了剪彩仪式，安森美表示工厂将在未来两年内将SiC晶圆产能提高16倍以满足急剧增长的微芯片需求。
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中国移动光缆集采中标，鸿海竹科6英寸SiC认证中
据业内消息，近日中国移动公布了之前非骨架式带状光缆集中采集的中标信息，其中长飞、中天、亨通、烽火、富通等十家厂商入围；中国台湾鸿海科技集团下的竹科6英寸厂已经生产出SiC电子元件，目前正在进行车规认证，预计2023年会排产。
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国产6英寸SiC小批量交付，宁德时代合资创新公司
据业内消息，近日位于上海临港的天岳SiC半导体材料项目已经成功封顶，6英寸SiC导电衬底生产目前已经进行小批量交付；注册资本一千万，由宁德时代和宁德新能源科技有限公司等间接共同持股的中科邦普循环科技创新有限公司成立。
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Wolfspeed将投资数十亿美金在北美建世界最大SiC工厂
据业内消息，Wolfspeed近日表示将投资数十亿美金在美国北卡罗来纳州查塔姆县建造采用领先前沿技术的SiC材料制造工厂，此工厂预计将提升现有SiC产能十倍，用于支持Wolfspeed未来长期的战略增长，建成后将成为世界上最大的SiC工厂，也会进一步加快SiC半导体在未来世界终端市场应用。
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通过并联 SiC MOSFET 获得更多功率
开关、电阻器和MOSFET的并联连接的目的是划分所涉及的功率并创建可以承受更大功率的设备。它们可以并联以增加输出电流的容量。因为它们不受热影响不稳定性，并联连接通常比其他更过时的组件更简单，更不重要。碳化硅MOSFET也可以与其他同类器件并联使用。多个单元之间的简单并联在正常条件下工作良好，但在与温度、电流和工作频率相关的异常事件中，操作条件可能变得至关重要。因此，必须采取一定的预防措施来创建防故障电路，以便它们能够充分利用功率器件并联所提供的优势。
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干货满满！2022集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会圆满落幕
在新能源汽车、5G通讯、光伏储能等终端应用的发展下，SiC/GaN等第三代半导体材料水涨船高，成为时下最火热的发展领域之一。为全面梳理第三代半导体行业的发展现状、面临的瓶颈以及技术突破的方向，TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体市场、全球半导体观察于2022年8月9日，在深圳福田JW万豪酒店举办2022集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会。
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顺应汽车电气化趋势，持续投资SiC技术
今年上半年中国汽车工业运行数据出炉，据中汽协数据显示，上半年新能源汽车产销分别达到266.1万辆和260万辆，同比增长均为1.2倍，市场占有率达到21.6%。可以说，汽车电气化的趋势已经成为一种业界的共识。
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UnitedSiC（现已被 Qorvo收购）为功率设计扩展高性能且高效的750V SiC FET产品组合
7 款 D2PAK 表贴器件提供出色的灵活性
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车企搭载积极，2022年车用SiC功率元件市场规模将突破10亿美元
Jul. 14, 2022 ---- 为进一步提升电动汽车动力性能，全球各大车企已将目光锁定在新一代SiC(碳化硅)功率元件，并陆续推出了多款搭载相应产品的高性能车型。据TrendForce集邦咨询研究，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4 亿美元。
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汽车应用中的宽带隙材料
电动汽车 (EV) 和混合动力电动汽车 (HEV) 正在寻找提高功率转换效率的解决方案。 长期以来，大多数电子功率器件都是基于硅的，硅是一种可以在加工过程中几乎不会产生任何缺陷的半导体。然而，硅的理论性能现在几乎已经完全实现，突出了这种材料的一些局限性，包括有限的电压阻断能力、有限的传热能力、有限的效率和不可忽略的传导损耗。与硅相比，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 半导体具有更出色的性能：更高的效率和开关频率、更高的工作温度和更高的工作电压。
