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爱普科技扩大S-SiCap™技术应用版图 满足AI与HPC新需求
新竹2025年12月17日 /美通社/ -- 全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布，S-SiCapTM（Stack Silicon Capacitor）产品线持续深化技术布局，聚焦AI服务器与高性能计算（HPC）的整合挑战。S-SiCapTM产品线涵盖分离式硅电容（...
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VisIC宣布完成2,600万美元B轮融资
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称“HKMC”）作为战略投资者参投 以色列内斯齐奥纳2025年12月11日 /美通社...
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破局固态断路器应用，安森美SiC JFET因何成为最优解
断路器是一种用于保护电路免受过电流、过载及短路损坏的器件。机电式断路器 (EMB) 作为业界公认的标准器件，包含两个独立触发装置：一个是双金属片，响应速度较慢，由过电流触发跳闸；另一个则是电磁装置，响应速度较快，由短路触发启动。EMB 拥有设定好的跳闸电流（通常为固定值），具备瞬时跳闸（电磁触发）和延时跳闸（热触发/双金属片触发）两种特性，可稳妥可靠地应对短路与过载情况。
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EliteSiC栅极驱动器匹配全指南：关键设计要点解析
本指南旨在针对各类高功率主流应用，提供为 SiC MOSFET匹配栅极驱动器的专业指导，同时探索减少导通损耗与功率损耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在导通和关断过程中的电压与电流效率。
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Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块，提高效率和可靠性
薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性
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三安碳化硅芯片成功上车，携手理想开启战略合作新篇章
长沙2025年11月28日 /美通社/ -- 近日，三安光电旗下的湖南三安半导体有限责任公司（以下简称"湖南三安"）在长沙隆重举行以"全‘芯'力量，共赴理想"为主题的三安碳化硅芯片上车仪式。此次活动不仅是对湖南三安车规级碳化硅芯片在性能、可...
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800V高压平台“破局”：从SiC器件到扁线电机，全链路升级如何实现充电5分钟续航300公里？
当新能源汽车驶入“高压时代”，一场关于充电效率的革命正以摧枯拉朽之势重塑行业格局。2025年，800V高压平台渗透率从2022年的2.5%飙升至15%，主流车型充电时间压缩至12分钟，部分技术标杆甚至实现“充电5分钟续航300公里”的突破。这一跨越式发展的背后，是SiC功率器件、扁线电机、电池热管理等全链路技术的协同进化，共同编织出一张覆盖充电、驱动、热管理的技术网络。
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三安半导体携技术洞见亮相CPEEC & CPSSC 2025赋能高效能源未来
深圳2025年11月12日 /美通社/ -- 11月7日至10日，中国电源领域规模最大、影响力最广的行业盛会——CPEEC & CPSSC 2025在深圳宝安国际会展中心举办。三安光电旗下湖南三安半导体（以下简称"三安半导体"）作为国内碳化硅...
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体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
中国上海，2025年10月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。
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GaNSiC功率器件应用，高频高效电路设计与热管理挑战
在新能源汽车、5G通信、数据中心等高算力场景，功率电子器件正经历一场由传统硅基向宽禁带材料(GaN氮化镓、SiC碳化硅)的革命性转型。GaN与SiC凭借其独特的物理特性，不仅重塑了功率器件的性能边界，更对高频电路设计与热管理系统提出了全新挑战。
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功率半导体的极致演绎，英飞凌从晶圆、封装、模块、方案进行全面技术创新
从工业数字化、到电动出行、再到现在的AI革命，离不开创新的能源技术驱动，尤其是以SiC/GaN为代表的第三代功率半导体技术的发展。而英飞凌凭借在该领域的持续创新，牢牢把握这一趋势。
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英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度
【2025年9月25日，德国慕尼黑与日本京都讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）今日宣布，与全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作，推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。未来，客户可同时从英飞凌与罗姆采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升客户在设计与采购环节的便利性。
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AC-DC电源中SiC MOSFET与超结MOSFET的对比选型：开关损耗与导通损耗的权衡分析
在AC-DC电源设计领域，功率器件的选型直接影响系统效率、体积与成本。随着第三代半导体材料的突破，碳化硅(SiC)MOSFET凭借其低损耗特性，逐渐在高压、高频场景中替代传统硅基器件。而超结(Super Junction, SJ)MOSFET作为硅基器件的升级方案，通过电荷平衡结构实现了高耐压与低导通电阻的平衡。本文将从开关损耗与导通损耗的权衡视角，结合实际案例与实验数据，深入分析两种器件的技术特性与选型策略。
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ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度
中国上海，2025年9月22日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出二合一结构的SiC模块“DOT-247”，该产品非常适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。新模块保留了功率元器件中广泛使用的“TO-247”的通用性，同时还能实现更高的设计灵活性和功率密度。
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罗姆携众多先进解决方案和技术亮相2025 PCIM Asia Shanghai
中国上海，2025年9月11日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将于9月24日～26日参加上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(以下简称PCIM Asia Shanghai)。届时，罗姆将展示其在工业设备和汽车领域中卓越的SiC和GaN产品和技术。同时，罗姆还将在现场举办技术研讨会，分享其最新的电力电子解决方案。
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TrendForce集邦咨询: 2Q25全球牵引逆变器装机量年增19%，增程式电动车助力SiC机种普及
Sept. 10, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新发布的《全球电动车逆变器市场数据》，2025年第二季受惠纯电动车(BEV)销售成长，全球电动车(注1)牵引逆变器装机量达766万台，年增19%。从动力模式分析，BEV的装机比例为52%，继2024年第一季后再度位列第一，甚至超越油电混合车(HEV)、插电混合式电动车(PHEV)、增程式电动车(REEV)等混合动力车的合计占比。
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搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产
中国上海，2025年9月10日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团(总部位于德国赫尔佐根奥拉赫，以下简称“舍弗勒”)宣布，作为战略合作伙伴关系的重要里程碑，舍弗勒开始量产搭载罗姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高电压逆变砖。这是面向中国大型汽车制造商设计的产品。
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e络盟全面开售 Nexperia 广泛新品组合
中国上海，2025 年9月9日 — Nexperia 每年增加 800 多种新产品类型。2024 年，仅模拟和电源管理应用便推出了超过 70 种新部件。为支持 Nexperia 产品扩展，e络盟紧跟其不断扩大的产品组合，扩充了自身的库存产品型号范围，以便更精准的服务全球工程师。
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X-FAB现推出GaN-on-Si代工服务
XG035 dMode工艺将提供MPW、原型设计及量产服务
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拆解安森美核心光伏方案：从器件到系统，全面推动能效提升
太阳能逆变器种类丰富，可按类型（集中式、组串式、微型）或终端应用场景（住宅、商业、公用事业）进行划分。目前，组串式逆变器因具备灵活性高、易于安装的特点而应用最为广泛。随着功率器件的不断迭代升级，单台逆变器的功率水平与功率密度持续提升，而单价和尺寸却不断下降，这使其成为太阳能逆变器市场的主流产品。
