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[导读]碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆变器应用的开关性能,能够在增强热性能的同时提供较高的击穿场强及开关频率。不过,SiC要求在更紧凑的设计中能够获得更快速的短路保护,这对门极驱动器提出了独特的挑战 —— 需要在不同的SiC架构中支持各种不同的门极电压。

碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆变器应用的开关性能,能够在增强热性能的同时提供较高的击穿场强及开关频率。不过,SiC要求在更紧凑的设计中能够获得更快速的短路保护,这对门极驱动器提出了独特的挑战 —— 需要在不同的SiC架构中支持各种不同的门极电压。

全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器可最大程度提高效率及安全性

PI全新的SIC1182K SCALE-iDriver™ IC 是一款市售可提供高效率的单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。它经过设定后可支持不同的门极驱动电压,来满足市售SiC MOSFET的需求。

SIC1182K采用PI的FluxLink™通信技术,可显著提高可靠性并提供1200V加强绝缘。 完善的保护特性包括:

•高级有源钳位(AAC)

•超快速短路检测

•过流故障关断

•原方和副方欠压保护(UVLO)

其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。


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